MT6L57AE 東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形 MT6L57AE ○ VHF~UHF 帯低雑音増幅用/低電圧動作·低位相雑音タ イプ · 単位: mm 超小型·薄型エクストリームスーパーミニ (6 ピン) ES6 パッケージに 2 素 子を内蔵しています。 搭載チップ Q1: SSM (TESM) Q2: SSM (TESM) MT3S06S MT3S04AS (MT3S06T) (MT3S04AT) 相当する 3 ピン (SSM/TESM) モールド製品 最大定格 (Ta = 25°C) 記 号 Q1 Q2 単位 コ レ ク タ ･ ベ ー ス 間 電 圧 VCBO 10 10 V コ レ ク タ ･ エ ミ ッ タ 間 電 圧 VCEO 5 5 V エ ミ ッ タ ･ ベ ー ス 間 電 圧 VEBO 1.5 2 V 流 IC 15 40 mA 流 IB 7 10 mA 項 コ ベ コ レ 目 ク ー タ 電 ス レ ク 電 タ 損 失 PC (注 1) 100 mW 接 合 温 度 Tj 125 °C 保 存 温 度 Tstg -55~125 °C 注 1: JEDEC ― JEITA ― 東 芝 2-2N1C 質量: 0.003 g (標準) Q1、Q2 トータルの許容損失 現品表示 内部接続 1 2003-03-28 MT6L57AE 電気的特性 Q1 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 コ レ ク タ し ゃ 断 電 流 ICBO VCB = 5 V, IE = 0 ¾ ¾ 0.1 mA エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流 IEBO VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA 率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 70 ¾ 140 直 流 電 流 増 幅 ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数 挿 入 電 力 利 得 雑 音 指 数 帰 還 容 量 注 2: VCE = 3 V, IC = 5 mA 7 10 ¾ ïS21eï2 (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ¾ 7.5 ¾ ïS21eï2 (2) VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz 4.5 8 ¾ NF (1) VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ¾ 1.7 3 NF (2) VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ¾ 1.6 3 ¾ 0.35 0.75 pF 最小 標準 最大 単位 fT Cre VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) GHz dB dB Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。 電気的特性 Q2 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 コ レ ク タ し ゃ 断 電 流 ICBO VCB = 5 V, IE = 0 ¾ ¾ 0.1 mA エ ミ ッ タ し ゃ 断 電 流 IEBO VEB = 1 V, IC = 0 ¾ ¾ 1 mA 率 hFE VCE = 1 V, IC = 5 mA 80 ¾ 160 fT (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA 2 4.5 ¾ fT (2) VCE = 3 V, IC = 7 mA 5 7 ¾ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz ¾ 8.5 ¾ ïS21eï (2) VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz 7.5 11 ¾ NF (1) VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz ¾ 1.3 2.2 NF (2) VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz ¾ 1.2 2 ¾ 0.9 1.25 直 流 電 流 増 幅 ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数 挿 入 電 力 利 得 雑 音 指 数 帰 還 容 量 注 2: ïS21eï2 (1) 2 Cre VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) GHz dB dB pF Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。 取り扱い上の注意 この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ い。 2 2003-03-28