桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM846,847,848(销售型號 BC846,847,848) ■FEATURES 特點 NPN General Purpose Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 GM846A,B (BC846A,B) GM847A,B,C (BC847A,B,C) GM848A,B,C (BC848A,B,C) Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 VCEO 65 45 30 Vdc Collector-Base Voltage 集電極基極電壓 VCBO 80 50 30 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO 6.0 6.0 5.0 Vdc Ic 100 100 100 mAdc Collector Current Continuous 集電極電流 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W -55to+150℃ MARKING 打標 (BC846A) =1A;GM846B (BC846B) =1B; GM846A GM846A(BC846A) (BC846A)=1A;GM846B =1A;GM846B(BC846B) (BC846B)=1B; (BC847A) =1E;GM847B (BC847B) =1F; GM847C (BC847C) =1G; GM847A GM847A(BC847A) (BC847A)=1E;GM847B =1E;GM847B(BC847B) (BC847B)=1F; GM847C(BC847C) (BC847C)=1G; (BC848A) =1J; GM848B (BC848B) =1K; GM848C (BC848C) =1L GM848A GM848A(BC848A) (BC848A)=1J; GM848B(BC848B) (BC848B)=1K; GM848C(BC848C) (BC848C)=1L 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM846,847,848(销售型號 BC846,847,848) ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 ■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓 (Ic=10mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓 (Ic=10μAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓 (IE=10μAdc,Ic=0) Symbol 符號 V(BR)CEO 846A,B 847A,B,C 848A,B,C V(BR)CBO 846A,B 847A,B,C 848A,B,C V(BR)EBO 846A,B 847A,B,C 848A,B,C 846B, 847B, 848B 847C, 848C 846A, 847A, 848A 846B, 847B, 848B 847C, 848C Max 最大值 Unit 單位 65 45 30 — Vdc 80 50 30 — Vdc — 1.5 5.0 Vdc nA uA 6.0 6.0 5.0 Collector Cutoff Current(VCB=30v) ICBO 集電極截止電流(VcB=30Vdc,TA=150℃) ■ON CHARCTERISTICS 導通電特性 Characteristic Symbol Min 特性參數 符號 最小值 DC Current Gain 直流電流增益 HFE (Ic=10uAdc,VCE=5.0Vdc) 846A, 847A, 848A (Ic=2.0mAdc,VCE=5.0Vdc) Min 最小值 110 200 420 — Typ 典型值 Max 最大值 90 150 270 180 290 520 220 450 800 — — 0.25 0.6 Unit 單位 — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=0.5mAdc) (Ic=100mAdc, IB=5.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=0.5mAdc) (Ic=100mAdc, IB=5.0mAdc) Base-Emitter Voltage 基極發射極電壓 (Ic=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc) (Ic=10mAdc, VCE=5.0Vdc) VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) 0.7 0.9 580 — 660 — Vdc Vdc 700 770 mV 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM846,847,848(销售型號 BC846,847,848) ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 fT 100 — Cobo — — 4.5 pF — 10 10 4.0 dB MHz (Ic=10mAdc,VCE=5.0Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Noise Figure 噪声係數 (VCE=5.0Vdc, IC=200μAdc, Rs=2.0kΩf=1.0KHz BW=200Hz) ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm NF 846A, 847A, 848A 846B, 847B, 848B 847C, 848C —