Siemens LS3340-LP 3 mm (t1) led, non diffused Datasheet

3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Besondere Merkmale
eingefärbtes, klares Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
●
●
●
●
●
●
Features
●
●
●
●
●
●
colored, clear package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3340-KN
LS 3340-L
LS 3340-M
LS 3340-N
LS 3340-LP
super-red
red clear
6.3 …
10.0 …
16.0 …
25.0 …
10.0 …
50.0
20.0
32.0
50.0
80.0
Q62703-Q1701
Q62703-Q1702
Q62703-Q1704
Q62703-Q2320
Q62703-Q3223
LO 3340-KN
LO 3340-L
LO 3340-M
LO 3340-N
LO 3340-LP
orange
orange clear
6.3 …
10.0 …
16.0 …
25.0 …
10.0 …
50.0
20.0
32.0
50.0
80.0
Q62703-Q1886
Q62703-Q2256
Q62703-Q2255
Q62703-Q2473
Q62703-Q2628
LY 3340-JM
LY 3340-L
LY 3340-M
LY 3340-N
LY 3340-LP
yellow
yellow clear
4.0 …
10.0 …
16.0 …
25.0 …
10.0 …
32.0
20.0
32.0
50.0
80.0
Q62703-Q1789
Q62703-Q1791
Q62703-Q1999
Q62703-Q2652
Q62703-Q1792
LG 3330-KN
LG 3330-L
LG 3330-M
LG 3330-N
LG 3330-LP
green
colorless clear
6.3 …
10.0 …
16.0 …
25.0 …
10.0 …
50.0
20.0
32.0
50.0
80.0
Q62703-Q1698
Q62703-Q1699
Q62703-Q1700
Q62703-Q2010
Q62703-Q2011
LP 3340-JL
LP 3340-K
LP 3340-L
LP 3340-KM
pure green
green clear
4.0 …
6.3 …
10.0 …
6.3 …
20.0
12.5
20.0
32.0
Q62703-Q2749
Q62703-Q2982
Q62703-Q2980
Q62703-Q3211
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LY, LG
Einheit
Unit
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
Semiconductor Group
40
30
140
100
400
3
mA
mW
K/W
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
50
50
50
50
50
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
(typ.) C0
12
8
10
15
15
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
4
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LS, LO, LY, LG
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
LP
Semiconductor Group
6
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LS 3340, LO 3340, LY 3340
LG 3330, LP 3340
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06951
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
8
Similar pages