Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values ! "# # ! $ $ / $ # / 6 ! 7 # ! < # + = < $ "# # $ 7 ! %&' ( )* +,-. %, ( 0 * %, ( )* 1, 234 1, ) 5 5 8( 1,:; ) 5 6>3> )) # 9 %, ( 0 * %, ( )* $ +?-. $ Charakteristische Werte / characteristic values ! "# # < $ = < $ $ $ $ $ $ $ +?- ( < $ " $ $ ! P != ! ! < $ = $ ! 5 7 C "# # # # $ 7 # T 5 T T V ! ! U U T U $ 6 $ 5 $ $ 7 1 \ C# = # 9` V V V V " V V U V 7S$ $ 7 # T 7 T # T @ )+ H? 6 # B 9 ) 9 9 )9 )90 G9) 9 + + + I ?J2> K LM79 %&' ( )* 9 +,- ( ) +9 +?- ( + JND )9 O ( LM79 %&' ( )* 9 +,- ( ) +9 +?- ( + QND 9 O +,- ( 7S$ $ 7 # T + ( +,- ( ! $ " +?->F %&' ( )* 7 C "# # +,- DE> #59 +,- ( +?-9 %&' ( )* )+ @A # 1, ( ) 59 +?- ( ) +9 %&' ( )* 1, ( ) 59 +?- ( ) +9 %&' ( )* 1, ( 9 $ 1 O C $ + +9 +?- ( +9 +?- ( +9 %&' ( )* +9 %&' ( )* 1,-. )9 #5 1?-. R 5 1, ( ) 59 +,- ( G + +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* X 32 9 G 9 Y I I 1, ( ) 59 +,- ( G + +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* Q 9 9 ) I I 1, ( ) 59 +,- ( G + +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* X 3ZZ 9R 9) I I 1, ( ) 59 +,- ( G + +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* Z 9 9 Y I I 1, ( ) 59 +,- ( G +9 U. ( ) M +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* "32 R9 G9 ) #[ #[ 1, ( ) 59 +,- ( G +9 U. ( ) M +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( )* "3ZZ G9 #[ #[ 8] %&'] 1., I 9 +?- ] ) + )* 9 +,, ( Y +9 +,-4E^ ( +,-. UD,- _ A 1<a% 1<a% 9 >Fb, 1 5 9 ) A Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values 6 7 $ ! / / $ $ = +::; # 6 7 = ! < 1d %&' ( )* 7 # 8( $ # +: ( +9 8 ( # 9 %&' ( )* 1c ) 5 1c:; ) 5 1d Charakteristische Werte / characteristic values / $ = 1c ( ) 59 +?- ( 1c ( ) 59 +?- ( $ P ! ! # 7 7S$ $ $ $ 5 $ 1 6 $ # +9 %&' ( )* +9 %&' ( )* +c Y 9 1c ( ) 59 cA ( +: ( G +9 +?- ( +: ( G +9 +?- ( 5AI ) +9 %&' ( )* ) +9 %&' ( )* HQ 9 R9 1c ( ) 59 cA ( +: ( G +9 +?- ( +: ( G +9 +?- ( 5AI ) +9 %&' ( )* ) +9 %&' ( )* "QNe / %e ( % # # ! T a ! a # # 1 7 * G * #[ #[ A # B 9R #K jj4kl 6 %>&'3j m/ m` I I i %e ( 0 * C# = # V gh + + 5 5 9)0 # * # B 9 ) 9 G9 >Fb, 9` = 9G) 9G) 1:; Strommesswiderstand / shunt f 5d 1c ( ) 59 cA ( 5AI +: ( G +9 +?- ( ) +9 %&' ( )* +: ( G +9 +?- ( ) +9 %&' ( )* C# = # + >Fb, ! 2 R * 9Y A Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data Modul / module 1 6P $ L 9 ( ) M79 ( $ L # L L # P # +n.op 9) !+ $ # 1 5g q ! $ U ! + $ # 7 = $ B ! $ ! ! P !S ! A A # # # ! ! P !S ! A A # # # $ ! 