Super Multi TOPLED® High-Current LED LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 ● ● ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 4083 VPL06837 Besondere Merkmale Features ● ● ● ● ● ● ● ● ● P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator appropriate for high ambient light because of the higher operation current (≤ 50 mA DC) for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses both chips can be controlled separately suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Typ Emissionsfarbe Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Type Color of Emission Luminous Intensity IF = 50 mA IV(mcd) Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear ≥ 25 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q2881 colorless clear ≥ 16 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q2536 yellow / yellow colorless clear ≥ 25 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q2883 LGG T672-NO green / green colorless clear ≥ 25 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q2884 ≥ 16 (50 typ.) 150 (typ.) Q62703-Q2885 ■ LSS T672-NO super-red / super-red ■ LOO T672-MO orange / orange ■ LYY T672-NO LPP T672-MO pure green / colorless clear pure green ■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 2.0. 1) Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert der Lichtstärken ermittelt. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 2.0. 1) In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 2 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Werte Symbol Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 160 mW 380 530 K/W K/W Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm 2) Rth JA1) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm 2) Rth JA2) *) PC-board: FR4 1) nur ein Chip betrieben 2) beide Chips betrieben 1) 2) one system on both systems on simultaneously Notes Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. The stated maximum ratings refer to one chip. Semiconductor Group 3 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 120 120 120 120 deg. 2.1 3.8 2.2 3.8 2.6 3.8 2.6 3.8 V V Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 3.8 Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA (typ.) C0 40 35 35 60 80 pF (typ.) (typ.) tr tf 350 200 500 250 350 200 500 250 500 250 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current Semiconductor Group 6 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominat wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 50 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 50 mA Semiconductor Group 7 LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06837 Maßzeichnung Package Outlines Semiconductor Group 8