DAF811A/K ... DAF814A/K (1.2 W) DAF811A/K ... DAF814A/K (1.2 W) Rectifier Arrays Gleichrichtersätze Version 2011-07-08 Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung ±0.2 4.5 2.6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type / Typ ±0.2 2 6.5 0.25 3 23 x 2.6 x 4.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 4 5 6 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] 2 100...400 V 9-pin Plastic case 9-Pin Kunststoffgehäuse 8 x 2.54 1 1.2 W 7 8 9 1 “DAF811K...DAF814K” common cathodes / gemeinsame Kathoden 2 3 4 5 6 7 9 “DAF811A...DAF814A” common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Type Typ 8 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) DA811A/K 100 120 DA814A/K 400 480 Max. power dissipation – max. Verlustleistung TA = 25°C Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25°C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25°C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Ptot 1.2 W 1) IFAV IFAV 600 mA 2) 150 mA 2) IFAV IFAV 600 mA 2) 150 mA 2) IFSM 30 A Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DAF811A/K ... DAF814A/K (1.2 W) Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.3 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 10 µA < 90 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to IR = 1 mA trr < 350 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse < 85 K/W 2) RthJC 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-2 0.4 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 1 2 2 30a-(1a-1.3v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG