MB85R4001A

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00005-5v1-Z
铁电存储器
4 M 位 (512 K × 8)
MB85R4001A
■ 产品描述
MB85R4001A 是一种 FRAM （铁电随机存取内存）芯片，由使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术制造的
524,288 × 8 位非易失性存储单元构成。
MB85R4001A 无需备用电池即可保持数据，这正是 SRAM 所需的功能。
MB85R4001A 中使用的存储单元可用于 1010 读 / 写操作，这是对闪存和 E2PROM 支持的读写操作次数的重
大改进。
MB85R4001A 採用虚拟静态随机存取 (SRAM) 接口。
■ 特点
•
•
•
•
•
位配置
读 / 写耐久性
数据保持
工作电源电压
低功耗
• 工作环境温度范围
• 封装
：524,288 × 8 位
：1010 次 / 字节
：10 年 ( + 55 °C), 55 年 ( + 35 °C)
：3.0 V 到 3.6 V
：工作电源电流 15 mA （典型值）
待机电流 50 μA （典型值）
： − 40 °C 到 + 85 °C
：48 引脚塑料 TSOP (FPT-48P-M48)
均符合 RoHS
Copyright 2011-2015 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2015.5
MB85R4001A
■ 引脚分配
（顶视图）
A11
A9
NC
A8
A13
WE
CE2
A15
A18
VDD
NC
NC
VSS
NC
NC
VDD
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
OE
NC
VSS
A10
CE1
NC
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VDD
NC
I/O3
I/O2
I/O1
DNU
DNU
DNU
A0
A1
VSS
A2
A3
(FPT-48P-M48)
■ 引脚功能描述
2
引脚编号
引脚名称
功能描述
1, 2, 4, 5, 8, 9, 17 到 26, 28,
29, 45
A0 到 A18
33 到 35, 38 到 42
I/O1 到 I/O8
数据输入 / 输出引脚
44
CE1
芯片使能 1 输入引脚
7
CE2
芯片使能 2 输入引脚
6
WE
写使能输入引脚
48
OE
输出使能输入引脚
10, 16, 37
VDD
电源电压引脚
将所有这三个引脚连接至电源。
13, 27, 46
VSS
接地引脚
将所有这三个引脚连接至地。
3, 11, 12, 14, 15, 36, 43, 47
NC
无连接引脚
使这些引脚保持断开状态，或连接到 VDD 或
VSS。
30 到 32
DNU
地址输入引脚
不使用引脚
确保将该引脚连接至 VSS。
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ 方块图
地址锁存器
行译码器
A0
A18
FRAM 阵列
524,288 × 8
列译码器
S/A
intWE
intOE
CE2
CE1
WE
OE
DS501-00005-5v1-Z
I/O1 到 I/O8
I/O8
I/O1
3
MB85R4001A
■ 功能真值表
模式
待机预充电
CE1
CE2
WE
OE
H
X
X
X
X
L
X
X
X
X
H
H
H
L
I/O1 到 I/O8
电流
Hi-Z
待机
(ISB)
H
读
数据输出
L
读
（虚拟 SRAM， OE 控制 *1）
L
H
H
工作
(IDD)
H
写
L
H
L
写
（虚拟 SRAM， WE 控制 *2）
数据输入
L
注意 : L = VIL, H = VIH, X 可以为 H, L,
H
或
: 下降沿的锁存器地址和锁存器数据，
H
, Hi-Z = 高阻抗
: 上升沿的锁存器地址和锁存器数据
*1 : 虚拟 SRAM 的 OE 控制意味着要读取的、位于 OE 下降沿的有效地址。
*2 : 虚拟 SRAM 的 WE 控制意味着要写的、位于 WE 下降沿的有效地址。
4
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ 绝对最大额定值
参数
额定值
符号
最小值
最大值
单位
电源电压 *
