JSMC 3DD13003-O-M-N-C

NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD13003
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
IC
1.5A
VCEO
400V
PC(TO-126(S))
20W
用途
APPLICATIONS
z
z
z
z
z
z Electronic ballasts
节能灯
电子镇流器
高频开关电源
高频功率变换
一般功率放大电路
封装 Package
TO-126S
TO-126
z High frequency switching power
supply
z High frequency power transform
z Commonly
power
amplifier
circuit
产品特性
FEATURES
z 高耐压
z 高电流容量
z 高开关速度
z 高可靠性
z 环保(RoHS)产品
z High breakdown voltage
z High current capability
z High switching speed
z High reliability
z RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Halogen Free
Package
Packaging
3DD13003-O-MS-N-C
D13003
否
NO
TO-126S
袋装 Bag
3DD13003-O-MS-N-B
D13003
否
NO
TO-126S
条管 Tube
3DD13003-O-M-N-C
D13003
否
NO
TO-126
袋装 Bag
3DD13003-O-M-N-B
D13003
否
NO
TO-126
条管 Tube
版本:201101G
记
无卤素
封
装
包
1/5
装
3DD13003
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(VBE=0) VCES
700
V
集电极—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
VCEO
400
V
发射极—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current(DC)
IC
1.5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current(pulse)
ICP
3.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126(S))
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
典型值
最大值
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项
目
测试条件
Tests conditions
Parameter
最小值
Value(min)
Value(typ) Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
400
460
-
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IB=0
700
920
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
9
13
-
V
ICBO
VCB=700V, IE=0
-
-
100
μA
ICEO
VCE=400V,IB=0
-
-
50
μA
IEBO
VEB=7V, IC=0
-
-
10
μA
hFE
VCE=10V,
8
20
40
-
IC=500mA
IC=0.5A,
IB=0.1A
-
0.2
0.8
V
IC=1.5A,
IB=0.3A
-
0.3
3.0
V
VBE(sat)
IC=1.0A,
IB=0.2A
-
0.9
1.0
V
tf
VCC=24V
IC=2.0A,IB1=-IB2=0.4A
-
-
0.7
μS
ts
VCC=24V
IC=2.0A,IB1=-IB2=0.4A
-
-
4
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
4
-
-
MHz
符 号
Symbol
最小值
最大值
单 位
Unit
VCE(sat)
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-126(S)
Thermal Resistance Junction Case
版本:201101G
TO-126(S)
Rth(j-c)
Value(min) Value(max)
-
6.25
℃/W
2/5
3DD13003
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
VCE(sat)- IC
VCE(sat)(V)
hFE – IC
hFE
100
0.45
0.30
10
0.15
0.00
1
0.00
0.01
0.10
1.00
0.00
10.00
0.01
0.10
IC(A)
IC(A)
VBE(sat)- IC
SOA
IC(A)
1.2
1.0
0.8
TC=25℃
DC
0.6
CURVES MUST BE DERATED
0.4
LINEARLY WITH INCREASE
0.2
IN TEMPERATURE
0.0
0.00
0.01
0.10
IC(A)
1.00
10.00
VCE(V)
PC-TC
PC (percent)
VBE(sat)(V)
1.00
TC(℃)
版本:201101G
3/5
10.00
3DD13003
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-126
单位 Unit :mm
符号
SYMBD
A
B
C
D
E
Q
Q1
L
L2
b
e
P
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-126S
MAX
2.50
1.22
0.30
10.50
7.10
3.80
1.07
15.30
2.10
0.60
2.19
3.00
2.90
1.47
0.70
11.10
8.10
4.20
1.47
15.70
2.30
0.90
2.39
3.20
单位 Unit :mm
符号
SYMBD
A
B
b
c
D
E
e
L
L2
Q
Q1
P
版本:201101G
MIN
MIN
MAX
2.50
1.22
0.60
0.30
10.50
7.10
2.19
7.80
2.10
3.80
1.07
3.00
2.90
1.47
0.90
0.70
11.10
8.10
2.39
8.20
2.30
4.20
1.47
3.20
4/5
3DD13003
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为
直销和销售代理,无论哪种方式,订货时请
与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司
本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额
定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
1.
Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent, thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to change
without prior notice.
联系方式
CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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邮编:132013
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传真:86-432-64665812
网址:www.hwdz.com.cn
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
旧版本
新版本
修订内容
Date
Last Rev.
New Rev.
Description of Changes
2009-6-2
200902C
200906D
版式
2009-7-30
200906D
200907E
增加 TO-126S 封装
2009-10-29
200907E
200910F
电话号码
2011-1-17
200910F
201101G
外形尺寸,与外形规格书统一
版本:201101G
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