ETC SP5808F

SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
DATA SHEET
SP5808F
低待机功耗、高性能PWM控制器
版本号:V1.1
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-1-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
一、概述
SP5808F是一个具有低待机功耗,离线反激开关电源控制芯片。应用于笔记本适配器、离线
电池充电器以及消费类电子设配电源系统。采用电流控制模式,并且内建斜坡补偿。它具有较全
的控制功能,以构建稳定和高效的电源系统。其中PFC使能控制功能使含有PFC功能的电源系统在
轻载或空载情况下减小待机功耗。它在半载下进入降频工作模式,在轻载下进入跳频工作模式,
提高在半载或轻载下的电源效率。它内建了一个500V高压启动电路减少了外部的元件并且降低了
启动时的功率损耗。为了减小EMI,控制芯片内建抖频功能。它还提供了过压保护功能、2.5mS的
软启动功能等。使用SOP8无铅封装。
二、特点

500V高压恒流启动模式

最高工作电压18V

带斜坡补偿的电流控制模式

低待机功耗

轻载或空载下PFC使能控制功能

前沿消隐

过流保护与过压保护

短路保护

500mA上拉驱动电流和800mA下拉驱动电流
三、应用范围

笔记本适配器

离线电池充电器

消费类设备电源
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-2-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
四、极限参数
参数
Pin8(HV)电压
Pin6(Vcc)电源电压,
Pin5(DRV)驱动输出电压
Pin2(FB)反馈电压
Pin 3(CS)电流采样
Pin1(PFC)电压
热阻
最大功耗 @ 25℃ SOP
最大结温
存储温度
符号
VHV
Vcc
Vo
VFB
Vcs
VPFC
RJ
Pmax
TJ
Tstg
参数范围
-0.3 ~ 500
-0.3~ 20
-0.3~20
-0.3~14
-0.3~14
-0.3~20
178
0.7
150
-60 to 150
单位
V
V
V
V
V
V
℃/ W
W
℃
℃
符号
Vcc
参数范围
9~ 18
单位
V
五、推荐工作条件
参数
Pin6(Vcc)电源电压,
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-3-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
六、内部框图
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-4-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
六、管脚定义
管脚
管脚名称
功能描述
1
PFC Vcc
2
FB
3
4
CS/OVP
GND
5
DRV
PWM 驱动输出,提供 500mA 上拉驱动电流和 800mA 下拉驱动电流。
6
Vcc
电源端。
7
NC
空脚。
8
HV
可接 500V 高压,在芯片启动过程中,提供恒流启动,减小启动损耗。
通过可控的低阻 PMOS 功率开关连接芯片的 Vcc,在半载以上,开关闭合给 PFC
芯片供电,在轻载或启动的情况下,开关打开停止给 PFC 芯片供电。供电电
压等于 Vcc。
连接光耦集电极,通过拉电流的控制模式来调节该管脚电位,在半载以下进
入降频模式,在轻载以下进入跳频模式。
完成电流采样、提供斜坡补偿和过压保护。
地端。
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-5-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
七、电气参数
(Ta=25℃, VCC=13V , VPIN8 = 30V ,)
参数
符号
管脚
工作阈值电压
VCCOFF
6
开启后最低工作电压
启动后闩锁状态电位
内部逻辑重启电压
静态电流(无负载)
VCCMIN
VCCLATCH
VCCRESET
ICC1
6
6
6
6
静态电流(有负载)
ICC2
6
静态电流(闩锁状态)
ICC3
6
高压电流源
IC1
8
高压电流源
IC2
8
最低启动电压
VHVMIN
8
启动管漏电
ILEAKAGE
8
输出上升沿时间
TR
5
输出下降沿时间
TF
5
驱动上拉阻抗
驱动下拉阻抗
输出阻抗
输入偏置电流
最大限流点
过压保护
前沿消隐时间
进入降频模式
退出跳频模式
进入跳频模式
光耦电流源
软启动时间
温度保护点
温度迟滞
振荡器频率
内部抖频调制
最大占空比
内部斜坡补偿电阻
斜坡补偿幅度
ROH
ROl
RPFC
IIB
ILimit
Vlatch
TLEB
VD
Vstby−out
Vskip
Isop
Ss
5
5
1
3
3
3
测试条件
VFB=2.0V
VCC 上升
VCC 下降,VFB=3.5V
VFB=2.5V
PIN5 CL = 1.0 nF
VFB=2.5V
VCC=7V
VCCOFF-0.2V
PIN5 CL = 1.0 nF
VCC=0V
IC1 = 0.5 mA,
VCCOFF −0.2 V,
VFB = 2.5 V
VHV=500V
PIN5 CL = 1.0 nF,
10−90% 幅度
PIN5 CL = 1.0 nF,
10−90% 幅度
RL=300Ω, VFB = 2.5 V
VPIN5=1V, VFB = 3.5 V
RL(PIN1)=680 Ω
VFB 下降
VFB 上升
VFB 下降
2
2
2
2
-
最小值 典型值 最大值 单位
11.6
12.6
13.6
V
7.0
5.0
0.6
7.7
5.6
4.0
1.1
8.4
6.2
1.8
V
V
V
mA
1.3
2.2
3
mA
400
680
1000
uA
1.8
3.2
4.2
mA
1.8
4.4
5.6
mA
−
20
23
V
10
30
80
uA
-
40
-
nS
-
15
-
nS
6.0
3.0
6.0
−
1.010
2.7
100
1.65
1.0
600
200
−
150
12.3
7.5
11.7
0.02
1.063
3.0
200
1.75
1.25
700
235
2.5
165
25
100
±6.4
80
18
2.3
25
18
23
−
1.116
3.3
350
1.85
1.5
800
270
−
150
25
110
Ω
Ω
Ω
uA
V
V
nS
V
V
mV
uA
ms
℃
℃
kHz
%
%
kΩ
V
FOSC
90
Dmax
Rup
75
9.0
无锡硅动力微电子股份有限公司
85
36
V1.1
-6-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
八、典型应用
无锡硅动力微电子股份有限公司
V1.1
-7-
SP5808F
低待机功耗、高性能 PWM 控制器
九、封装外形
符号
A
A1
A2
A3
D
E
E1
e
L
L1
θ
(单位:mm)
参数
典型
-0.18
1.40
0.65
4.90
6.00
3.90
1.27BSC
0.65
1.05BSC
--
最小
-0.08
1.20
0.55
4.70
5.80
3.70
0.50
0
无锡硅动力微电子股份有限公司
最大
1.77
0.28
1.60
0.75
5.10
6.20
4.10
0.80
8°
V1.1
-8-