ETC XP03316

複合トランジスタ
XP03316
シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形(Tr1 部)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)
0.20±0.05
5
5˚
1
■ 基本品種
3
2
(0.65) (0.65)
• UNR2216 × UNR2116
1.3±0.1
2.0±0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
定格
単位
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
50
V
IC
100
mA
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
VCBO
−50
V
形名表示記号 : AM
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
内部接続図
コレクタ電流
IC
−100
mA
全許容損失
PT
150
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
コレクタ電流
0.9±0.1
記号
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Emitter (Tr2)
EIAJ : SC-88A
SJJ00281AJD
4 : Collector (Tr2)
5 : Collector (Tr1)
Base (Tr2)
SMini5-G1 Package
5
4
Tr1
Tr2
1
発行年月 : 2003年8月
0.9+0.2
–0.1
10˚
0 to 0.1
項目
総合
0.2±0.1
1.25±0.10
2.1±0.1
• 1 パッケージに 2 素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
Tr2
0.12+0.05
–0.02
4
■ 特 長
Tr1
Unit : mm
(0.425)
スイッチング用 / デジタル回路用
2
3
1
XP03316
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
• Tr1部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
50
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
0.01
mA
hFE
VCE = 10 V, IC = 5 mA
460

0.25
V
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ
R1
トランジション周波数
fT
標準
最大
V
0.1
160
4.9
−30%
µA
V
0.2
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
単位
V
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
入力抵抗
最小
4.7
+30%
150
V
kΩ
MHz
注 ) 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
• Tr2部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −50 V, IB = 0
− 0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = −6 V, IC = 0
− 0.01
mA
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
VOH
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
R1
トランジション周波数
fT
共通特性図
PT  Ta
250
全許容損失 PT (mW)
200
150
100
50
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
2
SJJ00281AJD
最大
単位
V
V
− 0.1
160
µA
460

− 0.25
V
− 0.2
V
−4.9
−30%
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
注 ) 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
0
標準
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
入力抵抗
最小
V
4.7
80
+30%
kΩ
MHz
XP03316
Tr1 部特性図
VCE(sat)  IC
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
コレクタ電流 IC (mA)
120
100
0.4 mA
80
0.3 mA
60
0.2 mA
40
0.1 mA
20
0
Ta = 25°C
0
2
4
6
8
10
12
1
IC / IB = 10
0.1
Ta = 85°C
25°C
–25°C
25°C
250
–25°C
200
150
100
50
0
0.01
0.1
1
10
100
1
10
IO  VIN
1 000
f = 1 MHz
Ta = 25°C
100
1 000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
VCE = 10V
Ta = 85°C
300
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
10
hFE  IC
350
直流電流増幅率 hFE
0.9 mA
IB = 1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
140
VIN  IO
10
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
100
10
1
1
1
0
10
20
30
40
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.1
0
1
2
3
入力電圧 VIN
SJJ00281AJD
4
(V)
5
0.1
0.1
1
10
100
出力電流 IO (mA)
3
XP03316
Tr2 部特性図
VCE(sat)  IC
– 0.9 mA
– 0.8 mA
– 0.7 mA
コレクタ電流 IC (mA)
–120
–100
– 0.6 mA
– 0.5 mA
–80
– 0.4 mA
–60
– 0.3 mA
–40
– 0.2 mA
–20
– 0.1 mA
0
Ta = 25°C
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–10
IC / IB = 10
–1
25°C
– 0.01
– 0.1
150
100
–1
–10
0
– 0.1
–100
–1
–10
30
40
(V)
入力電圧 VIN (V)
VO = –5 V
Ta = 25°C
–1
0
– 0.5
–1.0
–1.5
入力電圧 VIN (V)
SJJ00281AJD
–1 000
VIN  IO
–10
–10
– 0.1
–100
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
コレクタ・ベース間電圧 VCB
4
–25°C
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (mA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
20
200
50
–100
f = 1 MHz
Ta = 25°C
10
25°C
–25°C
Cob  VCB
10
0
Ta = 85°C
– 0.1
VCE = –10V
Ta = 85°C
250
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
1
hFE  IC
300
直流電流増幅率 hFE
IB = –1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
–140
–2.0
VO = – 0.2 V
Ta = 25°C
–1
– 0.1
– 0.1
–1
–10
出力電流 IO (mA)
–100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
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(5)
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(6)
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きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
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半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL