TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform MechanicalFeatures • PressFITContactTechnology • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 150 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 75 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 300 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 500 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,75 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 5,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 5,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 8,70 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,48 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 3,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 3,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 3,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 3,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 3,0 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,25 0,16 0,17 0,175 µs µs µs 0,03 0,035 0,035 µs µs µs 0,33 0,42 0,44 µs µs µs 0,035 0,06 0,07 µs µs µs Eon 1,55 2,45 2,70 mJ mJ mJ IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 3,0 Ω Tvj = 150°C Eoff 2,60 4,40 5,00 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 600 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,25 0,30 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,30 -40 K/W 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 125 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 75 A IFRM 250 A I²t 1450 1400 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,70 VF 1,45 1,30 1,35 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 62,0 72,0 75,0 A A A IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 3,40 5,00 5,60 µC µC µC IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,60 0,95 1,10 mJ mJ mJ RthJC 0,55 0,65 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 75 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 215 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,60 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,145 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 5,1 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,95 0,025 0,025 0,025 µs µs µs 0,02 0,02 0,02 µs µs µs 0,19 0,21 0,22 µs µs µs 0,02 0,035 0,04 µs µs µs Eon 1,30 2,10 2,30 mJ mJ mJ IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 5,1 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,70 2,40 2,60 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 530 380 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 0,70 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 4 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 50 A IFRM 150 A I²t 1050 985 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,55 VF 2,00 1,70 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 100 120 130 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 3,50 7,80 10,0 µC µC µC IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 1,10 2,50 3,30 mJ mJ mJ RthJC 0,55 0,60 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode -40 V V V 150 °C Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 5 kV 2,5 typ. max. 14 39 nH 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 6 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 150 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 120 120 105 105 90 90 75 60 45 45 30 30 15 15 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 105 7 90 6 E [mJ] 8 75 5 60 4 45 3 30 2 15 1 5 6 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9 120 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3Ω,RGoff=3Ω,VCE=400V 150 IC [A] 75 60 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 135 IC [A] IC [A] 135 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 7 0 15 30 45 60 75 90 IC [A] 105 120 135 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJC=f(t) 10 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9 8 ZthJC : IGBT 7 0,1 ZthJC [K/W] E [mJ] 6 5 4 0,01 3 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0165 0,0605 0,044 0,429 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 3 6 9 12 15 18 RG [Ω] 21 24 27 0,001 0,001 30 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 180 150 IC, Modul IC, Chip 160 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 120 140 105 120 IF [A] IC [A] 90 100 80 75 60 60 45 40 30 20 0 15 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=3Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=75A,VCE=400V 1,6 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,3 1,2 1,1 1,2 1,0 0,9 1,0 E [mJ] E [mJ] 0,8 0,8 0,7 0,6 0,6 0,5 0,4 0,4 0,3 0,2 0,2 0,1 0,0 0 15 30 45 60 75 90 IF [A] 0,0 105 120 135 150 TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJC=f(t) 0 3 6 9 12 15 18 RG [Ω] 21 24 27 30 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 150 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 120 105 1 IC [A] ZthJC [K/W] 90 75 60 0,1 45 30 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0345 0,1495 0,3105 0,6555 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 15 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 150 150 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 135 120 105 105 90 90 IC [A] IC [A] 120 75 60 45 45 30 30 15 15 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=400V 6,0 18 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5,5 5,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 16 14 4,5 4,0 12 E [mJ] 3,5 E [mJ] 75 60 0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 135 3,0 2,5 2,0 10 8 6 1,5 4 1,0 2 0,5 0,0 0 15 30 45 60 75 90 IC [A] 0 105 120 135 150 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 10 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJC=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C 10 180 ZthJC : IGBT IC, Modul IC, Chip 160 140 120 IC [A] ZthJC [K/W] 1 0,1 100 80 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,036 0,132 0,096 0,936 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 200 300 400 500 VCE [V] 600 700 800 5,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 4,0 70 3,5 60 3,0 50 2,5 40 2,0 30 1,5 20 1,0 10 0,5 0,0 0,5 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 4,5 E [mJ] IF [A] 100 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=5.1Ω,VCE=400V 100 0 0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 0,0 3,0 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 11 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 100 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJC=f(t) 5,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 4,5 ZthJC : Diode 4,0 3,5 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 3,0 2,5 2,0 0,1 1,5 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,5 0,0 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 0,01 0,001 50 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2014-11-26 approvedby:AKDA revision:3.0 14