EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 产品规格书 版本1.2 版本 义隆电子股份有限公司 2013.05 商标告知: IBM 为一个注册商标，PS/2 是 IBM 的商标之一。 Windows 是微软公司的商标。 ELAN 和 ELAN 标志 是义隆电子股份有限公司的商标。 版权所有 © 2013 义隆电子股份有限公司 所有权利保留 台湾印制 本使用说明文件内容如有变动恕不另作通知。关于该规格书的准确性、适当性或者完整性，义隆电子股份 有限公司不承担任何责任。 义隆电子股份有限公司不承诺对本使用说明文件之内容及信息有更新及校正 之义务。 本规格书的内容及信息将为符合确认之指示而变更。 在任何情况下，义隆电子股份有限公司对本使用说明文件中的信息或内容的错误、遗漏，或者其它不准确 性不承担任何责任。由于使用本使用说明文件中的信息或内容而导致的直接，间接，特别附随的或结果的 损害， 义隆电子股份有限公司没有义务负责。 本规格书中提到的软件（如果有），都是依据授权或保密合约所合法提供的，并且只能在这些合约的许可 条件下使用或者复制。 义隆电子股份有限公司的产品不是专门设计来应用于生命维持的用具，装置或者系统。 义隆电子股份有 限公司的产品不支持而且禁止在这些方面的应用。 未经义隆电子股份有限公司书面同意，任何个人或公司不得以任何形式或方式对本使用说明文件的内容之 任一部分进行复制或传输。 义隆电子股份有限公司 总公司: 总公司 地址：台湾新竹科学园区创新一 路 12 号 电话:+886 3 563-9977 传真:+886 3 563-9966 [email protected] http://www.emc.com.tw 香港分公司: 香港分公司 USA: 义隆电子（ 义隆电子（香港） 香港）有限公司 九龙观塘巧明街 95 号世达中心 19 楼 A 室 电话：+852 2723-3376 传真：+852 2723-7780 [email protected] Elan Information Technology Group (USA) 深圳分公司: 深圳分公司 上海分公司: 上海分公司 义隆电子（ 义隆电子（深圳） 深圳）有限公司 深圳市南山区高新技术产业园 南区高新南六道迈科龙大厦 8A 邮编：518057 电话：+86 755 2601-0565 传真：+86 755 2601-0500 义隆电子（ 义隆电子（上海） 上海）有限公司 地址：上海市浦东新区张江 高科碧波路 5 号科苑大楼 6 楼 邮编：201203 电话：+86 21 5080-3866 传真：+86 21 5080-0273 [email protected] [email protected] P.O. Box 601 Cupertino, CA 95015 USA Tel: +1 408 366-8225 Fax:+1 408 366-8225 目录 目录 1 综述 ······························································································ 1 2 特性 ······························································································ 1 3 引脚配置 ························································································ 2 4 引脚描述 ························································································ 4 4.1 EM78F562N/F662N ...................................................................................... 4 5 结构图 ··························································································· 6 6 功能描述 ························································································ 7 6.1 操作寄存器 .................................................................................................... 7 6.1.1 R0 (间接寻址寄存器) .......................................................................................... 7 6.1.2 R1(时钟定时器/计数器) ...................................................................................... 7 6.1.3 R2 (程序计数器)和堆栈 ...................................................................................... 7 6.1.4 R3(状态寄存器) ................................................................................................ 10 6.1.5 R4 (RAM 选择寄存器) ...................................................................................... 10 6.1.6 Bank 0 R5 ~ R8 (端口 5 ~ 端口 8).................................................................... 10 6.1.7 Bank 0 R9 TBPTL (表格指针寄存器低字节) ..................................................... 10 6.1.8 Bank 0 RA (唤醒控制寄存器) ........................................................................... 10 6.1.9 Bank 0 RB (EEPROM 控制寄存器) .................................................................. 11 6.1.10 Bank 0 RC (128 字节 EEPROM 地址) .............................................................. 12 6.1.11 Bank 0 RD (128 字节 EEPROM 数据) .............................................................. 12 6.1.12 Bank 0 RE (CPU 运行控制寄存器)................................................................... 12 6.1.13 Bank 0 RF (中断状态寄存器) ........................................................................... 13 6.1.14 R10 ~ R3F ........................................................................................................ 13 6.1.15 Bank 1 R5 ~R7 ................................................................................................. 13 6.1.16 Bank 1 R8 TC2CR (定时器 2 控制) .................................................................. 14 6.1.17 Bank 1 R9 TC2DH (定时器 2 高字节数据缓冲器) ............................................ 17 6.1.18 Bank 1 RA TC2DL (定时器 2 低字节数据缓冲器) ............................................. 17 6.1.19 Bank 1 RB ~RE ................................................................................................ 17 6.1.20 Bank 1 RF (中断状态寄存器) ........................................................................... 17 6.1.21 Bank 2 R5 AISR (ADC 输入选择寄存器) .......................................................... 17 6.1.22 Bank 2 R6 ADCON (A/D 控制寄存器) .............................................................. 18 6.1.23 Bank 2 R7 ADOC (A/D 补偿校准寄存器).......................................................... 19 6.1.24 Bank 2 R8 ADDH (AD 高 8 位数据缓冲器) ....................................................... 20 6.1.25 Bank 2 R9 ADDL (AD 低 2 位数据缓冲器) ........................................................ 20 6.1.26 Bank 2 RA, RC ~ RE ........................................................................................ 20 产品规格书(V1.2) 05.13.2013 产品规格书 • iii 内容 6.1.27 Bank 2 RB CMPCON (比较器控制寄存器) ...................................................... 20 6.1.28 Bank 2 RF (上拉控制寄存器 1)......................................................................... 21 6.1.29 Bank 3 R5 ........................................................................................................ 21 6.1.30 Bank 3 R6 TBPTH (表格指针寄存器高字节地址) ............................................. 22 6.1.31 Bank 3 R7~RC ................................................................................................. 22 6.1.32 Bank 3 RD TC3CR (定时器 3 控制寄存器) ...................................................... 22 6.1.33 Bank 3 RE TC3D (定时器 3 数据缓冲器) ......................................................... 24 6.1.34 Bank 3 RF (下拉控制寄存器 1) ........................................................................ 24 6.2 特殊功能寄存器 ........................................................................................... 25 6.2.1 A (累加器) ......................................................................................................... 25 6.2.2 CONT (控制寄存器) .......................................................................................... 25 6.2.3 IOC5 ~ IOC8 (I/O 端口控制寄存器) .................................................................. 26 6.2.4 IOC9 ................................................................................................................. 26 6.2.5 IOCA (WDT 控制寄存器) .................................................................................. 26 6.2.6 IOCB (下拉控制寄存器 2) ................................................................................. 27 6.2.7 IOCC (漏极开路控制寄存器) ............................................................................ 27 6.2.8 IOCD (上拉控制寄存器 2) ................................................................................ 27 6.2.9 IOCE (中断屏蔽寄存器 2) ................................................................................. 28 6.2.10 IOCF (中断屏蔽寄存器 1) ................................................................................. 28 6.3 TCC/WDT 和预分频器 ................................................................................. 29 6.4 I/O 端口 ....................................................................................................... 30 6.5 复位和唤醒 .................................................................................................. 33 6.5.1 复位 .................................................................................................................. 33 6.5.2 唤醒 .................................................................................................................. 35 6.5.3 重置后寄存器初始值的总结 .............................................................................. 36 6.5.4 状态寄存器的 RST、T 与 P 的状态 .................................................................. 40 6.6 中断 ............................................................................................................ 41 6.7 数据 EEPROM (仅用于 EM78F662N).......................................................... 43 6.7.1 数据 EEPROM 控制寄存器............................................................................... 43 6.7.2 编程步骤 / 范例................................................................................................. 44 6.8 模数转换器(ADC) ........................................................................................ 45 6.8.1 ADC 控制寄存器 r (AISR/R5, ADCON/R6, ADOC/R7) ..................................... 45 6.8.2 ADC 数据缓冲 (ADDH, ADDL/R8, R9) ............................................................. 48 6.8.3 A/D 采样时间 .................................................................................................... 48 6.8.4 A/D 转换时间 .................................................................................................... 48 6.8.5 休眠期间 A/D 运行 ............................................................................................ 49 6.8.6 编程步骤/范例 ................................................................................................... 49 6.9 定时器/计数器 2 .......................................................................................... 51 6.10 定时器/计数器 3 .......................................................................................... 53 iv • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 内容 6.11 比较器 ......................................................................................................... 54 6.11.1 比较器输出 ....................................................................................................... 54 6.11.2 比较器中断 ....................................................................................................... 55 6.11.3 从休眠模式唤醒 ................................................................................................ 55 6.12 振荡器 ......................................................................................................... 55 6.12.1 振荡器模式 ....................................................................................................... 55 6.12.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器 (晶体) ......................................................................... 56 6.12.3 外部 RC 振荡器模式 ......................................................................................... 57 6.12.4 内部 RC 振荡模式............................................................................................. 58 6.13 代码选项寄存器 ........................................................................................... 59 6.13.1 代码选项寄存器(Word 0) ................................................................................... 59 6.13.2 代码选项寄存器(Word 1) .................................................................................. 60 6.13.3 用户 ID 寄存器(Word 2).................................................................................... 61 6.14 上电相关问题 .............................................................................................. 62 6.15 外部上电复位电路 ....................................................................................... 62 6.16 残留电压保护 .............................................................................................. 62 6.17 指令集 ......................................................................................................... 63 7 时序图 ························································································· 66 8 绝对最大值 ··················································································· 67 9 DC 电气特性 ················································································· 67 9.1 数据 EEPROM 电气特性 ............................................................................. 68 9.2 Flash 程序存储器电气特性 .......................................................................... 68 9.3 A/D 转换特性 ............................................................................................... 68 9.4 比较器特性 .................................................................................................. 70 10 AC 电器特性 ················································································· 70 A 封装类型 ······················································································ 71 B 封装形式 ······················································································ 72 B.1 EM78F562N/F662ND16 300mil .................................................................. 72 B.2 EM78F562N/F662NSO16 300mil ................................................................ 73 B.3 EM78F662NQN16A 4x4mm ........................................................................ 74 B.4 EM78F662NSS16 150mil ............................................................................ 75 B.5 EM78F562N/F662ND18 300mil .................................................................. 76 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 •v 内容 B.6 EM78F562N/F662NSO18 300mil ................................................................ 77 B.7 EM78F562N/F662ND20 300mil .................................................................. 78 B.8 EM78F562/F662NSO20 300mil .................................................................. 79 C 品质保证和可靠性 ·········································································· 80 C.1 地址缺陷检测 .............................................................................................. 80 规格书修订历史 版本号 1.0 修订描述 初版 日期 2010/04/29 1. 修改 ICC1 和 ICC2 电流 1.1 2. 删除 EM78F562N 的 QFN16 包装 3. 修改 EM78F662NQN16 为 EM78F662NQN16A 2012/06/29 4. 固定代码选项字 2 位元 7 为“1” 1.2 vi • 1. 在 DC 电器特性增加 LVR 特性 2. 增加 EM78F662N 的 SSOP 包装 2013/05/13 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 综述 1 EM78F562N/F662N是采用低功耗高速CMOS工艺开发的8位高抗干扰性的微控制器。它们拥有2K×13位片 内Flash存储器，并且EM78F662N 还拥有128×8位系统可编程 EEPROM。EM78F562N/F662N提供三个保 护位用以保护用户代码，十二个代码选项位用于满足用户需求。 基于增强的FLASH-ROM特性，EM78F562N/F662N提供一种便利的开发和校验客户程序的途径。而且，利 用开发编程工具，FLASH-ROM器件可以容易且有效地实现程序更新。用户可以使用义隆烧录器烧写程序代 码。 特性 2 • IRC 偏移率 (Ta=25°C, VDD=5V ± 5%, VSS=0V) CPU 配置 • 2K×13 位Flash存储器 • 144×8 位片内寄存器(SRAM) • 128个字节在系统可编程 EEPROM (仅限于 EM78F662N) *擦写寿命：100,000 擦/写次数 • • • • • 数据保留超过10年 8级堆栈用于子程序嵌套 在5V/4MHz工作条件下低于 2mA 在3V/32KHz工作条件下典型值为20 µA 在休眠模式下典型值为2µA I/O 端口配置 • • • • • • • 3组双向I/O端口 12个可编程下拉I/O引脚 外部中断端口： P60 工作电压范围: • 工作电压： 2.4V~5.5V 在 -40°C ~85°C （工业级） 2.2V~5.5V 在 0°C ~70°C （商业级） 工作频率范围 （基于 2 个时钟）： • 晶体模式: DC ~ 20 MHz @ 5V DC ~ 8 MHz @ 3V DC ~ 4 MHz @ 2.2V • ERC模式: DC ~ 20 MHz @ 5V DC ~ 8 MHz @ 3V DC ~ 4 MHz @ 2.2V 偏移率 温度 电压 制程 (-40°C+85°C) (2.2V~5.5V) ±3% ±4% ±2.5% 总计 ±9.5% 4 MHz ±3% ±4% ±2.5% 8 MHz ±3% ±5% ±2.5% ±10.5% 16 MHz ±3% ±5% ±2.5% ±10.5% (规格书变更不做另行通知) 8 通道 10 位精度模数转换器 外设配置 • 8位可选择时钟源、边沿触发和溢出中断的实时时钟/计数器 • 三个用以防止入侵FLASH代码存储器的安全寄存器 • 一个供给用户需求的配置寄存器 • 通过代码选项可选择指令周期为 2/4/8/16个时钟 • 高抗EFT • 有两个副频，128kHz和16kHz，16kHz是由128kHz分频产生的。 4个可编程漏极开路I/O引脚 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 • 内部中断：4 • 外部中断：3 (LVR)：4.0V, 3.5V, 2.7V, 与POR 8个可编程上拉I/O引脚 1 MHz 制) 比较器(CMP) 7 个中断： • 省电(休眠)模式 • 4个可编程低电压复位检测器（LVR） 高灌流端口：P6 内部 RC 频率 一个 8 位定时/计数器 • TC3 : 定时器/计数器/ PDO(可编程分频器输出)/PWM(脉宽可调 （TCC） 唤醒端口：P6 • 工作电压： 一个 16 位定时/计数器 • TC2 : 定时器/计数器/窗口 ±9.5% 单指令周期 晶振模式下的四种晶振范围 晶振频率范围 振荡器模式 20 MHz ~ 6 MHz HXT 6 MHz ~ 1 MHz XT 1 MHz ~ 100kHz LXT1 32.768kHz LXT2 独立运行的可编程看门狗定时器 封装类型： • 16-pin DIP 300mil • 16-pin SOP 300mil • 16- pin QFN 4x4mm • 16-pin SSOP 150 mil • 18-pin DIP 300mil • 18-pin SOP 300mil • 20-pin DIP 300 mil • 20-pin SOP 300mil : EM78F562N/F662ND16 : EM78F562/662NSO16 : EM78F662NQN16A : EM78F662NSS16 : EM78F562N/F662ND18 : EM78F562N/F662NSO18 : EM78F562N/F662ND20 : EM78F562/NF662NSO20 注意： 注意：绿色产品， 绿色产品，不含有害物质。 不含有害物质。 •1 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 3 2• 引脚配置 图 3-1 EM78F562N/F662ND16/SO16 图 3-2 EM78F562/F662ND18/SO18 图 3-3 EM78F562/F662ND20/SO20 图 3-4 EM78F662NQN16A 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 图 3-5 EM78F662NSS16 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) •3 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 引脚描述 4 4.1 EM78F562N/F662N 说明: 名称 ST: 施密特触发输入 CMOS: CMOS 输出 功能 输入 类型 AN: 模拟信号 XTAL: 晶振/振荡器振荡信号输入输出引脚 输出 类型 功能描述 双向 I/O 引脚带有可编程的下拉功能 P50 ST CMOS VREF AN − P51 P51 ST CMOS 双向 I/O 引脚带有可编程的下拉功能 P52 P52 ST CMOS 双向 I/O 引脚带有可编程的下拉功能 P53 P53 ST CMOS 双向 I/O 引脚带有可编程的下拉功能 P54 ST CMOS 双向 I/O 引脚 OSCI XTAL P50/VREF P54/OSCI/RCOUT RCOUT P55 P55/OSCO/ERCin P56/TC2/AD6 OSCO − ST − − CMOS 外部参考电压 振荡器/谐振器的时钟输入 内部 RC 振荡器时钟输出引脚 外部 RC 振荡器时钟输出引脚(漏极开路) CMOS 双向 I/O 引脚 XTAL 振荡器/谐振器的时钟输入 ERCin AN − P56 ST CMOS TC2 ST − 定时器 2 时钟输入引脚 AD6 AN − ADC 输入引脚 6 P57 ST CMOS TC3 ST − 定时器 3 时钟输入引脚 CMOS 可编程分频器输出引脚 P57/TC3/PDO/AD7 PDO − 外部 RC 输入引脚 双向 I/O 引脚 双向 I/O 引脚 AD7 AN − P60 ST CMOS P60/AD0//INT/CMPOUT AD0 AN − ADC 输入引脚 0 /INT ST − 外部中断引脚 CMPOUT P61/AD1/CMP+ 4• − ADC 输入引脚 7 双向 I/O 引脚带有可编程下拉，上拉，漏极开路和引脚 改变唤醒 CMOS 比较器输出 双向 I/O 引脚带有可编程下拉，上拉，漏极开路和引脚 改变唤醒 P61 ST CMOS AD1 AN − ADC 输入引脚 1 CMP+ AN − 比较器非方向端 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 (接上表) 功能 输入 类型 输出 类型 P62 ST CMOS AD2 AN − ADC 输入引脚 2 CMP- AN − 比较器反向输入 P63 ST CMOS AD3 AN − P70 ST CMOS 双向 I/O 引脚 (DATA) ST CMOS 烧录器烧录的 DATA 引脚 P71 ST CMOS 双向 I/O 引脚 (CLK) ST − P72 ST CMOS 双向 I/O 引脚 P73 ST CMOS 双向 I/O 引脚 AD4 AN − P77 ST CMOS TCC ST − 实时时钟/计数器时钟输入引脚 AD5 AN − ADC 输入引脚 5 P83 ST CMOS /RESET ST − 带内部上拉电路的复位引脚 (/RESET) ST − 烧录器烧录的/RESET 引脚 VDD VDD Power − 电源 (VDD) VDD Power − 烧录器烧录的 VDD 引脚 VSS VSS Power − 地 (VSS) VSS Power − 烧录器烧录的 VSS 引脚 名称 P62/AD2/CMP- P63/AD3 P70 (DATA) P71 (CLK) P72 P73/AD4 P77/TCC/AD5 P83//RESET (/RESET) 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) 功能描述 双向 I/O 引脚带有可编程下拉，上拉，漏极开路和引脚 改变唤醒 双向 I/O 引脚带有可编程下拉，上拉，漏极开路和引脚 改变唤醒 ADC 输入引脚 3 烧录器烧录的 CLOCK 引脚 ADC 输入引脚 4 双向 I/O 引脚 双向 I/O 引脚 •5 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 5 结构图 图 5-1 功能结构图 6• 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6 功能描述 6.1 操作寄存器 6.1.1 R0 (间接寻址寄存器) R0 并不是实际的物理寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何对 R0 的操作实 际上是对 RAM 选择寄存器(R4)所指向的寄存器进行操作。 6.1.2 R1(时钟定时器/计数器) R1 对来自 TCC 引脚的外部边沿触发信号或内部指令时钟周期进行加一计数，TCC 引脚 信号的边沿触发类型由 CONT-4 寄存器的 TE 位设定；R1 和其他寄存器一样可读写，通 过复位 PSTE(CONT-3)设定。 如果 PSTE(CONT-3)重置，则预分频器分配给 TCC。仅当 TCC 寄存器写入一个值时， 预分频计数器的内容将清零。 6.1.3 R2 (程序计数器)和堆栈 基于器件的型号，R2 和硬件堆栈都是 10 位宽的。结构描述如图 6-1 所示。 此单元可产生 2Kx13 位片内 FLASH-ROM 地址以获取对应的程序指令编码。一个程序 页是 1024 字长。 当复位产生时，程序计数器 R2 所有位被清 0。 "JMP" 指令可直接装载程序计数器低 10 位。因此，”JMP”可以在同一页(1K)内任意跳转。 "CALL" 指令装载程序计数器的低 10 位。并将 PC＋1 值压入堆栈。因此子程序入口地 址可定位在一个程序页的任一位置。 "LJMP"指令可直接装载程序计数器的低 11 位值，因此，"LJMP"指令允许 PC 在 2K 程 序页内跳转。 "LCALL"指令装载 PC 的低 11 位值，并将 PC+1 压入堆栈。因此，子程序入口地址可定 位在 2K 程序页内的任一位置。 "RET" ("RETL k", "RETI")指令将栈顶数据装入 PC。 "ADD R2, A" 允许把 A 寄存器的内容加到当前 PC 上，同时 PC 的第九位及以上各位依 次增加。 "MOV R2, A"允许从 A 寄存器装载一个地址值到 PC 的低 8 位，同时 PC 的第九位及第 十位(A8 ~ A9)保持不变。 执行任何(例如："MOV R2, A", "BC R2, 6"等)对 R2 进行写入操作的指令（除“ADD R2,A” 外） ，PC 的第九位及第十位(A8 ~ A9)都会保持不变。 除了那些改变 R2 内容的指令需要多于一个指令周期外，所有指令都是单指令周期 (fclk/2，fclk/4，fclk/8 或 fclk/16)。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) •7 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 图 6-1 程序计数器组织图 8• 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Register Bank 0 Register Bank 1 Register Bank 2 Register Bank 3 Control Register Address 01 R1 (TCC Buffer) 02 R2 (PC) 03 R3 (STATUS) 04 R4 (RSR, Bank Select) 05 R5 (Port 5 /IO data) R5 (Reserved) R5 (ADC Input Select Register) R5 (Reserved) IOC5 (Port 5 I/O Control) 06 R6 (Port 6 I/O data) R6 (Reserved) R6 (ADC Control Register) R6 (TBPTH) IOC6 (Port 6 I/O Control) 07 R7 (Port 7 I/O data) R7 (Reserved) R7 (Reserved) R7 (Reserved) IOC7 (Port 7 I/O Control) 08 R8 (Port 8 I/O data) R8 (Timer 2 Control) R8 (AD high 8-bit Data Buffer) R8 (Reserved) IOC8 (Port 8 I/O Control) 09 R9 (TBPTL) R9 (Timer 2 High Byte R9 (AD low 2-bit Data Buffer) R9 (Reserved) IOC9 (Reserved) 0A RA (Wake-up Control Register) RA (Timer 2 Low Byte RA (Reserved) RA (Reserved) IOCA (WDT Control) 0B RB (EEPROM Control Register) RB (Reserved) RB (Comparator Control Register) RB (Reserved) IOCB (Pull-down Control Register 2) 0C RC (EEPROM Address RC (Reserved) Register) RC (Reserved) RC (Reserved) IOCC (Open Drain Control Register) 0D RD (EEPROM Data Register) RD (Reserved) RD (Reserved) RD (Timer 3 Control) IOCD (Pull-high Control Register 2) 0E RE (CPU Operating Control Register) RE (Reserved) RE (Reserved) RE (Timer 3 Data Buffer) IOCE (Interrupt Mask Register 2) 0F RF (Interrupt Flag 1) RF (Interrupt Flag 2) RF (Pull-high Control Register 1) RF (Pull-down Control Register 1) IOCF (Interrupt Mask Register 1) R4(7,6) Data Buffer) 10 : 1F 20 : 3F (0,1) Data Buffer) (1,0) (1,1) 16-Byte Common Register Bank 0 Bank 0 Bank 0 Bank 0 32x8 32x8 32x8 32x8 图 6-2 数据存储器配置图 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) •9 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.1.4 R3(状态寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - T P Z DC C Bit 7 ~ Bit 5: 未使用，总是设置为 “0” Bit 4 (T): 时间溢出位 当执行 SLEP 和 WDTC 指令或上电复位后该位置 1，当 WDT 溢出时清 0。 Bit 3 (P): 掉电位元 执行WDTC指令或上电复位后该位置1，执行SLEP指令后该位清0。 Bit 2 (Z): 零标志位 算术运算或逻辑运算结果为0时该位置1。 Bit 1 (DC): 辅助进位标志位 Bit 0 (C): 进位标志位 6.1.5 R4 (RAM 选择寄存器) Bits 7 ~ 6: 用于选择 Bank 0 ~ Bank 3 Bits 5 ~ 0: 在间接寻址方式中用于选择寄存器（地址：00~3F） 参见数据存储器结构图，图 6-2。 6.1.6 Bank 0 R5 ~ R8 (端口 5 ~ 端口 8) R5 ~ R7 是 I/O 寄存器。 6.1.7 Bank 0 R9 TBPTL (表格指针寄存器低字节) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RBit 7 RBit 6 RBit 5 RBit 4 RBit 3 RBit 2 RBit 1 RBit 0 6.1.8 Bank 0 RA (唤醒控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - ICWE ADWE EXWE - - CMPWE - Bit 7: 未使用，总是设置为 “0” Bit 6 (ICWE): 端口6输入状态改变唤醒使能位 0 : 禁止端口6输入状态改变唤醒 1 : 使能端口6输入状态改变唤醒 10 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 5 (ADWE): ADC唤醒使能位 0 : 禁止ADC唤醒 1 : 使能ADC唤醒 在 A/D 转换器运行情况下，当 AD 转换完成后要进入中断向量或将 EM78F562N/F662N 从休眠模式唤醒时，ADWE 位必须先设置为使能。 Bit 4 (EXWE): 外部中断唤醒使能位 0 : 禁止外部/INT引脚唤醒 1 : 使能外部/INT引脚唤醒 Bit 2: 未使用，总是设置为 “0” Bit 1 (CMPWE): 比较器唤醒使能位 0 : 禁止比较器唤醒 1 : 使能比较器唤醒 Bits 3, 0: 未使用，总是设置为 “0” 6.1.9 Bank 0 RB (EEPROM控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RD WR EEWE EEDF EEPC - - - Bit 7 (RD): 读控制位 0 :不执行EEPROM读操作 1 : 执行读EEPROM内容操作（RD可由软件置1，读指令完成后由硬件 清0）。 Bit 6 (WR): 写控制位 0 : 写EEPROM的周期完成. 1 : 开始写EEPROM周期（WR可由软件置1，写周期完成后由硬件清0） Bit 5 (EEWE): EEPROM 写使能位 0 : 禁止写EEPROM 1 : 允许写EEPROM Bit 4 (EEDF): EEPROM侦测标志位 0: 写周期完成 1: 写周期未完成 Bit 3 (EEPC): EEPROM电源控制位 0 : 禁止EEPROM 1 : 使能EEPROM 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 11 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bits 2 ~ 0: 未使用，总是设置为 “0” *此寄存器仅用于EM78F662N。 。 此寄存器仅用于 6.1.10 Bank 0 RC (128字节EEPROM地址) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - EE_A6 EE_A5 EE_A4 EE_A3 EE_A2 EE_A1 EE_A0 Bits 6 ~ 0: 128 字节EEPROM地址 *此寄存器只限于 EM78F662N。 。 6.1.11 Bank 0 RD (128字节EEPROM数据) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 EE_D7 EE_D6 EE_D5 EE_D4 EE_D3 EE_D2 EE_D1 EE_D0 Bits 7 ~ 0: 128字节EEPROM数据 *此寄存器只限于 EM78F662N。 。 6.1.12 Bank 0 RE (CPU 运行控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - TIMERSC CPUS IDLE- - - - - Bit 7: 未使用，总是设置为 “0” Bit 6 (TIMERSC): TCC, TC2, TC3时钟源选择 0 : Fs。 Fs: 副频，WDT内部RC的时基 1 : Fm。Fm: 主振荡器时钟 Bit 5 (CPUS): CPU 振荡源选择 0 : 副振荡器 (fs) 1 : 主振荡器 (fosc) 当 CPUS=0，CPU 振荡器选择副振荡器，主振荡器停振 Bit 4 (IDLE): 空闲模式选择位，该位确定在执行SLEP指令后将进入何种模式。 0 : IDLE=”0”+SLEP 指令 → 休眠模式 1 : IDLE=”1”+SLEP 指令 → 空闲模式 Bits 3 ~ 0: 12 • 未使用，总是设置为 “0” 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 CPU 运行模式 图 6-3 CPU运行模式 6.1.13 Bank 0 RF (中断状态寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CMPIF ADIF - - - EXIF ICIF TCIF 注： “ 1 ” 表示中断请求 “ 0 ” 表示没有中断发生 Bit 7 (CMPIF) : 比较器中断标志位。当比较器输出发生变化时置位，由软件清0。 Bit 6 (ADIF) : 模数转换器中断标志位。当AD转换完成时置位，由软件清0。 Bits 5 ~ 3: 未使用，总是设置为 “0” Bit 2 (EXIF) : 外部中断标志位。/INT引脚有下降沿信号输入时置位，由软件清0。 Bit 1 (ICIF) : 端口6输入状态改变中断标志位。当端口6输入状态改变时置位，由软件 清0。 Bit 0 (TCIF) : TCC溢出中断标志位。当TCC溢出时置位，由软件清0。 Bank 0 RF 可由指令清零但不能被设置。 IOCF为中断屏蔽寄存器。 需注意的是读 Bank 0 RF 的结果是 Bank 0 RF 与 IOCF”逻辑与”的结果。 6.1.14 R10 ~ R3F 所有这些寄存器是 8 位通用寄存器。 6.1.15 Bank 1 R5 ~R7 这些寄存器保留。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 13 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.1.16 Bank 1 R8 TC2CR (定时器 2 控制) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RCM1 RCM0 TC2ES TC2M TC2S TC2CK2 TC2CK1 TC2CK0 Bit 7和 和Bit 6 (RCM1, RCM0): IRC 模式选择位 Bank 1 R8<7,6> 烧录器校正 IRC 频率 工作电压范围 稳定时间 0 4 MHz ± 2.5% 2.2V~5.5V <5 µs 0 1 16 MHz ± 10% 4.5V~5.5V <1.5 µs 1 0 8 MHz ± 10% 3.0V~5.5V <3 µs 1 1 1 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <22 µs 0 0 4 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <6 µs 0 1 16 MHz ± 2.5% 4.5V~5.5V <1.25 µs 1 0 8 MHz ± 10% 3.0V~5.5V <3 µs 1 1 1 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <22 µs 0 0 4 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <6 µs 0 1 16 MHz ± 10% 4.5V~5.5V <1.5 µs 1 0 8 MHz ± 2.5% 3.0V~5.5V <2.5 µs 1 1 1 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <22 µs 0 0 4 MHz ± 10% 2.2V~5.5V <6 µs 0 1 16 MHz ± 10% 4.5V~5.5V <1.5 µs 1 0 8 MHz ± 10% 3.0V~5.5V <3 µs 1 1 1 MHz ± 2.5% 2.2V~5.5V <20 µs RCM1 RCM0 0 4 MHz 16 MHz 8 MHz 1 MHz 例： 注意 BANK1 R8<7,6>的初值将保持与WORD0<7,6>的值一致。 当从A频率切换到B频率时，F562N/F662N需保持在B频率稳定一段时间。 例如：烧录器校正IRC 4MHz → BANK1 R8<7,6>设置为”10” → 保持3 us → F562N/F662N工作在8MHz ± 10%。 代码选项 Word 1 COBS=0： R8<7,6>的初值将保持与 WORD1<3,2>的值一致。 R8<7,6>不能改变频率。 代码选项1 COBS=1： R8<7,6>的初值将保持与 WORD1<3,2>的值一致。 14 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 R8<7,6>的初值将保持与 WORD1<3,2>的值一致。 Bit 5 (TC2ES): TC2 信号边沿选择位 0 : 当TC2引脚由低变高（上升沿）时加1 1 : 当TC2引脚由高变低（下降沿）时加1 Bit 4 (TC2M): 定时器/计数器 2 模式选择 0 : 定时器/计数器模式 1 : 窗口模式 Bit 3 (TC2S): 定时器/计数器 2 启动控制 0 : 停止并清零计数器 1 : 启动 Bit 2 ~ Bit 0 (TC2CK2 ~ TC2CK0): 定时器/计数器 2 时钟源选择 TC2CK2 0 0 0 TC2CK1 0 0 1 TC2CK0 0 1 0 时钟源 分辨率 最大时间 正常 Fc=8M Fc=8M 1.05 sec 19.1 hr 1.02 ms 1.1 min 32 µs 2.1 sec 1 µs 65.5 ms Fc/2 Fc/2 23 13 Fc/2 8 3 0 1 1 Fc/2 1 0 0 Fc 125 ns 7.9 ms 1 0 1 − − − 1 1 0 − − − 1 1 1 外部时钟 (TC2 pin) − − 图 6-4 定时器/计数器 2结构图 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 15 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 定时器模式下， 用内部时钟执行上数操作， 当上数计数器内容与 TCR2 （TCR2H+TCR2L） 内容相匹配时，中断产生且计数器清零。计数器清零之后计数重新开始。 图 6-5 定时器模式时序图 计数器模式下，用外部时钟输入引脚(TC2 引脚)执行上数操作，通过设置 TC2ES 位可 选择上升沿或是下降沿有效。当上数器内容与 TCR2（TCR2H+TCR2L）内容相匹配时， 中断产生且计数器清零，计数器清零之后计数重新开始。 图6-6 计数器模式时序图 写 TCR2L 时，比对被禁止直到 TCR2H 写完。 写完。 图 6-7 窗口模式时序图 16 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 窗口模式下,内部时钟和TC2引脚的脉冲(窗口脉冲)逻辑与后，在脉冲的上升沿执行加计 窗口模式下 数操作，当加计数器内容与TCR2(TCR2H+TCR2L)内容相匹配时，中断产生且定时器清 零。频率(窗口脉冲)需低于所选的内部时钟。 6.1.17 Bank 1 R9 TC2DH (定时器 2 高字节数据缓冲器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TC2D15 TC2D14 TC2D13 TC2D12 TC2D11 TC2D10 TC2D9 TC2D8 Bit 7 ~ Bit 0 (TC2D8 ~ TC2D15): 16位定时器/计数器 2 高字节数据缓冲器。 6.1.18 Bank 1 RA TC2DL (定时器 2 低字节数据缓冲器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TC2D7 TC2D6 TC2D5 TC2D4 TC2D3 TC2D2 TC2D1 TC2D0 Bit 7 ~ Bit 0 (TC2D7 ~ TC2D0): 16位定时器/计数器 2 低字节数据缓冲器。 6.1.19 Bank 1 RB ~RE 这些是保留寄存器。 6.1.20 Bank 1 RF (中断状态寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - TCIF3 TCIF2 - - - - 注: “ 1 ” 表示有中断请求 Bits 7 ~ 6: “ 0 ” 表示没有中断请求 未使用，总是设置为“0” Bit 5 (TCIF3): 8位定时器/计数器 3 中断标志位，中断标志由软件清零 Bit 4 (TCIF2): 16位定时器/计数器 2 中断标志位，中断标志由软件清零 RF 可由指令清零但不能置位。 IOCE 是中断屏蔽寄存器。 需注意地是读Bank 1 RF的结果是Bank 1 RF与IOCE”逻辑与”的结果。 Bits 3 ~ 0: 未使用，总是设置为“0” 6.1.21 Bank 2 R5 AISR (ADC输入选择寄存器) AISR 寄存器用于定义 ADC 引脚为模拟输入或数字 I/O 引脚。 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 ADE7 ADE6 ADE5 ADE4 ADE3 ADE2 ADE1 ADE0 Bit 7 (ADE7): P57引脚AD转换器使能位 0 : 禁止ADC7, P57作为I/O引脚 1 : 使能ADC7作为模拟输入引脚 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 17 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 6 (ADE6): P56引脚AD转换器使能位 0 : 禁止ADC6, P56作为I/O引脚 1 : 使能ADC7作为模拟输入引脚 Bit 5 (ADE5): P77引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC5, P77作为I/O引脚 1: 使能ADC5作为模拟输入引脚 Bit 4 (ADE4): P73引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC4, P73作为I/O引脚 1: 使能ADC4作为模拟输入引脚 Bit 3 (ADE3): P63引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC3, P63作为I/O引脚 1: 使能ADC3作为模拟输入引脚 Bit 2 (ADE2): P62引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC2, P62作为I/O引脚 1: 使能ADC2作为模拟输入引脚 Bit 1 (ADE1): P61引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC1, P61作为I/O引脚 1: 使能ADC1作为模拟输入引脚 Bit 0 (ADE0): P60引脚AD转换器使能位 0: 禁止ADC0, P60作为I/O引脚 1: 使能ADC0作为模拟输入引脚 下表列出了 P60/AD0//INT/CMPOUT 优先级： P60/AD1//INT/CMPOUT 引脚优先级 高 中 中 低 /INT CMPOUT AD0 P60 6.1.22 Bank 2 R6 ADCON (A/D 控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 VREFS CKR1 CKR0 ADRUN ADPD ADIS2 ADIS1 ADIS0 Bit 7 (VREFS): ADC的参考电压输入源 0: ADC的Vref与Vdd连接(默认)，并且P50/VREF引脚被用作P50。 1: ADC的Vref与P50/VREF连接。 Bit 6 ~ Bit 5 (CKR1 ~ CKR0): ADC振荡时钟预分频比 18 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 CKR1/CKR0 运作模式 最大运作频率 00 FOSC/4 4 MHz 01 FOSC 1 MHz 10 FOSC/16 16 MHz 11 FOSC/2 2 MHz Bit 4 (ADRUN): ADC开始启动 0 : 转换完成时复位，此位不能通过软件复位 1 : AD 转换开始，此位能通过软件置位 Bit 3 (ADPD): ADC 省电模式 0: 在CPU保持运行的条件下关掉参考电阻以节省功耗 1: ADC在运行，处于非省电模式。 Bits 2 ~ 0 (ADIS2 ~ ADIS0): AD输入选择位 ADIS2 ADIS1 ADIS0 AD 输入引脚 0 0 0 AD0 0 0 1 AD1 0 1 0 AD2 0 1 1 AD3 1 0 0 AD4 1 0 1 AD5 1 1 0 AD6 1 1 1 AD7 6.1.23 Bank 2 R7 ADOC (A/D补偿校准寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CALI SIGN VOF[2] VOF[1] VOF[0] - - - Bit 7 (CALI): A/D补偿校准使能位 0 : 禁止校准 1 : 使能校准 Bit 6 (SIGN): 偏移电压的极性选择位 0 : 负电压 1 : 正电压 Bits 5 ~ 3 (VOF[2] ~ VOF[0]): 补偿电压选择位 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 19 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 VOF[2] VOF[1] VOF[0] 补偿电压 0 0 0 0LSB 0 0 1 1LSB 0 1 0 2LSB 0 1 1 3LSB 1 0 0 4LSB 1 0 1 5LSB 1 1 0 6LSB 1 1 1 7LSB Bits 2 ~ 0: 未使用，总是设置为“0” 6.1.24 Bank 2 R8 ADDH (AD高 8位数据缓冲器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 ADD9 ADD8 ADD7 ADD6 ADD5 ADD4 ADD3 ADD2 当 A/D 转换完成时，高 8 位结果将装载到 ADDH，ADRUN 位被清 0， ADIF 位被置 1， R8 只读。 6.1.25 Bank 2 R9 ADDL (AD低2位数据缓冲器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - - - ADD1 ADD0 Bits 7 ~ 2: 未使用，总是设置为“0” 6.1.26 Bank 2 RA, RC ~ RE 这些是保留寄存器。 