X2003 www.x-jiazhi.com 高耐压、大电流达林顿陈列—X2003 概述与特点 X2003 是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅 NPN 达林顿管组成。 该电路的特点如下： X2003 的每一对达林顿都串联一个 2.7K 的基极电阻,在 5V 的工作电压下它能与 TTL 和 CMOS 电路 直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 X2003 工作电压高，工作电流大，灌电流可达 500mA，并且能够在关态时承受 50V 的电压，输出还 可以在高负载电流并行运行。 X2003 采用 DIP—16 或 SOP—16 塑料封装。 方框图 版本 3.1 16 15 14 13 12 11 10 9 1 2 3 4 5 6 7 8 第一页 共三页 www.x-jiazhi.com X2003 www.x-jiazhi.com 极限值 (若无其它规定，Tamb=25℃) 参数名称 符号 数值 单位 输入电压 VIN 30 V 输入电流 IIN 25 mA 功耗 PD 1 W 工作环境温度 Topr -20 to +85 ℃ 贮存温度 Tstg -55 to+150 ℃ 电特性（若无其它规定, Tamb=25℃） 参数名称 符号 输出漏电流 ICEX 饱和压降 输入电流 输入电压 最小 典型 最大 VCE=50V, Tamb=25℃ 50 VCE=50V, Tamb=70℃ 100 0.9 1.1 IC=200mA, IS=350μA 1.1 1.3 IC=350mA, IS=500μA 1.3 1.6 IIN(ON) VIN=3.85V 0.93 1.35 IIN(OFF) IC=500μA, Tamb=70℃ VCE(SAT) VIN(ON) CIN 上升时间 tPLH 下降时间 tPHL 钳位二极管漏电流 IR VF 单位 μA IC=100mA, IS=250μA 输入电容 钳位二极管正向压降 测试条件 50 V mA μA 65 VCE=2.0V, IC=200mA 2.4 VCE=2.0V, IC=250mA 2.7 VCE=2.0V, IC=300mA 3.0 V 15 25 pF 0.5 Ein to 0.5 Eout 0.25 1.0 μS 0.5 Ein to 0.5 Eout 0.25 1.0 μS VR=50V, Tamb=25℃ 50 μA VR=50V, Tamb=70℃ 100 μA 2.0 V IF=350mA 第二页 共三页 1.7 www.x-jiazhi.com X2003 www.x-jiazhi.com 应用电路 X2003 封装外形图 第三页 共三页 www.x-jiazhi.com