产品规格书

EM78P468NB/P470N
8位微控制器
产品规格书
版本1.2
义隆电子股份有限公司.
2012.11
商标告知:
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
目录
1 ...综述 ······················································································································ 1
2 ...产品特性 ··············································································································· 1
3 ...引脚配置 ··············································································································· 2
4 ...引脚描述 ··············································································································· 4
5 ...功能框图 ··············································································································· 7
6 ...功能描述 ··············································································································· 8
6.1
操作寄存器 ····························································································································· 8
6.1.1
R0/IAR (间接寻址寄存器-地址 00H) ···········································································8
6.1.2
R1/TCC (定时时钟计数器-地址 01H)··········································································8
6.1.3
R2/PC (程序计数器-地址 02H) ···················································································8
6.1.4
R3/SR (状态寄存器) ································································································10
6.1.5
R4/RSR (RAM 选择寄存器)······················································································10
6.1.6
SBANK0 R5/Port 5 (Port 5 I/O 数据和寄存器页面选择)···········································11
6.1.7
SBANK0 R6/Port 6 (Port 6 I/O 数据寄存器)·····························································11
6.1.8
SBANK0 R7/Port 7 (Port 7 I/O 数据寄存器)·····························································11
6.1.9
SBANK0 R8/Port 8 (Port 8 I/O 数据寄存器)·····························································11
6.1.10 SBANK0 R9/LCDCR (LCD 控制寄存器) ··································································12
6.1.11
SBANK0 RA/LCD_ADDR (LCD 地址)······································································12
6.1.12 SBANK0 RB/LCD_DB (LCD 数据缓存器) ································································13
6.1.13 SBANK0 RC/CNTER (计数器使能寄存器) ·······························································13
6.1.14 SBANK0 RD/SBPCR (系统, 驱动频率 和 PLL 控制寄存器) ·····································14
6.1.15 SBANK0 RE/IRCR (IR & Port 引脚功能设置寄存器)················································16
6.1.16 SBANK0 RF/ISR (中断状态寄存器) ·········································································17
6.1.17 SBANK1 R5/TBRDH (TBRD 高字节地址)································································17
6.1.18 SBANK1 R6/TBRDL (TBRD 低字节地址)·································································18
6.1.19 通用寄存器(地址: 10h~3Fh; R10~R3F )···································································18
6.2
特殊功能寄存器-累加器 ········································································································ 18
6.2.1
A (累加器) ·················································································································18
6.2.2
IOC Page 0 (IOC50 ~ IOCF0, R5 的第 0 位= “0”) ··················································18
6.2.3 IOC Page 1 (IOC61 ~ IOCE1, R5 的第 0 位= “1”) ·······················································21
6.3
TCC 和 WDT 预分频器········································································································· 26
6.3.1 TCC 设置流程图 ·········································································································27
6.3.2 WDT 设置流程图 ·········································································································28
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• iii
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.4
6.6
I/O Ports ······························································································································· 29
6.5.1
寄存器初始值概要 ····································································································30
6.5.2
唤醒和中断模式概要·································································································33
LVR (低电压复位) ················································································································· 34
6.6.1
6.7
低电压复位 ···············································································································34
振荡器··································································································································· 34
6.7.1
振荡器模式 ···············································································································34
6.7.2
锁相环(PLL 模式)······································································································35
6.7.3
晶体振荡器/陶瓷谐振器(晶振)···················································································35
6.7.4
带内部电容的 RC 振荡模式 ······················································································36
6.8 上电问题·································································································································· 36
6.9
6.8.1
外部上电复位电路 ····································································································37
6.8.2
残余电压保护············································································································37
中断 ······································································································································ 38
6.10 LCD 驱动 ······························································································································ 39
6.10.1 R9/LCDCR (LCD 控制寄存器)··················································································39
6.10.2 RA/LCD_ADDR (LCD 地址) ·····················································································40
6.10.3 RB/LCD_DB (LCD 数据寄存器) ···············································································40
6.10.4 RD/SBPCR (系统时钟、驱动频率及 PLL 频率控制寄存器)······································41
6.11 红外遥控应用/PWM 波形的产生 ··························································································· 45
6.11.1
IROUT 输出波形图 ··································································································46
6.11.2 IR/PWM 功能使能流程图 ··························································································48
6.12 代码选项 ······························································································································· 49
6.12.1
代码选项寄存器(Word 0) ·························································································49
6.12.2
代码选项寄存器 (Word 1) ························································································50
6.12.3 代码选项寄存器(Word 2) ··························································································50
6.13
指令集·································································································································· 50
6.13.1
指令集表 ··················································································································51
7...时序图················································································································· 53
7.1
AC 测试输入/输出波形图······································································································ 53
7.2
复位时序(CLK = “0”) ············································································································· 53
7.3
TCC 输入时序(CLKS = “0”) ·································································································· 53
8...最大绝对值 ········································································································· 55
iv •
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
9...电气特性 ············································································································· 55
9.1
DC 电气特性························································································································· 55
9.2
AC 电气特性 ························································································································· 57
附录
A...封装类型 ············································································································· 58
A.1
绿色产品承诺························································································································ 58
B...封装信息 ············································································································· 59
B.1 QFP – 64 ································································································································· 59
B.2 LQFP – 64 ······························································································································· 60
B.3 LQFP – 44 ······························································································································· 61
B.4 QFP – 44 ································································································································· 62
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•v
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
修订本规格历史
版本号
1.0
修订本描述
日期
初版
2010/10/11
1.修改了产品特点的章节
2.修改了引脚描述的章节
1.1
3.修改了功能描述中的各个寄存器的排列
2011/07/05
4.新增了一个 LVR 功能描述
5.修改了代码选项寄存器的章节
6.修改了指令集表格相关章节
1.修改了 44 引脚的封装类型名称
1.2
vi •
2.在产品特点章节和其他相关章节删除了
EM78P468NBQ64A 的封装类型,附录章节也做了修改。
2012/11/30
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
综述
1
EM78P468NB/P470N 是采用低功耗高速 CMOS 工艺设计开发的 8 位微控制器。该芯片集成有
WDT、RAM、ROM、可编程实时时钟计数器,内部/外部中断、省电模式、LCD 驱动器、红
外发射功能和三态 I/O 口。它的内部有一个 4KX13 位一次性可编程存储器(OTP-ROM)。它提
供多个保护位用于防止用户在 OTP-ROM 中的程序被读取,拥有 7 个代码选项位以满足用户
定置代码选项的需要,尤其同时提供了 13 位用户 ID 选项。
.EM78P468NB/P470N 具有增强的OTP-ROM特性,方便了用户开发和校验程序。另外,利用
开发编程工具,OTP单片机具备简单高效的代码更新的优点。用户可以使用义隆烧录器轻松
地烧写开发代码。
产品特性
2
CPU 配置
„
„
•
8位实时时钟/计数器(TCC)
•
144字节通用寄存器
•
1个红外发射器/PWM发生器
•
128字节片内RAM
•
272字节SRAM
•
8级堆栈用于子程序嵌套
•
4个可编程复位电压(LVR):4.0V,3.5V,2.7V,
1.7V(POR)
通常有,12个双向三态I/O口.
•
4 个 8 位可自动载入下溢计数/定时器,可用于中断源
♦
♦
z
16 个双向三态 I/O 口与 LCD 段输出共用
工作电压和工作温度范围:
•
商业级: 2.1V ~ 5.5V. (at 0°C~+70°C)
•
工业级: 2.3V ~ 5.5 V. (at -40°C ~+85°C)
„
低速模式: CPU 工作于副频(Fs),而主频(Fm)停止振
荡
•
•
空闲模式: CPU 闲置, 但 LCD 驱动仍在工作
休眠模式: 整个芯片停止工作
♦
输入端口从空闲或休眠模式唤醒功能 (Port 6, Port
8).
♦
工作频率: DC ~ 10MHz 时钟输入
♦
双时钟工作模式
振荡器模式
• 高频振荡器可从晶振、RC 或 PLL(锁相环)模式中选
择其中一种模式
•
•
内部中断源:TCC、计数器1、计数器2、高/低电平
脉宽定时器
•
外部中断源:INT0、INT1及引脚状态改变唤醒(Port
6和 Port 8)中断
低频振荡器可选择晶振或RC模式
LCD 电路
4 个公共驱动引脚
• 32 个字段驱动引脚
正常模式: CPU 工作于主频(Fm)
•
可编程的自由运行片内看门狗定时器(WDT). 该
功能可工作于正常模式, 低速模式和空闲模式.
8 个中断源,包括 3 个外部中断 5 个内部中断
•
工作模式:
计数器1:独立下溢计数器
计数器 2:与红外发射(IR)功能共用的高电平脉
宽定时器(HPWT)和低电平脉宽定时器(LPWT)
♦
28个双向三态I/O口
•
„
•
I/O端口结构
•
„
外围配置
4K×13位片内OTP-ROM
•
„
„
•
„
•
LCD 偏压: 1/3, 1/2 偏压
•
LCD 占空比: 1/4, 1/3, 1/2 占空比
封装类型:
•
晶元形态: 59引脚
•
QFP-64 引脚: EM78P468NBQ64
(尺寸14mm × 20mm)
•
LQFP-64 引脚: EM78P468NBL64
(尺寸7mm × 7mm)
•
LQFP-44 引脚: EM78P470NL44
(尺寸10mm × 10mm)
•
QFP-44 引脚: EM78P470NQ44
(尺寸10mm × 10mm)
注: 绿色产品不包含有害物质。
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•1
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
3
引脚配置
图. 3-1 64 引脚 QFP EM78P468NBQ64
图. 3-2 64 引脚 LQFP EM78P468NBL64
2•
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
3
3
3
2
3
1
3
0
2
9
2
8
2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
SEG27/P83
34
22
P55/INT1 (DINCLK)
SEG26/P82
35
21
P54/INT0 (ACLK)
SEG25/P81
36
20
XOUT
SEG24/P80
37
19
XIN
SEG23/P77
38
SEG22/P76
39
SEG21/P75
SEG20/P74
18
VDD
17
OSCO
40
16
R-OSCI
41
15
GND
SEG19/P73
42
14
/RESET
SEG18/P72
43
13
VLCD3
SEG17/P71
44
12
VLCD2
EM78P470NQ44
EM78P470NL44
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
图. 3-3 44 引脚QFP EM78470NQ44 /LQFP EM78P470NL44的引脚描述
说明:上面的图中箭头表示引脚具体功能如下:
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
•3
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
4 引脚描述
符号
P54/INT0
(ACLK)
P55/INT1
(DINCK)
作用
输入
类型
输出
类型
P54
ST
CMOS
INT0
ST
-
(ACLK)
ST
P55
ST
INT1
ST
双向 I/O 引脚
外部中断引脚,INT0 的中断信号沿可以通过 IOC71 的位
7(INT_EDGE)设置为上升沿或者下降沿
引脚状态改变时能够从休眠及空闲模式中唤醒
ACLK 引脚用于烧入程式
CMOS
-
双向 I/O 引脚
外部中断引脚
外部中断源是下降沿信号.
引脚状态改变时能够从休眠及空闲模式中唤醒
DINCK 引脚用于烧入程式
(DINCK)
ST
P56
ST
CMOS
TCC
ST
-
TCC 的外部输入引脚
(DATAIN
)
ST
-
DATAIN 引脚用于烧入程式
P57
ST
CMOS
IROUT
ST
-
P60
ST
CMOS
(OEB)
ST
-
P61
ST
CMOS
(PGM)
ST
P62
P62
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P63
P63
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P64
P64
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P65
P65
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P66
P66
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P67
P67
ST
CMOS
双向 I/O 引脚,可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
P56/TCC
(DATAIN)
P57/IROUT
P60
(OEB)
P61
(PGM)
COM3~0
AN
SEG0~15
SEG0~15
AN
SEG16
AN
P70
ST
SEG17
SEG17/P71
P71
SEG18
SEG18/P72
P73
CMOS
AN
ST
CMOS
AN
ST
双向 I/O 引脚
该引脚可工作于正常/低速/空闲模式
双向 I/O 引脚
该引脚能够灌入的电流达 20mA/5V.
IR/PWM 模式输出引脚
可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
OEB 引脚用于烧入程式
可编程拉高、拉低和漏极开路功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
PGM 引脚用于烧入程式
COM3~0
SEG16/P70
4•
功能描述
CMOS
LCD 公共输出引脚.
LCD 段输出引脚.
