CLY29 HiRel C-Band GaAs Power-MESFET • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For professional power amplifiers • For frequencies from 100 MHz to 8 GHz • Hermetically sealed microwave power package • Low thermal resistance for high voltage application • Power added efficiency > 55 % • Space Qualification Expected 1998 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/006, Type Variant No.s 04 to 06 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type CLY29-00 (ql) Marking - Ordering Code see below Pin Configuration 1 2 3 G S D Package MWP-25 CLY29-05 (ql) CLY29-10 (ql) CLY29-nn: specifies output power level (see electrical characteristics) (ql) Quality Level: P: Professional Quality, Ordering Code: Q62702L117 H: High Rel Quality, Ordering Code: on request S: Space Quality, Ordering Code: on request ES: ESA Space Quality, Ordering Code: Q62702L116 (see order instructions for ordering example) Semiconductor Group 1 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain-source voltage VDS 14 V Drain-gate voltage VDG 16 V Gate-source voltage VGS -6 V Drain current ID 700 mA Gate forward current IG 4 mA Compression Level 1) Operation Range 1 PC 1.5 at VDS ≤ 9 V dB 2.5 at VDS ≤ 8 V 3.5 at VDS ≤ 7 V Compression Level 2) Operation Range 2 PC 3.5 at VDS ≤ 7 V dB Compression Level 3) Operation Range 3 PC tbd. dB Junction temperature TJ 175 °C Storage temperature range Tstg - 65...+ 175 °C Total power dissipation 4) Ptot 3.55 W Tsol 230 °C Rth JS ≤ 38 K/W Soldering temperature 5) Thermal Resistance Junction-soldering point Notes.: 1) Operation Range 1: 135 mA ≤ ID ≤ 270 mA 2) Operation Range 2: ID > 270 mA 3) Operation Range 3: ID < 135 mA 4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required. 5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have elapsed. Semiconductor Group 2 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Electrical Characteristics (at TA=25°C; unless otherwise specified) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. IDss 300 500 700 mA -VGth 1.6 2.6 3.6 V IDp3 - - 50 µA -IGp3 - - 20 µA IDp12 - - 1000 µA -IGp12 - - 400 µA gm 150 190 - mS Rth JS - 32 - K/W DC Characteristics Drain-source saturation current VDS = 2 V, VGS = 0 V Gate threshold voltage VDS = 3 V, ID = 20 mA Drain current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V Gate current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V Drain current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V Gate current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V Transconductance VDS = 3 V, ID = 200 mA Thermal resistance junction to soldering point VDS = 9 V, ID = 200 mA, Ts = +25°C Semiconductor Group 3 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Electrical Characteristics (continued) Parameter Symbol Values min. typ. Unit max. AC Characteristics Linear power gain 1) dB Glp VDS = 9 V, ID = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 0 dBm CLY29-00 13.5 15.0 - CLY29-05 14.0 15.2 - CLY29-10 14.0 15.2 - Output power at 1dB gain compr. 