JST240 型三象限双向晶闸管芯片 （芯片代码：CP306） ○ 芯片特征：单面台面结构，台面玻璃钝化工艺，背面三层金属电极。 ○ 芯片尺寸：2.4mm×2.4mm ○ 可替换型号：BTA06/BTB06 JST240芯片结构图 T2 G ○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，TCASE =25℃） (单位：um) 参数名称 符 号 G(AL) 数 值 单 位 结温范围 Tj -40～125 ℃ 正向断态重复峰值电压 VDRM 600/800 V 反向断态重复峰值电压 VRRM 600/800 V T1(AL) 通态均方根电流 TC=110℃ IT（RMS） 6 A 通态浪涌电流 tp=20mS ITSM 60 A tp=16.7mS 2 I t值 tp=10mS 通态电流临界上升率 63 2 It 21 A2S dI/dt 50 A/uS IG=2×IGT,tr≤100ns, F=100Hz T1(AL) G(AL) T1 T2(Ti-Ni-Ag) 门极峰值电流 Tj=125℃ IGM 4 A 门极平均功率 Tj=125℃ PG（AV） 1 W ○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，TCASE =25℃） 特性和测试条件 符 号 数 值 CW 通态峰值电压 ITM=8.5A,tp=380uS 单 位 BW VTM ≤1.55 V 正向断态峰值电流 TC=25℃ IDRM1 ≤5 uA VD=VDRM TC=125℃ IDRM2 ≤1 mA 反向断态峰值电流 TC=25℃ IRRM1 ≤5 uA VR=VRRM TC=125℃ IRRM2 ≤1 mA VGT ≤1.3 V VGD ≥0.2 V 门极触发电压 VD=12V, RL=30Ω 门极不触发电压 VD=VDRM, RL=3.3KΩ, 门极触发电流 Tj=125℃ VD=12V, RL=30Ω IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ) IGT (Ⅳ) ≤25 ≤50 / / ≤50 ≤70 mA 擎住电流 IL（Ⅰ-Ⅲ） IG= 1.2IGT IL（Ⅳ） / / IL（Ⅱ） ≤60 ≤80 IH ≤35 ≤50 mA dV/dt ≥400 ≥1000 V/uS 维持电流 断态电压临界上升率 VD=2/3VDRM, 门极开路 IT=0.2A Tj=125℃ mA