6.1.27 Bank 2 RB CMPCON (比较器控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - - CPOUT CPS1 CPS0 Bits 7 ~ 3: 未使用，总是设置为“0” Bit 2 (CPOUT): 比较器输出结果 注意 P60/AD1/INT/CMPOUT 引脚优先级如下： 优先级 20 • 高 中 中 低 INT CMPOUT AD0 P60 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 1 ~ Bit 0 (CPS1 ~ CPS0): 比较器选择位 功能描述 CO3S1 CO3S0 0 0 比较器没被选用，P60 作为普通 I/O 引脚 0 1 比较器被选用，P60 作为普通 I/O 引脚 1 0 比较器被选用，P60 作为比较器输出引脚(CMPOUT) 1 1 保留 注意 P61/AD1/CMP+ 引脚优先级如下： 优先级 高 中 低 CMP+ AD1 P61 注意 P62/AD2/CMP引脚优先级如下： 优先级 高 中 低 CMP- AD2 P62 6.1.28 Bank 2 RF (上拉控制寄存器1) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - /PH73 /PH72 /PH71 /PH70 Bits 7 ~ 4: 未使用，总是设置为“0” Bit 3 (/PH73): 控制位，使能P73引脚上拉功能 0 : 使能内部上拉 1 : 禁止内部上拉 Bit 2 (/PH72): 控制位，使能P72引脚上拉功能 Bit 1 (/PH71): 控制位，使能P71引脚上拉功能 Bit 0 (/PH70): 控制位，使能P70引脚上拉功能 RF寄存器可读写。 6.1.29 Bank 3 R5 保留寄存器。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 21 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.1.30 Bank 3 R6 TBPTH (表格指针寄存器高字节地址) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 MLB - - - - RBit 10 RBit 9 RBit 8 Bit 7 (MLB): 对机器码的MSB或LSB进行操作 Bits 6 ~ 3: 未使用，总是设置为“0” Bits 2 ~ 0: 查表指针地址的第10~8位。 6.1.31 Bank 3 R7~RC 保留寄存器。 6.1.32 Bank 3 RD TC3CR (定时器 3 控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TC3FF1 TC3FF0 TC3S TC3CK2 TC3CK1 TC3CK0 TC3M1 TC3M0 Bit 7 ~ Bit 6 (TC3FF1 ~ TC3FF0): 定时器/计数器 3触发控制 TC3FF1 TC3FF0 运作模式 0 0 清零 0 1 触发 1 0 置位 1 1 保留 Bit 5 (TC3S): 定时器/计数器 3 启动控制 0: 停止并清零计数器 1: 启动 Bit 4 ~ Bit 2 (TC3CK2 ~ TC3CK0): 定时器/计数器 3 时钟源选择位 TC3CK2 0 0 0 0 1 TC3CK1 0 0 1 1 0 TC3CK0 0 1 0 1 0 时钟源 分辨率 最大时间 正常 Fc=8M Fc=8M 250 µs 64 ms 16 µs 4 ms 4 µs 1 ms 1 µs 255 µs Fc/2 11 Fc/2 Fc/2 Fc/2 Fc/2 7 5 3 2 1 500 ns 127.5 µs 250 ns 63.8 µs 1 0 1 Fc/2 1 1 0 Fc 125 ns 31.9 µs 1 1 1 外部时钟(TC3 pin) - - Bit 1 ~ Bit 0 (TC3M1 ~ TC3M0): 定时器/计数器 3 工作模式选择位 22 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 TC3M1 TC3M0 操作模式 0 0 定时器/计数器 0 1 保留 1 0 可编程分频器输出(PDO) 1 1 脉宽调制输出(PWM) 图 6-8 定时器/计数器 3 结构图 定时器模式下，用内部时钟（上升沿触发）执行上数操作，当上数计数器内容与 TCR3 定时器模式下 内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零之后计数重新开始。 计数器模式下，用输入引脚（TC3引脚）的外部时钟执行加计数操作，当上数计数器内 计数器模式下 容与TCR3内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零之后计数重新开始。 可编程分频器输出（ ）模式下，用内部时钟执行上数计数操作，TCR3 内容与加计 可编程分频器输出（PDO） 模式下 数器内容做比较，当它们的内容相匹配时 F/F 输出被触发，计数器被清零，F/F 输出被 取反并输出到/PDO 引脚。 该模式可产生占空比为 50%的脉冲输出。F/F 可被程序初始 化，复位时其初始值为”0”， 每次/PDO 输出被触发时 TC3 都产生中断。 S o u rce clo ck U p -co un te r TC R 3 0 1 2 3 n -1 n 0 1 n -1 n 0 1 n -1 n 0 1 2 n F /F /P D O P in TC 3 In te rru p t 图 6-9 PDO 模式时序图 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 23 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 脉冲宽度调制（ ）输出模式下，用内部时钟执行上数计数操作，TCR3 内容与加计 脉冲宽度调制（PWM） 输出模式下 数器内容作比较，当它们的内容匹配时，F/F 被触发。计数器继续计数，而计数器溢出 时 F/F 被再次触发，同时计数器清零。F/F 输出被反向并输出到/PWM 引脚，每次溢出 发生时都会产生 TC3 中断。TCR3 被设置成 2 级移位寄存器，输出期间输出不会改变， 直到完成一个输出周期（即使 TCR3 被重写） 。因此，输出可连续地被改变，在数据载 入 TCR3 后，通过置 TC3S 位为”1” 来改变 TCR3。 Source Clock Up-counter TCR3 0 1 n-1 n n+1 n+2 FE FF n n-1 0 n/n n+1 n+2 FE FF 0 1 n/m overflow match F/F m-1 m m/m overflow match overwrite Shift /PWM 1 period TC3 Interrupt 图 6-10 PWM 模式时序图 6.1.33 Bank 3 RE TC3D (定时器 3 数据缓冲器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 TC3D7 TC3D6 TC3D5 TC3D4 TC3D3 TC3D2 TC3D1 TC3D0 Bit 7 ~ Bit 0 (TC3D7 ~ TC3D0): 计数器/定时器 3 的8位数据缓冲器 6.1.34 Bank 3 RF (下拉控制寄存器 1) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - /PD73 /PD72 /PD71 /PD70 Bit 7~ Bit 4: 未使用，全部设置为 “0” Bit 3 (/PD73): P73引脚下拉功能使能控制位 0: 使能内部下拉 1: 禁止内部下拉 Bit 2 (/PD72): P72引脚下拉功能使能控制位 Bit 1 (/PD71): P71引脚下拉功能使能控制位 Bit 0 (/PD70): P70引脚下拉功能使能控制位 RF 寄存器可读写。 24 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.2 特殊功能寄存器 6.2.1 A (累加器) 累加器 A 具有暂存器的功能，内部数据传输或保持指令操作数通常都是通过累加器 A 来 实现，累加器 A 为不可寻址的寄存器 6.2.2 CONT (控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 INTE /INT TS TE PSTE PST2 PST1 PST0 Bit 7 (INTE): INT信号沿 0 : 在INT引脚出现上升沿时产生中断 1 : 在INT引脚出现下降沿时产生中断 Bit 6 (/INT): 中断使能标记位 0 : 由指令DISI或硬件屏蔽中断 1 : 由ENI/RETI 指令使能中断 Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位 0 : 内部指令周期时钟 1 : TCC引脚输入的时钟 Bit 4 (TE): TCC信号沿 0 : 当TCC引脚由低变高时加1（上升沿） 1 : 当TCC引脚由高变低时加1（下降沿） Bit 3 (PSTE): TCC预分频器使能位 0 : 禁止预分频器，TCC预分频比为 1:1 1 : 使能预分频器，TCC预分频比由第2~0位定义 Bit 2 ~ Bit 0 (PST 2 ~ PST0): TCC预分频比选择位 TCC 预分频比 PST2 PST1 PST0 0 0 0 1:2 0 0 1 1:4 0 1 0 1:8 0 1 1 1:16 1 0 0 1:32 1 0 1 1:64 1 1 0 1:128 1 1 1 1:256 CONT 是可读写寄存器。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 25 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.2.3 IOC5 ~ IOC8 (I/O端口控制寄存器) “1”定义相关引脚为高阻抗输入状态，”0”定义相关引脚为输出状态。 IOC5, IOC6, IOC7 和 IOC8 寄存器可读写。 6.2.4 IOC9 保留寄存器。 6.2.5 IOCA (WDT控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 WDTE EIS - - PSWE PSW2 PSW1 PSW0 Bit 7 (WDTE): 看门狗定时器使能控制位 0 : 禁止 WDT 1 : 使能 WDT WDTE 可读写。 Bit 6 (EIS): 控制位，用于定义P60（/INT）引脚的功能 0 : P60, 双向I/O引脚 1 : /INT， 外部中断引脚。此时，P60的控制位（IOC6的第0位）必须设 为1。 当 EIS 为 0 时，/INT 被屏蔽。当 EIS 为 1 时，可以通过读 PORT6（R6） 来判断/INT 引脚的状态。 EIS 可读写。 Bits 5 ~ 4: 未使用，总是设置为 “0” Bit 3 (PSWE): WDT预分频器使能位 0 : 禁止预分频器，WDT预分频比为1:1 1 : 使能预分频器，WDT预分频比由0~2位定义 Bit 2 ~ Bit 0 (PSW2 ~ PSW0): WDT预分频比定义位 26 • WDT 预分频比 PSW2 PSW1 PSW0 0 0 0 1:2 0 0 1 1:4 0 1 0 1:8 0 1 1 1:16 1 0 0 1:32 1 0 1 1:64 1 1 0 1:128 1 1 1 1:256 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.2.6 IOCB (下拉控制寄存器 2) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /PD7 /PD6 /PD5 /PD4 /PD3 /PD2 /PD1 /PD0 Bit 7 (/PD7): P63引脚下拉功能使能控制位 0: 使能内部下拉 1: 禁止内部下拉 Bit 6 (/PD6): P62引脚下拉功能使能控制位 Bit 5 (/PD5): P61引脚下拉功能使能控制位 Bit 4 (/PD4): P60引脚下拉功能使能控制位 Bit 3 (/PD3): P53引脚下拉功能使能控制位 Bit 2 (/PD2): P52引脚下拉功能使能控制位 Bit 1 (/PD1): P51引脚下拉功能使能控制位 Bit 0 (/PD0): P50引脚下拉功能使能控制位 IOCB 寄存器可读写。 6.2.7 IOCC (漏极开路控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - OD3 OD2 OD1 OD0 Bits 7 ~ 4: 未使用，总是设置为 “0” Bit 3 (OD3): P63引脚漏极开路功能使能控制位 0: 禁止漏极开路输出 1: 使能漏极开路输出 Bit 2 (OD2): P62引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 1 (OD1): P61引脚漏极开路功能使能控制位 Bit 0 (OD0): P60引脚漏极开路功能使能控制位 IOCC寄存器可读写。 6.2.8 IOCD (上拉控制寄存器 2) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - /PH3 /PH2 /PH1 /PH0 Bits 7 ~ 4: 未使用，总是设置为 “0” Bit 3 (/PH3): P63引脚上拉功能使能控制位 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 27 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 0: 使能内部上拉功能 1: 禁止内部上拉功能 Bit 2 (/PH2): P62引脚上拉功能使能控制位 Bit 1 (/PH1): P61引脚上拉功能使能控制位 Bit 0 (/PH0): P60引脚上拉功能使能控制位 IOCD寄存器可读写。 6.2.9 IOCE (中断屏蔽寄存器 2) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - TCIE3 TCIE2 - - - - Bits 7 ~ 6: 未使用，总是设置为 “0” Bit 5 (TCIE3): 中断使能位 0: 禁止TCIF3中断 1: 使能TCIF3中断 Bit 4 (TCIE2): 中断使能位 0: 禁止TCIF2中断 1: 使能TCIF2中断 Bits 3 ~ 0: 未使用，总是设置为 “0” 6.2.10 IOCF (中断屏蔽寄存器 1) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CMPIE ADIE - - - EXIE ICIE TCIE Bit 7 (CMPIE): 中断使能位 0 : 禁止CMPIF中断 1 : 使能CMPIF中断 Bit 6 (ADIE): ADIF中断使能位 0 : 禁止ADIF中断 1 : 使能ADIF中断 当 ADC 完成通常会进入中断向量或进入下一条指令，此时 ADIE 位必需 设置为”使能”。 28 • Bits 5 ~ 3: 未使用，总是设置为 “0” Bit 2 (EXIE): EXIF中断使能位 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 0: 禁止EXIF中断 1: 使能EXIF中断 Bit 1 (ICIE): ICIF中断使能位 0: 禁止ICIF中断 1: 使能ICIF中断 Bit 0 (TCIE): TCIF中断使能位 0: 禁止TCIF中断 1: 使能TCIF中断 通过置 IOCF 中相应的控制位为 1，使能各个相关中断。 总中断是由 ENI 指令使能，由 DISI 指令禁止。IOCF 寄存器可读写。 6.3 TCC/WDT和预分频器 和预分频器 有两个 8 位的计数器分别可用作 TCC 和 WDT 的预分频器。 CONT 寄存器的 PST0~PST2 位用于定义 TCC 的预分频比。同样的，IOCA 寄存器的 PSW0~PSW2 位用于定义 WDT 的预分频比。每次执行写 TCC 指令，预分频计数器都会被清 0。执行 WDTC 和 SLEP 指令会将 WDT 和其预分频器清 0。图 6-11 描述了 TCC/WDT 的电路结构。 R1（TCC）是一个 8 位定时/计数器。TCC 的时钟源可以是内部时钟或外部信号（由 TCC 引脚输入，触发沿可选择）。如果 TCC 的信号源是来自内部时钟，每一 Fc 时钟 TCC 就 加 1（没有预分频）。如图 6-11 所示，通过 Bank 0 RE.6< TIMERSC >位选择 Fc。如果 TCC 的信号源是外部时钟，在每一个下降沿或上升沿到来时 TCC 加 1。TCC 引脚输入 脉冲宽度（保持在高或低电平）必须大于 1 个 CLK，若 IC 进入休眠状态，TCC 将停止 工作。 看门狗定时器是一个独立运行的片内 RC 振荡器。即使在其它振荡器关闭的情况下(也就 是休眠模式下)，WDT 仍保持运行。不管是在正常模式还是在休眠模式，WDT 定时器溢 出（若使能）都将使 MCU 复位。在正常模式下，通过软件设置可任意地禁止和使能 WDT， 具体请参考 IOCA 寄存器的 WDTE 位设置。在没有 WDT 预分频情况下，WDT 溢出时 1 间大约是 18 ms （振荡器的启动时间） 。 1 VDD=5V, WDT 溢出时间 = 16.5ms ± 5% VDD=3V, WDT 溢出时间 = 18ms ± 5%. 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 29 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 图 6-11 TCC与WDT结构框图 6.4 I/O端口 端口 I/O 寄存器 Port5, 6, 7 与 8 均为三态双向 I/O 端口。Port6/7 可由软件设置为内部上拉， 此外，Port 6 也可由软件设置为漏极开路输出。Port 6 具有输入状态改变中断（或唤醒） 的功能。P50 ~ P53，P60 ~ P63 与 Port 7 引脚可由软件设置为下拉。每个 I/O 引脚都 可通过其对应的 I/O 控制寄存器(IOC5 ~ IOC8)设置为”输入”或”输出”。 I/O 寄存器和控制寄存器都是可读写的。Port5，Port6，Port7 与 Port8 I/O 接口电路如下 列图所示：图 6-12，6-13（a） ，6-13（b）和图 6-14。 PCRD Q _ Q PORT P R C L Q P R _ Q C L D CLK PCWR IOD D CLK PDWR PDRD 0 1 M U X 注: 下拉电路没在图中显示。 图 6-12 P5, 6, 7的I/O端口与 I/O控制寄存器电路 30 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 PC R D P 60 /IN T PO R T B it 2 o f IO C F 0 P R Q CLK _ C Q L D 1 Q _ Q P D R CLK C L PCW R Q _ Q P R D CLK C L PDW R IO D M U X T 10 PDRD D P R Q C LK _ C Q L IN T 注: 上（下）拉与漏极开路没有在图中显示 图 6-13(a) P60(/INT)的 I/O端口和I/O控制寄存器电路 PCRD P61~P63 PORT 0 1 Q _ Q P R D CLK C L PCWR Q _ Q P R D CLK C L PDWR IOD M U X PDRD P R CLK C L D TIN Q _ Q 注: 上（下）拉与漏极开路没有在图中显示。 图 6-13 (b) P61~P63,P83 I/O端口与I/O控制寄存器电路 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 31 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 IOCE.1 D P R Q Interrupt CLK _ C Q L RE.1 ENI Instruction P D R Q T10 T11 Q P R D CLK _ C L Q CLK _ Q C L T17 DISI Instruction Interrupt (Wake-up from SLEEP) /SLEP Next Instruction (Wake-up from SLEEP) 图 6-14 Port 6 I/O端口输入状态改变中断/唤醒结构图 表 6-1 Port6输入状态改变中断 输入状态改变中断/唤醒功能的用法 输入状态改变中断 唤醒功能的用法 端口 6 输入状态改变中断/唤醒功能的用法 输入状态改变中断 唤醒功能的用法 (I) 由 Port 6 输入状态改变唤醒 (a) 休眠之前 (II) Port 6 输入状态改变中断 1. 读 Port 6 (MOV R6,R6) 2 1. 禁止 WDT (小心使用) 2. 执行 "ENI" 2. 读 Port 6 (MOV R6,R6) 3. 使能中断 (置 IOCF.1) 3 a. 使能中断 (置 IOCF.1)， 唤醒之后， 如果“ENI” 则跳转到中断矢量地址 (006H), 如果 “DISI” 则执行下一条 指令。 4. 如果 Port 6 状态改变 (中断) → 中 断矢量地址 (006H) 3 b. 禁止中断 (清 IOCF.1), 总是执行下 一条指令 4. 使能唤醒使能位 (置 RA.6) 5. 执行 "SLEP"指令 (b) 唤醒之后 1. 如果 "ENI" → 中断矢量地址 (006H) 2. 如果"DISI" → 下一条指令 2 软件禁止 WDT，但是，使用 Port 6 状态改变唤醒功能之前硬件必须使能 WDT（代码配置寄存器 Word0 的第 6 位（ENWDTB）设为 1） 。 2 Vdd = 5V, 振荡器建立时间 = 16.8ms ± 8% 32 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.5 复位和唤醒 6.5.1 复位 下面的任何事件之一可以触发复位： (1) 上电复位 (2) /RESET 引脚输入低电平 (3) WDT 溢出（如果使能） 3 在检测到复位信号之后，器件将保持约 18ms （振荡器启动时间）的复位状态。 一旦 发生了复位，下列功能将会执行。 参见图 6-8。 