EL342 赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs) EL342は、透明エポキシ樹脂でモールドされたトップビュータイプの高出力赤外発光ダイオードです。小型で指向性が 広くなっています。 The EL342 is a high power IR LED mounted in a clear epoxy resin package. With lensed package, this small device has wide beam angle. 特長 FEATURES 最大定格 MAXIMUM RATINGS Item 小型（φ3.0mm） Compact(φ3.0mm) ● 指向性が広い Wide beam angle ● 用途 APPLICATIONS 逆 電 圧 Reverse voltage 順 電 流 Forward current パルス順電流 Pulse forwad current 許 容 損 失 Power dissipation 動 作 温 度 Operating temp. 保 存 温 度 Storage temp. 半田付温度 各種センサー Optical sensor Soldering temp. ＊1 ＊2 （Ta＝25℃） Symbol Rating Unit VR 3 V IF 50 mA IFP 300 mA PD 75 mW Topr. －25～＋80 ℃ Tstg. －30～＋85 ℃ Tsol. 260 ℃ ＊1. tw=100usec, T=10msec ＊2. リード根元より2mm以上離れた所で5秒まで Since 5sec at location minimum 2mm away from the package root. 電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS （Ta＝25℃） Item 順 電 圧 Forward voltage パルス順電圧 Pulse Forward voltage 逆 電 流 Reverse current 放 射 束 Radiant flux 放 度 Min. Typ. Max. Unit. VF IF=20mA ─ 1.3 1.5 V VFP IFP=300mA tw=100usec T=10msec IR V 1.7 VR=3V ─ ─ 10 μA Φe IF=50mA ─ 14 ─ mW Radiant intensity Ie IF=50mA ─ 8 ─ mW/sr Peak wavelength λP IF=20mA ─ 940 ─ nm スペクトル半値幅 Spectral bandwidth 50% △λ IF=20mA ─ 45 ─ nm ─ deg 値 強 ＊1 Conditions ピーク発光波長 半 射 Symbol 角 Half angle △θ IF=20mA ─ ±35 本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、 内容の確認をお願い致します。 The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product, would you please refer to the latest specifications. Sep.2012 EL342 赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs) ■許容パルス順電流／デューティー比 I FP /Duty ■許容順電流／周囲温度 I F /Ta （mA） 10101 0 60 ■順電流／順電圧特性 I F /V F （mA） Ta=25℃ 120 100 40 30 20 1 順電流 IF Forward current 許容パルス順電流 IFP Power pulse forward current 50 許容順電流 IF Power forward current Ta=25℃ tw=100μsec （A） -1 0.1 10 0.1 10 80 60 40 20 0 -2 -25 0 25 50 75 10 0.01 10 -1 100 10 0 （℃） 周囲温度 Ta Ambient temperature 10 1 1.5 2.0 （V） （%） Ta=25℃ 10 3 1.0 順電圧 VF Forward voltage ■発光スペクトル ■相対発光出力／周囲温度特性 P O /Ta （mW） 0.5 （%） デューティー比 Duty ■放射束／順電流特性 Φe/I F 0 0.0 10 2 Ta=25℃ 120 10 2 100 10 1 10 0 10 1 相対出力 Relative intensity 相対発光出力 PO Relative radiant intensity 放射束 Φe Radiant flux 10 2 10 0 80 60 40 10 -1 20 10 -1 1 10 100 1000 （mA） 順電流 IF Forward current 10 -3 -20 0 20 40 60 周囲温度 Ta Ambient temperature 80 100 （℃） 0 400 500 600 700 800 900 1000 1100 （nm） 波長 λ Wavelength ■指向特性 角度（deg.） Angle 0 －2 0 ＋2 0 ＋ 40 40 ＋80 －80 － 0 ＋6 60 － 100 相対出力（%） Relative intensity ＋100 －100 0 50 50 100 本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、 内容の確認をお願い致します。 The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product, would you please refer to the latest specifications. Sep.2012 EL342 赤外発光ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAs) 外形寸法 DIMENSIONS（Unit : mm） 1 Max (4.7) 1.6 3.3 3.8 φ3.0 20 Min 0.5 0.4 2.54 リード根元における寸法 1 1 2 2 Anode Cathode 問い合わせ先/A REFERENCE URL http://www.kodenshi.co.jp ■ 東京営業/TOKYO SALES ■ 京都営業/KYOTO SALES ■ 海外/OVERSEAS TEL 03-6455-0280 FAX 03-3461-1566 TEL 0774-20-3559 FAX 0774-24-1031 TEL +81-(0)774-24-1138 FAX +81-(0)774-24-1031 本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用の際には、仕様書をご用命のうえ、 内容の確認をお願い致します。 The contents of this data sheet are subject to change without advance notice for the purpose of improvement. When using this product, would you please refer to the latest specifications. Sep.2012