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
符号
作用
输入
类型
SEG19
输出
类型
AN
SEG19/P73
P73
ST
SEG20
SEG20/P74
P74
AN
ST
SEG21
SEG21/P75
P75
P76
ST
P77
ST
P80
ST
P81
ST
P82
ST
P83
ST
P84
ST
ST
AN
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
AN
P86
P87
CMOS
AN
ST
SEG31
VB
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
VB
ST
SEG30
SEG31/P87
CMOS
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
LCD 段输出引脚
双向 I/O 引脚,可编程拉高功能
引脚状态改变时能够将单片机从休眠和空闲模式中唤醒
为得到 LCD 偏压 该引脚与电容连接
P85
SEG30/P86
CMOS
AN
SEG29
SEG29/P85
CMOS
AN
SEG28
SEG28/P84
CMOS
AN
SEG27
SEG27/P83
CMOS
AN
SEG26
SEG26/P82
CMOS
AN
SEG25
SEG25/P81
CMOS
AN
SEG24
SEG24/P80
CMOS
AN
SEG23
SEG23/P77
CMOS
AN
SEG22
SEG22/P76
CMOS
功能描述
CMOS
AN
ST
CMOS
VA
AN
为得到 LCD 偏压 该引脚与电容连接
VLCD2
VLCD2
AN
LCD 偏压连接引脚.
VLCD3
VLCD3
AN
LCD 偏压连接引脚.
仅用于输入引脚
低电平有效,当保持逻辑低电平时芯片将复位
Vpp 引脚用于烧录程式时用
晶振模式时:晶振输入
RC 模式时:接上拉电阻.
PLL 模式时:接 0.01µF 电容到地
当不使用高频振荡器时,该脚必须连接 0.01uF 的电容到地并
选择 PLL 模式。
VA
/RESET(VPP)
R-OSCI
/RESET
ST
VPP
ST
R-OSCI
AN
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•5
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8位微控制器
符号
OSCO
输出
类型
OSCO
Xin
Xin
Xout
Xout
NC
输入
类型
作用
功能描述
XTAL
XTAL
XTAL
−
晶振模式时:晶振输入
RC 模式时:指令时钟输出
晶振模式时:副振荡器输入端,接 32.768KHz 晶振
晶振模式时:接 32.768KHz 晶振
RC 模式时:指令时钟输出
无连接
NC
-
VDD
VDD
POWER
电源
GND
GND
POWER
接地
说明: ST:施密特触发输入,
CMOS: CMOS输出
AN: 模拟引脚
XTAL: 晶振或振荡器的振荡引脚
引脚状态使能功能
引脚功能
I/O 状态
引脚控制
I/O 方向
引脚改变 WK/Int.
拉高
拉低
通用输入
输入
S/W
S/W
S/W
S/W
通用输出
输出
禁止
S/W
S/W
S/W
TCC
输入
禁止
S/W
S/W
S/W
LCD 驱动
输入
禁止
禁止
禁止
S/W
TC-OUT
输出
禁止
Init: 使能
S/W
S/W
Reset
输入
禁止
S/W
S/W
S/W
EX_INT
输入
禁止
S/W
S/W
S/W
OSCI
输入
禁止
禁止
禁止
S/W
OSCO
输入
禁止
禁止
禁止
S/W
O.D.
禁止 → 一直禁止
使能 → 一直使能
S/W → 可由寄存器控制,初始值设置为”禁止”
1. 如果引脚不是工作在通用 I/O,需将引脚状态改变唤醒/中断功能禁止。
2. 优先级: 数位功能输出>数位功能输入> 通用 I/O 功能
6•
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5
功能框图
图. 5-1 系统功能结构图
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•7
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8位微控制器
6 功能描述
6.1 操作寄存器
6.1.1
R0/IAR (间接寻址寄存器-地址00H)
(地址: 00h)
R0并非一个实际的物理寄存器,其主要功能是作为间接寻址指针。任何对R0进行操作的
指令,实际上是存取由RAM选择寄存器R4所指定的内容。
6.1.2
R1/TCC (定时时钟计数器-地址01H)
(地址: 01h)
它用于对外加在TCC引脚上的脉冲或内部时钟进行计数,同其它寄存器一样它可以由程
序进行读/写操作。.
6.1.3
R2/PC (程序计数器-地址02H)
(地址: 02h)
„
图. 6-1描述了R2的结构,程序计数器的组成.
图6-1 程序计数器组成
„
该结构产生4K×13位片内ROM地址以获取对应程式指令代码.
„
复位后,R2所有位被清零.
„
"JMP"指令允许直接装载程序计数器的低10位,因此,”JMP”指令跳转范围为一个程
序页面内。
„
"CALL"指令装载PC的低10位,然后PC+1压入堆栈。因此,子程序入口地址可以位
于一个程序页的任何地方.
„
"RET" ("RETL k", "RETI")指令将栈顶的数据载入PC中。.
„
"ADD R2, A"允许把A的值加到当前PC上,同时PC 的第九位第十位根据实际情况增
加。
8•
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„
"MOV R2, A"允许将A寄存器的地址装载到PC的低8位,同时PC的第九位及第十位
(A8 ~ A9)保持不变。.
„
当执行“JMP”、“CALL”指令时,PC的高位(A10~A11)将装入状态寄存器R3中的
PS0~PS1位。
6.1.3.1
数据存储器结构
图. 6-2 数据存储器结构
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•9
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
R3/SR (状态寄存器)
6.1.4
(地址: 03h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
PS1
PS0
T
P
Z
DC
C
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7: 未使用.
Bits 6 ~ 5 (PS1 ~ PS0): 页选择位
PS1
PS0
ROM 页 (地址)
0
0
页 0 (000H ~ 3FFH)
0
1
页 1 (400H ~ 7FFH)
1
0
页 2 (800H ~ BFFH)
1
1
页 3 (C00H ~ FFFH)
PS0~PS1用来作程序存储器ROM的页选. 用户可以利用 PAGE 指令 (例如 PAGE 1) 或者
通过设置 PS1~PS0 位来改变程序存储器的页面。当执行"JMP"、"CALL",或者其他可以
改变程序计数器的指令(例如 MOV R2, A)时,PS0~PS1会被装载到程序计数器的第11和
12位中,即所选的程序存储器中的一页。注意RET (RETL, RETI) 等指令不会改变PS0~PS1
位的值,因此不管当前PS0~PS1设置如何,在程序返回时总会回到子程序被调用时所在
的页面
Bit 4 (T): 时间溢出位。当执行”SLEP”、”WDTC”指令或系统上电时,置该位为“1”;当
WDT溢出时,该位清为“0”。
事件
T
P
备注
休眠模式下 WDT 溢出唤醒
0
0
−
WDT 溢出(不在休眠模式)
0
1
−
休眠模式下复位唤醒
1
0
−
上电复位
1
1
−
复位引脚处于低脉冲状态
1
1
×: 忽略
Bit 3 (P): 掉电位。当系统上电或执行”WDTC”指令后,置该位为”1”;当执行”SLEP”指
令后,该位清为”0”。
Bit 2 (Z): 零标志位
Bit 1 (DC): 辅助进位标志
Bit 0 (C): 进位标志
6.1.5
R4/RSR (RAM 选择寄存器)
(地址: 04h)
10 •
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
RBS1
RBS0
RSR5
RSR4
RSR3
RSR2
RSR1
RSR0
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Bits 7 ~ 6 (RBS1 ~ RBS0): 用来决定4个BANK中哪一个处于激活状态.
数据存储器组成见图. 6-2。用户可以通过“BANK”指令(例如 BANK 1)来改变
BANK。.
Bits 5 ~ 0 (RSR5 ~ RSR0): 在间接寻址方式中用来选择64个寄存器(地址: 00~3F),如果不
作为间接寻址使用,RSR也可被用作8位通用读/写寄存器。
SBANK0 R5/Port 5 (Port 5 I/O 数据和寄存器页面选择)
6.1.6
(地址: 05h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
P57
P56
P55
P54
-
-
-
IOCPAGE
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~4(P57 ~ P54): Port5的4位双向I/O寄存器
用户可使用IOC50寄存器来设置各位是作为输入或输出状态。.
Bits 3~1: 未使用.
Bit 0 (IOCPAGE): 改变IOC5~IOCF到另一页面
IOCPAGE = “0” : 页 0 (选择寄存器IOC 50 ~IOC F0)
IOCPAGE = “1” : 页1 (选择寄存器 IOC 61 ~ IOC E1)
6.1.7
SBANK0 R6/Port 6 (Port 6 I/O 数据寄存器)
(地址: 06h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
P67
P66
P65
P64
P63
P62
P61
P60
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0 (P67 ~ P60): 8- Port6的8位双向I/O寄存器
用户可使用IOC60寄存器来设置各个IO位作为输入或者输出状态。
6.1.8
SBANK0 R7/Port 7 (Port 7 I/O 数据寄存器)
(地址: 07h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
P77
P76
P75
P74
P73
P72
P71
P70
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0(P77 ~ P70): Port7的8位双向I/O寄存器
用户可使用IOC70寄存器来设置各个IO位作为输入或者输出状态。
6.1.9
SBANK0 R8/Port 8 (Port 8 I/O 数据寄存器)
(地址: 08h)
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 11
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
P87
P86
P85
P84
P83
P82
P81
P80
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0 (P87 ~ P80): Port8的8位双向I/O寄存器
用户可使用IOC80寄存器来设置各个IO位作为输入或者输出状态。
6.1.10 SBANK0 R9/LCDCR (LCD 控制寄存器)
(地址: 09h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
BS
DS1
DS0
LCDEN
-
LCDTYPE
LCDF1
LCDF0
R/W
R/W
R/W
R/W
-
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (BS): LCD偏压选择位,
BS = “0”: 1/2偏压
BS = “1”: 1/3偏压
Bit 6 ~ 5 (DS1 ~ DS0): LCD duty select
DS1
DS0
LCD 占空比
0
0
1/2 duty
0
1
1/3 duty
1
×
1/4 duty
Bit 4 (LCDEN): LCD 使能位
LCDEN = “0”: LCD电路关闭。所有公共驱动/段输出设置为低电平.
LCDEN = “1”: LCD电路使能.
Bit 3: 未使用.
Bit 2 (LCDTYPE): LCD 的驱动波形类型选择位
LCDTYPE = “0” : A 类波形
LCDTYPE = “1” : B 类波形
Bits 1 ~ 0 (LCDF1 ~ LCDF0): LCD 帧频控制位
LCDF1
LCD 帧频(例. Fs=32.768kHz)
LCDF0
1/2 Duty
1/3 占空比
1/4 占空比
0
0
Fs/(256×2)=64.0
Fs/(172×3)=63.5
Fs/(128×4)=64.0
0
1
Fs/(280×2)=58.5
Fs/(188×3)=58.0
Fs/(140×4)=58.5
1
0
Fs/(304×2)=53.9
Fs/(204×3)=53.5
Fs/(152×4)=53.9
1
1
Fs/(232×2)=70.6
Fs/(156×3)=70.0
Fs/(116×4)=70.6
注: Fs: 副频振荡频率
6.1.11 SBANK0 RA/LCD_ADDR (LCD 地址)
(地址: 0Ah)
12 •
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8位微控制器
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
LCD_A4
LCD_A3
LCD_A2
LCD_A1
LCD_A0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~5: 未使用.
Bits 4~0 (LCDA4 ~ LCDA0): LCD RAM 地址
RB (LCD 数据缓存器)
RA
(LCD 地址)
Bits 7 ~4
00H
−
−
−
−
−
SEG0
01H
−
−
−
−
−
SEG1
02H
−
−
−
−
−
SEG2
Bit 3
Bit 2
(LCD_D3) (LCD_D2)
|
Bit 1
Bit 0
(LCD_D1) (LCD_D0)
|
−
1DH
−
段
|
−
−
−
SEG29
1EH
−
−
−
−
−
SEG30
1FH
−
−
−
−
−
SEG31
COM3
COM2
COM1
COM0
×
Common
6.1.12 SBANK0 RB/LCD_DB (LCD 数据缓存器)
(地址: 0Bh)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
LCD_D3
LCD_D2
LCD_D1
LCD_D0
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~4: 未使用.
Bits 3~0 (LCD_D3 ~ LCD_D0) : LCD RAM 数据传输寄存器
6.1.13 SBANK0 RC/CNTER (计数器使能寄存器)
(地址: 0Ch)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
LPWTEN
HPWTEN
CNT2EN
CNT1EN
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~4: 未使用.
Bit 3 (LPWTEN): 低电平脉宽定时器使能位
LPWTEN = “0” : 禁止 LPWT. 停止计数操作.
LPWTEN = “1” : 使能 LPWT. 开始计数操作
Bit 2 (HPWTEN): 高电平脉宽定时器使能位
HPWTEN = “0” : 禁止 HPWT. 停止计数操作..
HPWTEN = “1” : 使能 HPWT. 开始计数操作.
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• 13
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Bit 1 (CNT2EN): 计数器 2 使能位
CNT2EN = “0” : 禁止计数器 2. 停止计数操作.
CNT2EN = “1” : 使能 计数器 2. 开始计数操作.
