TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 IHM-BModulmitChopperKonfiguration IHM-Bmodulewithchopperconfiguration VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A TypischeAnwendungen • Chopper-Anwendungen • Hochleistungsumrichter • Traktionsumrichter • Windgeneratoren TypicalApplications • Chopperapplications • Highpowerconverters • Tractiondrives • Windturbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • IHMBhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C VCES 1570 1700 1700 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 800 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1600 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 5,20 kW VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,90 2,30 2,40 2,25 V V V 5,80 6,40 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 8,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1570 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,39 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,39 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGon = 0,39 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 5,20 0,50 0,55 0,55 µs µs µs 0,10 0,12 0,12 µs µs µs 1,10 1,20 1,25 µs µs µs 0,40 0,70 0,75 µs µs µs Eon 180 245 265 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 240 325 345 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 3800 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 2 23,2 K/kW 30,0 -40 K/kW 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 1570 1700 1700 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 160 150 PRQM 1200 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. 2,10 VF 1,65 1,65 1,65 IF = 800 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 990 1150 1200 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 220 390 440 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 115 235 265 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 3 V V V 31,9 K/kW 33,0 -40 K/kW 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 1570 1700 1700 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 105 95,0 PRQM 800 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. 2,20 VF 1,80 1,90 1,95 IF = 800 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 900 1000 1050 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 190 320 360 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 110 200 230 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 4 V V V 39,1 K/kW 33,0 -40 K/kW 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate kV 4,0 AlSiC Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 19,1 mm > 400 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 18 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,28 0,25 mΩ Tstg -40 150 °C 4,25 5,75 Nm SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M G preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 5 max. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 800 g TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R17HP4-K_B2 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 1400 1000 1000 IC [A] 1200 IC [A] 1200 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.39Ω,RGoff=2.2Ω,VCE=900V 1600 900 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 800 700 1200 600 E [mJ] IC [A] 1000 800 500 400 600 300 400 200 200 0 100 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 6 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R17HP4-K_B2 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 1000 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 900 ZthJC : IGBT 800 700 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 600 500 400 1 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,41 12,56 4,2 2,03 τi[s]: 0,0016 0,037 0,348 5,9 100 0 0 2 4 6 8 10 12 RG [Ω] 14 16 18 20 0,1 0,001 22 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.2Ω,Tvj=150°C 2000 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 1600 IC, Modul IC, Chip 1800 0,01 1400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1600 1200 1400 1000 IF [A] IC [A] 1200 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R17HP4-K_B2 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=0.39Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V 350 350 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 250 250 200 200 E [mJ] 300 E [mJ] 300 150 150 100 100 50 50 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 RG [Ω] SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 100 2000 ZthJC : Diode IR, Modul 1800 1600 1200 IR [A] ZthJC [K/kW] 1400 10 1000 800 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 7,06 15,64 6,33 2,87 τi[s]: 0,00141 0,0309 0,233 5,4 1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 200 0 10 preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 8 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R17HP4-K_B2 IGBT-Modul IGBT-Module DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(IF) RGon=0.39Ω,VCE=900V 1600 350 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 300 1200 250 1000 E [mJ] IF [A] 200 800 150 600 100 400 50 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 0 3,0 SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) 300 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 250 ZthJC [K/kW] E [mJ] 200 150 10 100 50 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 9,19 18,65 7,76 3,5 τi[s]: 0,00138 0,026 0,172 4,42 1 0,001 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 RG [Ω] preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 9 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R17HP4-K_B2 IGBT-Modul IGBT-Module SichererArbeitsbereichDiode,Revers(SOA) safeoperationareaDiode,Reverse(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 2000 IR, Modul 1800 1600 1400 IR [A] 1200 1000 800 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2016-01-21 approvedby:IB revision:V3.1 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. Nutzungsbedingungen WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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