深圳市钲铭科电子有限公司 SM7503 芯片 1W_LED 电源方案设计文档 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD SM7503 芯片 1W_LED 电源方案设计文档 一、方案设计规格 输入电压：85-265VAC 输出电压：2.5V~4.5V 输出电流：350mA 拓扑结构：反激式 外围环境：开放 二、原理图 R1 C2 D2 DC+ E2 D4 R4 F1 DC- D1,D5, D6,D7 IC1 E1 90~265V AC R2 5 GND D3 HVDD 4 6 NC COMP 3 7 NC FB 2 8 DRAIN CS 1 R3 R5 SM7503 R6 C1 E3 图 1：方案原理图 三、BOM 清单： 位号 规格型号 封装 用量 F1 NC RS1M SMA 贴片二极管 6 D2 SS110 SMA 贴片二极管 1 E1 4.7uF/400V 直插 8*12 1 E2 47uF/16V 直插 5*11 1 E3 10uF/50V 0805 贴片陶瓷电容 1 C1 100nF/50V 0603 贴片陶瓷电容 1 C2 1000pF/1000V 瓷片电容/引脚间距 5mm 1 D1、D3、D4、D5、 D6、D7 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -1- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 SM7503 芯片 1W_LED 电源方案设计文档 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD R1 56K 1206 贴片电阻 1 R2 1R 0805 贴片电阻 1 R3 39K 0805 贴片电阻 1 R4 5.1K 0805 贴片电阻 1 R5 3.9K 0805 贴片电阻 1 R6 4.7R 0805 贴片电阻 1 IC1 SM7503 SOP8 1 T1 EE10 EE10 1 四、变压器参数 1 8 8 1 5 4 Np 2 3 Na Ns 5 4 底视图 制作说明： 变压器绕制方法 1. 骨架EE10立式(4+4)立式 PC40磁芯 2. 电感量Lp(1--2)=2.2mH，漏感为Lp的5%以下 Na(8--5) Φ0.13*1*74T Ns(4--3) Φ0.31*1*19T Np(1--2) Φ0.13*1*160T 密绕 3. 初级对次级打1500VAC漏电流<2mA/60s 4. 初级对磁芯打1000VAC漏电流<2mA/60s 密绕 5. 次级对磁芯打1000VAC漏电流<2mA/60s 密绕 6. DC500V绕组与磁芯之间1min大于100mΩ 7. DC500V绕组与绕组之间1min大于100mΩ 图 2：变压器参数 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -2- [email protected]