BC846BP ... BC848BP BC846BP ... BC848BP IC = 100 mA hFE ~ 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 150 mW Version 2018-02-15 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) ±0.05 ±0.05 0.25 0.25 ±0.05 0.15 0.325 2 3 ±0.05 1 0.65 ±0.02 0.38 1=B RoHS Pb Mechanische Daten 1) Taped and reeled Type Code 2=E 3000 / 7“ Weight approx. 3=C Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code BC847BP = tbd Gegurtet auf Rolle 0.01 g Dimensions - Maße [mm] BC846BP = tbd Besonderheiten Miniatur-Bauform Anschlüsse auf der Unterseite Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) ±0.5 1.0 0.6±0.5 Features Miniature package Bottom side leads General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE max 0.05 0.5 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) EL V SOT-883 (DFN1006-3) Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC848BP = tbd BC856BP ... BC858BP Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC846BP BC847BP BC848BP Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO Power dissipation – Verlustleistung 6V 5V Ptot 150 mW ) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846BP ... BC848BP Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 200 – 450 VCEsat – – 250 mV 600 mV VBE 580 mV – – 700 mV 720 mV ICBO – – 15 nA 5 µA fT – 300 MHz – CCBO – – 6 pF CEBO – 9 pF – DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V IC = 2 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 1 IC = 10 mA IC = 100 mA IB = 0.5 mA IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 5 V IC = 2 mA IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom 1) VCB = 30 V E open E open, Tj = 125°C Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 600 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG