SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 DATA SHEET SP5808F 低待机功耗、高性能PWM控制器 版本号：V1.1 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -1- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 一、概述 SP5808F是一个具有低待机功耗，离线反激开关电源控制芯片。应用于笔记本适配器、离线 电池充电器以及消费类电子设配电源系统。采用电流控制模式，并且内建斜坡补偿。它具有较全 的控制功能，以构建稳定和高效的电源系统。其中PFC使能控制功能使含有PFC功能的电源系统在 轻载或空载情况下减小待机功耗。它在半载下进入降频工作模式，在轻载下进入跳频工作模式， 提高在半载或轻载下的电源效率。它内建了一个500V高压启动电路减少了外部的元件并且降低了 启动时的功率损耗。为了减小EMI，控制芯片内建抖频功能。它还提供了过压保护功能、2.5mS的 软启动功能等。使用SOP8无铅封装。 二、特点 500V高压恒流启动模式 最高工作电压18V 带斜坡补偿的电流控制模式 低待机功耗 轻载或空载下PFC使能控制功能 前沿消隐 过流保护与过压保护 短路保护 500mA上拉驱动电流和800mA下拉驱动电流 三、应用范围 笔记本适配器 离线电池充电器 消费类设备电源 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -2- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 四、极限参数 参数 Pin8（HV）电压 Pin6（Vcc）电源电压， Pin5（DRV）驱动输出电压 Pin2（FB）反馈电压 Pin 3（CS）电流采样 Pin1（PFC）电压 热阻 最大功耗 @ 25℃ SOP 最大结温 存储温度 符号 VHV Vcc Vo VFB Vcs VPFC RJ Pmax TJ Tstg 参数范围 －0.3 ~ 500 －0.3~ 20 －0.3~20 －0.3~14 －0.3~14 －0.3~20 178 0.7 150 －60 to 150 单位 V V V V V V ℃/ W W ℃ ℃ 符号 Vcc 参数范围 9~ 18 单位 V 五、推荐工作条件 参数 Pin6（Vcc）电源电压， 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -3- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 六、内部框图 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -4- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 六、管脚定义 管脚 管脚名称 功能描述 1 PFC Vcc 2 FB 3 4 CS/OVP GND 5 DRV PWM 驱动输出,提供 500mA 上拉驱动电流和 800mA 下拉驱动电流。 6 Vcc 电源端。 7 NC 空脚。 8 HV 可接 500V 高压，在芯片启动过程中，提供恒流启动，减小启动损耗。 通过可控的低阻 PMOS 功率开关连接芯片的 Vcc，在半载以上，开关闭合给 PFC 芯片供电，在轻载或启动的情况下，开关打开停止给 PFC 芯片供电。供电电 压等于 Vcc。 连接光耦集电极，通过拉电流的控制模式来调节该管脚电位，在半载以下进 入降频模式，在轻载以下进入跳频模式。 完成电流采样、提供斜坡补偿和过压保护。 地端。 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -5- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 七、电气参数 （Ta=25℃， VCC=13V , VPIN8 = 30V ,） 参数 符号 管脚 工作阈值电压 VCCOFF 6 开启后最低工作电压 启动后闩锁状态电位 内部逻辑重启电压 静态电流（无负载） VCCMIN VCCLATCH VCCRESET ICC1 6 6 6 6 静态电流（有负载） ICC2 6 静态电流（闩锁状态） ICC3 6 高压电流源 IC1 8 高压电流源 IC2 8 最低启动电压 VHVMIN 8 启动管漏电 ILEAKAGE 8 输出上升沿时间 TR 5 输出下降沿时间 TF 5 驱动上拉阻抗 驱动下拉阻抗 输出阻抗 输入偏置电流 最大限流点 过压保护 前沿消隐时间 进入降频模式 退出跳频模式 进入跳频模式 光耦电流源 软启动时间 温度保护点 温度迟滞 振荡器频率 内部抖频调制 最大占空比 内部斜坡补偿电阻 斜坡补偿幅度 ROH ROl RPFC IIB ILimit Vlatch TLEB VD Vstby−out Vskip Isop Ss 5 5 1 3 3 3 测试条件 VFB=2.0V VCC 上升 VCC 下降，VFB=3.5V VFB=2.5V PIN5 CL = 1.0 nF VFB=2.5V VCC=7V VCCOFF-0.2V PIN5 CL = 1.0 nF VCC=0V IC1 = 0.5 mA, VCCOFF −0.2 V, VFB = 2.5 V VHV=500V PIN5 CL = 1.0 nF, 10−90% 幅度 PIN5 CL = 1.0 nF, 10−90% 幅度 RL=300Ω, VFB = 2.5 V VPIN5=1V, VFB = 3.5 V RL（PIN1）=680 Ω VFB 下降 VFB 上升 VFB 下降 2 2 2 2 - 最小值 典型值 最大值 单位 11.6 12.6 13.6 V 7.0 5.0 0.6 7.7 5.6 4.0 1.1 8.4 6.2 1.8 V V V mA 1.3 2.2 3 mA 400 680 1000 uA 1.8 3.2 4.2 mA 1.8 4.4 5.6 mA − 20 23 V 10 30 80 uA - 40 - nS - 15 - nS 6.0 3.0 6.0 − 1.010 2.7 100 1.65 1.0 600 200 − 150 12.3 7.5 11.7 0.02 1.063 3.0 200 1.75 1.25 700 235 2.5 165 25 100 ±6.4 80 18 2.3 25 18 23 − 1.116 3.3 350 1.85 1.5 800 270 − 150 25 110 Ω Ω Ω uA V V nS V V mV uA ms ℃ ℃ kHz % % kΩ V FOSC 90 Dmax Rup 75 9.0 无锡硅动力微电子股份有限公司 85 36 V1.1 -6- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 八、典型应用 无锡硅动力微电子股份有限公司 V1.1 -7- SP5808F 低待机功耗、高性能 PWM 控制器 九、封装外形 符号 A A1 A2 A3 D E E1 e L L1 θ （单位：mm） 参数 典型 -0.18 1.40 0.65 4.90 6.00 3.90 1.27BSC 0.65 1.05BSC -- 最小 -0.08 1.20 0.55 4.70 5.80 3.70 0.50 0 无锡硅动力微电子股份有限公司 最大 1.77 0.28 1.60 0.75 5.10 6.20 4.10 0.80 8° V1.1 -8-