Bit 0 (CNT1EN): 计数器1使能位
CNT1EN = “0” : 禁止计数器 1. 停止计数操作
CNT1EN = “1” : 使能计数器 1. 开始计数操作
6.1.14 SBANK0 RD/SBPCR (系统, 驱动频率 和 PLL 控制寄存器)
(地址: 0Dh)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
SBANK
CLK2
CLK1
CLK0
IDLE
BF1
BF0
CPUS
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7(SBANK): 特殊寄存器 0x05 ~ 0x06 bank 选择位
0: SBANK 0
1: SBANK 1
Bits 6 ~ 4 (CLK2 ~ CLK0): PLL模式(在代码选项中选择)时主时钟选择位
CLK2
CLK1
CLK0
主时钟
例 Fs=32.768K
0
0
0
Fs×130
4.26 MHz
0
0
1
Fs×65
2.13 MHz
0
1
0
Fs×65/2
1.065 MHz
0
1
1
Fs×65/4
532 kHz
1
×
×
Fs×244
8 MHz
Bit 3 (IDLE): 空闲模式使能位. 该位决定执行“SLEP”指令后进入哪一种模式.
Idle = ”0”+SLEP 指令 → 休眠模式
Idle = ”1”+SLEP 指令 → 空闲模式
注意
SLEP 指令后面必须加NOP指令
例如:
空闲模式 : Idle 位 = “1” +SLEP 指令 + NOP指令
休眠模式 : Idle位= “0” +SLEPi指令+ NOP指令
Bits 2, 1 (BF1, BF 0): LCD驱动频率选择位以适应VLCD 2, 3驱动.
BF1
BF0
驱动频率
0
0
Fs
0
1
Fs/4
1
0
Fs/8
1
1
Fs/16
Bit 0 (CPUS): CPU振荡源选择, 当CPUS=0, CPU 选择选择副振荡器,主振荡器停止工作。
CPUS = “0”: 副振荡器 (Fs)
CPUS = “1”: 主振荡器 (Fm)
14 •
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CPU 工作模式
图. 6-3 CPU 工作模式
注意
(*)
如果休眠模式前使能了看门狗功能,一些电路像定时器(它的时钟源是副频)必定停止计
数。
如果休眠模式前使能了看门狗功能,一些电路像定时器(它的时钟源是外部引脚)仍会计
数,并且它的中断标志位在条件匹配时仍然有效。但是CPU不会被该事件唤醒。
(**)
工作模式从休眠模式->正常模式,低速模式->正常模式的转换:
如果定时器的时钟源是主频,定时/计数器在休眠或低速模式下必定停止计数。之后在正
常模式下时钟源稳定后定时器可以继续正常工作。时钟源稳定表示CPU在正常l模式下开
始工作。
工作模式从休眠模式->低速模式的转换
定时器的时钟源是副频时,定时器在休眠模式下必定停止计数。之后在低速模式下时钟
源稳定后定时器可以继续正常工作。时钟源稳定表示CPU在低速模式开始工作。
工作模式从休眠模式->正常模式的转换
如果定时器的时钟源是副频,定时器在休眠模式下必定停止计数。之后在正常l模式下时
钟源稳定后定时器可以继续工作。时钟源稳定工作表示CPU开始工作在正常模式。
主频
副频
上电
LVR
引脚复位 WDT
N/G/I
S
IRC
16ms + WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 8*1/Fmain
XT
16ms + WSTO + 510*1/Fsub
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fsub
IRC
16ms + WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fmain
XT
16ms + WSTO + 510*1/Fsub
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fsub
IRC
XT
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 15
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8位微控制器
主频
IRC
XT
主频
IRC
XT
副频
GÆN
IÆN
SÆN
IRC
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 8*1/Fmain
XT
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 8*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fsub
IRC
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fmain
XT
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fmain
WSTO + 510*1/Fsub
副频
IÆG
SÆG
IRC
WSTO + 8*1/Fsub
WSTO + 8*1/Fsub
XT
WSTO + 8*1/Fsub
WSTO + 510*1/Fsub
IRC
WSTO + 8*1/Fsub
WSTO + 8*1/Fsub
XT
WSTO + 8*1/Fsub
WSTO + 510*1/Fsub
WSTO:振荡的起始时间
N: 正常模式, G: 低速模式, I: 空闲模式, S: 休眠模式
6.1.15 SBANK0 RE/IRCR (IR & Port 引脚功能设置寄存器)
(地址: 0Eh)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IRE
HF
LGP
-
IROUTE
TCCE
EINT1
EINT0
R/W
R/W
R/W
-
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (IRE): 红外发射使能位
IRE = “0” : 关闭 IR/PWM 功能. P5.7/IROUT口的状态通过IOC50的第7位来定义。.
IRE = “1” : 使能IR 或PWM 功能.
Bit 6 (HF): 高频载波控制位
HF = “0” : 选用PWM模式,禁止H/W调制功能。. 根据高电平脉宽定时器和低电平
脉宽定时器分别决定高低脉冲宽度,从而确定IROUT输出波形。计数器
2是一个独立的自动装载的定时器.
HF = “1” : 选用IR模式,使能H/W调制功能。,产生脉冲的低电平时间由载波频率来
调制。载波频率由计数器2提供。
Bit 5 (LGP): IROUT 低脉冲宽度定时器
LGP = “0” : 高电平脉宽定时器寄存器和低电平脉宽定时器使能
LGP = “1” : 不使用高电平脉宽定时寄存器,IROUT波形仅由低电平脉宽定时器决
定。
Bit 4: 未使用.
Bit 3 (IROUTE): 定义 P57/IROUT 引脚的功能.
IROUTE = “0” P57为双向I/O脚.
IROUTE = “1” : IR/PWM输出功能。I/O控制寄存器中的P5.7(IOC50中第7位)必
须设置为”0”。
16 •
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Bit 2 (TCCE): 定义 P5.6/TCC 引脚功能。
TCCE = “0” : P5.6为双向I/O引脚.
TCCE = “1” : 外部TCC输入。I/O控制寄存器中的P5.6(IOC50中第6位)必须置”1”。
Bit 1 (EINT1): 定义 P55/INT1 引脚的功能.
EINT1 = “0” : P5.5为双向I/O引脚。.
EINT1 = “1” : 外部中断INT1引脚。I/O控制寄存器中的P5.5(IOC50中第5位)必须
置”1”。
Bit 0 (EINT0) : 定义 P5.4/INT0 引脚的功能。
EINT0 = “0” : P5.4为双向通用I/O引脚。
EINT0 = “1” : 外部中断INT0引脚。I/O控制寄存器中的P5.4(IOC50中第4位)必须
置”1”。
6.1.16 SBANK0 RF/ISR (中断状态寄存器)
(地址: 0Fh)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
ICIF
LPWTF
HPWTF
CNT2F
CNT1F
INT1F
INT0F
TCIF
当中断发生时这些位分别置“1”。
Bit 7 (ICIF): Port 6, Port 8,输入状态改变中断标志位,当Port 6,Port 8输入改变时置”1”。
Bit 6 (LPWTF): 内部低电平脉宽定时器下溢标志位.
Bit 5 (HPWTF): 内部高电平脉宽定时器下溢标志位.
Bit 4 (CNT2F): 内部计数器2下溢标志位
Bit 3 (CNT1F): 内部计数器1下溢标志位.
Bit 2 (INT1F): 外部INT1引脚中断标志位.
Bit 1 (INT0F): 外部INT0引脚中断标志位.
Bit 0 (TCIF): TCC定时溢出标志位,当TCC溢出时置”1”
6.1.17
SBANK1 R5/TBRDH (TBRD 高字节地址)
(地址: 05h)
Bit 0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
HLB
-
-
-
RBit11
RBit10
RBit9
RBit8
R/W
-
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (HLB): 取MLB或LSB机器码
HLB = “0”: 低 8 位机器码.
HLB = “1”: 低 5 位机器码.
Bits6 ~ 4: 未用
Bits 3~0(RBit11 ~ RBit8): 可编程ROM的高字节地址.
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• 17
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8位微控制器
6.1.18 SBANK1 R6/TBRDL (TBRD低字节地址)
(Address: 06h)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
RBit7
RBit6
RBit5
RBit4
RBit3
RBit2
RBit1
RBit0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0 (RBit7~RBit0): 可编程ROM的低字节地址.
6.1.19
通用寄存器(地址: 10h~3Fh; R10~R3F )
R10~R1F and R20~R3F (Banks 0~3)是通用寄存器.
6.2 特殊功能寄存器-累加器
6.2.1 A (累加器)
A累加器的暂存功能通常用于内部数据传输或指令操作数的暂存,是一个不可寻址的寄
存器。
6.2.2
IOC Page 0 (IOC50 ~ IOCF0, R5 的第0位= “0”)
6.2.2.1
IOC50/P5CR (Port 5 I/O and Ports 7, 8 for LCD 段控制寄存器)
(地址: 05h, R5 的第 0 位 = “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IOC57
IOC56
IOC55
IOC54
P8HS
P8LS
P7HS
P7LS
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~4 (IOC57~54): Port 5 I/O 方向控制寄存器
IOC5x = “0”: 设置相关P5x I/O 作为输出口
IOC5x = “1”: 设置相关P5x I/O呈高阻状态(作为输入口)
Bit 3 (P8HS): 当SEGxx/P8.x 引脚共用,设置是Port 8的 高四位作为I/O口还是作为LCD的
段输出.
P8HS = “0”: 选择Port 8的高4位选择P84~P87作为一般I/O口
P8HS = “1”: 选择作为LCD的段输出SEG 28~SEG 31
Bit 2 (P8LS): 当SEGxx/P8.x 引脚共用,设为Port8的低四位作为I/O口还是作为LCD的段
输出
P8LS = “0”: 选择Port 8的低4位选择P80~P83 作为一般I/O口
P8LS = “1”: 选择作为LCD的段输出SEG 24~SEG 27
Bit 1 (P7HS): 当SEGxx/P7.x 引脚共用,设置Port7的高四位作为I/O口还是作为LCD的段
输出。
P7HS = “0”: 选择Port 8的高4位, P74~P77 作为一般I/O口
P7HS = “1”: 选择作为LCD的段输出SEG 20~SEG 23
18 •
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Bit 0 (P7LS): 当SEGxx/P7.x 引脚共用,设置Port7的低四位作为I/O口还是作为LCD的段
输出
P7LS = “0”: 选择Port 7的低4位P70~P73作为一般I/O口
P7LS = “1”: 选择作为LCD的段输出SEG 16~SEG 19
6.2.2.2
IOC60/P6CR (Port 6 I/O 控制寄存器)
(地址: 06h, R5 的第 0 位 = “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IOC67
IOC66
IOC65
IOC64
IOC63
IOC62
IOC61
IOC60
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7 ~ 4 (IOC67 ~ IOC60): Port 6 I/O 方向控制寄存器
IOC6x =”0”: 设置相关I/O引脚P6.x作为输出
IOC6x =”1”: 设置相关I/O引脚P6.x呈高阻状态(作为输入口)
6.2.2.3
IOC70/P7CR (Port 7 I/O 控制寄存器)
(地址: 07h, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IOC77
IOC76
IOC75
IOC74
IOC73
IOC72
IOC71
IOC70
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0 (IOC77 ~ IOC70): Port 7 I/O 方向控制寄存器
IOC7x = “0”: 设置相关I/O引脚P7.x作为输出
IOC7x = “1”: 设置相关I/O引脚P7.x呈高阻状态(作为输入口)
6.2.2.4
IOC80/P8CR (Port 8 I/O 控制寄存器)
(地址: 08h, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IOC87
IOC86
IOC85
IOC84
IOC83
IOC82
IOC81
IOC80
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit s7~0 (IOC 87 ~ IOC 80): Port 8 I/O 方向控制寄存器
IOC8x = “0”: 设置相关I/O引脚P8.x作为输出
IOC8x = “1”: 设置相关I/O引脚P8.x呈高阻状态(作为输入口)
6.2.2.5
IOC90/RAM_ADDR (128 字节 RAM 地址)
(地址: 09h, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
RAM_A6
RAM_A5
RAM_A4
RAM_A3
RAM_A2
RAM_A1
RAM_A0
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 19
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8位微控制器
Bit 7: 未使用, 固定为“0”.
Bits 6~0 (RAM_A6 ~ RAM_A0): 128 字节RAM 地址
6.2.2.6
IOCA0/RAM_DB (128 字节 RAM 数据缓存)
(地址: 0Ah, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
RAM_D7
RAM_D6
RAM_D5
RAM_D4
RAM_D3
RAM_D2
RAM_D1
RAM_D0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7~0(RAM_D7 ~RAM_D0): 128 字节 RAM 数据传输寄存器
6.2.2.7 IOCB0/CNT1PR (计数器 1 预设值寄存器)
(地址: 0Bh, , R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0: 计数器 1 缓存,可读写。八位递减计数器1的缓存器,可供用户读写其预设
初值. 中断产生后,将自动装载预设初值.