振荡器继续运行，或起振 程序计数器（R2）被清0 所有I/O引脚被设为输入模式（高阻抗状态） 看门狗计数器和预分频器被清0 上电时，R3的高三位清0 RB，RC，RD，RE寄存器的所有位都保持原来的状态 CONT寄存器除第6位（INT标志）外所有位都为0 禁止上拉、下拉 Bank 0 RF，IOCF寄存器被清零 执行 SLEP 指令进入休眠模式（省电模式） ，当进入休眠模式时，WDT（如果使能）清 0 但会继续运行。在 RC 模式中，唤醒时间是 34 个时钟。在高频晶体模式中，唤醒时间 是 2ms 加 32 个时钟。在低频晶体模式中，唤醒时间是 500ms。 MCU 可被如下情况唤醒： (1) /RESET 引脚上输入的外部复位信号 (2) WDT 溢出（若使能） (3) Port 6 输入状态改变（若使能） (4) 外部中断引脚（P60, /INT）状态变化（若 EXWE 使能） (5) A/D 转换完成（若 ADWE 使能） (6) 比较器输出状态改变（若 CMPWE 使能） 前两种情况会引起 EM78F562N/F662N 复位。R3 的 T 和 P 标志位可用来判断复位（唤 醒）的来源。第三，四，五种情况唤醒后程序继续执行，全局中断（执行 ENI 或 DISI） 决定唤醒后控制器是否跳到中断向量地址。如果在 SLEP 指令执行之前执行 ENI 指令， 唤醒后程序将从地址 0x3, 0x6, 0xF, 0x15 或 0x30 处执行中断处理。如果在 SLEP 指令 执行之前执行 DISI 指令， 唤醒后从 SLEP 的下一条指令开始执行。 无论是何种振荡模式， 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 33 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 所有休眠模式唤醒时间都为 150us（低频晶体模式除外），低频晶体模式 2 的唤醒时间是 500ms。 在进入休眠模式之前，第 2～5 种情况仅有一种可被使能，如下： [a] 如果 WDT 在休眠之前使能，RE 的所有位禁止，因此，EM78F562N/F662N 只能被 情况 1，2 唤醒，更多细节请参考“中断”章节。 [b] 如果 Port6 输入状态改变用于唤醒 EM78F562N/F662N 且休眠前使能 RA 寄存器的 ICWE 位，WDT 须禁止，因此，EM78F562N/F662N 只能由情况三唤醒。 [c] 如果外部（P60,/INT）引脚状态改变用于唤醒 EM78F562N/F662N 且在休眠前 RA 寄存器的 EXWE 位使能，WDT 须由软件禁止，因此，EM78F562N/F662N 只能由情况 四唤醒。 [d] 如果 AD 转换完成用于唤醒 EM78F562N/F662N 且在休眠前 RA 寄存器的 ADWE 位 使能，WDT 须由软件禁止，因此，EM78F562N/F662N 只能由情况五唤醒。 [e] 如果比较器输出状态改变用于唤醒 EM78F562N/F662N 且在休眠之前 RA 寄存器的 CMPWE 位使能，WDT 须由软件禁止，因此，EM78F562N/F662N 只能由情况六唤醒。 如果 Port6 输入状态改变中断被用来唤醒 EM78F562N/F662N（就如上面的情况[a]） ， 在 SLEP 指令之前必须执行如下指令： MOV IOW WDTC MOV ENI (或DISI) MOV MOV MOV IOW SLEP A, @001110xxb IOCA R6, R6 A, @010xxxxxb RA,A A, @00000x1xb IOCF ; 选择WDT分频比，禁止WDT ; 清WDT和分频比 ; 读Port 6 ; 使能(或禁止) 全局中断 ; 使能 Port 6 输入状态改变唤醒位 ; 使能 Port 6 输入状态改变中断 ; 休眠 同样, 如果使用比较器中断用于唤醒 EM78F662N（如上面的情况[C]） ，在进入休眠之前 必须按如下步骤设置： Bank 3 MOV MOV MOV IOW WDTC ENI (或DISI) MOV MOV MOV IOW SLEP 34 • A, @xxxxxx10b RB,A A, @001110xxb IOCA A, @xxxxxx1xb RA,A A, @10000000b IOCF ; 选择 Bank 3 ; 选择比较器，P60用作CO引脚 ; 设置 WDT分频比并禁止WDT ; 清WDT和分频比 ; 使能（或禁止） 全局中断 ; 使能比较器输出状态改变唤醒位 ; 使能比较器输出状态改变中断 ; 休眠 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.5.2 唤醒 唤醒和中断模式的总结 所有唤醒和中断模式的描述如下： 控制器可从休眠或空闲模式唤醒，以下列表列出了所有的唤醒信号： 唤醒信号 外部中断 Port 6 引脚状 态改变 休眠模式 如果使能EXWE位唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 如果使能ICWE位唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 TCC 溢出中断 x 空闲模式 如果使能EXWE位唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 如果使能ICWE位唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 低速模式 正常模式 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 如果使能CMPWE位 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 如果使能CMPWE位 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 如果使能ADWE位唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 Fs 与 Fm 没有停止 如果使能ADWE位 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 Fs 与 Fm 没有停止 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 Fs 与 Fm 没有停止 TC2 中断 x 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 TC3 中断 x 唤醒 + 中断 (如果中断使能) + 下一条指令 中断 (如果中断使能)或 中断 (如果中断使能) 下一条指令 或下一条指令 WDT 溢出 复位 复位 复位 复位 低电压复位 复位 复位 复位 复位 比较器中断 AD 转换 完成中断 唤醒后： 唤醒后 ： 1. 如果中断使能→ 中断 +下一条指令 2. 如果中断禁止 →下一条指令 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 35 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.5.3 重置后寄存器初始值的总结 说明: 地址 0x05 0x06 名称 IOC5 IOC6 U: 未知或无关项 x: 未使用 重置类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 位名 C57 C56 C55 C54 C53 C52 C51 C50 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET 和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 位名 × × × × C63 C62 C61 C60 上电 0 0 0 0 1 1 1 1 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 P P P P C77 × × × C73 C72 C71 C70 引脚输入状态改变唤醒 位名 0x07 0x08 N/A IOC7 IOC8 CONT 上电 1 0 0 0 1 1 1 1 /RESET 和 WDT 1 0 0 0 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 P 0 0 0 P P P P 位名 × × × × C83 × × × 上电 0 0 0 0 1 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 1 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 P 0 0 0 位名 INTE /INT TS TE PSTE PST2 PST1 PST0 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0×00 R0 (IAR) P P P P P P P P 位名 IAR7 IAR6 IAR5 IAR4 IAR3 IAR2 IAR1 IAR0 上电 U U U U U U U U /RESET 和 WDT P P P P P P P P 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×01 R1 (TCC) 0×02 R2 (PC) 0×03 R3 (SR) 36 • R4 (RSR) P P P P P P P P TCC7 TCC6 TCC5 TCC4 TCC3 TCC2 TCC1 TCC0 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 位名 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 位名 × × × T P Z DC C 上电 0 0 0 1 1 U U U /RESET 和 WDT 0 0 0 t t P P P 引脚输入状态改变唤醒 0×04 P: 重置之前的值 t: 查表 6-2 0 0 0 t t P P P 位名 RSR7 RSR6 RSR5 RSR4 RSR3 RSR2 RSR1 RSR0 上电 U U U U U U U U /RESET 和 WDT P P P P P P P P 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 (接上表) 地址 0×05 0×06 名称 重置类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 位名 P57 P56 P55 P54 P53 P52 P51 P50 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P P5 (Bank 0) /RESET 和 WDT 位名 x x x x P63 P62 P61 P60 上电 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 P P P P P77 x x x P73 P72 P71 P70 P6 (Bank 0) /RESET 和 WDT 位名 0×07 0×08 上电 P7 (Bank 0) /RESET 和 WDT 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 P 0 0 0 P P P P 位名 x x x x P83 x x x 上电 P8 (Bank 0) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×09 0×0A 上电 R9 (Bank 0) /RESET 和 WDT 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 P 0 0 0 RBit7 RBit6 RBit5 RBit4 RBit3 RBit2 RBit1 RBit0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P 位名 x ICWE x x CMPW E x 0 0 0 0 0 0 RA 上电 (Bank 0) /RESET 和 WDT ADWE EXWE 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P 0 0 0 0 RD WR 0 0 EEWE EEDF EEPC 0 0 0 x x x 0 0 0 P P P P P 0 0 0 P P P P P 0 0 0 位名 x EE_A6 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P P P P P P RC (Bank 0) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×0E 0 0 P 位名 RB 上电 0×0B (ECR) (Bank 0) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 0×0D 0 0 引脚输入状态改变唤醒 引脚输入状态改变唤醒 0×0C 0 0 上电 RD (Bank 0) /RESET 和 WDT 0 P EE_D7 EE_D6 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P P P P P P P IDLE x x x x P 位名 x 引脚输入状态改变唤醒 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) EE_D5 EE_D4 EE_D3 EE_D2 EE_D1 EE_D0 P 引脚输入状态改变唤醒 上电 RE (Bank 0) /RESET 和 WDT EE_A5 EE_A4 EE_A3 EE_A2 EE_A1 EE_A0 TIMERSC CPUS 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 P P P 0 0 0 0 • 37 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 (接上表) 地址 名称 重置类型 位名 0×0F RF (ISR) 上电 (Bank 0) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 0× 8 R8 (Bank 1) Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CMPIF ADIF x x x EXIF ICIF TCIF 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P 0 0 0 RCM0 TC2ES TC2M TC2S 上电 选项 选项 RCM1 RCM0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 选项 选项 RCM1 RCM0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P 上电 R9 (Bank 1) /RESET 和 WDT 位名 上电 RA (Bank 1) /RESET 和 WDT P P TC2CK2 TC2CK1 TC2CK0 TC2D15 TC2D14 TC2D13 TC2D12 TC2D11 TC2D10 TC2D9 TC2D8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P TC2D7 TC2D6 TC2D5 TC2D4 TC2D3 TC2D2 TC2D1 TC2D0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 位名 x x TCIF3 TCIF2 x x x x 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 ADE7 ADE6 ADE5 ADE4 ADE3 ADE2 ADE1 ADE0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P 上电 RF (Bank 1) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 上电 R5 0×05 (Bank 2) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 上电 R6 0×06 (Bank 2) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 上电 R7 0×7 (Bank 2) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 上电 R8 0×8 (Bank 2) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 38 • Bit 4 P 引脚输入状态改变唤醒 0× F Bit 5 RCM1 位名 0× A Bit 6 位名 引脚输入状态改变唤醒 0× 9 Bit 7 VREFS CKR1 CKR0 ADRUN ADPD ADIS2 ADIS1 ADIS0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P x x x 0 0 0 CALI 0 SIGN VOF[2] VOF[1] VOF[0] 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P 0 0 0 ADD9 ADD8 ADD7 ADD6 ADD5 ADD4 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P ADD3 ADD2 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 （接上表） 地址 名称 重置类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 x x x x x x ADD1 ADD0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 0 0 P P 位名 x x x x x CPOUT CPS1 CPS0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 0 P P P 位名 x x x x /PH73 /PH72 /PH71 /PH70 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 P P P P MLB x x x x 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P 0 0 0 0 P P P 位名 0×9 0×0B 0×0F 上电 R9 (Bank 2) /RESET 和 WDT 上电 RB (Bank 2) /RESET 和 WDT 上电 RF (Bank 2) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×06 上电 R6 (Bank 3) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×D 上电 RD (Bank 3) /RESET 和 WDT 引脚输入状态改变唤醒 位名 0×E 0×F 上电 RE (Bank 3) /RESET 和 WDT TC3M0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P TC3D7 TC3D6 TC3D5 TC3D4 TC3D3 TC3D2 TC3D1 TC3D0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 位名 x x x x /PD73 /PD72 /PD71 /PD70 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 P P P P 位名 WDTE EIS x x PSW1 PSW0 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P 0 0 P P P P 位名 /PD7 /PD6 /PD5 /PD4 /PD3 /PD2 /PD1 /PD0 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET 和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 引脚输入状态改变唤醒 0×0B IOCB TC3FF1 TC3FF0 TC3S TC3CK2 TC3CK1 TC3CK0 TC3M1 RBit 8 0 上电 RF (Bank 3) /RESET 和 WDT 0×0A IOCA RBit 10 RBit 9 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) PSWE PSW2 • 39 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 (接上表) 地址 0×0C 0×0D 名称 IOCC IOCD 0×0E IOCE 0×0F IOCF 0×10 ~ 0×2F R10 ~ R2F 重置类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 位名 x x x x OD3 OD2 OD1 OD0 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 P P P P 位名 x x x x /PH3 /PH2 /PH1 /PH0 上电 0 0 0 0 1 1 1 1 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 1 1 1 1 引脚输入状态改变唤醒 0 0 0 0 P P P P 位名 x x TCIE3 TCIE2 x x x x 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 0 0 P P 0 0 0 0 位名 CMPIE ADIE x x x EXIE ICIE TCIE 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET 和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入状态改变唤醒 P P 0 0 0 P P P 位名 R7 R6 R5 R4 R3 R2 R1 R0 上电 U U U U U U U U /RESET 和 WDT P P P P P P P P 引脚输入状态改变唤醒 P P P P P P P P 6.5.4 状态寄存器的 RST、T与P的状态 复位由以下事件引起 1. 