Siemens LSK376-T Hyper argus led hyper-bright, 3 mm t1 led, non diffused Datasheet

Hyper ARGUS® LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K376, LA K376, LO K376
LY K376
Besondere Merkmale
●
●
●
●
●
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06712
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
Features
● colored, clear package
● plasic package with a special design
● in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength
emitted by the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
LS K376-QT
LS K376-R
LS K376-S
LS K376-T
LS K376-RU
super-red
colorless clear
63
100
160
250
100
...
...
...
...
...
500
200
320
500
800
Q62703-Q3467
Q62703-Q3468
Q62703-Q3469
Q62703-Q3470
Q62703-Q3471
LA K376-RU
LA K376-S
LA K376-T
LA K376-U
LA K376-SV
amber
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3735
Q62703-Q3737
Q62703-Q3738
Q62703-Q3739
Q62703-Q3736
LO K376-RU
LO K376-S
LO K376-T
LO K376-U
LO K376-SV
orange
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3472
Q62703-Q3473
Q62703-Q3474
Q62703-Q3475
Q62703-Q3476
LY K376-RU
LY K376-S
LY K376-T
LY K376-U
LY K376-SV
yellow
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3477
Q62703-Q3478
Q62703-Q3479
Q62703-Q3480
Q62703-Q3481
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
to be defined
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
Semiconductor Group
3
30
20
80
mA
55
500
mW
K/W
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV (20
Relative luminous flux
TA = 25 ˚C
Semiconductor Group
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
mA)
Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous flux
IF = 20 mA
= f (IF)
6
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06712
Maßzeichnung
Package Outlines
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7
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