VDD
−0.5
+4.0
V
输入电压 *
VIN
−0.5
VDD + 0.5 ( ≤ 4.0)
V
输出电压 *
VOUT
−0.5
VDD + 0.5 ( ≤ 4.0)
V
TA
−40
+85
°C
TSTG
−55
+125
°C
工作环境温度
储存温度
* : 上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，
因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。
■ 推荐工作条件
参数
符号
电源电压 *1
工作环境温度 *
2
值
单位
最小值
典型值
最大值
VDD
3.0
3.3
3.6
V
TA
− 40
⎯
+85
°C
*1 : 上述参数值以 VSS = 0 V 为基准。
*2 : 仅适用于本芯片在运行时的周围环境温度。可以理解成此温度与芯片表面的温度几乎相同。
< 警告 > 为确保半导体器件的正常运作，必须在推荐的运行环境或条件下使用。器件在所推荐的环境或条件下
运行时，其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器
件。如超出该等范围使用，可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条
件之外使用器件，请务必事先联系销售代表。
DS501-00005-5v1-Z
5
MB85R4001A
■ 电气特性
1. 直流特性
参数
符号
条件
最小值
（在推荐工作条件内）
值
单位
典型值
最大值
|ILI|
VIN = 0 V 到 VDD
⎯
⎯
10
μA
输出漏电流
|ILO|
VOUT = 0 V 到 VDD,
CE1 = VIH 或 OE = VIH
⎯
⎯
10
μA
工作电源电流 *2
IDD
CE1 = 0.2 V, CE2 = VDD − 0.2 V,
Iout = 0 mA
⎯
15
20
mA
⎯
50
150
μA
输入漏电流 *
1
CE1 ≥ VDD − 0.2 V
待机电流 *
3
ISB
CE2 ≤ 0.2 V
OE ≥ VDD − 0.2 V, WE ≥ VDD − 0.2 V
“ 高 ” 电平输入电压
VIH
VDD = 3.0 V 到 3.6 V
VDD × 0.8
⎯
VDD + 0.5
( ≤ 4.0)
V
“ 低 ” 电平输入电压
VIL
VDD = 3.0 V 到 3.6 V
−0.5
⎯
+0.6
V
“ 高 ” 电平输出电压
VOH
IOH = − 1.0 mA
VDD × 0.8
⎯
⎯
V
“ 低 ” 电平输出电压
VOL
IOL = 2.0 mA
⎯
⎯
0.4
V
*1 : 这也适用于 DNU 引脚。
*2 : 在测量 IDD 期间，认为地址和数据输入在每个活动周期仅变化一次。
Iout：输出电流
*3 : 设置引脚外的所有引脚都应在 CMOS 电平电压，如 H ≥ VDD − 0.2 V， L ≤ 0.2 V。
6
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
2. 交流特性
• 交流特性测试条件
电源电压
: 3.0 V 到 3.6 V
工作环境温度 : −40 °C 到 +85 °C
输入电压振幅 : 0.3 V 到 2.7 V
输入上升时间 : 5 ns
输入下降时间 : 5 ns
输入评估电平 : 2.0 V / 0.8 V
输出评估电平 : 2.0 V / 0.8 V
输出负载电容 : 50 pF
(1) 读周期
参数
符号
值
最小值
最大值
单位
读周期时间
tRC
150
⎯
ns
CE1 活动时间
tCA1
120
⎯
ns
CE2 活动时间
tCA2
120
⎯
ns
OE 活动时间
tRP
120
⎯
ns
预充电时间
tPC
20
⎯
ns
地址建立时间
tAS
0
⎯
ns
地址保持时间
tAH
50
⎯
ns
OE 建立时间
tES
0
⎯
ns
输出数据保持时间
tOH
0
⎯
ns
输出建立时间
tLZ
30
⎯
ns
CE1 存取时间
tCE1
⎯
120
ns
CE2 存取时间
tCE2
⎯
120
ns
OE 存取时间
tOE
⎯
120
ns
输出浮动时间
tOHZ
⎯
20
ns
DS501-00005-5v1-Z
7
MB85R4001A
(2) 写周期
参数
符号
值
最小值
最大值
单位
写周期时间
tWC
150
⎯
ns
CE1 活动时间
tCA1
120
⎯
ns
CE2 活动时间