上电复位 2. 复位引脚输入高-低-高脉冲 3. 看门狗定时器溢出 表 6-2 列出了 T，P 的值，用来检测是什么类型的唤醒。表 6-3 列出了可能影响 T，P 位 的事件。 表 6-2 复位后RST， ，T与 与P的值 的值 复位后 复位类型 T P 1 1 *P *P /RESET 在休眠模式下唤醒 1 0 WDT 在运行模式 0 *P WDT 在休眠模式下唤醒 0 0 在休眠模式下引脚变化唤醒 1 0 上电 /RESET 在运行模式 * P: 复位前状态 40 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 表 6-3 T和 和P被事件影响后的状态 被事件影响后的状态 事件 T P 上电 1 1 WDTC 指令 1 1 WDT 溢出 0 *P SLEP 指令 1 0 在休眠模式下引脚变化唤醒 1 0 * P: 复位前的值 VDD D Q CLK CLR Oscillator CLK Power-on Reset Voltage Detector W DTE W DT Setup Time W DT Timeout RESET /RESET 图6-15 复位控制器的结构图 6.6 中断 EM78F562N/F662N 有 7 个中断(3 个外部，4 个内部)如表所列： 中断源 使能条件 中断 标志 中断向量 优先级 - - 0000 高0 内部 / 外部 复位 外部 INT ENI + EXIE=1 EXIF 0003 1 外部 Port 6 引脚变化 ENI +ICIE=1 ICIF 0006 2 内部 TCC ENI + TCIE=1 TCIF 0009 3 外部 TC2 ENI + TCIE2=1 TCIF2 0024 4 内部 TC3 ENI + TCIE3=1 TCIF3 0027 5 内部 AD ENI + ADIE=1 ADIF 0030 6 外部 比较器 CMPIF 0033 7 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) ENI + CMPIE=1 • 41 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 RF 是中断状态寄存器，其相关的标志/位中记录中断需求。IOCF 是中断屏蔽 寄存器。 全局中断由 ENI 指令使能，由 DISI 指令禁止。当一个中断发生时（使能情况下），下一 条指令将进入它们各自的中断向量地址。在返回中断服务之前必须清中断标志位以避免 循环的进入中断。 中断状态寄存器(RF)标志位（除了 ICIF）的置位，与其屏蔽位和全局中断是否使能无关。 RETI 指令结束中断，使能全局中断（执行 ENI） 。 外部中断带有片内数字噪声抑制电路(输入脉冲（脉宽）小于 8 倍系统时钟周期则被当作 倍系统时钟周期 噪声滤除)，但在低频晶体振荡模式 但在低频晶体振荡模式(LXT)下 下，噪声滤除电路被禁止。 但在低频晶体振荡模式 噪声滤除电路被禁止。 当外部中断 (下降 沿)（如果使能）发生时，下一条指令将从地址 003H 执行。 在中断子程序执行前，硬件保存 ACC、R3 和 R4 寄存器的值，如果另外一个中断发生， ACC、R3 和 R4 将被新的中断覆盖。中断服务程序结束后 ACC、R3 和 R4 的值被恢复。 VCC /IRQn IRQn D PR Q _ CLK CL Q RF INT RFRD IRQm ENI/DISI Q PR D IOCF _ CLK Q CL IOD IOCFWR /RESET IOCFRD RFWR 图 6-16 中断输入电路 Interrupt Sources ENI/DISI ACC R3 R4 Interrupt occurs RETI Stack ACC Stack R3 Stack R4 图 6-17 中断备份框图 42 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.7 数据EEPROM (仅用于 仅用于 EM78F662N) 数据 在整个正常工作电压范围内，数据 EEPROM 都是可读写的。对数据 EEPROM 的操作 是基于单字节的。一个字节的写操作包含先擦除后写入的流程。 数据 EEPROM 存储器实现了高速擦写。一个字节的写包括自动擦除存储单元并写入新 值。 6.7.1 数据EEPROM控制寄存器 6.7.1.1 RB (EEPROM 控制寄存器) 控制寄存器 EECR (EEPROM 控制寄存器)是用来配置和初始化控制寄存器状态的控制寄存器。 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 RD WR EEWE EEDF EEPC - - - Bit 7: 读控制寄存器 0 : 禁止读EEPROM 1 : 开始读 EEPROM内容, (RD 可用软件置位, 在读指令完成后由硬件清零). Bit 6: 写控制寄存器 0 : 完成写EEPROM周期 1 : 开始一个写周期, (WR可用软件置位, 在写指令完成后由硬件清零) Bit 5: EEPROM写使能位 0 : 禁止写 EEPROM 1 : 使能写 EEPROM Bit 4: EEPROM检测标志位 0 : 写周期完成 1 : 写周期未完成 Bit 3: EEPROM省电模式控制位 0 : 关闭 EEPROM 1 : 开启EEPROM Bits 2 ~ 0: 未使用，总是设置为“0” 6.7.1.2 RC (128 字节 EEPROM 地址寄存器) 地址寄存器 当要访问 EEPROM 数据存储器时，RC（128 字节 EEPROM 地址寄存器）存储要访问 的地址。同理，RD（EEPROM 数据寄存器）保存的是在 RC 地址上要写入的或要从中 读出的数据。 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - EE_A6 EE_A5 EE_A4 EE_A3 EE_A2 EE_A1 EE_A0 Bit 7: 未使用，总是设置为“0” Bits 6 ~ 0: 128 字节EEPROM地址 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 43 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.7.1.3 RD (256 字节 EEPROM 数据寄存器) 数据寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 EE_D7 EE_D6 EE_D5 EE_D4 EE_D3 EE_D2 EE_D1 EE_D0 Bits 7 ~ 0: 128字节EEPROM数据 6.7.2 编程步骤 / 范例 6.7.2.1 编程步骤 从 EEPROM 中读写数据须按如下步骤: (1) 置RB.EEPC位为1以使能EEPROM 。 (2) 写地址值到RC (128 字节EEPROM地址寄存器)。 a.1. 置RB.EEWE位为1，如果使用写入功能。 a.2. 写8位待写数据值到RD (256 字节EEPROM 数据寄存器) a.3. 置RB.WR位为1， 接着执行写功能。 b. 置RB.RD位为1，接着执行读功能。 (3) a. 等待RB.EEDF或RB.WR被清0。 b. 等待RB.EEDF被清0。 (4) 下一操作，跳至步骤二（若需要）。 (5) 如果用户想省电并确定 EEPROM数据不用，可清RB.EEPC位。 6.7.2.2 编程范例 ; 定义控制寄存器 ; 写数据到EEPROM RC == 0x0C RB == 0x0B RD == 0x0D Read == 0x07 WR == 0x06 EEWE == 0x05 EEDF == 0x04 EEPC == 0x03 BS RB, EEPC MOV A,@0x0A MOV RC,A BS RB, EEWE MOV A,@0x55 MOV RD,A BS RB,WR JBC RB,EEDF JMP $-1 44 • ; 设置EEPROM为上电模式 ; 从EEPROM安排地址 ; 使能EEPROM写功能 ; 写数据到EEPROM数据寄存器 ; 写值到EEPROM ; 检查EEPROM位元是否完成 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.8 模数转换器(ADC) 模数转换器 A/D 转换电路包括一个 8 位模拟多路复用器，3 个控制寄存器(AISR/R5 (Bank 2), ADCON/R6 (Bank 2), ADOC/R7 (Bank 2))，2 个数据寄存器(ADDH, ADDL/R8, R9)和一 个分辨率为 10 位的 ADC。图 6-18 所示为 ADC 的功能框图。模拟参考电压(Vref)和模 拟地由独立引脚接入。 逐次逼近式 ADC 模块将未知的模拟信号转换为数字值，结果存放在 ADDH 和 ADDL。 可通过 ADCON 寄存器的 ADIS0 至 ADIS2 位控制多路复用器来选择模拟输入通道。 图 6-18 A/D转换功能框图 6.8.1 ADC控制寄存器r (AISR/R5, ADCON/R6, ADOC/R7) 6.8.1.1 Bank 2 R5 AISR (ADC 输入选择寄存器) AISR 寄存器定义 ADC 引脚作为模拟输入或数字 I/O。 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 ADE7 ADE6 ADE5 ADE4 ADE3 ADE2 ADE1 ADE0 Bit 7 (ADE7): P57引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC7，P57作为I/O引脚 1: 使能ADC7 作为模拟输入引脚 Bit 6 (ADE6): P56引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC6，P56作为I/O引脚 1: 使能ADC6 作为模拟输入引脚 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 45 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 5 (ADE5): P77引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC5，P77作为I/O引脚 1: 使能ADC5 作为模拟输入引脚 Bit 4 (ADE4): P73引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC4，P73作为I/O引脚 1: 使能ADC4 作为模拟输入引脚 Bit 3 (ADE3): P63引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC3，P63作为I/O引脚 1: 使能ADC3 作为模拟输入引脚 Bit 2 (ADE2): P62引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC2，P62作为I/O引脚 1: 使能ADC2 作为模拟输入引脚 Bit 1 (ADE1): P61引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC1，P61作为I/O引脚 1: 使能ADC1 作为模拟输入引脚 Bit 0 (ADE0): P60引脚作为AD输入使能位 0: 禁止ADC0，P60作为I/O引脚 1: 使能ADC0 作为模拟输入引脚 下表列出了 P60/AD0//INT 的优先级。 P60/ADC0//Int 引脚优先级 6.8.1.2 高 中 低 /INT AD0 P60 Bank 2 R6 ADCON (A/D 控制寄存器) 控制寄存器 ADCON寄存器控制了A/D转换的操作并决定了当前那个引脚有效 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 VREFS CKR1 CKR0 ADRUN ADPD ADIS2 ADIS1 ADIS0 Bit 7 (VREFS): ADC参考电压输入源选择 0: ADC的参考电压接到Vdd（默认值），P50/VREF引脚用作P50功能。 1: ADC的参考电压接到P50/VREF引脚 Bit 6 ~ Bit 5 (CKR1 ~ CKR0): ADC时钟频率预分频比 46 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 CKR1/CKR0 工作模式 最大工作频率 00 FOSC/4 4 MHz 01 FOSC 1 MHz 10 FOSC/16 16 MHz 11 FOSC/2 2 MHz Bit 4 (ADRUN): ADC启动控制位 0: AD转换结束清零。该位不可由软件清零。 1: AD转换开始。该位可由软件置1。 Bit 3 (ADPD): ADC 省电模式选择位 0: 关闭参考电阻以节省用电 1: ADC正常运行 Bits 2~0 (ADIS2~ADIS0): 输入选择位 ADIS2 ADIS1 ADIS0 AD 输入引脚 0 0 0 AD0 0 0 1 AD1 0 1 0 AD2 0 1 1 AD3 1 0 0 AD4 1 0 1 AD5 1 1 0 AD6 1 1 1 AD7 6.8.1.3 Bank 2 R7 ADOC (A/D 补偿校准寄存器) 补偿校准寄存器 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CALI SIGN VOF[2] VOF[1] VOF[0] - - - Bit 7 (CALI): A/D 补偿校准使能位 0: 校准禁止 1: 校准使能 Bit 6 (SIGN): 补偿电压极性选择位 0: 负电压 1: 正电压 Bit 5 ~ Bit 3 (VOF[2] ~ VOF[0]): 补偿电压 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 47 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 VOF[2] VOF[1] VOF[0] 补偿值 0 0 0 0 LSB 0 0 1 1 LSB 0 1 0 2 LSB 0 1 1 3 LSB 1 0 0 4 LSB 1 0 1 5 LSB 1 1 0 6 LSB 1 1 1 7 LSB Bit 2 ~ Bit 0: 未使用，总是设置为“0” 6.8.2 ADC数据缓冲 (ADDH, ADDL/R8, R9) A/D 转换结束后，转换结果存放到 ADDH、ADDL。ADRUN 位清零，ADIF 位置 1。 6.8.3 A/D 采样时间 逐次逼近式 AD 转换器的精确性、线性、速度由 AD 转换器和比较器的特性决定。阻抗 源和内部采样阻抗直接影响采样电路中电容的充电时间。通过应用程序可控制采样时间 长短以满足特定精度需要。一般来说，对于每千欧姆模拟输入阻抗，程序应等待 2µs， 对于低阻抗源应至少等待 2µs， 建议外部 AD 电路在 Vdd=5V 时的输入最大阻抗为 10KΩ。 模拟输入通道选定后，在转换开始之前应先满足这个采样时间 6.8.4 A/D 转换时间 CKR0 和 CKR1 依照指令周期来选择转换时间(Tct)。在不影响 A/D 转换精度的条件下， 允许 MCU 运行在最高频率。对于 EM78F562N/F662N，每位转换时间约为 1µs。表 6-5 列出了 Tct 与最高频率的关系。 表 6-5 Tct与最大工作频率 与最大工作频率 CKR0: CKR1 工作模式 最大工作频率 最大转换速率/位 最大转换速率 位 最大转换速率/ 最大转换速率 (10 位) 4 MHz 4 MHz (1µs) (10+9)*1µs=19µs (52.6kHz) 00 Fosc/4 01 Fosc 1 MHz 1 MHz (1µs) (10+9)*1µs=19µs (52.6kHz) 10 Fosc/16 16 MHz 16 MHz (1µs) (10+9)*1µs=19µs (52.6kHz) 11 Fosc/2 2 MHz 2 MHz (1µs) (10+9)*1µs=19µs (52.6kHz) AD 准换时间(10 位): 3 fsys (DGD) + 1.5 A/D (DGD) + 4A/D (AMD) + 10A/D (AMD) 注意 没有被用作模拟输入的引脚可以被用作普通输入或输出引脚。转换期间，不要执行输出 指令以保持引脚的稳定。 48 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.8.5 休眠期间A/D运行 为了得到更精确的 ADC 值并降低功耗，AD 转换可以在休眠模式下进行。当执行 SLEP 指令后，MCU 停止工作，但振荡器,TCC, TC2, TC3 和 AD 转换继续工作。 当下列情况发生时说明 AD 转换结束： 1．R6 寄存器的 ADRUN 位清零 2．在休眠模式下保持运行，由 A/D 转换唤醒 ADOC 转换结束后，结果送入 ADDATA。如果 ADWE 使能，则单片机将被唤醒。否则， 不论 ADPD 位是什么状态，A/D 转换器将关闭。 6.8.6 编程步骤/范例 6.8.6.1 编程步骤 按照以下步骤获取 ADC 数据： 1. 设置R5(AISR)寄存器的8个位(ADE8 ~ ADE1)以定义R6的特性：数字I/O，模拟通道 和参考电压引脚。 2. 写R6/ADCON寄存器以配置AD模块: a) 选择A/D输入通道(ADIS2 ~ ADIS0)。 b) 定义A/D转换时钟比率(CKR1 ~ CKR0)。 c) 选择ADC的参考电压输入源VREFS。 d) 把ADPD位置1，ADC开始采样。 3. 如果使用唤醒功能，请设置ADWE位。 4. 如果使用中断功能，请设置ADIE位。 5. 如果使用中断功能，请执行“ENI”指令。 6. ADRUN位置1。 7. 等待唤醒或ADRUN位被清零。 8. 读转换数据寄存器 ADDATA里的转换数据。 9. 当A/D中断功能发生，清除中断标志位(ADIF)。 10. 若需要下一次转换，则跳至步骤1或步骤2，下一次采样开始之前需至少等待2Tct时 间。 注意 为获取准确的结果，在A/D转换期间避免有任何数据在I/O引脚上传输。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 49 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.8.6.2 程序实例 ; 定义通用寄存器 R_0 == 0 ; 间接地址寄存器 PSW == 3 ; 状态寄存器 PORT5 == 5 PORT6 == 6 RE== 0XE ; 唤醒控制寄存器 RF== 0XF ; 中断状态寄存器 ; 定义控制寄存器 IOC50 == 0X5 ; 端口 5 的控制寄存器 IOC60 == 0X6 ; 端口 6 控制寄存器 C_INT== 0XF ; 中断控制寄存器 ;ADC 控制寄存器 ADDATA == 0x8 AISR == 0x08 ADCON == 0x6 ;定义位元 ;在 ADCON ADRUN == 0x4 ADPD == 0x3 ORG 0 JMP INITIAL ORG 0x30 (用户程序) CLR RF BS ADCON RETI INITIAL: MOV A MOV AISR MOV A MOV ADCON En_ADC: MOV A IOW PORT6 MOV A MOV RE MOV A 50 • ; 内容为 ADC 结果 ; ADC 输出选择寄存器 ;7 6 5 4 3 2 1 0 VREFS CKR1 CKR0 ADRUN ADPD − ADIS1 ADIS0 ; 此位元被设置，ADC 执行 ; ADC 电压模式 ; 初始地址 ; 中断向量 , ADRUN ; 清除 ADIF 位元 ; 如果需要，执行下一次 AD 转换 , @0B00000001 ,A , @0B00001000 ,A ; 定义 P60 为模拟输入 , @0BXXXXXXX1 ;定义 P60 为输入引脚，其他引脚根据实际应用 ; ; 使能 ADC 唤醒功能 ADWE 位，“X“根据实际应 ; 用定义 , @0BXXXX1XXX ,A , @0BXXXX1XXX ; 选择 P60 为一个模拟输入通道，AD 电源打开 ; 定义 P60 为输入引脚，选择时钟比率为 fosc/1 ; 使能 ADC 的 ADIE 中断功能，X 根据实际应用 ; 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 IOW C_INT ENI BS ADCON POLLING: JBC ADCON JMP POLLING (用户程序) , ADRUN ; 使能中断功能 ; 开始运行 ADC ; 如果使用中断功能，接下来的三行可不用 , ADRUN ; 持续检测 ADRUN 位元 ; 当 AD 转换完成后 ADRUN 位将被复位 ; 6.9 定时器/计数器 定时器 计数器 2 TC2ES TC2 Pin M Window 23 fc/2 13 fc/2 8 fc/2 3 fc/2 fc Clear 16-bit Up-counter MUX TC2 Interrupt Comparator TC2CK 3 TC2S TCR2H TC2CR TCR2L 图6-19 定时/计数器2结构图 定时器模式下， 当加计数器内容与 TCR2 （TCR2H+TCR2L） 定时器模式下 用内部时钟执行加计数操作， 内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零后计数重新开始。 