Siemens LOT770-J Topled rg Datasheet

TOPLED® RG
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
VPL06899
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Features
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●
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Typ
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Type
Color of
Emission
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
LS T770-HK
LS T770-J
LS T770-K
LS T770-JL
super-red
colorless clear
2.5 ...
4.0 ...
6.3 ...
4.0 ...
12.5
8.0
12.5
20.0
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q2726
Q62703-Q2727
Q62703-Q2728
Q62703-Q2729
LO T770-HK
LO T770-J
LO T770-K
LO T770-JL
orange
colorless clear
2.5 ...
4.0 ...
6.3 ...
4.0 ...
12.5
8.0
12.5
20.0
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q2730
Q62703-Q2731
Q62703-Q2732
Q62703-Q2733
LY T770-HL
LY T770-J
LY T770-K
LY T770-L
LY T770-JM
yellow
colorless clear
2.5 ...
4.0 ...
6.3 ...
10.0 ...
4.0 ...
20.0
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2734
Q62703-Q2736
Q62703-Q3241
Q62703-Q3906
Q62703-Q2737
LG T770-HL
LG T770-J
LG T770-K
LG T770-L
LG T770-JM
green
colorless clear
2.5 ...
4.0 ...
6.3 ...
10.0 ...
4.0 ...
20.0
8.0
12.5
20.0
32.0
18 (typ.)
30 (typ.)
45 (typ.)
-
Q62703-Q2738
Q62703-Q2739
Q62703-Q2740
Q62703-Q3100
Q62703-Q2741
LP T770-FJ
LP T770-G
LP T770-H
LP T770-GK
pure green
colorless clear
1.0 ...
1.6 ...
2.5 ...
1.6 ...
8.0
3.2
5.0
12.5
8 (typ.)
12 (typ.)
-
Q62703-Q2742
Q62703-Q2743
Q62703-Q2744
Q62703-Q2745
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspanung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
100
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2 each)
Rth JA
400
K/W
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
120
120
120
120
Grad
deg.
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
2.6
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
(typ.)
C0
12
8
10
15
15
pF
(typ.)
(typ.)
tr
tf
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
4
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
6
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LS T770, LO T770, LY T770
LG T770, LP T770
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06899
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
8
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