tCA2
120
⎯
ns
预充电时间
tPC
20
⎯
ns
地址建立时间
tAS
0
⎯
ns
地址保持时间
tAH
50
⎯
ns
写脉冲宽度
tWP
120
⎯
ns
数据建立时间
tDS
0
⎯
ns
数据保持时间
tDH
50
⎯
ns
写建立时间
tWS
0
⎯
ns
3. 引脚电容
参数
符号
输入电容
CIN
输出电容
COUT
DNU 引脚输入电容
CDNU
8
条件
VDD = VIN = VOUT = 0 V,
f = 1 MHz, TA = + 25 °C
值
单位
最小值
典型值
最大值
⎯
⎯
10
pF
⎯
⎯
10
pF
⎯
⎯
10
pF
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ 时序图
1. 读周期 （CE1 控制）
tRC
tCA1
tPC
CE1
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tES
tRP
OE
tCE1
tOH
tLZ
I/O1 到 I/O8
tOHZ
Hi-Z
有效
无效
无效
:H 或 L
2. 读周期 （CE2 控制）
CE1
tRC
tPC
tCA2
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tES
tRP
OE
tCE2
tOH
tLZ
I/O1 到 I/O8
tOHZ
Hi-Z
有效
无效
无效
:H 或 L
DS501-00005-5v1-Z
9
MB85R4001A
3. 读周期 （OE 控制）
CE1
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tRC
tPC
tRP
OE
tOE
tOHZ
tOH
tLZ
I/O1 到 I/O8
Hi-Z
有效
无效
无效
:H 或 L
4. 写周期 （CE1 控制）
tWC
tCA1
tPC
CE1
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tWS
tWP
WE
tDS
tDH
有效
Data In
H或L
Hi-Z
:H 或 L
10
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
5. 写周期 （CE2 控制）
CE1
tWC
tPC
tCA2
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tWS
tWP
WE
tDS
tDH
有效
Data In
H或L
Hi-Z
:H 或 L
6. 写周期 （WE 控制）
CE1
CE2
tAS
A0 到 A18
tAH
有效
H或L
tWC
tWP
tPC
WE
tDS
tDH
Hi-Z
有效
Data In
H或L
:H 或 L
DS501-00005-5v1-Z
11
MB85R4001A
■ 上电 / 掉电序列
tPD
tR
tPU
VDD
VDD
CE2
CE2
3.0 V
3.0 V
VIH˄᳔ᇣؐ˅
VIH˄᳔ᇣؐ˅
1.0 V
1.0 V
VIL˄᳔໻ؐ˅
VIL˄᳔໻ؐ˅
CE2 ≤ 0.2 V
0V
0V
CE1 > VDD × 0.8*
CE1 > VDD × 0.8*
CE1 : ৃᗑ⬹
CE1
CE1
* : CE1 （最大值） < VDD + 0.5 V
参数
值
符号
最小值
典型值
最大值
单位
掉电时 CE1 电平的保持时间
tPD
85
⎯
⎯
ns
上电时 CE1 电平的保持时间
tPU
85
⎯
⎯
ns
电源上升时间
tR
0.05
⎯
200
ms
如果器件不能在读周期、写周期或上电 / 掉电序列的特定条件内操作，则无法保证存储数据。
在开启或关闭电源时，使用电源复位 IC 并将 CE2 固定为低电平，以防止意外写操作。使用 CE1 和 / 或
CE2 禁用对器件的控制。
■ FRAM 特性
参数
读 / 写耐久性 *
数据保持 *2
1
最小值
最大值
单位
1010
⎯
次 / 字节
10
⎯
55
⎯
年
备注
工作环境温度 TA = + 85 °C
工作环境温度 TA = + 55 °C
工作环境温度 TA = + 35 °C
*1 : 由于 FRAM 存储采用破坏性读出机制操作，这里的读 / 写耐久性的最小值定义为读和写的次数的总和。
*2 : 数据保持年数是指出厂交货后第一次读 / 写数据的保持时间。这些保持时间是根据可靠性评估结果得出的
换算值。
■ 使用说明