Internal clock Up-counter 0 TCR2 n 1 2 3 4 5 n-3 n-2 n-1 n 0 match 1 2 3 counter clear TC2 interrupt 图6-20 计时器模式时序图 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 51 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 计数器模式下， 计数器模式下，用从输入引脚（TC2 引脚）输入的外部时钟执行加计数操作，通过设置 TC2ES 位可选择上升沿或是下降沿有效，当加计数器内容与 TCR2（TCR2H+TCR2L） 内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零后计数重新开始。 TC2 Pin 0 Up-counter TCR2 1 2 3 4 n-2 n-1 n 0 1 2 3 n match counter clear TC2 interrupt 图6-21 计数器模式时序图(INT2ES = 1) 窗口模式下,内部时钟和 TC2 引脚的脉冲(窗口脉冲)逻辑与后，在脉冲的上升沿来临时执 窗口模式下 行加计数操作，当加计数器内容与 TCR2(TCR2H+TCR2L)内容相匹配时，中断产生且 计时器清零。频率(窗口脉冲)需低于所选的内部时钟。 写 TCR2L 时，比对被禁止直到 TCR2H 写完。 写完。 TC2 Pin Internal Clock Up-counter 0 TCR2 n 1 2 n-3 n-2 n-1 n 0 match 1 2 3 counter clear TC2 Interrupt 图 6-22 窗模式时序图 52 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.10 定时器/计数器 定时器 计数器 3 图 6-23 定时器/计数器 3 结构图 定时器模式下,用内部时钟（上升沿触发）执行加计数操作，当加计数器内容与 TCR3 定时器模式下 内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零后计数重新开始。 计数器模式下, 计数器模式下 用输入引脚（TC3 引脚）的外部时钟执行加计数操作，当加计数器内容 与 TCR3 内容相匹配时，中断产生且计数器清零，计数器清零之后计数重新开始。 可编程分频器输出（ ）模式下, 可编程分频器输出（PDO） 模式下 用内部时钟执行加计数操作，TCR3 内容与加计数 器内容做比较，当它们的内容相匹配时，F/F 输出被触发且计数器被清零，F/F 输出被取 反并输出到/PDO 引脚。 该模式可产生 50%占空比的脉冲输出。F/F 可被程序初始化， 可被程序初始化， 复位时其初始值为”0”， ， 每次/PDO 输出被触发时 TC3 都产生中断。 复位时其初始值为 Source Clock Up-counter TCR3 0 1 2 3 n-1 n 0 1 n-1 n 0 1 n-1 n 0 1 2 n F/F /PDO Pin TC3 Interrupt 图 6-24 PDO模式时序图 脉宽调制（ ）输出模式下,用内部时钟执行加计数操作，TCR3 内容与加计数器内 脉宽调制（PWM） 输出模式下 容作比较，当它们内容相匹配时 F/F 被触发。计数器继续计数，计数器溢出时 F/F 再次 被触发，同时计数器清零。F/F 输出被反向并输出到/PWM 引脚，每次溢出发生时即产 生 TC3 中断。TCR3 被设置成 2 级移位寄存器， 级移位寄存器，输出期间输出不会改变直到一个输出周 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 53 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 期完成， 期完成，即使 TCR3 被重写。 被重写。因此，输出可连续地被改变，在数据载入 TCR3 后通过置 TC3S 位为”1”，TRC3 第一次被移位。 Source Clock Up-counter TCR3 0 1 n-1 n n+1 n+2 FE FF 0 n/n n-1 n n+1 n+2 FE n/m overflow match match FF 0 1 m-1 m m/m overflow Shift overwrite F/F /PWM 1 period TC4 Interrupt 图 6-25 PWM模式时序图 6.11 比较器 EM78F562N/F662N 有一个包含 2 个模拟输入端和 1 个输出端的比较器，它可用于将 EM78F562N/F662N 从休眠模式唤醒，比较器电路如下图所示。 图 6-26 比较器结构图 注意 参考信号在Vss与Vdd之间。 参考电压可取比较器两个引脚中的一个引脚。 阈值检测器应用可与参考的一致。 比较器可通过相同或不同的参考源工作。 6.11.1 比较器输出 比较器输出结果存储在Bank 2 RB的CPOUT里。 通过编程Bank 2 RB寄存器的Bit 1, Bit 0<CPS1, CPS0>值为<1, 0>设置比较器的输 出端为CMPOUT (P60)。参见6.1.27章节Bank2 RB（CMPCON：比较器控制寄存器） 比较器选择位的功能描述。 下图为比较器的输出模块图。 54 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 To CPO UT F ro m I / O CMRD E N E N Q D Q D To CM PO UT RESET T o C P IF CMRD F ro m o th e r c o m p a ra to r 图 6-27 比较器输出框图 6.11.2 比较器中断 CMPIE3 (IOCF.7) 须使能，以使“ENI”指令有效。 比较器输出状态改变时产生中断。 输出引脚的实际变化可通过读寄存器Bank 2 RB<2> CPOUT位确定。 CMPIF (RF.7 Bank 0)为比较器中断标志位，只能由软件清零。 6.11.3 从休眠模式唤醒 如果使能比较器，即使进入休眠模式，比较器仍然保持激活状态和中断功能。 如果错误匹配发生，中断将使器件从休眠模式中唤醒。 电源损耗也应该考虑。 在休眠模式下如果不使用比较器功能，则须在进入休眠模式前将比较器关闭。 6.12 振荡器 6.12.1 振荡器模式 IC 可运行在四种不同的振荡模式下，即：内部 RC 振荡模式(IRC)、外部 RC 振荡模式 (ERC)、高频晶体振荡模式(HXT)和低频晶体振荡模式(LXT)。用户可通过编程设置代码 选项寄存器的 OSC2, OCS1 和 OSC0 位来选择其中一种振荡模式。 表 6-6 描述了如何 定义这四种振荡模式。 不同 VDD 下晶体/谐振模式的上限工作频率如表 6-7 所示: 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 55 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 表 6-6 OSC2 ~ OSC0与振荡模式的对应关系 与振荡模式的对应关系： 与振荡模式的对应关系： 模式 OSC2 OSC1 OSC0 XT (晶体振荡器模式) 0 0 0 HXT (高频晶体振荡器模式) 0 0 1 LXT1 (低频晶体振荡器模式 1) 0 1 0 LXT2 (低频晶体振荡器模式 2) 0 1 1 IRC 模式, OSCO (P54) 作为 I/O 引脚 1 0 0 IRC 模式, OSCO (P54) 作为 RCOUT 引脚 1 0 1 ERC 模式, OSCO (P54) 作为 I/O 引脚 1 1 0 ERC 模式, OSCO (P54) 作为 RCOUT 引脚 1 1 1 注: 1. HXT模式的频率范围是16 MHz ~ 6 MHz. 2. XT模式的频率范围是6 MHz ~ 1 MHz. 3. LXT1模式的频率范围是1 MHz ~ 100kHz. 4. LXT2模式的频率范围是32kHz. 在 LXT, XT, HXT 和 ERC 模式下，OSCI 和 OSCO 引脚被使用，它们不能用做普通 I/O 引脚。 在 IRC 模式下，P55 用做普通 I/O 引脚。 表6-7 最大工作频率的总结： 最大工作频率的总结： 条件 VDD 最大频率(MHz) 最大频率 2.5 4.0 3.0 8.0 5.0 20.0 一个指令周期 2 个时钟 6.12.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器 (晶体) EM78F562N/F662N 可由 OSCI 引脚输入的外部时钟信号驱动，如下图 6-28 所示。 OSCI Ext. Clock OSCO 图 6-28 外部时钟的输入电路 在大多数应用中， OSCI 和 OSCO 引脚连接一个晶体或陶瓷谐振器以产生振荡， 如图 6-29 所示，HXT 模式和 LXT 模式都是以此种方式产生振荡。表 6-8 提供 C1 和 C2 的推荐值。 由于每个谐振器都有其各自的属性，用户应参考规格书选择合适的 C1 和 C2。对于切片 型晶体或低频模式，可能需要串接电阻 RS。 56 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 C1 OSCI Crystal OSCO RS C2 图 6-29 晶体/陶瓷谐振器电路 表 6-8 晶体振荡器或陶瓷谐振器匹配电容选择指南： 晶体振荡器或陶瓷谐振器匹配电容选择指南： 振荡器类型 振荡器类型 频率模式 LXT1 (100K~1 MHz) 陶瓷谐振器 HXT2 (1 M~6 MHz) LXT2 (32.768kHz) LXT1 (100K~1 MHz) 晶体振荡器 XT (1~6 MHz) HXT (6~20 MHz) 频率 100kHz 200kHz 455kHz 1.0 MHz 1.0 MHz 2.0 MHz 4.0 MHz 32.768kHz 100kHz 200kHz 455kHz 1.0 MHz 455kHz 1.0 MHz 2.0 MHz 4.0 MHz 6.0 MHz 6.0 MHz 8.0 MHz 10.0 MHz 16.0 MHz 20.0 MHz C1 (pF) C2 (pF) 45pF 20pF 20pF 20pF 25pF 20pF 20pF 40pF 45pF 20pF 20pF 20pF 30pF 20pF 20pF 20pF 20pF 25pF 20pF 20pF 20pF 15pF 45pF 20pF 20pF 20pF 25pF 20pF 20pF 40pF 45pF 20pF 20pF 20pF 30pF 20pF 20pF 20pF 20pF 25pF 20pF 20pF 20pF 15pF 6.12.3 外部RC振荡器模式 对于一些不需要精确计时的应用中，RC 振荡器(图 6-30)提供了一种节省成本的振荡方 案。然而，应注意的是 RC 振荡器的频率会受供电电压、电阻(Rext)、电容(Cext)甚至工 作温度的影响。另外，因为生产过程的差异，一个器件与另外一个器件的频率也会存在 细微的差别。 为了维持在稳定的系统频率，Cext 值应不低于 20 pF，Rext 值不高于 1 MΩ。如果它们 不在此范围内，系统频率则很容易受噪声、湿度和漏电流的影响。 在 RC 振荡模式中，Rext 值越小，其振荡频率越快。相反，对一个非常小的 Rext 值， 例如 1 KΩ，振荡器将变得不稳定，因为 NMOS 不能及时地释放电容电荷。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 57 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 基于以上原因，在使用 ERC 时必须时刻牢记供电电压、工作温度、RC 振荡器的元件特 性、封装类型、PCB 制板等因素都会对系统频率产生影响。 Vcc Rext ERCin Cext EM78F662N 图 6-30 ERC振荡模式电路 表 6-9 RC振荡器频率 振荡器频率 Cext 20 pF 100 pF 300 pF Rext 平均频率 5V, 25°°C 平均频率 3V, 25°°C 3.3k 3.5 MHz 3.2 MHz 5.1k 2.5 MHz 2.3 MHz 10k 1.30 MHz 1.25 MHz 100k 140kHz 140kHz 3.3k 1.27 MHz 1.21 MHz 5.1k 850kHz 820kHz 10k 450kHz 450kHz 100k 48kHz 50kHz 3.3k 560kHz 540kHz 5.1k 370kHz 360kHz 10k 196kHz 192kHz 100k 20kHz 20kHz 注: 1: 在DIP封装类型下量测。 2: 仅作为设计参考。实际的值可能取决于实际的制程。 6.12.4 内部 RC振荡模式 °C, VDD=5 V± 5%, VSS=0V) 表 6-10 内部RC偏移率 内部 偏移率(Ta=25 偏移率 58 • 内部 RC 温度 (-40°°C~85°°C) 1 MHz ± 3% 4 MHz ± 3% 偏移率 电压 (2.2V~5.5V) 制程 总计 ± 4% ± 2.5% ± 9.5% ± 4% ± 2.5% ± 9.5% 8 MHz ± 3% ± 5% ± 2.5% ± 10.5% 16 MHz ± 3% ± 5% ± 2.5% ± 10.5% 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.13 代码选项寄存器 EM78F562N/F662N 拥有 3 个代码选项字，它不属于普通程序存储，程序执行时不能被 存取。 代码选项寄存器与客户 ID 寄存器分配： Word 0 Word 1 Word 2 Bit 12~Bit 0 Bit 12~Bit 0 Bit 12~Bit 0 6.13.1代码选项寄存器(Word 0) Word 0 Bit Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 助记符 - NRHL 1 - 8/fc 禁止 使能 高 高 使能 高 高 高 高 高 高 0 - 32/fc 使能 禁止 低 低 禁止 低 低 低 低 低 低 NRE RESETENB CLKS1 CLKS0 ENWDTB OSC2 OSC1 OSC0 PR2 PR1 PR0 Bit 12: 未使用，总是设置为 “0” Bit 11 (NRHL): 高低脉冲噪声抑制位，INT引脚下降沿触发 1 : 脉冲宽度≧8/fc [s]时认为是信号 0 : 脉冲宽度≧32/fc [s]时认为是信号（默认） 注意 在LXT2和休眠模式下噪声抑制功能被关闭。 Bit 10 (NRE): 噪声抑制使能位(取决于EM78F562N/F662N)。INT引脚下降沿触发 1 : 禁止噪声抑制 0 : 使能噪声抑制 (默认)，但在低晶体振荡模式下(LXT)，噪声抑制电路禁 止。 Bit 9 (RESETENB): 复位引脚使能位 0 : 禁止， P83//RESET → P83 (默认) 1 : 使能， P83//RESET → RESET引脚 Bit 8 ~ Bit 7 (CLKS1 ~ CLKS0): 指令周期选项位 指令周期 CLKS1 CLKS0 4 个时钟 0 0 2 个时钟 0 1 8 个时钟 1 0 16 个时钟 1 1 参见指令集章节。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 59 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 6 (ENWDTB): 看门狗定时器使能位 0: 禁止 1: 使能 Bit 5 ~ Bit 3 (OSC2 ~ OSC0): 振荡器模式选择位 振荡模式由OSC2 ~ OSC0定义 模式 OSC2 OSC1 OSC0 XT (晶体振荡器模式) 0 0 0 HXT (高频晶体振荡器模式) 0 0 1 LXT1 (低频晶体振荡器模式 1) 0 1 0 LXT2 (低频晶体振荡器模式 2) 0 1 1 IRC 模式, OSCO (P54) 作为 I/O 引脚 1 0 0 IRC 模式, OSCO (P54) 作为 RCOUT 引脚 1 0 1 ERC 模式, OSCO (P54) 作为 I/O 引脚 1 1 0 ERC 模式, OSCO (P54) 作为 RCOUT 引脚 1 1 1 注 1. HXT模式的频率范围是16 MHz ~ 6 MHz. 2. XT模式的频率范围是6 MHz ~ 1 MHz. 3. LXT1模式的频率范围是1 MHz ~ 100kHz. 4. LXT2模式的频率范围是32kHz. Bit 2 ~ Bit 0 (PR2 ~ PR0): 保护位，保护类型如下: PR2 PR1 PR0 保护 1 1 1 使能 0 0 0 禁止 6.13.2 代码选项寄存器(Word 1) Word 1 Bit 助记符 Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 COBS TCEN - - C4 C3 C2 C1 C0 RCM1 RCM0 LVR1 LVR0 1 高 TCC - - 高 高 高 高 高 高 高 高 高 0 低 P77 - - 低 低 低 低 低 低 低 低 低 Bits 12 (COBS): 代码选项位元选择 0: IRC频率由代码选项选择(默认) 1: IRC频率由内部寄存器Bank 1 R8 (7, 6)选择 Bit 11 (TCEN): TCC使能位 0: P77/TCC 设为 P77 1: P77/TCC 设为 TCC 60 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Bit 10 ~ Bit 9: 固定为 “1” Bit 8 ~ Bit 4 (C4 ~ C0): 内部RC模式校准位，C4 ~ C0 只能设置为“0” (自动校准) Bit 3 ~ Bit 2 (RCM1 ~ RCM0): RC 模式选择位 RCM 1 RCM 0 *频率 频率(MHz) 频率 0 0 4 0 1 16 1 0 8 1 1 1 Bit 1 ~ Bit 0 (LVR1 ~ LVR0): 低电压复位使能位 复位电压 释放电压 LVR1 LVR0 0 0 NA NA 0 1 2.7V 2.9V 1 0 3.5V 3.7V 1 1 4.0V 4.2V LVR1, LVR0=“0, 0” : LVR 禁止， EM78F562N/F662N 上电复位点为 2.0V。 LVR1, LVR0=“0, 1” : 如果 Vdd < 2.7V，EM78F562N/F662N 将复位。 LVR1, LVR0=“1, 0” : 如果 Vdd < 3.5V，EM78F562N/F662N 将复位。 LVR1, LVR0=“1, 1” : 如果 Vdd < 4.0V，EM78F562N/F662N 将复位。 6.13.3 用户 ID 寄存器(Word 2) Word 2 Bit Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 助记符 SC3 SC2 SC1 SC0 - - - - SFS × × × ×X 1 高 高 高 高 - - - - 128kHz 高 高 高 高 0 低 低 低 低 - - - - 16kHz 低 低 低 低 Bits 12 ~ 9 (SC3 ~ SC0): 副频校准 (WDT 频率自动校准) Bit 8: 固定为“0” Bit 7: 固定为“1” Bits 6 ~ 5: 固定为“0” Bit 4 (SFS): 副频选择位 0: 16kHz (WDT频率) 1: 128kHz Bits 3 ~ 0: 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) 用户ID代码 • 61 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 6.14 上电相关问题 在供电电压未达到稳定状态下，任何微控制器都不能保证正常工作。EM78F562N/F662N 内置有一个上电电压检测器（POVD） ，其检测电压 2.0V。如果 Vdd 上升时间足够快（50 ms 或更少） ，它将正常的工作。然而，在要求严格的应用中，需要增加额外器件以辅助 解决上电问题。 6.15 外部上电复位电路 图 6-31 所示电路是利用外部 RC 电路产生复位脉冲的电路。脉冲宽度(时间常数)应该足 够长以使 Vdd 达到最低工作电压。此电路用在供电电压上升很慢的情况。由于/RESET 引脚的漏电流大约为±5µA，因此建议 R 值不要大于 40 KΩ。此时，/RESET 引脚电压 保持在 0.2V 以下。二极管(D)在掉电时作为短路回路。 电容 C 将快速充分放电。限流电阻 Rin 可防止高电流或 ESD（静电放电）灌入/RESET 引脚。 Vdd R /RESET D Rin C 图 6-31 外部上电复位电路 6.16 残留电压保护 当更换电池时，单片机的电源 VDD 断开，但仍然存在残留电压。残留电压可能小于最 低工作电压，但不为零。这种情况下可能导致不良复位。 图 6-32 和 图 6-33 给出了如 何防止残留电压的保护电路。 62 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 Vdd Vdd 33K Q1 10K /RESET 40K 1N4684 图 6-32 残留电压保护电路1 Vdd Vdd R1 Q1 /RESET 40K R2 图 6-33 残留电压保护电路2 6.17 指令集 指令集里的每条指令均是 13 位字节，一条指令分为一个操作码和一个或多个操作数。 一般情况下，除指令的执行改变了程序计数器的值("MOV R2,A", "ADD R2,A")或对 R2 进行算术或逻辑操作 (例如： "SUB R2,A", "BS (C) R2,6", "CLR R2", ⋅⋅⋅⋅)需要 2 个指令 周期外，其它所有指令的执行周期都是一个指令周期（一个指令周期含 2 个振荡周期）。 如果由于某些因素，规格里设定指令周期（一个指令周期含 2 个振荡周期）不适合实际 应用，试对指令作如下修改： (A) 将指令改成由 4 个，8 个或者 16 个振荡周期组成. (B) "JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI"指令执行一个指令周期，条件跳转指令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA") 条件为真时执行 2 个指令周期。