TOPLED® RG LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06899 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (12 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Typ Emissionsfarbe Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Type Color of Emission Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS T770-HK LS T770-J LS T770-K LS T770-JL super-red colorless clear 2.5 ... 4.0 ... 6.3 ... 4.0 ... 12.5 8.0 12.5 20.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q2726 Q62703-Q2727 Q62703-Q2728 Q62703-Q2729 LO T770-HK LO T770-J LO T770-K LO T770-JL orange colorless clear 2.5 ... 4.0 ... 6.3 ... 4.0 ... 12.5 8.0 12.5 20.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q2730 Q62703-Q2731 Q62703-Q2732 Q62703-Q2733 LY T770-HL LY T770-J LY T770-K LY T770-L LY T770-JM yellow colorless clear 2.5 ... 4.0 ... 6.3 ... 10.0 ... 4.0 ... 20.0 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2734 Q62703-Q2736 Q62703-Q3241 Q62703-Q3906 Q62703-Q2737 LG T770-HL LG T770-J LG T770-K LG T770-L LG T770-JM green colorless clear 2.5 ... 4.0 ... 6.3 ... 10.0 ... 4.0 ... 20.0 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2738 Q62703-Q2739 Q62703-Q2740 Q62703-Q3100 Q62703-Q2741 LP T770-FJ LP T770-G LP T770-H LP T770-GK pure green colorless clear 1.0 ... 1.6 ... 2.5 ... 1.6 ... 8.0 3.2 5.0 12.5 8 (typ.) 12 (typ.) - Q62703-Q2742 Q62703-Q2743 Q62703-Q2744 Q62703-Q2745 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspanung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2 each) Rth JA 400 K/W *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 120 120 120 120 Grad deg. 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA (typ.) C0 12 8 10 15 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LS T770, LO T770, LY T770 LG T770, LP T770 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06899 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 8