请在回流焊完成以后写入数据。此产品不能保证回流焊工序完成前写入的数据。
12
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ ESD 和闩锁
测试
值
DUT
ESD HBM （人体模型）
符合 JESD22-A114
≥ |2000 V|
ESD MM （机器模型）
符合 JESD22-A115
≥ |200 V|
ESD CDM （充电器件模型）
符合 JESD22-C101
⎯
闩锁 （I 测试）
符合 JESD78
MB85R4001ANC-GE1
闩锁 （V 电源过电压测试）
符合 JESD78
⎯
⎯
闩锁 （电流方法）
专利方法
≥ |300 mA|
闩锁 （C-V 方法）
专利方法
⎯
• 闩锁电阻测试的电流方法
保护电阻
A
测试端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
（最大额定值）
V
参考端子
注意 : 电压 VIN 逐渐增加且电流 IIN 应达到最大值 300 mA。
确认在 IIN = ± 300 mA 情况下未发生闩锁。
在为输入 / 输出指定特定需求且 IIN 无法达到 300 mA 的情况下，电压应增加到满足特定需求的水平。
DS501-00005-5v1-Z
13
MB85R4001A
• 闩锁电阻测试的 C-V 方法
保护电阻
A
1
2
测试
端子
SW
+
VIN
V
-
C
200pF
VDD
DUT
VDD
（最大额定值）
VSS
参考端子
注意 : 以大约 2 秒间隔交替切换充电电压 1 和 2。此切换过程视为一个周期。
重复此过程 5 次。但是，如果闩锁条件在完成 5 次过程之前发生，则必须立即停止该测试。
■ 回流焊条件以及保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 针对含有限制级化学物质的处理
本产品符合 REACH, EU RoHS 以及中国 RoHS 指令。
14
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ 订购信息
零件编号
MB85R4001ANC-GE1
封装
包装规格
最小起订量
48 引脚塑料 TSOP
(FPT-48P-M48)
托盘
⎯*
* : 烦请向我公司销售部门询问最小起订数量。
DS501-00005-5v1-Z
15
MB85R4001A
■ 封装尺寸
48 ᓩ㛮ล᭭ TSOP
ᓩ㛮䯈䎱
0.50 ↿㉇
ࣙ㺙ᆑᑺ ×
ࣙ㺙䭓ᑺ
12.00 ↿㉇ × 12.40 ↿㉇
ᓩ㛮ᔶ⢊
叹㗐ൟ
ᇕ㺙ᮍ⊩
ล῵
ᅝ㺙催ᑺ
᳔催 1.20 ↿㉇
䞡䞣
0.36 g
(FPT-48P-M48)
⊼ᛣ 1) ˖ᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ˄↣ϔջ˖᳔໻ ˅DŽ
⊼ᛣ 2) *˖ሎᇌϡࣙᣀᷥ㛖ߌߎ䚼ߚDŽ
⊼ᛣ 3) ᓩ㛮ᆑᑺ੠ᓩ㛮८ᑺࣙᣀ䞥ሲᵓ८ᑺDŽ
⊼ᛣ 4) ᓩ㛮ᆑᑺϡࣙ৿ᢝᴚߛࡆ࠽ԭ䚼ߚDŽ
48 ᓩ㛮ล᭭ TSOP
(FPT-48P-M48)
0.10±0.05 (.004±.002)
˄ᇍክ˅
1
48
0.50(.020)
㋶ᓩ
#12.00±0.10
(.472±.004)
+0.05
0.22 –0.04
(.009 +.002
–.002 )
24
0.10(.004)
M
25
1.13±0.07 (.044±.003)
˄ᅝ㺙催ᑺ˅
“A”䚼ߚ䆺೒
14.00±0.20(.551±.008)
*12.40±0.10(.488±.004)
0.25(.010)
+0.05
–0.03
+.002
–.001
0.145
(.006
C
16
)
0.08(.003)
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F48048Sc-1-1
A
0.60±0.15
(.024±.006)
0~8
ሎᇌऩԡЎ↿㉇˄㣅ᇌ˅DŽ
⊼ᛣ˖ᣀোЁⱘؐᰃখ㗗ؐDŽ
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
■ 标记
[MB85R4001ANC-GE1]
JAPAN
MB85R4001A
1150 E00
E1
[FPT-48P-M48]
DS501-00005-5v1-Z
17
MB85R4001A
■ 包装信息
1. 托盘
1.1 托盘尺寸
TSOP48, 56 (I)
最大包装数量
PKG 代码