对程序 计数器进行写操作的指令也执行 2 个指令周期。 选项 (A)由代码选项寄存器的 CLKS1,CLKS0 位选择。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 63 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 此外，指令集还具有如下特性： (1) 任何寄存器的每个位都可被置 1、清零或直接测试。 (2) I/O 寄存器可被当作通用寄存器。也就是说，相同的指令可对 I/O 寄存器操作。 惯例: 惯例 R =表示一个寄存器指示符，用来指定指令操作哪个寄存器（包括操作寄存器和通用寄存器）。 b =表示一个位指示符，指定位于R寄存器中并会影响操作的位。 k =代表一个8位或10位常数或立即数。 助记符 操作 受影响的状态 NOP 无操作 无 DAA 十进制调整 A C CONTW A → CONT SLEP 0 → WDT，停止振荡器 T, P WDTC 0 → WDT T, P IOW R A → IOCR 无 ENI 使能中断 无 DISI 使能禁止 无 RET [栈顶] → PC 无 RETI [栈顶] → PC，使能中断 无 CONTR CONT → A IOR R IOCR → A MOV R,A A→R 无 CLRA 0→A Z 无 1 无 无 1 CLR R 0→R SUB A,R R-A → A Z, C, DC SUB R,A R-A → R Z, C, DC DECA R R-1 → A Z DEC R R-1 → R Z OR A,R A∨R→A Z OR R,A A∨R→R Z AND A,R A&R→A Z AND R,A A&R→R Z XOR A,R A⊕R→A Z XOR R,A A⊕R→R Z ADD A,R A+R→A Z, C, DC ADD R,A A+R→R Z, C, DC MOV A,R R→A Z MOV R,R R→R Z COMA R /R → A Z COM R /R → R Z INCA R R+1 → A Z INC R R+1 → R Z Z 1 注意: 此指令仅应用于IOC5~IOC7, IOCA ~ IOCF。 64 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 助记符 操作 受影响的状态 R-1 → A，如果为零则跳跃 无 DJZ R R-1 → R，如果为零则跳跃 无 RRCA R R(n) → A(n-1), R(0) → C, C → A(7) C RRC R R(n) → R(n-1), R(0) → C, C → R(7) C RLCA R R(n) → A(n+1), R(7) → C, C → A(0) C RLC R R(n) → R(n+1), R(7) → C, C → R(0) C SWAPA R R(0-3) → A(4-7), R(4-7) → A(0-3) 无 SWAP R R(0-3) ↔ R(4-7) 无 JZA R R+1 → A，如果为零则跳跃 无 DJZA R JZ R R+1 → R，如果为零则跳跃 BC R,b 0 → R(b) 无 2 BS R,b 1 → R(b) 无 3 JBC R,b 如果 R(b)=0，则跳跃 JBS R,b 如果 R(b)=1，则跳跃 无 CALL k PC+1 → [SP], (Page, k) → PC 无 JMP k (Page, k) → PC 无 MOV A,k k→A 无 OR A,k A∨k→A Z AND A,k A&k→A Z XOR A,k A⊕k→A Z RETL k k → A, [栈顶] → PC 无 SUB A,k k-A → A Z, C, DC ADD A,k k+A → A Z, C, DC BANK k K → R4(7:6) 无 LCALL k 下一条指令: k kkkk kkkk kkkk 4 PC+1→[SP], k→PC 无 LJMP k 下一条指令: k kkkk kkkk kkkk k→PC4 无 如果 Bank 3 R6.7=0，机器代码 (7:0) → R 否则机器代码 (12:8) → R(4:0), R(7:5)=(0,0,0) 无 TBRD R 注意: 2 该指令不建议用于对中断状态寄存器的操作。 3 该指令不能操作中断状态寄存器。 4 该指令不能改变R3(5)位。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) 无 无 • 65 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 7 时序图 AC 测试输入/输出波形 测试输入 输出波形 注意: AC 测试: 输入在 2.4V 驱动是为 “1,” 0.4V 为逻辑 “0” 时序测量在 2.0V 为逻辑 “1,” 0.8V 为逻辑“0” 图 7-1a AC 测试输入/输出波形时序图 重置时序 (CLK="0") 图 7-1b 重置时序图 TCC 输入时序 (CLKS="0") 图 7-1c TCC 输入时序图 66 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 8 绝对最大值 EM78F562N/F662N 项目 范围 工作温度 -40°C 至 85°C 存储温度 -65°C 至 150°C 工作电压 2.2 至 5.5V 工作频率 DC 至 20 MHz 输入电压 Vss-0.3V 至 Vdd+0.5V 输出电压 Vss-0.3V 至 Vdd+0.5V 注: 这些参数是理论值，未经过测试。 9 DC 电气特性 (Ta=25°C, VDD=5.0V±5%, VSS=0V) 符号 参数 晶振: VDD 到 3V Fxt IIL 晶振: VDD 到 5V 条件 指令周期为 2 个时钟周期 最小值 典型值 最大值 单位 DC - 8 MHz DC - 20 MHz F±30% 830 ERC: VDD 到 5V R: 5.1KΩ, C: 100 pF IRC: VDD 到 5 V 4MHz, 16MHz, 8MHz, 1MHz F±30% F F±30% Hz 输入引脚输入漏电流 VIN = VDD, VSS - - ±1 µA OSCI 在 RC 模式 3.9 4 4.1 V VIHRC 输入高临界电压 (施密特触发) F±30% kHz IERC1 灌电流 VI 从低到高, VI=5V 21 22 23 mA VILRC 输入低临界电压 (施密特触发) OSCI 在 RC 模式 1.7 1.8 1.9 V IERC2 灌电流 VI 从高到低, VI=2V 16 17 18 mA IIL 输入引脚输入漏电流 VIN = VDD, VSS -1 0 1 µA VIH1 输入高电压 (施密特触发) Ports 5, 6, 7, 8 - 0.7VDD - V VIL1 输入低电压 (施密特触发) Ports 5, 6, 7, 8 - 0.3VDD - V VIHT1 输入高临界电压 (施密特触发) /RESET - 0.7VDD - V VILT1 输入低临界电压 (施密特触发) /RESET - 0.3VDD - V VIHT2 输入高临界电压 (施密特触发) TCC, INT - 0.7VDD - V VILT2 输入低临界电压 (施密特触发) TCC, INT - 0.3VDD - V VIHX1 时钟输入高电压 OSCI 在晶振模式 2.9 3.0 3.1 V VILX1 时钟输入低电压 OSCI 在晶振模式 1.7 1.8 1.9 V IOH1 输出高电压 (端口 5, 6, 7, 8) VOH = 0.9VDD -3 - - mA IOL1 输出低电压 (端口 5, 7, 8) VOL = 0.1VDD 14 - - mA 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 67 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 符号 参数 IOL2 输出低电压(端口 6) LVR1 低电压重置电平 LVR2 低电压重置电平 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VOL = 0.1VDD - 18 - mA Ta= 25℃ 2.4 2.7 3.02 V Ta= -40~85℃ 2.07 2.7 3.37 V Ta= 25℃ 3.09 3.5 3.98 V Ta= -40~85℃ 2.58 3.5 4.46 V Ta= 25℃ 3.51 4.0 4.51 V Ta= -40~85℃ 2.98 4.0 5.06 V LVR3 低电压重置电平 IPH 上拉电流 上拉激活, 输入引脚接 VSS - - -80 µA IPL 下拉电流 下拉激活, 输入引脚接 Vdd - - 30 µA ISB1 掉电电流 所有的输入引脚和 I/O 引脚接 VDD, 输出引脚悬空，WDT 禁止 - 1.5 - µA ISB2 掉电电流 所有的输入引脚和 I/O 引脚接 VDD, 输出引脚悬空，WDT 使能 - 11 - µA ICC1 2 个时钟周期下的工作供电电 流 /RESET= '高', Fosc=32kHz (晶体 类型), 输出引脚悬空, WDT 禁止 - 43 - µA ICC2 2 个时钟周期下的工作供电电 流 /RESET= '高', Fosc=32kHz (晶体 类型), 输出引脚悬空, WDT 使能 - 43 - µA ICC3 2 个时钟周期下的工作供电电 流 /RESET= '高', Fosc=4MHz (晶体 类型), 输出引脚悬空, WDT 使能 - - 1 mA ICC4 2 个时钟周期下的工作供电电 流 /RESET= '高', Fosc=10MHz (晶体 类型), 输出引脚悬空, WDT 使能 - - 2.8 mA ICC5 2 个时钟周期下的工作供电电 流 /RESET= '高', Fosc=1MHz (IRC 类 型), 电压 3V，输出引脚悬空, WDT 使能 - 180 - µA 注意: * 这些参数是理论值，没有经过验证。 * 最小值、典型值、最大值栏里的数据基于 25°C条件下的结果，这些数据只用于指导设计，未经测试。 9.1 数据EEPROM 电气特性 数据 符号 Tprog 参数 条件 擦/写时间 最小值 典型值 最大值 - Treten 数据保留时间 Tendu 擦/写次数 Vdd = 2.4~ 5.5V 温度 = -40 ~ 85°C 4.5 - 单位 ms - 10 - 年 - 100K - 次 9.2 Flash程序存储器电气特性 程序存储器电气特性 符号 Tprog 参数 条件 擦/写时间 Treten 数据保留时间 Tendu 擦/写次数 Vdd = 5.0V 温度 = -40 ~ 85°C 最小值 典型值 最大值 单位 - 4 - ms - 10 - 年 - 100K - 次 9.3 A/D转换特性 转换特性 (Vdd=2.5V to 5.5V, Vss=0V, Ta=25°C) 68 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VAREF 模拟参考电压 VAREF-VASS= 2.5V to 5.5V 2.5 Vss Vdd V 模拟输入电压 − VASS − VAREF V Ivdd VAREF = Vdd 1150 1300 1450 µA Ivref − -10 0 10 µA 700 800 900 µA 450 500 550 µA VASS VAI IAI1 Ivdd VAREF = VREF IAI2 − Ivref RN 分辨率 VAREF=Vdd 8 9 − Bits LN 线性误差 VAREF=Vdd 0 ±2 ±4 LSB DNL 差分非线性误差 VAREF=Vdd 0 ±0.5 ±0.9 LSB FSE 满标度误差 VAREF=Vdd ±0 ±1 ±2 LSB OE 补偿误差 VAREF=Vdd ±0 ±1 ±2 LSB ZAI 模拟电压源推荐电阻值 VAREF=Vdd 0 8 10 KΩ TAD1 A/D 时钟周期 4 − − µs TAD2 A/D 时钟周期 1 − − µs TCN A/D 转换时间 VAREF=Vdd 14 − 14 TAD PSR 电源抑制比 Vdd=Vdd-10% to Vdd+10% ±0 − ±2 LSB 注: VAREF=Vdd=2.5~5.5V Ta= -40~85°C VAREF=Vdd=3~5.5V Ta= -40~85°C 1. 这些参数为理论值，未经测试。 2. 这些参数仅做设计引导，未经测试。 3. 当A/D关闭时，不消耗电流除了少量漏电流。 4. A/D转换结果不会因为输入电压升高而减小，没有丢失码。 5. 规格书如有改动不另行通知。 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 69 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 9.4 比较器特性 比较器电器特性 符号 VOS 参数 输入补偿电压 条件 最小值 典型值 最大值 单位 1 − − 5 mV (Note ) GND − VDD V − − 200 − uA RL = 5.1K (Note ) 2 Vcm 输入普通模式电压范围 ICO 比较器供电流 TRS 响应时间 Vin(-)=2.5V, Vdd=5V, CL=15p (比较器输出负载), 超载=30mV 3 (注意 ) − 0.7 − us TLRS 大信号响应时间 Vin(-)=2.5V, Vdd=5V, CL=15p (比较器输出负载) − 300 − ns VS 工作电压范围 − 2.5 − 5.5 V 注: 1 . 单位增益电路输出电压，超出满输入的普通模式范围。 2 3 . 普通模式输入电压或输入信号电压需低于0.3V。普通模式上限电压是VDD。 . 响应时间规定为100 mV 输入，每一阶为30 mV 的超驱动。 10 AC电器特性 电器特性 EM78F562N/F662N, 0 ≤ Ta ≤ 70°C, VDD=5V, VSS=0V -40 ≤ Ta ≤ 85°C, VDD=5V, VSS=0V 符号 Dclk Tins 参数 输入时钟的占空比 指令周期 (CLKS="0") 条件 最小值 典型值 最大值 单位 − 45 50 55 % 晶振类型 100 − DC ns RC 类型 500 − DC ns Ttcc TCC 输入时间周期 − (Tins+20)/N* − − ns Tdrh 单片机复位持续时间 − 11.8 16.8 21.8 ms Trst /RESET 脉冲宽度 Ta = 25°C 2000 − − ns Twdt 看门狗定时器周期 Ta = 25°C 11.8 16.8 21.8 ms Tset 输入引脚建立时间 − − 0 − ns Thold 输入引脚保持时间 − − 20 − ns Tdelay 输出引脚延迟时间 Cload=20pF − 50 − ns 注: 这些参数为理论值，没有经过测试，仅供参考。 最小值、典型值、最大值栏里的数据是基于 25°C条件下的结果。 * N = 选择预分频比 70 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 附录 A 封装类型 封装类型 引脚数 封装尺寸 EM78F562N/F662ND20 PDIP 20 300 mil EM78F562N/F662NSO20 SOP 20 300 mil EM78F562N/F662ND18 PDIP 18 300 mil EM78F562N/F662NSO18 SOP 18 300 mil EM78F562N/F662ND16 PDIP 16 300 mil EM78F562N/F662NSO16 SOP 16 300 mil EM78F662NQN16A QFN 16 4x4mm SSOP 16 150mil Flash MCU EM78F662NSS16 绿色产品不包含有害物质，符合 Sony SS-00259 第三版本标准 Pb 含量小于 100ppm，Pb 含量符合 Sony 规格说明 项目 EM78F562N/F662NS/J 电镀类型 纯锡 成份(%) Sn:100% 熔点(°C) 232°C 电阻率(µΩ cm) 11.4 硬度(hv) 8~10 伸长 (%) >50% 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 71 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B 封装形式 B.1 EM78F562N/F662ND16 300mil 图 B-1 EM78F562N/F662N 16-pin PDIP封装类型 72 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.2 EM78F562N/F662NSO16 300mil 图 B-2 EM78F562N/F662N 16-pin SOP 封装类型 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 73 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.3 EM78F662NQN16A 4x4mm 图 B-3 EM78F662N 16-pin QFN 封装类型 74 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.4 EM78F662NSS16 150mil Package Type : SSOP-16L EMC(mm ) Symbal A A1 A2 b b1 c c1 D E E1 L e θ Min 1.35 0.10 0.20 0.20 0.18 0.18 4.80 5.79 3.81 0.41 0° Normal 1.63 0.18 0.25 0.20 4.90 5.99 3.91 0.64 .025BASIC - Max 1.75 0.25 1.50 0.30 0.28 0.25 0.23 5.00 6.20 3.99 1.27 8° TITLE: SSOP 16L (150MIL)PACKAGE OUTLINE DIMENSION File : SSOP 16L Edtion: A Unit : mm Scale: Free Material: Sheet:1 of 1 图 B-4 EM78F662N 16-pin SSOP 封装类型 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 75 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.5 EM78F562N/F662ND18 300mil 图 B-5 EM78F562N/F6622N 18-pin PDIP 封装类型 76 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.6 EM78F562N/F662NSO18 300mil 图 B-6 EM78F562N/F6622N 18-pin SOP 封装类型 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 77 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.7 EM78F562N/F662ND20 300mil 图 B-7 EM78F562N/F662N 20-pin PDIP 封装类型 78 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知) EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 B.8 EM78F562/F662NSO20 300mil 图B-8 EM78F562N/F662N 20-pin SOP 封装类型 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (规格书变更不做另行通知) • 79 EM78F562N/F662N 8位微控制器 位微控制器 C 品质保证和可靠性 测试类别 测试条件 可焊性 备注 焊接温度=245±5°C, 使用松香在上面停留 5 秒 – 步骤 1: TCT, 65°C (15mins)~150°C (15mins), 10 cycles 步骤 2: 烘烤在 125°C, TD ( 持续时间)=24 hrs 步骤 3: 湿度在 30°C/60% ，TD (持续时间)=192 hrs 合 SMD IC (例如 SOP, QFP, SOJ, 等) 步骤 4: IR 变化 3 次 前提条件 (Pkg 厚度 ≥ 2.5mm 或 3 Pkg 体积 ≥ 350mm ----225±5°C) (Pkg 厚度 ≤ 2.5mm 或 Pkg 体积 ≤ 350mm ----240±5°C) 3 温度周期测试 -65°C (15mins)~150°C (15mins), 200 次 – 高压锅测试 TA =121°C, RH=100%, 压强=2 atm, TD (持续时间)= 96 小时 – 高温/高湿度测试 TA=85°C , RH=85%, TD ( 持久性) = 168 , 500 小时 – 高温保存期 TA=150°C, TD ( 持续时间) = 500, 1000 小时 – 高温工作寿命 TA=125°C, VCC = 最大工作电压 TD (持续时间) = 168, 500, 1000 小时 – 闩锁效应 TA=25°C, VCC = 最大工作电压, 150mA/20V – ESD (HBM) TA=25°C, ≥∣± 3KV∣ IP_ND,OP_ND,IO_ND IP_NS,OP_NS,IO_NS IP_PD,OP_PD,IO_PD, TA=25°C, ≥ ∣± 300V∣ ESD (MM) C.1 IP_PS,OP_PS,IO_PS, VDD-VSS(+),VDD_VSS (-) 模式 地址缺陷检测 地址缺陷检测是 MCU 嵌入式自动防止故障危害功能的一种，检测 MCU 由噪声或类似 造成的功能故障。无论何时 MCU 试图从 ROM 区获取一条指令，内部恢复电路将自动 开始。如果检测到噪声引起地址错误，MCU 重复执行程序直到噪声消除。 MCU 将继续 执行下一条指令。 80 • 产品规格书 (V1.2) 05.13.2013 (产品规格变更不做另行通知)