ETC TM1635

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仅供试用。
LED 驱动控制专用电路
TM1635
一、 概述
TM1635 是一种带键盘扫描接口的LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,
内部集成有MCU 数字接口、数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。本产品
性能优良,质量可靠。主要应用于电磁炉、微波炉及小家电产品的显示屏驱动。采用
SOP16/DIP16的封装形式。
二、 特性说明
•采用功率CMOS 工艺
•显示模式(7字段×4 位),支持共阳数码管输出
•键扫描(1×7bit)
•辉度调节电路(占空比 8 级可调)
•串行接口(CLK,DIO)
•振荡方式:内置RC 振荡(450KHz+5%)
•内置上电复位电路
•内置自动消隐电路
•封装形式:DIP16/SOP16
三、管脚定义:
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LED 驱动控制专用电路
TM1635
四、管脚功能定义:
符号
管脚名称
管脚号
说明
DIO
数据输入/
输出
14
串行数据输入/输出,输入数据在 SLCK 的低电平变
化,在 SCLK 的高电平被传输,每传输一个字节芯
片内部都将在第九个时钟产生一个 ACK
CLK
时钟输入
15
在上升沿输入/输出数据
K1
键扫数据输
入
16
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存
SG1~SG7
输出(段)
2-8
段输出(也用作键扫描)
,N 管开漏输出
DIG4~DIG1
输出(位)
9-12
位输出,P 管开漏输出
VDD
逻辑电源
13
5V±10%
VSS
逻辑地
1
接系统地
五、 电气参数:
极限参数(Ta = 25℃, Vss = 0 V)
参数
符号
范围
单位
逻辑电源电压
VDD
-0.5 ~+7.0
V
逻辑输入电压
VI1
-0.5 ~ VDD + 0.5
V
LED Seg 驱动输出电流
IO1
-50
mA
LED DIG 驱动输出电流
IO2
+200
mA
功率损耗
PD
400
mW
工作温度
Topt
-40 ~ +85
℃
储存温度
Tstg
-65 ~+150
℃
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正常工作范围(Ta = -40~+85℃,Vss = 0 V)
参数
符号
最小
典型
逻辑电源电压
VDD
高电平输入电压
VIH
0.7 VDD
-
低电平输入电压
VIL
0
-
单位
测试
条件
V
-
VDD
V
-
0.3
VDD
V
-
最大
5
电气特性(Ta = -40~+85℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V, Vss = 0 V
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
Ioh1
-20
-25
-40
mA
Seg1~Seg7,
Vo = vdd-2V
Ioh2
-20
-30
-50
mA
Seg1~Seg7,
Vo = vdd-3V
低电平输出电流
IOL1
80
140
-
mA
DIG1~DIG4
Vo=0.3V
低电平输出电流
Idout
4
-
-
mA
VO = 0.4V,dout
高电平输出电流容
许量
Itolsg
-
-
5
%
VO = VDD –3V,
Seg1~Seg7
输出下拉电阻
RL
KΩ
K1
输入电流
II
-
-
μA
VI = VDD / VSS
高电平输入电压
VIH
0.7
VDD
-
V
CLK,DIN
低电平输入电压
VIL
-
-
0.3
VDD
V
CLK,DIN
滞后电压
VH
-
0.35
-
V
CLK,DIN
动态电流损耗
IDDdyn
-
-
5
mA
无负载,显示关
高电平输出电流
10
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±1
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开关特性(Ta = -40~+85℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
振荡频率
fosc
-
450
-
KHz
tPLZ
-
-
300
ns
CLK → DIO
tPZL
-
-
100
ns
CL = 15pF, RL =
10K Ω
TTZH
1
-
-
2
μs
Seg1~
Seg7
传输延迟时间
CL =
300p F
上升时间
DIG1~
DIG4
TTZH
2
-
-
0.5
μs
下降时间
TTHZ
-
-
120
μs
CL = 300pF,Segn,
Gridn
最大时钟频率
Fmax
1
-
-
MHz
占空比50%
输入电容
CI
-
-
15
pF
-
 时序特性(Ta = -40 ~+85℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
时钟脉冲宽度
PWCLK
400
-
-
ns
-
选通脉冲宽度
PWSTB
1
-
-
μs
-
数据建立时间
tSETUP
100
-
-
ns
-
数据保持时间
tHOLD
100
-
-
ns
-
等待时间
tWAIT
1
-
-
μs
CLK↑→ CLK↓
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六 读键扫数据
键扫矩阵为 7×1bit,如下所示:
在有按键按下时,读键数据如下:
K1
SG1
SG2
SG3
SG4
SG5
SG6
SG7
1110_11
11
0110_11
11
1010_11
11
0010_11
11
1100_11
11
0100_11
11
1000_11
11
注意:在无按键按下时,读键数据为:1111_1111;
七、 接口说明
