Siemens LOT670-JM Topled Datasheet

TOPLED®
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
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Gehäusebauform: P-LCC-2
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
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VPL06724
Besondere Merkmale
P-LCC-2 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Typ
Emissionsfarbe
Type
Color of
Emission
LS T670-HK
LS T670-J
LS T670-K
LS T670-L
LS T670-JM
super-red
LO T670-HK
LO T670-J
LO T670-K
LO T670-L
LO T670-JM
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
I V (mcd)
Luminous
Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
colorless clear
2.5
4.0
6.3
10.0
4.0
...
...
...
...
...
12.5
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2309
Q62703-Q2357
Q62703-Q2358
Q62703-Q3848
Q62703-Q3849
orange
colorless clear
2.5
4.0
6.3
10.0
4.0
...
...
...
...
...
12.5
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2310
Q62703-Q2475
Q62703-Q2476
Q62703-Q3850
Q62703-Q3851
LY T670-HK
LY T670-J
LY T670-K
LY T670-L
LY T670-JM
yellow
colorless clear
2.5
4.0
6.3
10.0
4.0
...
...
...
...
...
12.5
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2311
Q62703-Q2376
Q62703-Q2375
Q62703-Q3098
Q62703-Q3852
LG T670-HK
LG T670-J
LG T670-K
LG T670-L
LG T670-JM
green
colorless clear
2.5
4.0
6.3
10.0
4.0
...
...
...
...
...
12.5
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2312
Q62703-Q2377
Q62703-Q2378
Q62703-Q3146
Q62703-Q3853
LP T670-FJ
LP T670-G
LP T670-H
LP T670-J
LP T670-GK
pure green
colorless clear
1.0
1.6
2.5
4.0
1.6
... 2.0
... 3.2
... 5.0
... 8.0
... 12.5
8 (typ.)
12 (typ.)
18 (typ.)
-
Q62703-Q2619
Q62703-Q3102
Q62703-Q2555
Q62703-Q2553
Q62703-Q2456
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspanung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Rth JA
400
K/W
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
120
120
120
120
Grad
deg.
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
2.6
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
(typ.)
C0
12
8
10
15
15
pF
(typ.)
(typ.)
tr
tf
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
4
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
6
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LS T670, LO T670, LY T670
LG T670, LP T670
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06724
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
8
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