1) P1dB dBm VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz CLY29-00 - 28.8 - CLY29-05 - 29.3 - CLY29-10 - 30.0 - Output power 1) dBm Pout VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 16.5 dBm CLY29-00 28.5 28.8 - CLY29-05 29.0 29.3 - CLY29-10 29.5 30.0 - Power added efficiency 1), 2) PAE % VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 16.5 dBm CLY29-00 40 50 - CLY29-05 45 52 - CLY29-10 45 55 - Notes.: 1) RF Power characteristics given for power matching conditions 2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC Semiconductor Group 4 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Typical Common Source S-Parameters f |S11| <S11 [GHz] [magn] [angle] 0,5 0,870 -78 0,6 0,847 -83 0,7 0,824 -88 0,8 0,805 -95 0,9 0,791 -103 1,0 0,787 -111 1,1 0,783 -118 1,2 0,778 -125 1,3 0,774 -131 1,4 0,771 -137 1,5 0,768 -142 1,6 0,766 -147 1,7 0,764 -152 1,8 0,763 -156 1,9 0,761 -160 2,0 0,760 -163 2,1 0,759 -167 2,2 0,759 -170 2,3 0,758 -173 2,4 0,758 -176 2,5 0,757 -179 2,6 0,757 179 2,7 0,757 176 2,8 0,757 173 2,9 0,756 171 3,0 0,756 169 3,1 0,756 166 3,2 0,756 164 3,3 0,756 162 3,4 0,756 160 3,5 0,756 158 3,6 0,756 156 3,7 0,756 154 3,8 0,756 152 3,9 0,756 150 4,0 0,756 148 4,1 0,757 146 4,2 0,757 144 4,3 0,758 142 4,4 0,758 140 4,5 0,759 138 4,6 0,759 136 4,7 0,760 134 4,8 0,762 133 4,9 0,763 132 5,0 0,764 131 Semiconductor Group V DS = 3 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S 12 MAG [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [dB] [dB] 7,618 129 0,0396 50 0,227 -138 0,37 22,8 7,318 126 0,0412 47 0,237 -141 0,43 22,5 6,983 123 0,0429 44 0,249 -144 0,49 22,1 6,620 119 0,0447 41 0,262 -148 0,55 21,7 6,248 114 0,0468 37 0,277 -152 0,58 21,3 5,881 109 0,0493 34 0,293 -155 0,59 20,8 5,537 104 0,0512 31 0,307 -159 0,61 20,3 5,213 99 0,0529 28 0,319 -162 0,63 19,9 4,916 95 0,0541 26 0,330 -165 0,66 19,6 4,641 91 0,0552 24 0,340 -167 0,69 19,2 4,387 87 0,0562 22 0,348 -170 0,72 18,9 4,155 83 0,0570 20 0,356 -172 0,75 18,6 3,942 80 0,0578 18 0,363 -174 0,78 18,3 3,746 77 0,0584 17 0,370 -176 0,82 18,1 3,565 73 0,0587 15 0,376 -178 0,85 17,8 3,401 70 0,0593 14 0,382 -180 0,88 17,6 3,248 68 0,0597 12 0,388 179 0,91 17,4 3,106 65 0,0602 11 0,393 177 0,95 17,1 2,977 62 0,0606 10 0,398 176 0,98 16,9 2,858 59 0,0607 9 0,403 174 1,01 16,7 16,1 2,747 57 0,0610 8 0,408 173 1,04 16,5 15,3 2,644 54 0,0615 7 0,412 172 1,07 16,3 14,7 2,548 52 0,0619 6 0,417 170 1,10 16,1 14,2 2,459 49 0,0624 6 0,421 169 1,13 16,0 13,8 2,374 47 0,0630 5 0,424 168 1,15 15,8 13,4 2,295 44 0,0634 4 0,427 167 1,18 15,6 13,0 2,223 42 0,0638 4 