3 mm (T1) LED, Non Diffused LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Besondere Merkmale eingefärbtes, klares Gehäuse zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● colored, clear package optical coupling into light pipes for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LS 3340-KN LS 3340-L LS 3340-M LS 3340-N LS 3340-LP super-red red clear 6.3 … 10.0 … 16.0 … 25.0 … 10.0 … 50.0 20.0 32.0 50.0 80.0 Q62703-Q1701 Q62703-Q1702 Q62703-Q1704 Q62703-Q2320 Q62703-Q3223 LO 3340-KN LO 3340-L LO 3340-M LO 3340-N LO 3340-LP orange orange clear 6.3 … 10.0 … 16.0 … 25.0 … 10.0 … 50.0 20.0 32.0 50.0 80.0 Q62703-Q1886 Q62703-Q2256 Q62703-Q2255 Q62703-Q2473 Q62703-Q2628 LY 3340-JM LY 3340-L LY 3340-M LY 3340-N LY 3340-LP yellow yellow clear 4.0 … 10.0 … 16.0 … 25.0 … 10.0 … 32.0 20.0 32.0 50.0 80.0 Q62703-Q1789 Q62703-Q1791 Q62703-Q1999 Q62703-Q2652 Q62703-Q1792 LG 3330-KN LG 3330-L LG 3330-M LG 3330-N LG 3330-LP green colorless clear 6.3 … 10.0 … 16.0 … 25.0 … 10.0 … 50.0 20.0 32.0 50.0 80.0 Q62703-Q1698 Q62703-Q1699 Q62703-Q1700 Q62703-Q2010 Q62703-Q2011 LP 3340-JL LP 3340-K LP 3340-L LP 3340-KM pure green green clear 4.0 … 6.3 … 10.0 … 6.3 … 20.0 12.5 20.0 32.0 Q62703-Q2749 Q62703-Q2982 Q62703-Q2980 Q62703-Q3211 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LY, LG Einheit Unit LP Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA Semiconductor Group 40 30 140 100 400 3 mA mW K/W LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 50 50 50 50 50 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group (typ.) C0 12 8 10 15 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns 4 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LS, LO, LY, LG Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C LP Semiconductor Group 6 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06951 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 8