6.2.2.8
IOCC0/CNT2PR (计数器 2 预设值寄存器)
(地址: 0Ch, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0: 计数器2 缓存,可读写. 八位递减计数器2的缓存器,可供用户读写其预设
初值。它的预分频比是通过IOC91 寄存器来设置的。中断产生后,自动装载预设初值.
当使能红外发射输出时,设置该控制寄存器可以获得载波频率输出.
如果计数器2的时钟频率等于FT , 则
载波频率 (Fcarrier) =
6.2.2.9
FT
2 × (预设值 + 1) × 预预预预
IOCD0/HPWTPR (高电平脉宽定时器预设值寄存器)
(地址: 0Dh, R5 的第 0 位= “0”)
20 •
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
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8位微控制器
Bit 7 ~ Bit 0: 可读写的高电平脉宽定时器缓冲器,它是八位递减的计数器,用户可以通
过IOCD0来预设初值并且可读取该值。它的预分频比是通过IOCA1 寄存器来设置的。中
断产生后,自动装载预设初值。
在PWM或IR应用中,该寄存器用来设置高电平脉宽.
如果高电平脉宽时钟源频率为FT , 则
高电平宽度 = 预预预预 × (预设值 + 1)
FT
6.2.2.10 IOCE0/LPWTPR (低电平脉宽定时器预设值寄存器)
(地址: 0Eh, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0: 可读写的低电平脉宽定时器缓冲器,它是八位递减的计数器,用户可以通
过IOCE0来预设初值并且可读取该值。它的预分频比是通过IOCA1 寄存器来设置的。中
断产生后,自动装载预设初值。
在PWM或IR应用中,该寄存器用来设置低电平脉宽.
如果低电平脉宽时钟源频率为FT , 则
低电平宽度 = 预预预预 × (预设值 + 1)
FT
6.2.2.11 IOCF0/IMR (中断屏蔽寄存器)
(地址: 0Fh, R5 的第 0 位= “0”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
ICIE
LPWTE
HPWTE
CNT2E
CNT1E
INT1E
INT0E
TCIE
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0: 中断使能位. 使能各自的中断源.
0: 禁止中断
1: 禁止中断
IOCF0为可读写寄存器
6.2.3 IOC Page 1 (IOC61 ~ IOCE1, R5的第0位= “1”)
6.2.3.1
IOC61/WUCR (唤醒和 P5.7/IROUT 灌电流控制寄存器)
(地址: 06h, R5 的第 0 位 = “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IROCS
0
0
0
/WUE8H
/WUE8L
/WUE6H
/WUE6L
R/W
-
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 21
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bit 7: IROCS: IROUT/Port 57输出灌电流设置
P57/IROUT 灌电流
IROCS
VDD=5V
VDD=3V
0
10 mA
6 mA
1
20 mA
12 mA
Bits 6, 5, 4: 未使用, 始终置为 “0”
Bit 3 (/WUE8H): 0/1→使能/禁止P8.4~P8.7状态改变唤醒功能。
Bit 2 (/WUE8L): 0/1 →使能/禁止P8.0~P8.3状态改变唤醒功能。
Bit 1 (/WUE6H): 0/1 →使能/禁止P6.4~P6.7状态改变唤醒功能。
Bit 0 (/WUE6L): 0/1 →使能/禁止P6.0~P6.3状态改变唤醒功能。
注意
当唤醒功能使能的时候,Port 6 和 Port 8 输入不能处于悬空状态. 唤醒功能初始为使能状
态。
6.2.3.2
IOC71/TCCCR (TCC 控制寄存器)
(地址: 07h, R5 的第 0 位 = “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
INT_EDGE
INT
TS
TE
PSRE
TCCP2
TCCP1
TCCP0
R/W
F
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (INT_EDGE):
INT_EDGE = “0”: P5.4/INT0引脚在上升沿触发中断。
INT_EDGE = “1”: P5.4/INT0引脚在下升沿触发中断。
Bit 6 (INT): INT中断使能标志位,该位只读
INT = “0”: 由指令DISI或硬件中断将该位清”0”来屏蔽中断。
INT = “1”: ENI或RETI指令将该位置”1”来开中断。
Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位
TS = “0”: 内部指令周期时钟作为TCC时钟源
TS = “1”: TCC脚输入的外部信号作为TCC时钟源,TCC周期>内部指令时钟周期。
Bit 4 (TE): TCC 信号沿
TE = “0”: TCC脚信号上升沿加1
TE = “1”: TCC脚信号下降沿加1
Bits 3~0 (PSRE, TCCP2 ~ TCCP0): TCC 预分频比选择位
22 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
PSRE
TCCP2
TCCP1
TCCP0
TCC Rate
0
×
×
×
1:1
1
0
0
0
1:2
1
0
0
1
1:4
1
0
1
0
1:8
1
0
1
1
1:16
1
1
0
0
1:32
1
1
0
1
1:64
1
1
1
0
1:128
1
1
1
1
1:256
IOC81/WDTCR (WDT 控制寄存器)
6.2.3.3
(地址: 08h, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
WDTE
WDTP2
WDTP1
WDTP0
-
-
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7 ~ 4: 未使用
Bit 3 (WDTE): 看门狗定时器使能位。该控制位用于使能看门狗定时器
WDTE = “0”: 禁止WDT功能
WDTE = “1”: 使能WDT功能
Bits 2 ~ 0 (WDTP2 ~ WDTP0): 看门狗定时器预分频比选择位,WDT时钟源是副频频率.
WDTP2
WDTP1
WDTP0
WDT 预分频比
0
0
0
1:1
0
0
1
1:2
0
1
0
1:4
0
1
1
1:8
1
0
0
1:16
1
0
1
1:32
1
1
0
1:64
1
1
1
1:128
6.2.3.4
IOC91/CNT12CR (计数器 1, 2 控制寄存器)
(地址: 09h, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
CNT2S
CNT2P2
CNT2P1
CNT2P0
CNT1S
CNT1P2
CNT1P1
CNT1P0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7(CNT2S): 计数器 2时钟源选择位
“0”: Fs (Fs: 副频时钟)
“1”: Fm (Fm: 主频时钟)
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 23
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bits 6~4 (CNT2P2 ~ CNT2P0): 计数器 2预分频比选择位
计数器 2 预分频比
CNT2P2
CNT2P1
CNT1P0
0
0
0
1:2
0
0
1
1:4
0
1
0
1:8
0
1
1
1:16
1
0
0
1:32
1
0
1
1:64
1
1
0
1:128
1
1
1
1:256
Bit 3 (CNT1S):计数器1时钟源选择位
“0”: Fs (Fs: 副频时钟)
“1”: Fm (Fm: 主频时钟)
Bits 2~0 (CNT1P2 ~ CNT1P0): 计数器1预分频比选择位
CNT1P2
CNT1P1
CNT1P0
计数器 1 预分频比
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1:2
1:4
1:8
1:16
1:32
1:64
1:128
1:256
IOCA1/HLPWTCR (高/低 电平脉宽定时器控制寄存器)
6.2.3.5
(地址: 0Ah, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
LPWTS
LPWTP2
LPWTP1
LPWTP0
HPWTS
HPWTP2
HPWTP1
HPWTP0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (LPWTS): 低电平脉宽定时器时钟源选择位
“0”: Fs (Fs: 副频时钟)
“1”: Fm (Fm: 主频时钟)
Bits 6~4 (LPWTP2~ LPWTP0): 低电平脉宽定时器预分频比选择位
LPWTP2
LPWTP1
LPWTP0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
低电平脉宽定时器预分频比
1:2
1:4
1:8
1:16
1:32
1:64
1:128
1:256
Bit 3 (HPWTS): 高电平脉宽定时器时钟源选择位
“0”: Fs (Fs: 副频时钟)
“1”: Fm (Fm: 主频时钟)
24 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bits 2~0 (HPWTP2~ HPWTP0): 高电平脉宽定时器预分频比选择位
HPWTP2
HPWTP1
HPWTP0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
6.2.3.6
高电平脉宽定时器预分频比
1:2
1:4
1:8
1:16
1:32
1:64
1:128
1:256
IOCB1/P6PH (Port 6 上拉控制寄存器)
(地址: 0Bh, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
PH67
PH66
PH65
PH64
PH63
PH62
PH61
PH60
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0 (PH67 ~ PH60): Port 6上拉使能控制位.
PH6x = “0”: 禁止 P6.x 内部上拉电阻功能
PH6x = “1”: 使能 P6.x 内部上拉电阻功能
6.2.3.7
IOCC1/P6OD (Port 6 漏极开路控制寄存器)
(地址: 0Ch, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
OP67
OP66
OP65
OP64
OP63
OP62
OP61
OP60
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0(OP67 ~ OP60): Port 6漏极开路使能控制位
OD6x = “0”: 禁止 P6.x 漏极开路功能
OD6x = “1”: 使能 P6.x 漏极开路功能
6.2.3.8
IOCD1/P8PH (Port 8 上拉控制寄存器)
(地址: 0Dh, R5 的第 0 位= “1”)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
PH87
PH86
PH85
PH84
PH83
PH82
PH81
PH80
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0(PH87 ~ PH80): Port 8上拉使能控制位.
PH8x = “0”: 禁止 P8.x 内部上拉电阻功能
PH8x = “1”: 使能 P8.x 内部上拉电阻功能
6.2.3.9
IOCE1/P6PL (Port 6 下拉控制寄存器)
(地址: 0Eh, R5 的第 0 位= “1”)
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 25
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
PL67
PL66
PL65
PL64
PL63
PL62
PL61
PL60
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bit 7 ~ Bit 0(PL67 ~ PL60): 端口下拉使能控制位
PL6x = “0”: 禁止 P6.x 内部下拉电阻功能
PL6x = “1”: 使能 P6.x 内部下拉电阻功能
6.3 TCC 和 WDT 预分频器
TCC(定时器)及WDT(看门狗定时器)都是一个8位带有预分频器的定时器。IOC71
中的TCCP0~TCCP2位来设置TCC预分频比。同样,IOC81中的WDTP0~WDTP2位来设置
WDT预分频比。WDT和其预分频比被WDTC、SLEP指令清零,图7描述了TCC/WDT的
电路图。
R1(TCC)是8位定时/计数器。TCC时钟源可以是内部指令时钟或外部信号输入(触发
沿可通过TCC控制寄存器选择)。如果是内部指令时钟,每个指令周期TCC加1(预分频
比为1:1)。如果TCC的信号源来自于外部时钟输入,则TCC引脚信号在每个下降沿或
上升沿时TCC加1。
WDT基于副频自由运行。当控制振荡驱动器关闭后,WDT还在继续运行。当芯片工作
在普通模式、省电模式或低速模式时,WDT溢出时将引起芯片复位(若WDT使能)。
在普通模式和省电模式下的任何时间里,WDT可以由软件设置使能或关闭。参考IOC81
寄存器的WDTE位设置。WDT溢出时间用下式计算。
WDT溢出时间 = 预分频比*256/ (Fs/2)
数据总线
指令时钟 = Fosc /2
Fosc: CPU 工作频率
TCC
引脚
TCC (R1)
多路选
择器
(MUX)
预分频器
8 选 1 多路选择器(MUX)
PSRE TCCP2~0
(IOC71) (IOC71)
TE (IOC71)
TCC 溢出中断
TS (IOC71)
图. 6-4(a) TCC 结构框图
WDT
8 位计数器
WDTE (IOC81)
8 选 1 多路选择器(MUX)
WDT 时间溢出
预分频器
Fs/2
(Fs:副频)
WDTP2~0
(IOC81)
图. 6-4(b) WDT结构框图
26 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.3.1 TCC设置流程图
开始
来自外部输入
来自指令周期
TCC 时钟源?
外部/指令周期
*设置时钟源来自外部 TCC 引脚
(设置 IOC71 的第 4 位为"1")
*选择 TCC 时钟源来自指令周期
(设置 IOC71 的第 4 位为"0")
*设置 P5.6/TCC 作为 TCC 输入引脚
( 设置 RE 的第 2 位为"1",设置 IOC50 第 6 位为"1")
*选择 TCC 的预分频比
(通过设置 IOC71 的第 0 位到第 3 位)
*选择 TCC 引脚触发沿
(通过 IOC71 的第 4 位)
*选择 TCC 预分频比
(通过设置 IOC71 的第 0 位到第 3 位)
*使能 TCC 中断屏蔽位
(设置 IOCF0 的第 0 位为"1")
*清 TCC 中断标志位
(设置 RF 的第 0 位为"0")
使能 TCC 开始计数
(执行 ENI 指令)
结束
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 27
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.3.2 WDT 设置流程图
开始
否
使用 WDT 功能?