0,431 165 1,21 15,4 12,7 2,155 40 0,0643 3 0,435 164 1,23 15,3 12,3 2,091 37 0,0650 2 0,439 163 1,25 15,1 12,0 2,030 35 0,0655 2 0,442 162 1,28 14,9 11,8 1,973 33 0,0659 1 0,447 161 1,30 14,8 11,5 1,919 31 0,0666 1 0,451 160 1,32 14,6 11,2 1,866 28 0,0670 0 0,456 158 1,34 14,4 11,0 1,817 26 0,0673 -1 0,460 157 1,36 14,3 10,7 1,770 24 0,0680 -1 0,465 156 1,38 14,2 10,5 1,725 22 0,0685 -2 0,470 155 1,39 14,0 10,3 1,681 20 0,0689 -2 0,475 153 1,42 13,9 10,0 1,639 18 0,0691 -3 0,479 152 1,44 13,8 9,8 1,599 15 0,0696 -4 0,483 151 1,46 13,6 9,6 1,560 13 0,0702 -4 0,487 150 1,47 13,5 9,4 1,524 11 0,0703 -5 0,491 148 1,49 13,4 9,2 1,488 9 0,0711 -6 0,495 147 1,50 13,2 9,0 1,457 7 0,0717 -6 0,499 146 1,51 13,1 8,9 1,431 6 0,0722 -7 0,503 145 1,51 13,0 8,8 1,409 4 0,0727 -7 0,506 145 1,51 12,9 8,7 1,392 3 0,0733 -7 0,509 144 1,50 12,8 8,6 5 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Typical Common Source S-Parameters (continued) f |S11| [GHz] [mag] 0,5 0,873 0,6 0,850 0,7 0,827 0,8 0,807 0,9 0,793 1,0 0,787 1,1 0,783 1,2 0,778 1,3 0,774 1,4 0,771 1,5 0,768 1,6 0,765 1,7 0,764 1,8 0,762 1,9 0,761 2,0 0,760 2,1 0,759 2,2 0,758 2,3 0,757 2,4 0,757 2,5 0,757 2,6 0,757 2,7 0,756 2,8 0,756 2,9 0,756 3,0 0,756 3,1 0,757 3,2 0,757 3,3 0,757 3,4 0,757 3,5 0,757 3,6 0,758 3,7 0,758 3,8 0,758 3,9 0,759 4,0 0,759 4,1 0,760 4,2 0,760 4,3 0,761 4,4 0,762 4,5 0,762 4,6 0,763 4,7 0,764 4,8 0,765 4,9 0,766 5,0 0,768 <S11 [ang] -76 -81 -86 -93 -100 -108 -116 -123 -129 -135 -140 -145 -150 -154 -158 -161 -165 -168 -171 -174 -177 -180 178 175 173 170 168 166 164 162 159 157 155 153 151 149 147 145 143 141 139 137 136 134 133 132 Semiconductor Group V DS = 5 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S 12 MAG [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 8,549 129 0,0311 50 0,182 -88 0,41 24,4 8,222 127 0,0326 48 0,183 -93 0,48 24,0 7,852 123 0,0342 45 0,186 -98 0,55 23,6 7,457 119 0,0359 42 0,190 -105 0,61 23,2 7,051 114 0,0378 39 0,196 -111 0,65 22,7 6,651 109 0,0398 36 0,205 -117 0,66 22,2 6,269 104 0,0413 33 0,213 -123 0,68 21,8 5,910 99 0,0426 31 0,221 -128 0,71 21,4 5,577 94 0,0437 28 0,228 -133 0,74 21,1 5,270 90 0,0446 26 0,236 -137 0,77 20,7 4,986 86 0,0454 24 0,243 -140 0,81 20,4 4,725 82 0,0460 23 0,250 -143 0,84 20,1 4,485 79 0,0465 21 0,257 -146 0,88 19,8 4,261 75 0,0471 19 0,264 -149 0,91 19,6 4,057 72 0,0475 18 0,272 -151 0,95 19,3 3,869 69 0,0479 16 0,279 -154 0,98 19,1 3,694 66 0,0483 16 0,286 -156 1,02 18,8 18,0 3,533 63 0,0484 14 0,292 -158 1,06 18,6 17,1 3,384 60 0,0488 14 0,299 -160 1,10 18,4 16,5 3,247 57 0,0490 13 0,306 -161 1,13 18,2 16,0 3,119 54 0,0492 12 0,313 -163 1,17 18,0 15,5 3,000 52 0,0495 11 0,319 -165 1,20 17,8 15,1 2,889 49 0,0495 11 0,326 -166 1,25 17,7 14,7 2,786 47 0,0500 10 0,332 -168 1,27 17,5 14,3 2,689 44 0,0505 9 0,338 -169 