eupec D291S European power-semiconductor and electronics company Datasheet

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 291 S
ø3,5+0,
deepth = 4±0,2 on both
C
A
Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen
Application: Snubberdiode at GTO - Inverter
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 291 S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
3500V, 4000 V
tvj = -40°C...140°C
VRRM
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...140°C
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
4500 V
3600V, 4100
tC = 85°C
VRSM
4600 V
IFRMSM
700 A
IFAVM
290 A
IFSM
5200 A
tC = 51°C
Stoßstrom-Grenzwert1)
tvj = 25°C
surge forward current1)
tvj = 125°C
Grenzlastintegral
tvj = 25°C
I²t-value
tvj = 125°C
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
tvj = 125°C, IFM = 3000 A, VRM = 1600 V
critical repetitive rate of fall of on - state
C = 0,125 µF, R = 6Ω
445 A
4500 A
I²t
135000
100000 A²s
(-di/dt)com
700 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage
tvj = 125°C iFM = 1200 A
VF
Schleusenspannung / threshold voltage
tvj = 125°c
V(TO)
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
tvj = 125°C
rT
1,76 mΩ
Sperrstrom / reverse current
tvj = 125°C, vR = 0,67 VRRM
iR
ca. 30 mA
tvj = 125°C, vR = VRRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs
4,15 V
1,9 V
50 mA
IRM
500 A
Qrr
950 µAs
tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6Ω
Sperrverzögerungsladung
iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs
recovered charge
tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 0,125 µF; R = 6Ω
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided
RthJC
0,04 K/W
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
0,08 K/W
RthCK
beidseitig / two-sided
0,006 K/W
einseitig / single-sided
0,012 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
tvjmax
Betriebstemperatur / operating temperature
tc op
-40...+125 °C
125 °C
Lagertemperatur / storage temperature
tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force
F
Gewicht / weight
G
Luftstrecke / air distance
20 mm
Kriechstrecke / creepage distance
30 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
9...13 kN
ca. 250 g
C
50 m/s²
D 291 S
0,100
2000
2
iF
[A]
0,075
Z(th)JC
Z(th)p
[K/W]
1500
1
0,050
1000
IFAY
60°
120°
500
IFAY
0,025
IFAY
IFAY
DC
180°
0
1
2
3
4
5
6
0
0,001
vF [V]
D 291 S_01
2 34 68
2 34 68
0,01
0,1
180°
2 34 68
2 34 68
1
10
t [s]
2 34 68
100
D 291 S_02
Fig. 2
Transient thermal impedance DC and impuls current
(f = 50 Hz)
Fig. 1
On-state characteristics iF = f(VF)
tvj = 125°C
Parameter: Current wave form
Upper limit of scatter range
1. single-sided cooling
2. both-sided cooling
Lower limit of scatter range
0,030
300
f = 50 Hz
0,025
∆rth
[K/W]
VFRM
[V]
f = 60 Hz
0,020
200
0,015
f = 100 Hz
100
0,010
f = 200 Hz
VFRM
0,005
f = 500 Hz
0
0
10
20
30
40
D 291 S_03
Fig. 3
∆ rth = f(ED, frequency)
Both-sided and one-sided cooling
Current wave form:: squarewave
Parameter: frequency
50
60
70
80
ED [%]
λ [°el]
90
500
100
1000
1500
2000
-di/dt [A/µs]
D 291 S_08
Fig. 4
Peak forward recovery voltage (typical values)
tvj = 125°C
tvj = 25°C
2500
D 291 S
1000
1000
9
IFM = 3000A
4
1000A
600A
300A
3
100A
5
IRM
[A]
9
7
7
5
IFM = 3000A
4
IRM
[A]
3
1000A
600A
300A
100A
2
2
100
100
9
9
7
7
5
5
4
4
IFM
3
2
10
10
Qrr
-di/dt
IRM
2
3
4
5 6 7 89
2
3
3
IFM
2
VR(Spr)
4
100
5 6 7 89
1000
10
10
Qrr
-di/dt
IRM
2
3
4
5 6 7 89
2
VR(Spr)
3
4
100
-di/dt [A/µs]
5 6 7 89
1000
-di/dt [A/µs]
D 291 S_04
D 291 S_05
Fig. 5
Reverse recovery current (upper limit ca. 98% value)
IRM = f(di/dt)
Fig. 6
Reverse recovery current (lower limit ca. 2% value)
IRM = f(di/dt)
Parameter: IFM
tvj ≤ 125°C; CS = 0,125 µF
RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V
Parameter: IFM
tvj ≤ 125°C; CS = 0,125 µF
RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V
1000
2
IFM = 3000A
2000A
1000
1000A
600A
Qrr
[µAs]
700
IFM = 3000A
2000A
700
1000A
Qrr
[µAs]
500
300A
500
600A
400
300A
5
400
2
100A
5
300
2
100A
300
200
IFM
200
-di/dt
IRM
7
5
4
3
2
2
3
4
10
5 6 7 8 9
2
7
Qrr
3
VR(Spr)
4
100
IFM
5
4
3
5 6 7 89
1000
Qrr
-di/dt
IRM
VR(Spr)
2
100
10
2
3
4
5 6 7 89
2
3
4
100
1000
-di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
5 6 7 89
D 291 S_07
D 291 S_06
Fig. 7
Reverse recovery charge (upper limit ca. 98% value)
Qrr = f(di/dt)
Fig. 8
Reverse recovery charge (lower limit ca. 2% value)
Qrr = f(di/dt)
Parameter: IFM
tvj ≤ 125°C; CS = 0,1 µF
RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V
Parameter: IFM
tvj ≤ 125°C; CS = 0,1 µF
RS = 6 Ω; VR(Spr) = 1000 V
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S
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ei
bitten wir um Mitteilung. Wir we
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- die gemeinsame Durchführung eines
Risiko- und Qualitätsassessments;
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Q
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