9 ! 9) %1 r ## ## ) # s $ # $ L C# = 9 ! L t8ED>N ( ! A # AT#_ V A tuQNEDN ( AT#_ V C 9 UD,- # L 5 # >F,v $ = # B Y A ) M 90 #K 9 P %, ( )* 9 9 A = ,,wx--w # MS 7 C # B# #` % # # $ # %&' 4E^ # # = U $ $ # $ 5 7 $ # $ # # # y # a $ $ A = L) < = = $ ) * %&' 3j R ) * %D>u R ) * L 9 G9 < Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. 3 f# $ Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data 5 $ $ ! 1<a% 1<a% T T V 5 $ $ ! 1, ( T+,-V +?- ( ) + 1, ( T+,-V %&' ( )* 150 150 %&' ( )* %&' ( )* 120 120 105 105 90 90 75 60 45 45 30 30 15 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 +,- z+{ s $ $ ! ! 1<a% 1<a% T T V V 1<a% = $ 1<a% "32 ( T1,V9 "3ZZ ( T1,V +?- ( W ) +9 ?32 ( R9 K9 %&' ( )* 150 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 T T V V ?3ZZ ( R9 K9 +,- ( G +9 20 %&' ( )* %&' ( )* 135 120 16 105 14 90 12 75 10 60 8 45 6 30 4 15 2 5 6 7 "32 "3ZZ 18 " z#[{ 1, z5{ 2,5 +,- z+{ 1, ( T+?-V +,- ( + 0 V V 75 60 0 T T +?- ( Y+ +?- ( + +?- ( )+ +?- ( + +?- ( + +?- ( Y+ 135 1, z5{ 1, z5{ 135 1<a% 1<a% V 8 9 10 11 0 12 +?- z+{ 0 25 50 75 1, z5{ 4 100 125 150 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data 1<a% T = $ 1<a% 1 T "32 ( T ?V9 "3ZZ ( T ?V +?- ( W ) +9 1, ( ) 59 +,- ( G V % C# = # # V 1<a% 1<a% |>Fb, ( T V +9 %&' ( )* 20 1 "32 "3ZZ 18 |>Fb, 1<a% 16 14 |>Fb, z A { " z#[{ 12 10 8 0,1 6 4 R Jz A { Jz { 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0,01 0,001 45 9 9 0,01 5 1<a% 1<a% $ 1, ( T+,-V +?- ( W ) +9 ?3ZZ ( R9 K9 %&' ( Y 9 9 9 9 GR 0,1 G Y G 9 RGY0 9 GRYY 1 10 z { ? zK{ P !=C GG T a }5V T a }5V / \! = 1c ( T+cV / T T V V )* 175 150 135 150 %&' ( )* %&' ( )* 120 125 105 90 1c z5{ 1, z5{ 100 75 75 60 45 50 30 25 0 1,9 L 1,9 0 200 400 15 600 800 1000 1200 0 1400 +,- z+{ 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 +c z+{ 5 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data / = $ "QNe ( T1cV ?32 ( R9 K9 +,- ( G T V T / = $ "QNe ( T ?V 1c ( ) 59 +,- ( G V +9 %&' ( )* 10 T V T +9 %&' ( V )* 8 "QNe 9 "QNe 7 8 6 7 5 " z#[{ " z#[{ 6 5 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 0 25 50 75 100 125 150 0 1c z5{ % C# = # # / 1 |>Fb, z A { |>Fb, / 0,1 R 0,01 0,001 0,01 9 9 Y Y 9 9 0,1 10 15 20 25 ? zK{ |>Fb, ( T V Jz A { Jz { 5 YR GR 9 Y RR 9 G 1 9 R G) 9 GRYY 10 z { 6 30 35 40 45 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3_B3 Vorläufige Daten preliminary data Schaltplan / circuit diagram Gehäuseabmessungen / package outlines 7