微处理器的数据通过两线总线接口和 TM1635 通信,在输入数据时当 CLK 是高电平
时,DIO 上的信号必须保持不变;只有 CLK 上的时钟信号为低电平时,DIO 上的信号才
能改变。数据输入的开始条件是 CLK 为高电平时,DIO 由高变低;结束条件是 CLK 为高
时,DIO 由低电平变为高电平。
TM1635 的数据传输带有应答信号 ACK,在传输数据的过程中,在时钟线的第九个时
钟芯片内部会产生一个应答信号 ACK 将 DIO 管脚拉低。
指令数据传输过程如下图(读按键数据时序):
Command:读按键指令
S0、S1、S2、K1、K2 组成按键信息编码,S0、S1、S2 为 SG 的编码,K1、K2 为 K1
和 K2 键的编码。
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写 SRAM 数据地址自动加 1 模式:
Command1:设置数据
Command2:设置地址
Data1~N:传输显示数据
Command3:控制显示
写 SRAM 数据固定地址模式:
Command1:设置数据
Command2:设置地址
Data1~N: 传输显示数据
Command3:控制显示
八、 数据指令
指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高B7、B6
两位比特位以区别不同的指令。
B7
0
1
1
B6
1
0
1
指令
数据命令设置
显示控制命令设置
地址命令设置
如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的
指令或数据无效(之前传送的指令或数据保持有效)。
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8.1 数据命令设置:
该指令用来设置数据写和读,B1和B0位不允许设置01或11。
MSB
LSB
B7
B6
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
B5
B4
B3
无关项,
填0
B2
B1
B0
功能
说明
0
1
0
0
数据读写模式
设置
地址增加模式
设置
测试模式设置
(内部使用)
写数据到显示寄存器
读键扫数据
自动地址增加
固定地址
普通模式
测试模式
0
1
0
1
8.2 地址命令设设置:
MSB
LSB
B7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
B5
B4
无关项,
填0
B3
B2
B1
B0
显示地址
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
00H
01H
02H
03H
该指令用来设置显示寄存器的地址;如果地址设为0C4H 或更高,数据被忽略,
直到有效地址被设定;上电时,地址默认设为00H。
8.3 显示控制:
MSB
LSB
B7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
B5
B4
B3
无关项,
填0
B2
B1
B0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
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功能
说明
消光数量设置
显示开关设置
设置脉冲宽度为 1/16
设置脉冲宽度为 2/16
设置脉冲宽度为 4/16
设置脉冲宽度为 10/16
设置脉冲宽度为 11/16
设置脉冲宽度为 12/16
设置脉冲宽度为 13/16
设置脉冲宽度为 14/16
显示关
显示开
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九、 显示和键扫周期
十、 硬件连接图
电路图中所接数码管为共阳数码管:
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
[LEDgn
]
G
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
[LEDgn
]
G
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
A DPY
a
B
b
C f
g
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
[LEDgn]
G
GR1
SEG1
S1
SEG2
S2
SEG3
S3
SEG4
S4
SEG5
S5
SEG6
S6
SEG7
S7
K1
滤波电容与IC的VDD、GND的回路应尽量短
VDD
GR2
C?
104
C?
100uF
GND
100P
GR3
GND
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SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
SEG4/KS4
SEG5/KS5
SEG6/KS6
SEG7/KS7
K1
CLK
DIO
VDD
GR1
GR2
GR3
GR4
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
K1
100P CLK
DIO
GR1
GR2
GR3
GR4
VDD
10K
VDD
10K
GR4
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十一、IC 封装示意图:
SOP16:
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DIP16:
 All specs and applications shown above subject to change without prior notice.
(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)
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