Hyper Mini TOPLED® RG Hyper-Bright LED LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Features ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) Semiconductor Group 1 VPL06926 ● ● ● ● ● 11.96 LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS M776-MQ super-red LS M776-N LS M776-P LS M776-Q LS M776-NR colorless clear 16 … 125 25 … 50 40 … 80 63 … 125 25 … 200 100 (typ.) 180 (typ.) 300 (typ.) - Q62703-Q3859 Q62703-Q3860 Q62703-Q3861 Q62703-Q3862 Q62703-Q3863 LA M776-NR LA M776-P LA M776-Q LA M776-R LA M776-PS amber colorless clear 25 … 200 40 … 80 63 … 125 100 … 200 40 … 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3864 Q62703-Q3865 Q62703-Q3866 Q62703-Q3867 Q62703-Q3868 LO M776-NR LO M776-P LO M776-Q LO M776-R LO M776-PS orange colorless clear 25 … 200 40 … 80 63 … 125 100 … 200 40 … 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3869 Q62703-Q3870 Q62703-Q3871 Q62703-Q3872 Q62703-Q3873 LY M776-NR LY M776-P LY M776-Q LY M776-R LY M776-PS yellow colorless clear 25 … 200 40 … 80 63 … 125 100 … 200 40 … 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3874 Q62703-Q3875 Q62703-Q3876 Q62703-Q3877 Q62703-Q3878 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LO, LA LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM to be defined A Sperrspannung1) Reverse voltage1) VR 3 V Verlustleistung Power dissipation Ptot Wärmewiderstand Rth JA Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) 1) 1) 2) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. vorläufig/preliminary *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 30 20 mA 802) 552) mW 6302) 500 K/W LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LS M776, LA M776, LO M776 LY M776 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06926 Maßzeichnung Package Outlines Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 7