是
使能 WDT 功能:设置代码选项
Word 0 的第 7 位为 "0"
设置 WDT 预分频比
(IOC81 寄存器)
禁止 WDT 功能,设置代码选项
Word 0 的第 7 位为"1"
WDT 时间= 预分频比*256/ (Fs/2)
Fs: 副频频率
使能 WDT
(IOC81 的第 3 位)
结束
28 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.4 I/O Ports
I/O寄存器(Port 5, Port 6, Port 7 and Port 8)都是双向三态I/O口。Port 6和Port 8均可由软件设
置内部上拉,另外Port 6还可由软件设置内部下拉。同样,端口6通过软件可设置为漏极
开路输出。Port 6和Port 8有在输入状态改变中断(或唤醒)的特性,而且由软件可设置上
拉为高电平。各I/O引脚都可由I/O控制寄存器(IOC5~IOC8)定义为“输入”或“输出”。I/O
寄存器和I/O控制寄存器都可读写。I/O接口电路如图. 6-5所示。
注: 图中没有显示漏极开路、上拉、下拉部分的电路
图6-5 Port 5 ~ 8的I/O端口和I/O控制寄存器的电路
6.5 复位和唤醒
复位由下面情况引起:
„
POR (上电复位)
„
WDT溢出(如果使能)
„
LVR(如果使能)
„
/RESET 引脚输入低电平
注: 复位电路一直处于使能状态.当电压降到1.9V,CPU将产生复位。
一旦复位发生,单片机将会执行以下功能:
„
振荡器正在运行或即将运行
„
程序计数器(R2/PC)清零
„
所有的I/O引脚定义为输入模式(高阻状态)
„
TCC/WDT定时器和预除器清零
„
上电时,R3的第5, 6位和R4的高两位被清零
„
IOC71寄存器除第6位(INT标志位)均被清零
„
其它寄存器状态如表2所示
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 29
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.5.1 寄存器初始值概要
地址
0x05
0x06
0x07
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0x0F
0x06
30 •
名称
复位类型
位名
上电
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOC60
上电
(P6CR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOC70
上电
(P7CR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOC80
上电
(P8CR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOC90
上电
(RAM_ADDR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCA0
上电
(RAM_DB)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCB0
上电
(CNT1PR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCC0
上电
(CNT2PR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCD0
上电
(HPWTPR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCE0
上电
(LPWTPR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCF0
上电
(IMR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
上电
IOC61
/RESET & WDT
(WUCR)
引脚输入改变唤
醒
IOC50
(P5CR)
Bit 7
Bit 6
IOC57 IOC56
1
1
1
1
P
P
IOC67 IOC66
1
1
1
1
P
P
IOC77 IOC76
1
1
1
1
P
P
IOC87 IOC86
1
1
1
1
P
P
0
RAM_A6
0
0
0
0
P
P
RAM_D7 RAM_D6
U
P
P
Bit 7
0
0
P
Bit 7
0
0
P
Bit 7
0
0
P
Bit 7
0
0
P
ICIE
0
0
P
IROCS
0
0
P
Bit 5
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
P7LS
0
0
P
IOC60
1
1
P
IOC70
1
1
P
IOC80
1
1
P
IOC55
1
1
P
IOC65
1
1
P
IOC75
1
1
P
IOC85
1
1
P
RAM_A5
0
0
P
IOC54
P8HS
P8LS
1
0
0
1
0
0
P
P
P
IOC64
IOC63
IOC62
1
1
1
1
1
1
P
P
P
IOC74
IOC73
IOC72
1
1
1
1
1
1
P
P
P
IOC84
IOC83
IOC82
1
1
1
1
1
1
P
P
P
RAM_A4 RAM_A3 RAM_A2
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P7HS
0
0
P
IOC61
1
1
P
IOC71
1
1
P
IOC81
1
1
P
RAM_A1
0
0
P
RAM_D5
RAM_D4
RAM_D1 RAM_D0
U
U
P
P
P
P
Bit 6
Bit 5
0
0
0
0
P
P
Bit 6
Bit 5
0
0
0
0
P
P
Bit 6
Bit 5
0
0
0
0
P
P
Bit 6
Bit 5
0
0
0
0
P
P
LPWTE HPWTE
0
0
0
0
P
P
0
0
0
0
0
0
P
Bit 4
P
RAM_D3
RAM_D2
RAM_A0
0
0
P
U
U
U
U
U
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
CNT2E CNT1E INT1E
INT0E
TCIE
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
0
/WUE8H /WUE8L /WUE6H /WUE6L
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
地址
0x07
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0x00
0x01
0x02
0x03
0x04
名称
复位类型
位名
IOC71
上电
(TCCCR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOC81
上电
(WDTCR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
上电
IOC91
(CNT12CR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
上电
IOCA1
(HLPWTCR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCB1
上电
(P6PH)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCC1
上电
(P6OD)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCD1
上电
(P8PH)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
IOCE1
上电
(P6PL)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
R0
上电
(IAR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
R1
上电
(TCC)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
R2
上电
(PC)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
R3
上电
(SR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
R4
上电
(RSR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
Bit 7
INT_EDGE
1
1
P
X
0
0
P
CNT2S
0
0
P
LPWTS
0
0
P
PH67
0
0
P
OP67
0
0
P
PH87
0
0
P
PL67
0
0
P
Bit 7
U
P
P
Bit 7
0
0
P
Bit 7
0
0
X
0
0
P
RBS1
0
0
P
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
INT
TS
TE
PSRE
TCCP2
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
P
P
P
P
P
X
X
X
WDTE WDTP2
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
P
P
P
P
P
CNT2P2 CNT2P1 CNT2P0 CNT1S CNT1P2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
LPWTP2 LPWTP1 LPWTP0 HPWTS HPWTP2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
PH66
PH65
PH64
PH63
PH62
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
OP66
OP65
OP64
OP63
OP62
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
PH86
PH85
PH84
PH83
PH82
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
PL66
PL65
PL64
PL63
PL62
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
U
U
U
U
U
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
跳转到地址 0x0018 或继续执行下一条指令
PS1
PS0
T
P
Z
0
0
1
1
U
0
0
t
t
P
P
P
t
t
P
RBS0
RSR5
RSR4
RSR3
RSR2
0
U
U
U
U
0
P
P
P
P
P
P
P
P
P
Bit 1
Bit 0
TCCP1 TCCP0
1
1
1
1
P
P
WDTP1 WDTP0
1
1
1
1
P
P
CNT1P1 CNT1P0
0
0
0
0
P
P
HPWTP1
HPWTP0
0
0
P
PH61
0
0
P
OP61
0
0
P
PH81
0
0
P
PL61
0
0
P
Bit 1
U
P
P
Bit 1
0
0
P
Bit 1
0
0
0
0
P
PH60
0
0
P
OP60
0
0
P
PH80
0
0
P
PL60
0
0
P
Bit 0
U
P
P
Bit 0
0
0
P
Bit 0
0
0
DC
U
P
P
RSR1
U
P
P
C
U
P
P
RSR0
U
P
P
• 31
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
地址
0x05
0x06
0x07
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0x0F
0x05
0x06
0x10
~
0x3F
名称
复位类型
位名
SBANK0 R5 上电
(Port 5)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 R6 上电
(Port 6)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 R7 上电
(Port 7)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 R8 上电
(Port 8)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 R9 上电
(LCDCR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RA 上电
(LCD_ADDR) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RB 上电
(LCD_DB) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RC 上电
(CNTER)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RD 上电
(SBPCR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RE 上电
(IRCR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK0 RF 上电
(ISR)
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK1 R5 上电
(TBRDH) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
SBANK1 R6 上电
(TBRDL) /RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
位名
上电
R10~R3F
/RESET & WDT
引脚输入改变唤醒
Bit 7
P57
1
1
P
P67
1
1
P
P77
1
1
P
P87
1
1
P
BS
1
1
P
X
0
0
P
X
0
0
P
X
0
0
P
SBANK
0
0
P
IRE
0
0
P
ICIF
0
0
N
Bit 6
Bit 5
Bit 4
P56
P55
P54
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P66
P65
P64
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P76
P75
P74
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P86
P85
P84
1
1
1
1
1
1
P
P
P
DS1
DS0
LCDEN
1
0
0
1
0
0
P
P
P
X
X
LCD_A4
0
0
0
0
0
0
P
P
P
X
X
X
0
0
0
0
0
0
P
P
P
X
X
X
1
0
0
1
0
0
P
0
P
CLK2
CLK1
CLK0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
HF
LGP
X
0
0
U
0
0
U
P
P
U
LPWTF HPWTF CNT2F
0
0
0
0
0
0
P
P
P
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
IOCPAGE
X
X
X
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
P63
P62
P61
P60
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P73
P72
P71
P70
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
P83
P82
P81
P80
1
1
1
1
1
1
1
1
P
P
P
P
LCDTYPE
X
LCDF1 LCDF0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
LCD_A3 LCD_A2 LCD_A1 LCD_A0
0
0
0
0
0
0
0
0
P
P
P
P
LCD_D 3
LCD_D 2
LCD_D 1
LCD_D 0
U
P
P
U
P
P
U
P
P
U
P
P
LPWTEN HPWTEN
CNT2EN
CNT1EN
0
0
P
IDLE
1
1
P
IROUTE
0
0
P
CNT1F
0
0
P
0
0
P
BF1
0
0
P
TCCE
0
0
P
INT1F
0
0
P
0
0
P
BF0
0
0
P
EINT1
0
0
P
INT0F
0
0
P
0
0
P
CPUS
*1
*1
P
EINT0
0
0
P
TCIF
0
0
P
HLB
0
0
P
RBit7
0
0
P
0
0
0
P
RBit6
0
0
P
0
0
0
P
RBit5
0
0
P
0
0
0
P
RBit4
0
0
P
RBit11
0
0
P
RBi3
0
0
P
RBit10
0
0
P
RBit2
0
0
P
RBit9
0
0
P
RBit1
0
0
P
RBit8
0
0
P
RBit0
0
0
P
Bit 7
U
P
P
Bit 6
U
P
P
Bit 5
U
P
P
Bit 4
U
P
P
Bit 3
U
P
P
Bit 2
U
P
P
Bit 1
U
P
P
Bit 0
U
P
P
注: 此位与代码选项的HLFS位的数据相同
符号: “×” =未使用
“P” =复位前的值
“−” =未使用
“u” =不确定的或不考虑
32 •
“t” =对照R3寄存器的说明
“N” =监视中断操作状态
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.5.2 唤醒和中断模式概要
所有类型唤醒信号和中断模式列出如下:
唤醒信号
休眠模式
空闲模式
低速模式
正常模式
×
×
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
中断
×
×
×
×
TCC 时间溢出
IOCF0 位 0=1
INT0 引脚
IOCF0 位 1=1
INT1 引脚
IOCF0 位 2=1
计数器 1
IOCF0 位 3=1
计数器 2
IOCF0 位 4=1
高电平脉宽定时器
IOCF0 位 5=1
低电平脉宽定时器
IOCF0 位 6=1
唤醒
唤醒
+ 中断
+ 中断
+ 下一条指令
+ 下一条指令
唤醒
唤醒
+ 中断
+ 中断
+ 下一条指令
+ 下一条指令
唤醒
×
+ 下一条指令
唤醒
×
唤醒
×
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
+ 中断
+ 下一条指令
唤醒
×
+ 中断
+ 下一条指令
Port 6, Port 8
唤醒
(输入状态改变唤醒) + 中断
IOCF0 位 7 = “1”
+ 下一条指令
低电压复位
+ 中断
+ 下一条指令
Port 6, Port 8
唤醒
(输入状态改变唤醒)
+ 下一条指令
IOCF0 位 7 = “0””
WDT 时间溢出
+ 中断
唤醒
+ 下一条指令
唤醒
+ 中断
+ 下一条指令
×
复位
复位
复位
复位
复位
复位
复位
• 33
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.6 LVR (低电压复位)
6.6.1 低电压复位
LVR 特性的设置,详细操作模式如下:
LVR1
LVR0
VDD 复位电压
VDD 释放电压
0
0
4.0V
4.2V
0
1
3.5V
3.7V
1
0
2.7V
2.9V
1
1
NA (上电复位 t )
如果VDD < 2.7V且持续5 µs,那么IC就会复位.
如果VDD <3.5V且持续5 µs,那么IC就会复位.
如果VDD <4.0V且持续5 µs,那么IC就会复位.
