产品规格书

JST260H 型高结温三象限双向晶闸管芯片
（芯片代码：CP311）
○ 芯片特征：单面台面结构，台面玻璃钝化工艺，背面三层金属电极。
T2
T1
○ 芯片尺寸：2.6mm×2.6mm
○ 可替换型号：BCR5PM
G
○产品极限参数（封装成 TO-220 后，除非另有规定，TCASE =25℃）
JST260H 芯片结构图 单位(um)
参数名称
符 号
数
值
单 位
Tj
-40～150
℃
正向断态重复峰值电压
VDRM
600/800
V
反向断态重复峰值电压
VRRM
600/800
V
IT（RMS）
6
A
ITSM
60
A
结温范围
通态均方根电流
TC=110℃
通态浪涌电流
tp=20mS
tp=16.7mS
2
I t值
63
2
It
21
A2S
di/dt
50
A/uS
tp=10mS
通态电流临界上升率
IG=2×IGT,tr≤100ns, F=50Hz
门极峰值电流
Tj=150℃
IGM
2
A
门极平均功率
Tj=150℃
PG（AV）
1
W
○ 产品电性能（封装成 TO-220 后，除非另有规定，TCASE =25℃）
特性和测试条件
符
号
数
20
通态峰值电压 ITM=8.5A,tp=380uS
值
35
单 位
50
VTM
≤1.55
V
正向断态峰值电流
TC=25℃
IDRM1
≤5
uA
VD=VDRM
TC=150℃
IDRM2
≤1.5
mA
反向断态峰值电流
TC=25℃
IRRM1
≤5
uA
VR=VRRM
TC=150℃
IRRM2
≤1.5
mA
VGT
≤1.5
V
VGD
≥0.2
V
门极触发电压
VD=12V, RL=30Ω
门极不触发电压
VD=VDRM, RL=3.3KΩ,
Tj=150℃
IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
≤20
≤35
≤50
擎住电流
IL（Ⅰ-Ⅲ）
≤40
≤50
≤70
IG= 1.2IGT
IL（Ⅱ）
≤55
≤70
≤100
mA
IH
≤30
≤45
≤60
mA
(dV/dt)c
≥5
≥15
≥20
V/uS
门极触发电流
VD=12V, RL=30Ω
维持电流
IT=0.2A
换向电压临界上升率
T(vj)=150℃
VD=400V
(di/dt)c=-2.6A/ms
mA