pcs/ 托盘
pcs/ 内箱
pcs/ 外箱
128
1280
5120
322.6
315
15 × 19.0 = 285
15
15
8-NO HOLES
7.62
1.27
7 × 14.9 = 104.3
135.9
15.8
FPT-48P-M48
25.4
13.564
12.2
10
8
1.27
1
1 1
1
10
R4.7
19
15.8
1 1
8
0.9
1.27
1
0.9
1.27
1.27
7.62
7.62
1
2
1.27
15.564
14.2
11.8
10
15
C
25.4
255.3
2
34.3
SEC.A-A
5
B
A
0.76
C3
2.54
A
15.8
B
14.9
SEC.B-B
2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED TSOP (1) 12 x 14 : JHB-TS1-1214-1-D-3
（尺寸单位为毫米）
材料：导电聚苯醚
隔热温度： 125 °C （最大）
重量：133 g
18
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
1.2 IEC (JEDEC) 托盘 干燥包装规格
ѻક (IC)
IC
托盘
㋶ᓩᷛ䆄
ᠬⲬ
‫צ‬㾦
⑓ᑺᣛ⼎఼ *5
ᑆ➹ࠖ
干燥包
↓
内箱
*5
ᷛㅒ I *1*4*5
㒧ᴳᏺ៪㛊ᏺ
⛁ᇕ
*5
䪱ㅨ㹟 *5
฿‫ܙ‬ᠬⲬ + ϔϾぎᠬⲬ
㓧‫ކ‬ᴤ᭭ *5
‫ݙ‬ㆅ *5
㒧ᴳᏺ៪㛊ᏺ *5
ᷛㅒ I *1*4*5
㓧‫ކ‬ᴤ᭭ *5
外箱
໪ㆅ *2*3*5
Փ⫼㉬ড়ᏺDŽ *5
ᷛㅒ II-A *4*5
ᷛㅒ II-B *4*5
*1: 对于零件编号后缀为 “E1” 的产品，防潮袋和内箱上会显示 “ G
Pb
” 标记。
*2: 外箱的尺寸可能会根据内箱的数量而各不相同。
*3: 外箱中的空隙将用空内箱或衬垫等填充。
*4: 请参考附件表了解有关指示标签的信息。
*5: 根据制造国家 / 地区的不同，托盘以外的包装材料在颜色和尺寸方面可能稍有不同。
注意 : 产品通过分销商交付时可能不适用本包装规范。
DS501-00005-5v1-Z
19
MB85R4001A
1.3 产品标签说明
标签 I：内箱 / 防潮袋上的标签 / （如果是卷带包装，也要贴在卷带的卷筒上）
[C-3 标签 （50 毫米 × 100 毫米）补充标签 （20 毫米 × 100 毫米） ]
XXXXXXXXXXXXXX
(Customer part number or FJ part number)
C-3 标签
(LEAD FREE mark)
(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number and quantity)
QC PASS
(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX
(FJ control number)
XXX pcs
XXXXXXXXXXXXXX
(Quantity)
(Customer part number or FJ part number)
(Customer part number or FJ part number
bar code)
XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx
XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number)
(FJ control number bar code)
XX/XX
XXXX-XXX XXX
(Package count)
XXXX-XXX XXX
XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity)
XXXXXXXXXXXXXX (Comment)
点断线
补充标签
标签 II-A：外箱上的标签 [D 标签 ] （100 毫米 × 100 毫米）
D 标签
XXXXXXXXXXXXX (Customer Name)
(CUST.)
XXXXXXXXX (Delivery Address)
(DELIVERY POINT)
XXXXXXXXXXXXXX
(TRANS.NO.) (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(PART NO.)