6.7 振荡器
振荡器模式
6.7.1
EM78P468NB/P470N 可以工作在三种不同的振荡模式::
a.) 主振荡器(R-OSCI, OSCO), 如带外部电阻和内部电容模式ERIC的 RC振荡模式
b.) 晶振模式
c.) PLL工作模式(R-OSCI连接一个0.01uF的电容到地),用户通过设置代码选择寄存器
中FMMD1和FMMD0选择振荡模式。副振荡器可以工作在晶振和ERIC振荡模式。表3
列出了如何设置这三种振荡模式。
表 3由FSMD, FMMD1, FMMD0定义的振荡模式.
主时钟
副时钟
FSMD
FMMD1
FMMD0
0
0
0
RC 类型(ERIC)
RC 类型(ERIC)
0
0
1
晶振 类型
RC 类型(ERIC)
0
1
×
PLL 类型
RC 类型(ERIC)
1
0
0
RC 类型(ERIC)
晶振 类型
1
0
1
晶振 类型
晶振 类型
1
1
×
PLL 类型
晶振 类型
表4最大工作频率
34 •
VDD
Fxt 最大值. (MHz)
2.3
4
3.0
8
5.0
10
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.7.2
锁相环(PLL 模式)
当运行在PLL模式,高频取决于副频,我们可以设置RD寄存器选择高频。高频(Fm)和副频
的关系如下表格:
R-OSCI
0.01µF
EM78P468NB
图 6-6 PLL 模式电路
6.7.3
晶体振荡器/陶瓷谐振器(晶振)
EM78P468NB/P470N 可由R-OSCI引脚上的外部时钟驱动,如下图6-7所示. 在大多数应
用中,引脚R-OSCO和OSCI上可接晶振和陶瓷谐振器来产生振荡,图6-8为其电路。表5
列出了C1和C2的推荐值。由于每个谐振器的特性不同,用户应当参考它的规格说明选择
合适的C1和C2。对于AT切片晶振和低频模式,需要串联电阻RS。
.
图. 6-7 外部时钟输入电路
图. 6-8 晶振/谐振器电路
表 5 晶振振荡器或陶瓷振荡器的匹配电容选择参考
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 35
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
振荡源
振荡类型
频率
C1 (pF)
C2 (pF)
455kHz
2.0 MHz
4.0MHz
100~150
20~40
10~30
100~150
20~40
10~30
455kHz
1.0MHz
20~40
15~30
20~150
15~30
2.0MHz
4.0MHz
15
15
15
15
32.768kHz
25
25
陶瓷谐振器
主频
晶振振荡器
晶振振荡器
副频
带内部电容的RC振荡模式
6.7.4
考虑到精度和成本问题, LSI 还提供了一种特殊的振荡模式,就是用一个片内电容和一个
外部上拉到VDD的电阻,内部电容起到温度补偿作用。为了得到更高的精确度,建议选
用高精度的电阻。
VDD
Rext
R-OSCI or Xin
EM78P468NB
图. 6-9 内部电容振荡器模式电路
表 6 RC 振荡器频率
引脚
R-OSCI
Xin
注:
阻值
平均频率 5V, 25°C
平均频率 3V, 25°C
51k
2.2221 MHz
2.1972 MHz
100k
1.1345 MHz
1.1203 MHz
300k
381.36kHz
374.77kHz
2.2M
32.768kHz
32.768kHz
以QFP封装量测,频漂约±30%.
以上提供的数据仅供设计参考.
6.8 上电问题
在电源稳定之前,任何单片机(基于此LSI) 均不能保证开始正常工作。此LSI 有带片内电
压检测范围的上电复位功能,如下表所示。这就免去了外部复位电路。如果VDD上升的
足够快(50ms或更短),它将正常工作。然而,在许多苛刻的应用中,还是需要附加的
外部电路来帮助解决上电问题
36 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.8.1
外部上电复位电路
图6-10所示的电路使用了外部RC产生复位脉冲。脉冲宽度(时间常数)应足够长,以使
VDD达到最低工作电压。当供电电压上升慢时,可使用该电路。
由于/RESET引脚的漏电流约为±5uA,建议R不要大于40K。这样,引脚/RESET上电压将
保持在0.2V以下。二极管D作用是在掉电时充当短路回路。电容C快速充分放电。限流电
阻Rin用来避免过大的放电电流或ESD(静电放电)由下图的电路流入/RESET引脚。
图. 6-9 外部上电复位电路
6.8.2
残余电压保护
当更换电池时,单片机的电源VDD断开,但仍然存在残余电压。残余电压可能小于最低
工作电压VDD,但不为0。这种情况下可能导致复位不良。图6-11和图6-12展示如何建立
残余电压的保护电路。
图. 6-10(a) 残余电压保护电路 1
图. 6-10(b) 残余电压保护电路2
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 37
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.9 中断
EM78P468NB/P470N有如下8个中断源
„
TCC 溢出中断
„
P5.4/INT0引脚外部中断
„
P5.5/INT1引脚外部中断
„
计数器1下溢中断
„
计数器2下溢中断
„
高电平脉宽定时器下溢中断
„
低电平脉宽定时器下溢中断
„
Port 6, Port 8输入状态改变唤醒中断
该芯片具有下降沿触发的内部中断,如下:
„
TCC定时器溢出中断
„
4个八位减计数器/定时器下溢中断
如果这些中断源信号由高电平变为低电平,若使能相应中断,RF寄存器中相应标志位将
置“1”。
.
RF是中断状态寄存器. 它的相关标志记录了中断请求状态. IOCF0是中断屏蔽寄存器.
通过执行指令“ENI”和“DISI”使能或禁止总中断。当其中一个中断产生(若使能),则根
据中断源的类型决定下一条指令将从地址0003H~0018H中获取.
此芯片的每个中断源都有各自的中断向量,如表3如示。在中断子程序执行之前,硬件
会对ACC和R3寄存器的内容进行保存。中断服务程序完成之后,所保存的内容将返回到
ACC和R3寄存器中。中断服务程序在执行时,不允许其它中断服务程序运行。因此,如
果其它中断在此时发生,硬件会保存这个中断请求。当上一个中断服务程序完成后再执
行下一个中断服务程序
中断源
中断产生
ACC
保存 ACC
ENI / DISI
R3
保存 R3
图. 6-11 中断保存框图
38 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
表 3 中断向量
中断向量
中断状态
0003H
TCC 溢出中断.
0006H
P5.4/INT0 引脚外部中断
0009H
P5.5/INT1 引脚外部中断
000CH
计数器 1 下溢中断
000FH
计数器 2 下溢中断
0012H
高电平脉宽下溢中断
0015H
低电平脉宽下溢中断
0018H
P6、P8 输入状态改变唤醒
6.10 LCD 驱动
EM78P468NB/470N带有32个段和4个公共驱动端,能驱动4*32点阵的LCD驱动器。LCD
模块由LCD驱动器、显示RAM、段输出引脚、公共驱动输出引脚、和供给LCD工作电压
引脚组成,它可工作在普通、省电和低速模式。LCD的占空比、偏压、段和公共驱动数
量和帧频率由LCD控制寄存器决定。
LCD模块的基本结构包括一个利用子系统时钟为不同的占空比和显示存取产生适当时
序的时序控制器,。R9是LCD驱动器的命令寄存器,它包括对LCD使能/禁止、偏压(1/2、
1/3)、占空比(1/2、1/3、1/4)和LCD帧频率的控制。
RA是LCD对比度和LCD RAM地址控制寄存器。RB是LCD RAM数据缓存器。LCD驱动
电路可以通过改变工作频率来提高VLCD2和VLCD3的驱动性能。这些控制寄存器的描述
如下:
6.10.1 R9/LCDCR (LCD 控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
BS
DS1
DS0
LCDEN
−
LCDTYPE
LCDF1
LCDF0
R/W
R/W
R/W
R/W
-
R/W
R/W
R/W
Bit 7 (BS): LCD偏压选择位, 0/1=> (1/2偏压) / (1/3偏压)
Bits 6 ~ 5 (DS1 ~ DS0): LCD占空比 选择位
DS1
DS0
LCD 占空比
0
0
1/2 占空比
0
1
1/3 占空比
1
×
1/4 占空比
Bit 4 (LCDEN): LCD使能位
“0”: 禁止 LCD 电路
“1”: 使能 LCD 电路
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 39
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
当LCD电路关闭时,所有COM./ SEG.输出设置为低电平。
Bit 3: 未使用
Bit 2 (LCDTYPE): LCD 的驱动波形选择位
LCDTYPE = “0”: “A” 类波形
LCDTYPE = “1”: “B”类波形
Bits 1 ~ 0 (LCDF1 ~ LCDF0): LCD 帧频控制位
LCD 帧频(例 Fs=32.768kHz)
LCDF1
LCDF0
0
1/2 占空比
1/3 占空比
1/4 占空比
0
Fs/(256×2)=64.0
Fs/(172×3)=63.5
Fs/(128×4)=64.0
0
1
Fs/(280×2)=58.5
Fs/(188×3)=58.0
Fs/(140×4)=58.5
1
0
Fs/(304×2)=53.9
Fs/(204×3)=53.5
Fs/(152×4)=53.9
1
1
Fs/(232×2)=70.6
Fs/(156×3)=70.0
Fs/(116×4)=70.6
注: Fs: 副频振荡频率
6.10.2 RA/LCD_ADDR (LCD 地址)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
0
0
0
LCD_A4
LCD_A3
LCD_A2
LCD_A1
LCD_A0
-
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7 ~ 5: 未使用,总是置为 “0”
Bits 4 ~ 0 (LCDA4 ~ LCDA0): LCD RAM 地址
RB (LCD 数据缓存)
RA
(LCD 地址)
Bits 7 ~4
00H
−
−
−
−
−
SEG0
01H
−
−
−
−
−
SEG1
02H
−
−
−
−
−
SEG2
Bit 3
Bit 2
(LCD_D3) (LCD_D2)
Bit 1
Bit 0
(LCD_D1) (LCD_D0)
|
|
段
|
1DH
−
−
−
−
−
SEG29
1EH
−
−
−
−
−
SEG30
SEG31
1FH
−
−
−
−
−
Common
X
COM3
COM2
COM1
COM0
6.10.3 RB/LCD_DB (LCD 数据寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
−
−
−
−
LCD_D 3
LCD_D 2
LCD_D 1
LCD_D 0
-
-
-
-
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 7 ~ 4: 未使用
Bits3 ~ 0 (LCD_D3 ~ LCD_D0): LCD RAM 数据传输寄存器
40 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.10.4 RD/SBPCR (系统时钟、驱动频率及PLL频率控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
−
CLK2
CLK1
CLK0
IDLE
BF1
BF0
CPUS
-
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
Bits 2 ~ 1 (BF1 ~ BF0): LCD 扫描频率选择位
BF1
BF0
扫描频率
0
0
Fs
0
1
Fs/4
1
0
Fs/8
1
1
Fs/16
LCD 功能初始化设置流程
IC 复位产生
设置 Port7 和 Port8 作为通用 I/O 或 LCD SEG(IOC50)
Port7 和 Port8 的引脚作为 LCD SEG 时一定要设置为输出
(IOC70 和 IOC80)
设置 LCD 类型,占空比,偏压,LCD 帧频率(R9)
设置 LCD 扫描频率(RD)
清除所有 LCD RAM (RA 和 RB)
使能 LCD 功能(R9)
根据用户的应用使用 LCD 地址和 LCD 数据缓存器(RA 和 RB)
结束
图.6-12(a) 功能初始化设置流程图
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 41
