Siemens LOT776-Q Hyper topled rg hyper-bright led Datasheet

Hyper TOPLED® RG
Hyper-Bright LED
LS T776, LA T776, LO T776
LY T776
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Features
●
●
●
●
●
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
Semiconductor Group
1
VPL06899
●
●
●
●
●
11.96
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
colorless clear
25 …
40 …
63 …
100 …
40 …
200
80
125
200
320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3270
Q62703-Q3271
Q62703-Q3272
Q62703-Q3273
Q62703-Q3274
amber
colorless clear
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
320
125
200
320
500
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Q62703-Q3914
Q62703-Q3915
Q62703-Q3916
Q62703-Q3917
Q62703-Q3918
LO T776-PS
LO T776-Q
LO T776-R
LO T776-S
LO T776-QT
orange
colorless clear
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
320
125
200
320
500
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Q62703-Q3275
Q62703-Q3276
Q62703-Q3277
Q62703-Q3278
Q62703-Q3279
LY T776-PS
LY T776-Q
LY T776-R
LY T776-S
LY T776-QT
yellow
colorless clear
40 …
63 …
100 …
160 …
63 …
320
125
200
320
500
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Q62703-Q3280
Q62703-Q3281
Q62703-Q3282
Q62703-Q3283
Q62703-Q3284
Typ
Emissionsfarbe
Type
Color of
Emission
LS T776-NR
LS T776-P
LS T776-Q
LS T776-R
LS T776-PS
super-red
LA T776-PS
LA T776-Q
LA T776-R
LA T776-S
LA T776-QT
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
0.2
A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Rth JA
1)
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
3
80
V
55
500
mW
K/W
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
Semiconductor Group
6
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06899
Maßzeichnung
Package Outlines
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Kathodenkennung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
7
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