1,30 17,3 14,0 2,598 41 0,0509 9 0,344 -171 1,33 17,1 13,7 2,514 39 0,0514 8 0,351 -172 1,35 16,9 13,4 2,434 37 0,0516 8 0,357 -173 1,38 16,7 13,1 2,360 34 0,0520 8 0,364 -175 1,40 16,6 12,8 2,289 32 0,0525 8 0,370 -176 1,43 16,4 12,5 2,222 29 0,0530 8 0,377 -178 1,45 16,2 12,3 2,158 27 0,0536 7 0,384 -179 1,46 16,0 12,0 2,097 25 0,0541 7 0,391 180 1,48 15,9 11,8 2,039 22 0,0546 7 0,399 178 1,50 15,7 11,5 1,985 20 0,0550 6 0,406 177 1,52 15,6 11,3 1,932 18 0,0557 6 0,413 175 1,53 15,4 11,1 1,882 15 0,0563 6 0,420 174 1,54 15,2 10,9 1,833 13 0,0568 6 0,426 172 1,56 15,1 10,7 1,786 11 0,0575 5 0,432 171 1,56 14,9 10,5 1,741 9 0,0580 4 0,438 169 1,58 14,8 10,3 1,698 7 0,0587 4 0,445 168 1,58 14,6 10,1 1,657 4 0,0591 3 0,452 166 1,59 14,5 9,9 1,621 2 0,0596 3 0,458 165 1,60 14,3 9,8 1,590 1 0,0601 3 0,464 164 1,60 14,2 9,7 1,564 -1 0,0604 2 0,470 163 1,60 14,1 9,6 1,544 -2 0,0606 2 0,474 162 1,60 14,1 9,5 6 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Typical Common Source S-Parameters (continued) f |S11| [GHz] [mag] 0,5 0,874 0,6 0,852 0,7 0,829 0,8 0,810 0,9 0,796 1,0 0,791 1,1 0,786 1,2 0,782 1,3 0,778 1,4 0,775 1,5 0,772 1,6 0,770 1,7 0,768 1,8 0,767 1,9 0,766 2,0 0,765 2,1 0,765 2,2 0,764 2,3 0,764 2,4 0,764 2,5 0,764 2,6 0,764 2,7 0,764 2,8 0,764 2,9 0,764 3,0 0,764 3,1 0,765 3,2 0,765 3,3 0,765 3,4 0,766 3,5 0,766 3,6 0,766 3,7 0,767 3,8 0,768 3,9 0,769 4,0 0,769 4,1 0,770 4,2 0,771 4,3 0,772 4,4 0,772 4,5 0,773 4,6 0,775 4,7 0,776 4,8 0,778 4,9 0,779 5,0 0,781 <S11 [ang] -76 -80 -86 -93 -100 -108 -115 -122 -128 -134 -140 -144 -149 -153 -157 -161 -165 -168 -171 -174 -177 -179 178 176 173 171 169 166 164 162 160 158 156 154 152 150 148 146 144 142 140 138 136 135 134 133 Semiconductor Group V DS = 9 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S 12 MAG [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 8,885 129 0,0245 51 0,272 -48 0,48 25,6 8,544 126 0,0257 48 0,266 -52 0,56 25,2 8,159 122 0,0269 46 0,261 -56 0,64 24,8 7,748 118 0,0283 43 0,256 -60 0,70 24,4 7,326 113 0,0296 40 0,252 -65 0,75 23,9 6,913 108 0,0312 37 0,249 -71 0,76 23,5 6,519 103 0,0324 34 0,248 -77 0,79 23,0 6,147 98 0,0335 32 0,247 -82 0,82 22,6 5,801 93 0,0342 30 0,248 -86 0,86 22,3 5,482 89 0,0350 28 0,249 -91 0,89 21,9 5,187 84 0,0355 27 0,252 -95 0,93 21,6 4,916 81 0,0360 25 0,256 -99 0,97 21,4 4,665 77 0,0363 24 0,260 -103 1,01 21,1 20,4 4,433 73 0,0367 22 0,265 -107 1,06 20,8 19,4 4,220 70 0,0370 21 0,270 -110 1,10 20,6 18,7 4,024 66 0,0371 21 0,277 -114 1,15 20,4 18,0 3,840 63 0,0373 20 0,283 -117 1,19 20,1 17,5 3,672 60 0,0375 19 0,290 -120 1,23 19,9 17,0 3,516 57 0,0377 18 0,297 -123 1,27 19,7 16,5 3,372 54 0,0379 17 0,305 -126 1,31 19,5 16,1 3,238 51 0,0382 17 0,313 -128 1,35 19,3 15,8 3,112 48 0,0385 16 0,320 -131 1,38 19,1 15,4 2,995 45 0,0386 16 0,328 -133 1,42 