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
LCD电压的驱动电路连接方法
VDD
VLCD2(2*VDD/3)
VA
VB
VLCD3(1*VDD/3)
GND
1/3 偏压外围电路
VDD
VLCD2(VDD/2)
VA
VB
VLCD3(VDD/2)
GND
1/2 偏压外围电路
图.6-12(b) 分压电路连接图 (Cext=0.1µf )
42 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
1 frame
1 frame
VDD
COM 0
VLCD2,3
VDD
COM 0
VLCD2,3
GND
GND
VDD
VLCD2,3
COM 1
VDD
VLCD2,3
COM 1
GND
GND
VDD
SEG N
VLCD2,3
VDD
VLCD2,3
SEG N
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2,3
GND
SEG N - COM0
ON
-VLCD2,3
VLCD2,3
GND
SEG N - COM0
ON
-VLCD2,3
-VDD
-VDD
VDD
VDD
VLCD2,3
SEG N - COM1
VLCD2,3
SEG N - COM1
GND
OFF
GND
OFF
-VLCD2,3
1/2 bias, 1/2 duty
A type
-VLCD2,3
-VDD
1/2 bias, 1/2 duty
B type
-VDD
图6-12(c) 1/2偏压, 1/2占空比的LCD波形
1frame
1frame
VDD
VDD
COM 0
VLCD2,3
VLCD2,3
COM 0
GND
GND
VDD
VDD
COM 1
VLCD2,3
VLCD2,3
COM 1
GND
GND
VDD
VDD
COM 2
VLCD2,3
VLCD2,3
COM 2
GND
GND
VDD
VDD
SEG N
VLCD2,3
VLCD2,3
SEG N
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2,3
VLCD2,3
SEG N- COM0
GND
ON
-VLCD2,3
GND
SEG N- COM0
ON
-VLCD2,3
-VDD
-VDD
VDD
VDD
VLCD2,3
VLCD2,3
SEG N- COM1
GND
OFF
-VLCD2,3
1/2 bias, 1/3 duty
A type
GND
SEG N- COM1
OFF
-VDD
-VLCD2,3
1/2 bias, 1/3 duty
B type
-VDD
图6-12(d) 1/2偏压, 1/3占空比的LCD波形
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 43
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
1 frame
1 frame
VDD
VDD
VLCD2
VLCD2
COM 0
COM 0
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2
VLCD2
COM 1
COM 1
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2
COM 2
VLCD2
COM 2
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2
VLCD2
SEG N
SEG N
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD3
SEG N - COM0
VLCD3
SEG N - COM0
GND
GND
ON
ON
-VLCD3
-VLCD3
-VDD
-VDD
VDD
VDD
SEG N - COM1
VLCD3
SEG N - COM1
VLCD3
GND
GND
OFF
OFF
-VLCD3
-VLCD3
1/3 bias, 1/3 duty
A type
-VDD
1/3 bias, 1/3 duty
B type
-VDD
图. 6-12(e) 1/3偏压, 1/3占空比的LCD波形
1frame
1frame
VDD
VDD
VLCD2
COM 0
VLCD2
COM 0
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2
COM 1
VLCD2
COM 1
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
COM 2
VLCD2
VDD
COM 2
VLCD2
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
VDD
VLCD2
VLCD2
SEG N
SEG N
VLCD3
VLCD3
GND
GND
VDD
SEG N COM0
VLCD3
VDD
SEG N COM0
VLCD3
GND
ON
GND
ON
-VLCD3
-VLCD3
-VDD
-VDD
VDD
SEG N COM1
VLCD3
VDD
SEG N COM1
VLCD3
GND
OFF
GND
OFF
-VLCD3
1/3 bias, 1/4 duty
A type
-VDD
-VLCD3
1/3 bias, 1/4 duty
B type
-VDD
图. 6-12(f) 1/3偏压, 1/4占空比的LCD波形
44 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.11 红外遥控应用/PWM波形的产生
此芯片能够很方便地产生红外载波信号和PWM标准波形. 实现IR与PWM波形的功能要有
如下结构配合:八位减定时/计数器、高电平脉宽定时器、低电平脉宽定时器和IR控制寄
存器. IR系统框图如图.6-20所示. IR控制寄存器(RE)、IOC90(计数器1、2控制寄存器)、
IOCA0(高电平脉宽定时器、低电平脉宽控制寄存器)、IOCC0(计数器2预设值寄存器)、
IOCD0(高电平脉宽定时器预设寄存器)、IOCE0(低电平脉宽定时器预设寄存器)决定
IROUT引脚的波形输出。关于载波、高低电平时间在下面会作详细解释:
如果计数器2的时钟源频率为FT(可由IOC91设置),则:
FT
F 载波 =
2 × (1 + 计数器 2 预设值 ( IOCC 0 )) × 预预预预
如果高电平脉宽定时器时钟源频率为 FT(可由 IOCA1 设置)
,则
T高电平脉宽 =
预预预预 × (1 + 高电平脉宽定时器预设值(IOCD0))
FT
如果低电平脉宽定时器时钟源频率为 FT(可由 IOCA1 设置)
,则
T低电平脉宽 =
预预预预× (1 + 低电平脉宽定时器预设值(IOCE0))
FT
预设值
(IOCA1)
Fs
高电平脉宽定时器
(IOCD0)
Fm
8
自动装载缓存器
预设值
(IOC A1)
预设值
(IOC91)
8
8 位减计数器
载波
8
低电平脉宽定时器
( IOCE0)
8
自动装载缓存器
8
8 位减计数器
8
H/W 调制电路
8 位减计数器
IR 输出引脚
8
自动装载缓存器
HF
LGP
IRE
8
RE 寄存器
计数器 2
(IOCC0)
Fm: 主频频率
Fs: 副频频率
图6-13 IR/PWM 功能结构图
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 45
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.11.1
IROUT 输出波形图
IROUT引脚输出波形进一步描述如下图:
载波
低电平宽度
高电平宽度
低电平宽度
高电平宽度
HF
开始
IRE
IROUT
图 6-14(a) LGP=0, IROUT 引脚输出波形
图. 6-21
LGP=0, HF=1, 在低电平脉冲时间内IROUT输出调制载波波形。
载波
低电平宽度
HF
高电平宽度
width
低电平宽度
高电平宽度
开始
IRE
IROUT
图 6-14(b) LGP=0, IROUT 引脚输出波形
LGP=0, HF=0, 在低电平脉冲时间内IROUT不会输出调制载波波形。故IROUT
输出是由高、低电平脉冲时间决定,这种模式下可产生PWM波形。
46 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
载波
低电平宽度
高电平宽度
高电平宽度
低电平宽度
HF
开始
IRE
IR 禁止
IROUT
一直高电平
图 6-14(c) LGP=0, IROUT 引脚输出波形
图. 6-23
LGP=0, HF=1, 在低电平脉冲时间内IROUT输出调制载波波形。当IRE从高变
化到低时,IROUT输出波形将继续保持于传输状态,直到产生高电平脉宽定
时器中断。
载波
低电平宽度
高电平宽度
高电平宽度
低电平宽度
HF
开始
IRE
IR 禁止
IROUT
一直高电平
图6-14(d) LGP=0, IROUT 引脚输出波形
图. 6-24
LGP=0, HF=0在低电平脉冲时间内IROUT不会输出调制载波波形,而是由
高、低电平脉冲时间决定,在这种模式下可产生PWM波形。当IRE从高变化
到低时,IROUT输出波形将继续保持于传输状态,直到产生高电平脉宽定时
器中断。
载波
低电平宽度
低电平宽度
高电平宽度
低电平宽度
HF
开始
IRE
IR 禁止
IROUT
一直高电平
图. 6-14(e) LGP=1, IROUT引脚输出波形
LGP=1, 当LGP置高电平时,高电平脉宽定时器将不起作用,所以IROUT输出
由低电平脉宽定时器决定。
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• 47
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.11.2 IR/PWM 功能使能流程图
开始
开始
设置 P5.7 为输出(IOC 50)
设置 P5.7 为 IR/PWM 功能输出引脚(RE)
设置 P5.7 为输出(IOC 50)
设置 P5.7 为 IR/PWM 功能输出引脚(RE)
设置计数器 2 时钟源和预分频比(IOC91)
设置高电平脉宽定时器,低电平脉宽定时器的
时钟源和预分频比(IOCA1)
设置计数器 2 (IOCC0)
, 高电平脉宽定时器
(IODD0)
, 低电平脉宽定时器 (IOCE0) 初始值
设置高电平脉宽定时器,低电平脉宽定时器
的时钟源和预分频比(IOCA1)
高电平脉宽定时器 (IOCD0)
(IOCE0) 初始值
, 低电平脉宽定时器
使能 IR (RE)
HF="0", IRE="1"
使能 IR (RE)
HF="1", IRE="1"
使能 HPWT,LPWT 中断
设置 IOCF0 执行 ENI 指令
使能计数器 2,高/低电平脉宽定时器
(RC)
使能 HPWT ,LPWT 中断
设置IOCF0 执行 ENI 指令
使能高/低电平脉宽定时器
(RC)
结束
结束
(a) IR应用
(b) PWM应用
Fig. 6-26 IR/PWM 功能使能流程图
48 •
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
6.12 代码选项
EM78P468NB/P470N 有一个字长的代码选择寄存器,它不是一般程序选择存储器的一部
分。在单片机正常工作时,它不可被访问。.
代码选择寄存器和用户ID寄存器配置如下:
Word 0
Word 1
Word 2
Bit12~Bit 0
用户 ID
Bit12~Bit 0
代码选项中Word 0 和 word 2用作芯片功能设定. 代码选项的Word 1用来写入用户ID代码.
在烧录OTP时进行设置
6.12.1
Bit 12 Bit11
助记符
−
1
0
默认
−
−
1
代码选项寄存器(Word 0)
Bit10
Bit9
XTAL1 XTAL0
高
低
1
-
高
低
1
Bit8
Bit3
Bit2 Bit1 Bit0
HLFS ENWDTB FSMD FMMD1 FMMD0 HLP
PR2 PR1 PR0
高
低
1
0
Bit7
禁止
使能
1
Bit6
Bit5
高
低
1
高
低
1
Bit4
高
低
1
禁止
使能
1
1
禁止
使能
1
1
Bit 12: 未使用.
Bits 11~10 (XTAL1~XTAL0): 主振荡器晶体范围设定.
XTAL1
XTAL0
晶体范围
0
0
保留
0
1
6MHz~10MHz(XXT_EN)
1
0
1MHz~6MHz(MXT_EN)
1
1
100kHz~1MHz(LXT_EN)
Bit 9 : 未使用,默认为”0”.
Bit 8 (HLFS): 主、副振荡器选择位
0: 当复位发生时CPU选择副振荡器
1: 当复位发生时CPU选择主振荡器.
Bit 7 (ENWDTB): 看门狗定时器使能位.