(Customer part number or
FJ part number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXX (FJ control number)
XXXXXXXXXXXXXX
(Part number)
(PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number)
XXX/XXX
(Q’TY/TOTAL Q’TY)
(CUSTOMER'S
REMARKS)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX
XX
(UNIT)
(PACKAGE COUNT)
XXX/XXX
(FJ control number + Product quantity)
(FJ control number + Product quantity
bar code)
(Part number + Product quantity)
(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX
(Part number + Product quantity bar code)
(3N)5 XXXXXXXXXX
(FJ control number)
(FJ control number bar code)
标签 II-B：外箱产品说明
XXXXXXXXXXXXXX
(Lot Number)
XXXX-XXX
XXXX-XXX
(Part number)
(Count)
X
X
(Quantity)
XXX
XXX
XXX
注意 : 根据发货地的不同，可能不会印刷外箱上的 “ 标签 II-A” 和 “ 标签 II-B”。
20
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
1.4 包装箱尺寸
(1) 内箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
165
360
75
（尺寸单位为毫米）
(2) 外箱尺寸
催
ᆑ
䭓
长
宽
高
355
385
195
（尺寸单位为毫米）
DS501-00005-5v1-Z
21
MB85R4001A
MEMO
22
DS501-00005-5v1-Z
MB85R4001A
MEMO
DS501-00005-5v1-Z
23
MB85R4001A
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Shin-Yokohama Chuo Building, 2-100-45 Shin-Yokohama,
Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa 222-0033, Japan
http://jp.fujitsu.com/fsl/en/
版权所有。
本公司及其子公司与关系企业 ( 下称富士通半导体 ) 保有修改本手册记载内容的权利，恕不另行通知。请贵用户于订购
产品前咨询富士通半导体的销售代表。
本手册记载的信息，诸如功能概要和应用电路示例，仅仅提供给贵用户作为对于富士通半导体器件的使用方法和操作示
例的参考之用 ; 富士通半导体对于本手册所记载的各种信息，包括但不限于产品品质、正确性、功能表现、操作的适当
性或产品是否侵权等，皆不提供任何明示或暗示的保证，亦不负责任何损害赔偿的责任。若贵用户基于本手册记载的信
息，将富士通半导体器件导入或安装于贵用户自行开发的产品或装置内，贵用户应承担所有风险，并就此使用所衍生的
一切损害自行负责。富士通半导体对本手册所载信息、亦或贵客户使用本手册所导致的任何损害概不负责。
本手册内的任何信息，不应视为授与或转让富士通半导体所拥有或自第三方授权而来的专利权、着作权或其他类型之知
识产权，贵用户对上述权利不享有任何产权和利益。就本手册所载信息、或就贵用户因使用该信息而产生或衍生侵害第
三方的知识产权或其他权利的损害赔偿或责任，富士通半导体概不负责。
本手册介绍的产品旨在为一般用途而设计、开发和制造，包括一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和家庭使用 ;
而非用于以下领域的设计、开发和制造 : (1) 伴随着致命风险或危险的使用，若不加以极高程度的安全保障，有可能直
接造成死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失的使用 ( 包括但不限于核能设备、航空飞行控制、空中交通控制、公
共交通控制、医用维系生命系统、或军事用途的使用 )，以及 (2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 包括但不限于海底中转器
和人造卫星 )。就贵用户或任何第三方使用产品于上述限制领域内而引起的或衍生的任何损害赔偿或责任，富士通半导体
概不负责。
任何半导体器件存在一定的故障可能性。贵用户应确保对产品、设备和设施采取诸如冗余设计、消防设计、过流防护，其
他异常操作防护措施等安全设计，保证即使在半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、或财产损失。
本手册内记载的任何关于产品或技术之资讯，应受日本外汇及外贸管理法或美国及其他国家的进出口管理法或管理条例
之管制。贵用户应确保将本手册所载产品及技术资讯办理出口或再出口时，应符合上述一切相关法令。
本手册内记载的所有公司名称、品牌名称和商标名称是各个公司所有之产权。
编辑 : 系统存储器事业部