SUN2310 无锡日晟微电子有限公司 P 沟道 MOSFET SUN2310SG 描述: 特点: SUN2310SG P 沟道增强型功率场效 z 应管(MOSFET),采用高单元密度的 DMOS 沟 道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通 电阻。 z z -30V/-4A RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) 采用带散热片的 SOP8 封装(散热片和D端短接) SUN2310SG 适用于低压应用,例如移动电 话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。 引脚排列图: 典型应用: z z z 电源管理 负载开关 电池保护 极限参数: 参数 符号 极限值 单位 漏级电压 VDSS -30V V 栅级电压 VGSS ±20 V 漏级电流 ID -4 A 允许最大功耗 PD 2 W 工作温度 TOpr 150 ℃ 存贮温度 Tstg -65/150 ℃ www.sunriseic.net sales@sunriseic.net 无锡日晟微电子有限公司 SUN2310 无锡日晟微电子有限公司 Wuxi Sunrise Microelectronics Co.,Ltd 无锡地址: 江苏省无锡市蠡园经济开发区标准厂房A4栋308 电话:0510-85167391 传真:0510-85167391 网址:www.sunriseic.net 深圳地址: 广东省深圳市福田区彩田路福源大厦1栋22F 电话:18820249803(电信座机) 电话:18818785721(电信座机) 传真:0755-82902183 网址:www.sunriseic.net 邮箱:sales@sunriseic.net www.sunriseic.net sales@sunriseic.net