ETC SUN2310SG

SUN2310
无锡日晟微电子有限公司
P 沟道 MOSFET SUN2310SG
描述:
特点:
SUN2310SG
P 沟道增强型功率场效
z
应管(MOSFET),采用高单元密度的 DMOS 沟
道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通
电阻。
z
z
-30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
超大密度单元、极小的 RDS(ON))
采用带散热片的 SOP8 封装(散热片和D端短接)
SUN2310SG 适用于低压应用,例如移动电
话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电
路。
引脚排列图:
典型应用:
z
z
z
电源管理
负载开关
电池保护
极限参数:
参数
符号
极限值
单位
漏级电压
VDSS
-30V
V
栅级电压
VGSS
±20
V
漏级电流
ID
-4
A
允许最大功耗
PD
2
W
工作温度
TOpr
150
℃
存贮温度
Tstg
-65/150
℃
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SUN2310
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