SanRex DFA200CB 3-phase diode bridge Datasheet

3-PHASE DIODE BRIDGE + THYRISTOR
DFA200CB
UL; E76102(M)
電源
■Maximum Ratings 最大定格
Symbol
項
VRSM
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VDRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
DIODE ダイオード部
ID
IFSM
6-M6
depth 9㎜
28
18 23
48.0±0.3
62
R
S
22
T
22
G R2 +
−
4
21
28.5
23
61
DFA̲CB
R S T
Unit 単位:mm
Ratings
目
Repetitive Peak Reverse Voltage
Item
4-φ6.5
−
(Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃)
VRRM
Symbol 記号
+
、交流
Item
記号
R2
24.5
複合
、
設計
。
(電極端子─取付
間)
、他
同一
取付
可能
。
〈用途〉
• AC、DC
制御
安定化電源、
108
93.0±0.3
22 22 15.5
12
1.8
〈特長〉
•
非常
• 絶縁
〈Applications〉
• Inverter for motor control, AC stabilized
power supply, SMPS
13.5 20
8
G
2
〈Advantages〉
• Compact 3-phase bridge with prevention
rush current
• Isolated package
M4
depth 10.7㎜
24±0.3
SanRexパワーモジュールDFA200CBシ
リーズは、突入防止回路用として設計さ
れた絶縁形複合モジュールです。6個の
ダイオードを内部で三相ブリッジ接続し
ており、1個のサイリスタが直流ライン
に接続されております。
DFA200CB is isolated power module
designed for the rectification requiring
prevention rush current. This module has six
diodes connected in 3-phase bridge, and a
thyristor connected in series with the DC
line.
項
定格値
DFA200CB160
単位
800
1600
V
960
1700
V
800
1600
V
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
定格ピーク繰返しオフ電圧
Conditions
目
条
Ratings 定格値 Unit 単位
件
Output Current(D.C.) 直流出力電流
Three phase full wave,三相全波整流回路 Tc=96℃
Surge forward current
½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
サージ順電流
Unit
DFA200CB80
50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し
200
A
1850/2000
A
-40~+150
℃
IRRM
Repetitive Peak Reverse Current,max1
逆電流1
VD=700V,Tj=25℃
0.05
mA
IRRM
Repetitive Peak Reverse Current,max2
逆電流2
VD=VRRM,Tj=25℃
0.1
mA
IRRM
Repetitive Peak Reverse Current,max3
逆電流3
VD=VRRM,Tj=150℃
VFM
Forward Voltage Drop,max
Tj
Operating Junction Temperature
Rth(j-c) Thermal Impedance,max
IT(AV)
ITSM
THYRISTOR サイリスタ部
I 2t
di/dt
Tj
順電圧降下
熱抵抗
Average On-State Current
Surge On-State Current
接合部温度
平均オン電流
サージオン電流
20
mA
1.35
V
Junction to case(Total) 接合部─ケース間(TOTAL)
0.1
℃/ W
Single phase hulf wave.180°condution,Tc=118℃
200
A
IFM=200A,Inst.measurement
瞬時測定
導通角180°
,単相半波平均値(三相全波整流Tc=118℃)
1cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
50/60Hz, 商用単相半波1サイクル, 正弦半波, 波高値, 非繰返し
I2t(for fusing) 電流二乗時間積
Critica Rate of Rise of On-State Current
臨海オン電流上昇率
Operating Junction Temperature
IG=100mA,VD=½VDRM,diG/dt=0.1A/μs,Tj=25℃
接合部温度
IDRM IRRM (Repetitive)Peak Off-State Current,max
オフ(逆)電流
VDRM,VRRM,Tj=135℃
VTM
Peak On-State Voltage,max
オン電圧
ITM=200A,Inst. measurement
IGT/VGT
Gate Trigger Current,max/Voltage,max
ゲートトリガ電流/電圧
IT=1A,VD=6V,Tj=25℃
dv/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage,min
臨界オフ電圧上昇率
IH
Holding Current
IL
Latching Current
代表保持電流
代表ラッチング電流
Rth(j-c) Thermal Impedance,max
GENERAL 全体
Tstg
Storage Temperature
Mounting torque
締付トルク
熱抵抗
200
A/μs
-40~+150
℃
50
mA
1.15
V
100/3
mA/ V
