NJG1107HB6 GPS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC ■概要 NJG1107HB6 は、低雑音、高利得、高 IP3 を特徴とし、 GPS の使用を主目的とした低雑音 GaAs MMIC 増幅器です。 また、外部整合回路を変更する事により 1.5GHz~2.4GHz ま での使用も可能です。 超小型、超薄型のパッケージ（USB8-B6）を採用し製品 の小型化を図りました。 ■外形 NJG1107HB6 ■特徴 ●低電圧動作 ●低消費電流 ●小信号電力利得 ●低雑音 ●高入力 IP3 ●超小型・超薄型パッケージ 単一正電源 +2.7V typ. 2.5mA typ. 17dB typ. @f=1.575GHz 1.1dB typ. @f=1.575GHz -4.0dBm typ. @f=1.575+1.5751GHz USB8-B6 (Package size: 1.5x1.5x0.55mm) ■端子配列 HB6type (Top View) 4 5 3 6 2 AMP ピン配置 1. RFOUT 2. N/C 3. EXTCAP 4. N/C 5. N/C 6. GND 7. RFIN 8. N/C 1 7 8 Orientation Mark 注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2006-07-31 -1- NJG1107HB6 ■絶対最大定格 (Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm) 項目 記号 ドレイン電圧 VDD 入力電力 Pin 消費電力 PD 動作温度 保存温度 条件 定格値 単位 6.0 V VDD=2.7V +15 dBm 基板実装時 135 mW Topr -40~+85 °C Tstg -55~+150 °C ■電気的特性 (VDD=2.7V, f=1.575GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm, 回路は推奨回路による) 項目 最小値 標準値 最大値 単位 freq1 1.57 1.575 1.58 GHz ドレイン電圧 VDD 2.5 2.7 5.5 V 動作電流 IDD - 2.5 3.2 mA Gain 15.0 17.0 - dB NF - 1.1 1.3 dB 1dB 利得圧縮時 入力電力 P-1dB -20.0 -16.0 - dBm 入力 3 次インター セプトポイント IIP3 -7.0 -4.0 - dBm 動作周波数 小信号電力利得 雑音指数 記号 条件 RF OFF f=1.575+1.5751GHz RFin=-35dBm RF Input ポート VSWR VSWRi - 1.6 2.0 RF Output ポート VSWR VSWRo - 1.6 2.2 -2- NJG1107HB6 ■端子情報 番号 端子名 機能説明 外部整合回路を介して LNA の信号を出力するとともに、LNA のドレイン電圧を供 1 RFout 給する端子です。C1 は DC ブロッキングキャパシタ、L3 はチョークインダクタと して用いていますが、C1, L3 とも出力整合回路の一部です（推奨回路例参照）。 2,4,5,8 N/C 空き端子です。GND に接続して下さい。 LNA の自己バイアス抵抗と並列に接続される端子です。この端子には外部にバイ 3 EXTCAP 6 GND 7 RFin パスキャパシタ（推奨回路例参照）を接続して下さい。 GND(0V)に接地する端子です。 外部整合回路を介して信号を LNA に入力する端子です。この端子には内部に DC ブロッキングキャパシタを内蔵しています。 -3- NJG1107HB6 ■特性例 NF vs. frequency k factor vs. frequency o o (V =2.7V, Ta=25 C) (V =2.7V, Ta=25 C) DD 5 DD 20 4 3 k factor NF (dB) 15 2 10 NF 5 1 0 1400 0 1450 1500 1550 1600 1650 1700 0 5 10 frequency (MHz) Pout vs. Pin 20 Pout, IM3 vs. Pin o o (V =2.7V, f=1575MHz, Ta=25 C) (V =2.7V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Ta=25 C) DD 10 15 frequency (GHz) 20 DD 5 0 Pout Pout, IM3 (dBm) Pout (dBm) 0 -5 Pout -10 -15 -20 -60 IM3 P-1dB(IN)=-15.6dBm -35 -30 -25 -20 -15 Pin (dBm) -4- -40 -80 -25 -30 -40 -20 IIP3=-3.67dBm -10 -5 0 -100 -40 -35 -30 -25 -20 -15 Pin (dBm) -10 -5 0 NJG1107HB6 ■特性例 Gain, NF vs. V o P-1dB(IN) vs. V DD o (f=1575MHz, Ta=25 C) DD -6 (f=1575MHz, Ta=25 C) 19 7 18 6 17 5 16 4 15 3 14 2 NF P-1dB(IN) (dBm) Gain NF (dB) Gain (dB) -8 -10 -12 -14 -16 -18 1 13 12 2.5 3 3.5 4 V 4.5 DD -20 2.5 0 5.5 5 3 3.5 4 V DD (V) I OIP3, IIP3 vs. V DD DD 4.5 5 5.5 (V) vs. V DD o o (RF=OFF, Ta=25 C) (f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-35dBm, Ta=25 C) 22 8 20 6 18 4 5 IIP3 14 0 12 -2 10 -4 (mA) DD 2 I OIP3 16 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 4 3 2 1 8 2.5 3 3.5 4 V DD 4.5 (V) 5 -6 5.5 0 2.5 3 3.5 4 V DD 4.5 5 5.5 (V) -5- NJG1107HB6 ■特性例 -6- NJG1107HB6 ■推奨回路 N/C 4 5 3 N/C 6 2 GND N/C L4 22nH L2 12nH RF Input 7 L1 27nH C3 1000pF EXTCAP C1 10pF RF Output 1 RFIN N/C 8 RFOUT L3 12nH C2 1000pF VDD=2.7V ■実装基板例 (Top View) 備考 Parts ID L1, L3, L4 TDK 製 (MLK1005) L2 TDK 製 (MLG1005) C1~C3 村田製作所製 (GRP15) C3 L2 RF Input L1 C1 L4 L3 RF Output PCB (FR-4): C2 t=0.2mm VDD MICROSTRIP LINE WIDTH =0.4mm (Z0=50ohm) PCB SIZE=14.0mm×14.0mm -7- NJG1107HB6 Qパッケージ外形図 (USB8-B6) (TOP VIEW) (SIDE VIEW) 1pin INDEX 0.038±0.01 0.14±0.05 0.55±0.05 1.5±0.05 0.5±0.1 0.5±0.1 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 : 金メッキ : FR5 : エポキシ樹脂 : mm : 4mg 0.3±0.05 8 4 0.2±0.1 7 6 5 0.2±0.05 0.2±0.05 0.4±0.1 (BOTTOM VIEW) ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 -8- R0.075 3 0.2±0.1 2 0.3±0.1 1.5±0.05 1 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。