18,9 15,0 2,885 43 0,0388 17 0,337 -136 1,46 18,7 14,7 2,782 40 0,0393 17 0,344 -138 1,49 18,5 14,4 2,686 37 0,0396 17 0,352 -140 1,52 18,3 14,1 2,596 35 0,0400 17 0,360 -142 1,54 18,1 13,8 2,512 32 0,0406 17 0,368 -145 1,56 17,9 13,5 2,432 30 0,0411 17 0,377 -147 1,58 17,7 13,3 2,357 27 0,0416 17 0,386 -149 1,59 17,5 13,0 2,286 25 0,0422 17 0,394 -151 1,60 17,3 12,8 2,218 22 0,0429 17 0,403 -153 1,61 17,1 12,5 2,152 20 0,0436 17 0,411 -155 1,62 16,9 12,3 2,091 17 0,0444 17 0,420 -157 1,61 16,7 12,1 2,034 15 0,0451 17 0,428 -159 1,61 16,5 11,9 1,977 12 0,0458 17 0,436 -162 1,62 16,4 11,7 1,924 10 0,0466 17 0,445 -164 1,62 16,2 11,6 1,872 8 0,0472 17 0,452 -166 1,62 16,0 11,4 1,822 5 0,0481 17 0,460 -168 1,62 15,8 11,2 1,773 3 0,0491 17 0,468 -170 1,61 15,6 11,0 1,727 1 0,0500 16 0,476 -172 1,60 15,4 10,8 1,683 -2 0,0510 16 0,485 -174 1,59 15,2 10,7 1,644 -4 0,0517 16 0,493 -176 1,58 15,0 10,6 1,611 -6 0,0527 16 0,500 -177 1,55 14,9 10,5 1,584 -7 0,0533 16 0,507 -178 1,54 14,7 10,4 1,562 -9 0,0539 16 0,512 -179 1,52 14,6 10,4 7 of 10 Draft D, September 99 CLY29 Order Instructions: Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level only. Ordering Form: Ordering Code: Q.......... CLY29- (nn) (ql) (nn): Output Power Level (ql): Quality Level Ordering Example: Ordering Code: Q62702L116 CLY29-10 ES For CLY29; Output Power Level 10 (Pout>29.5 dBm) in ESA Space Quality Level Further Informations: See our WWW-Pages: - Discrete and RF-Semiconductors (Small Signal Semiconductors) www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm - HiRel Discrete and Microwave Semiconductors www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm Please contact also our marketing division : Tel.: Fax.: e-mail: Address: Semiconductor Group ++89 234 24480 ++89 234 28438 [email protected] Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich 8 of 10 Draft D, September 99 CLY29 MWP-25 Package Published by Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich. Infineon Technologies AG 1998. All Rights Reserved. As far as patents or other rights of third parties are concerned, liability is only assumed for components per se, not for applications, processes and circuits implemented within components or assemblies. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. 1 2 3 Terms of delivery and rights to change design reserved. For questions on technology, delivery and prices please contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or the Infineon Technologies Companies and Representatives woldwide (see address list). Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the type in question please contact your nearest Infineon Technologies Office, Semiconductor Group. Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000). Semiconductor Group 9 of 10 Draft D, September 99