NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9013 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C047BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：470×470µm2 焊位尺寸：B 极 103×103µm2，E 极 98×98µm2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：SS9013，H9013，8050S █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………………625mW VCBO——集电极—基极电压………………………………40V VCEO——集电极—发射极电压……………………………20V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流………………………………………700mA █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92） 参数符号 符 号 说 明 ICBO IEBO hFE 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 VCE(sat） VBE(sat) VBE(on) BVCBO BVCEO BVEBO 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 最小值 典型值 最大值 80 40 0.6 40 20 5 单位 0.1 0.1 390 µA 0.6 1.2 0.73 V V V V V V µA 测 试 条 件 VCB=25V，IE=0 VEB=3V，IC=0 VCE=1V，IC=50mA VCE=1V，IC=500mA IC=500mA，IB=50mA IC=500mA，IB=50mA VCE=1V，IC=10mA IC=100µA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100µA，IC=0