500
50
Tj=25℃
100
mA
Tj=25℃
80
mA
0.15
℃/ W
-40~+125
℃
Junction to Case
接合部─ケース間
V/μs
Recommended Value
1.5~2.5(15~25)
2.7
(28)
Recommended Value
2.5~3.9(25~40)
4.7
(48)
推奨値
Terminals(M5)端子
推奨値
Terminals(M4)端子
推奨値
Recommended Value
1.0~1.4(10~14)
Thermal conductivity of silicone grease=7×10-3(W/
cm・℃),Effective rate of contact. 0.6
Thermal Impedanc,max
VISO
Isolation Breakdown Voltage(R.M.S.) 絶縁耐力(実効値)
A.C., 1minute
Mass
Typical value
接触熱抵抗
A 2s
VD=⅔VDRM,Tj=126~150℃
保存温度
Mounting(M5)取付
A
17000
VD=⅔VDRM,Tj=125℃
Rth(c-f)
質量
瞬時測定
1850/2000
シリコングリスの熱伝導率=7×10-3(W/cm・℃)
,接触有効率0.6
主端子─ベース間,A. C. 1分間
標準値
1.5
(15)
N・m
(kgf・cm)
0.07
℃/ W
2500
V
460
g
(DFA200CB-S79-1303)
DFA200CB
DIODE Maximum Forward Characteristics
ダイオード部 最大順特性
IFSM(A)
2.0
0
2.5
Gate Voltage(V)
Junction to Case
接合部─ケース間
θj-c 0.01
1
10
Peak Forward Gate Voltage(10V)
定格ピークゲート順電圧
10
(V) 1
Maximum
最大値
0.1
時
1
オン電流
Tj=150℃
100
IT
(A)
0.1
10
10
SCR Maximum Forward Characteristics
サイリスタ部 最大オン特性
Tj=25℃
−30℃
25℃
過渡熱インピーダンス
1000
Time
間 t(sec)
定格ピークゲート損失
定格平均ゲート損失
125℃
Transient Thermal Impedance θ(j-c)(℃/W)
0.01
Peak Gate Power(10W)
Average Gate Power(3W)
per one Module
モジュール当たり
0.001
1.0
Maximum Gate Non-Trigger Voltage
最小非トリガ電圧
100
1000
SCR Transient Thermal Impedance
サイリスタ部 過渡熱インピーダンス特性
junction to case
接合部─ケース間
0.1
0.01
Maximum
最大値
θj-c
150
1.0
1.5
2.0
2.5
Forward Voltage Drop VTM(V)
順電圧降下 VTM(V)
per one Module
モジュール当たり
0.01
0.1
1
10
Time(sec)
時 間 t(秒)
600
Three Phase
三相全波
Output Current vs. Power Dissipation
ダイオード部 最大電力損失特性
Power Dissipation
120
110
電力損失
最大許容ケース温度
500
130
400
300
PAV
(W)200
100
(℃)
Three Phase
三相全波
100
90
80
0.001
Output Current vs. Allowable Case Temperature
ダイオード部 出力電流対最大許容ケース温度
140
10000
Gate Current(mA)
ゲート電流 (mA)
(℃/W)
10
0.5
100
Times
通電サイクル数 n(cycles)
SCR Gate Characteristics
サイリスタ部 ゲートトリガ特性
100
0.1
S
i
ng
l
ephaseha
l
fwave
Tj=25℃ start
ゲート電圧
θj-c(℃/W)
50Hz
500
DIODE Transient Thermal Impedance
ダイオード部 過渡熱インピーダンス特性
1.0
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
1.5
Forward Voltage Drop VF(V)
順電圧降下 VF(V)
(℃/W)
On-State Peak Current I T(A)
60Hz
1000
Peak Gate Current(3A)
定格ピークゲート順電流
Tj=25℃
1.0
1500
IFSM
(A)
Tj=150℃
10
0.5
Per one element
単位エレメント当り
2000
Surge Forward Current
100
IF
(A)
Allowable Case Temperature
DIODE Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉
ダイオード部 サージ順電流耐量〈非繰返し〉
2500
サージ順電流
順電流
Forward Current IF(A)
1000
0
50
100
150
Output Current
出力電流 ID(A)
200
250
0
0
50
100
150
Output Current
出力電流 ID(A)
200
250
150
SCR Output Current vs Maximum Allowable Case Temperature
サイリスタ部 出力電流対最大許容ケース温度
250
140
Power Dissipation
130
120
110
150
PAV 100
(W)
100
(℃)
90
80
SCR Output Current vs Power Dissipation
サイリスタ部 最大電力損失
200
電力損失
最大許容ケース温度
Maximum Allowable Case Temperature(℃)
DFA200CB
0
50
100
150
Output Current(A)
出力電流(A)
200
250
50
0
0
50
100
150
Output Current
出力電流 ID(A)
200
250
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