0: 使能看门狗定时器
1: 禁止看门狗定时器
Bit 6 (FSMD): 副振荡器类型选择位
Bits 5~4 (FMMD1~ FMMD0): 主振荡器类型选择位
主振荡器类型
副振荡器类型
FSMD
FMMD1
FMMD0
0
0
0
RC 类型
RC 类型
0
0
1
晶振 类型
RC 类型
0
1
×
PLL 类型
RC 类型
1
0
0
RC 类型
晶振 类型
1
0
1
晶振 类型
晶振 类型
1
1
×
PLL 类型
晶振 类型
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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• 49
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Bit 3 (HLP): 功耗选择位。如果系统通常工作在低速模式下,必须要进行低功耗设置来
节能。若考虑功耗问题,推荐用户选择低功耗模式
0: 低功耗模式
1: 高功耗模式
Bits 2~0 (PR2~PR0): 保护位
PR2~PR0是保护位,保护类型如下
PR2
PR1
PR0
Protect
0
0
0
使能
1
1
1
禁止
代码选项寄存器 (Word 1)
6.12.2
Bit 12 Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
助记符
ID12
ID11
ID11
ID9
ID8
ID7
ID6
ID5
ID4
ID3
ID2
ID1
ID0
1
0
默认
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
Bits 12~0 (ID12~ID0):用户 ID
代码选项寄存器(Word 2)
6.12.3
Bit 12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
Bit7
助记符
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
LVR1
LVR0
1
0
默认
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
高
低
1
Bits12~2:未使用
Bits 1~0(LVR1~LVR0): 低电压复位电平选择项
LVR1
LVR0
VDD 复位电压
VDD 释放电压
0
0
4.0V
4.2V
0
1
3.5V
3.7V
1
0
2.7V
2.9V
1
1
NA(上电复位)
6.13
指令集
指令集的每条指令是13位字宽,由一个操作码和一个或多个操作数组成。一般情况下,
执行一条指令需要一个指令周期(一个指令周期包含2个振荡器周期)。指令“MOV R2,
A”、“ADD R2,A”改变程序计数器(PC)或对R2进行算术或逻辑运算的指令(例如:“SUB
R2,A”、“BS(C) R2,6”、“CLR R2”…)的执行需要两个指令周期。
有些情况下,如果指令周期的规格不符合某些应用要求,可以通过以下方式进行改变
“JMP:、“CALL”、“RET”、“RETL”、“RETI”和条件跳转指令(“JBS”、“JBC”、“JZ”、
“JZA”、“DJZ”、“DJZA”)条件判断为真时执行两个指令周期。写入程序计数器的指令
同样需要两个周期。
50 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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EM78P468NB/P470N
8位微控制器
另外,指令集还具有以下特征:
:
1)寄存器的每一位都有可以直接进行置位、清除或条件判断。
2)I/O寄存器可以作为通用寄存器组,即同样的指令可对I/O寄存器操作。
6.13.1
指令集表
惯例:
R =寄存器指示符,用来指定寄存器(包括工作寄存器和通用寄存器)中的哪个寄存器被指令使用。
b =位域指示符,用于选择一个位于R寄存器中会影响操作的位值。
k = 8或10位常数或立即数。
助记符
NOP
DAA
SLEP
WDTC
IOW
ENI
DISI
RET
R
RETI
IOR
MOV
CLRA
CLR
SUB
SUB
DECA
DEC
OR
OR
AND
AND
XOR
XOR
ADD
ADD
MOV
MOV
COMA
COM
INCA
INC
DJZA
DJZ
R
A,
R,
R
R
A,
R,
A,
R,
A,
R,
A,
R,
A,
R,
R
R
R
R
R
R
RRCA
R
RRC
R
RLCA
R
RLC
R
版本号 (V1.2) 11.30.2012
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R
R,
A
R
A
R
A
R
A
R
A
R
A
R
R
操作
无操作
寄存器 A 的数由二进制调整为 BCD
码
0 → WDT, 振荡器停止
0 → WDT
A → IOCR
使能中断
禁止中断
[栈顶] → PC
[栈顶] → PC,
使能中断
IOCR → A
A→R
0→A
0→R
R-A → A
R-A → R
R-1 → A
R-1 → R
A∨R→A
A∨R→R
A&R→A
A&R→R
A⊕R→A
A⊕R→R
A+R→A
A+R→R
R→A
R→R
/R → A
/R → R
R+1 → A
R+1 → R
R-1 → A, 若为 0,则跳过
R-1 → R, 若为 0,则跳过
R(n) → A(n-1),
R(0) → C, C → A(7)
R(n) → R(n-1),
R(0) → C, C → R(7)
R(n) → A(n+1),
R(7) → C, C → A(0)
R(n) → R(n+1),
R(7) → (C), C → (R(0)
受影响的标志位
无
C
T, P
T, P
无
无
无
无
无
无
无
Z
Z
Z,C,DC
Z,C,DC
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z, C, DC
Z, C, DC
Z
Z
Z
Z
Z
Z
无
无
C
C
C
C
• 51
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
助记符
SWAPA
R
SWAP
JZA
JZ
BC
BS
JBC
JBS
R
R
R
R,
R,
R,
R,
CALL
k
JMP
MOV
OR
AND
XOR
RETL
SUB
ADD
PAGE
BANK
TBRD
k
A,
A,
A,
A,
k
A,
A,
k
k
R
b
b
b
b
k
k
k
k
k
k
操作
R(0-3) → ( A(4-7),
R(4-7) → ( A(0-3)
R(0-3) → ( R(4-7)
R+1 → A, 若为 0,则跳过
R+1 → R, 若为 0,则跳过
0→ ( R(b)
1→ ( R(b)
若 R(b)=0, 跳过
若 R(b)=1, 跳过
PC+1 → [SP],
(Page, k) → (PC)
(Page, k) → (PC)
k→A
Avk→A
A&k→A
A⊕k→A
k → A, [栈顶] → PC
k-A → A
k+A → A
K->R3(5:6)
K->R4(7:6)
受影响的标志位
无
无
无
无
无
无
无
无
无
无
无
Z
Z
Z
无
Z, C, DC
Z, C, DC
无
无
若 SBANK1 R5 Bit 7=0,
机器码(7:0) → R
其它机器码 (12:8) → R(4:0),
R(7:5)=(0,0,0)
无
∗ 这条指令适用于IOC50~IOCF0和IOC61~IOCE1
52 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
7
时序图
7.1 AC 测试输入/输出波形图
注:AC 测试: 输入电压 2.4V 时为逻辑”1”,0.4V 时为逻辑”0”
时序测试时电压为 2.0V 时为逻辑”1”,0.8V 时为逻辑”0”
图 7-1(a) AC测试时序图
7.2 复位时序(CLK = “0”)
1
NOP
CLK
/RESET
Tdrh
图 7-1(b) 复位时序图
7.3 TCC 输入时序(CLKS = “0”)
Tins
CLK
TCC
Ttcc
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 53
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
Ttrf
90%
Port (n+1)*
10%
Ttrr
90%
10%
Tiod
Port (n) *
*n = 0 ,
2, 4, 6
图 7-1(c) TCC 输入时序图
54 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
8
最大绝对值
项目
9
符号
条件
工作电压
VDD
输入电压
范围
单位
最小值
最大值.
−
GND-0.3
+7.0
V
VI
Port 5 ~ Port 8
GND-0.3
VDD+0.3
V
输出电压
VO
Port 5 ~ Port 8
GND-0.3
VDD+0.3
V
工作温度
TOPR
−
-40
85
°C
存储温度
TSTG
−
-65
150
°C
功耗
PD
−
−
500
mW
工作频率
−
−
32.768K
10M
Hz
电气特性
9.1 DC 电气特性
Ta= -40°C ~85 °C, VDD= 5.0V, GND= 0V
符号
参数
FXT
晶振: VDD = 5V
指令周期为 2 个时钟周期
32.768
8M
10M
kHz
副振荡器
指令周期为 2 个时钟周期
−
32.768
−
kHz
副振荡器:外部电阻内部电容 R: 300KΩ, 内部电容
270
384
500
kHz
副振荡器:外部电阻内部电容 R: 2.2MΩ,内部电容
22.9
32.768
42.6
kHz
Fs
ERIC
条件
最小值. 典型值. 最大值. 单位
输入引脚的输入漏电流
VIN = VDD, GND
-1
0
1
µA
VIH1
输入高临界电压
(施密特触发)
Ports 5, 6, 7, 8
2.0
−
−
V
VIL1
输入低临界电压
(施密特触发)
Ports 5, 6, 7, 8
−
−
0.8
V
/RESET
2.0
−
−
V
/RESET
−
−
0.8
V
TCC, INT0, INT1
2.0
−
−
V
TCC, INT0, INT1
−
−
0.8
V
IIL
VIHT1
VILT1
VIHT2
VILT2
输入高临界电压
(施密特触发)
输入低临界电压
(施密特触发)
输入高临界电压
(施密特触发)
输入低临界电压
(施密特触发)
IOH1
输出高电压
(Ports 5~8)
VOH = 2.4V, IROCS=”0”
-10
−
−
mA
IOL1
输出低电压
(Ports 5~8)
VOL = 0.4V, IROCS=”0”
−
−
10
mA
IOH1
输出高电压(P5.7/IROUT 引
脚)
VOH = 2.4V, IROCS=”1”
-20
−
−
mA
IOL2
输出低电压(P5.7/IR OUT 引
脚)
VOL = 0.4V, IROCS=”1”
−
−
20
mA
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 55
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
符号
参数
条件
最小值 典型值. 最大值. 单位
IPH
上拉电流
激活上拉功能, 输入引脚接 GND
-55
-75
-95
µA
IPL
下拉电流
激活下拉功能,激活上拉功能 VDD
55
75
95
µA
ISB
休眠模式耗电流
所有的输入引脚和 I/O 引脚接
VDD, 输出引脚悬空
WDT 禁止
−
0.5
1.5
µA
ICC1
空闲模式耗电流
/RESET= '高', CPU 停止工作副频时
钟(32.768kHz)打开,输出引脚悬
空,LCD 使能,无负载
−
14
18
µA
ICC2
低速模式耗电流
/RESET=高', CPU 工作,副频频率
(32.768kHz),输出引脚悬空,WDT
使能, LCD 使能
−
22
30
µA
ICC3
正常模式耗电流
/RESET=高', Fosc=4MHz (晶振类
型,CLKS="0"),
输出引脚悬空
−
2.2
3
mA
ICC4
正常模式耗电流
/RESET=高', Fosc=10MHz (晶振类
型,CLKS="0"),
输出引脚悬空
−
3.1
4
mA
Ta= -40°C ~85 °C, VDD= 3.0V, GND= 0V
符号
参数
FXT
晶振: VDD to 5V
指令周期为 2 个时钟周期
32.768
8M
10M
kHz
副振荡器
指令周期为 2 个时钟周期
−
32.768
−
kHz
副振荡器:外部电阻内部电容 R: 300KΩ,内部电容
270
384
500
kHz
副振荡器:外部电阻内部电容 R: 2.2MΩ,内部电容
22.9
32.768
42.6
kHz
Fs
ERIC
最小值 典型值. 最大值. 单位
输入引脚的输入漏电流
VIN = VDD, GND
-1
0
1
µA
VIH1
输入高临界电压
(施密特触发)
Ports 5, 6, 7, 8
1.8
−
−
V
VIL1
输入高临界电压
(施密特触发)
Ports 5, 6, 7, 8
−
−
0.6
V
/RESET
1.8
−
−
V
/RESET
−
−
0.6
V
IIL
VIHT1
VILT1
56 •
条件
输入高临界电压
(施密特触发)
输入低临界电压
(施密特触发)
VIHT2
输入高临界电压
(施密特触发)
TCC, INT0, INT1
1.8
−
−
V
VILT2
输入低临界电压
(施密特触发))
TCC, INT0, INT1
−
−
0.6
V
IOH1
输入高电压
(Ports 5~8)
VOH = 2.4V, IROCS=”0”
-1.8
−
−
mA
IOL1
输入低电压
(Ports 5~8)
VOL = 0.4V, IROCS=”0”
−
−
6
mA
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
符号
IOH1
IOL2
参数
输出高电压
(P5.7/IROUT 引脚)
输出低电压
(P5.7/IR OUT 引脚)
条件
最小值 典型值. 最大值. 单位
VOH = 2.4V, IROCS=”1”
-3.5
−
−
mA
VOL = 0.4V, IROCS=”1”
−
−
12
mA
IPH
上拉电流
激活上拉,输入引脚接 GND
-16
-23
-30
µA
IPL
下拉电流
激活下拉,输入引脚接 VDD
16
23
30
µA
ISB
休眠模式电流
所有的输入引脚和 I/O 引脚接
VDD, 输出引脚悬空
WDT 禁止
−
0.1
1
µA
ICC1
空闲模式耗电流
/RESET= '高', CPU 停止工作副频
时钟(32.768kHz)打开,输出引脚悬
空,LCD 使能,无负载
−
4
8
µA
ICC2
低速模式耗电流
/RESET= '高', CPU 工作,副频频率
(32.768kHz),输出引脚悬空,WDT
使能, LCD 使能
−
10
20
µA
ICC3
正常模式耗电流
/RESET= '高', Fosc=4MHz (晶振类
型,CLKS="0"),
输出引脚悬空
−
0.73
1.2
mA
9.2 AC 电气特性
Ta=- 40°C ~ 85 °C, VDD=5V±5%, GND=0V
符号
参数
Dclk
输入时钟的占空比
Tins
指令周期
(CLKS="0")
条件
最小值
典型值 最大值
单位
−
45
50
55
%
晶振类型
100
−
DC
ns
RC 类型
500
−
DC
ns
−
(Tins+20)/N*
−
−
ns
Ttcc
TCC 输入时间周期
Tdrh
单片机复位持续时间
Ta = 25°C
11.3
16.2
21.6
ms
Trst
/RESET 脉冲宽度
Ta = 25°C
2000
−
−
ns
Twdt
看门狗定时器时间
Ta = 25°C
11.3
16.2
21.6
ms
Tset
输入引脚建立时间
−
−
0
−
ns
Thold
输入引脚保持时间
−
−
20
−
ns
Tdelay
输出引脚延迟时间
Cload=20pF
−
50
−
ns
* N=选择预分频比
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 57
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
附录
A 封装类型
名称
封装类型
引脚号
封装尺寸
EM78P468NBH
Dice
59
−
EM78P468NBQ64
QFP
64
14 mm × 20 mm
EM78P468NBL64
LQFP
64
7 mm × 7 mm
EM78P470NL44
LQFP
44
10 mm × 10 mm
EM78P470NQ44
QFP
44
10 mm × 10 mm
A.1 绿色产品承诺
绿色产品不含有害物质.
符合 Sony SS-00259 第三版本标准.
Pb 含量小于 100ppm ,Pb 含量符合 Sony 规格说明
项目
58 •
EM78P468NxS/xJ
电镀类型
纯锡
成本(%)
Sn:100%
熔点(°C)
232°C
电阻率 (µΩ-cm)
11.4
硬度(hv)
8~10
伸长(%)
>50%
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
B
封装信息
B.1 QFP – 64
A1
Symbal
A
A1
A2
D
D1
E
E1
θ
c
L
L1
b
e
Min
一
0.25
2.55
Normal
一
一
2.72
25.00 BASIC
20.00 BASIC
19.00 BASIC
14.00 BASIC
0°
3.5
0.11
0.15
1.15
1.3
2.50 REF
0.35
0.4
1.00 BSC
Max
3.40
一
3.05
7°
0.23
1.45
0.50
TITLE:
QFP-64 L(14*20 MM) FOOTPRINT 5.0mm
PACKAGE OUTLINE DIMENSION
File :
QFP 64L
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
图 B-1 EM78P468NBQ64 64-引脚 QFP 封装类型
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 59
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
B.2 LQFP – 64
图 B-3 EM78P468NBL64 64-引脚 LQFP封装类型
60 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
B.3 LQFP – 44
c
Symbal
A
A1
A2
b
c
E1
E
L
L1
e
θ
Min
Normal
0.050
1.350
0.300
0.090
1.400
0.370
Max
1.600
0.150
1.450
0.450
0.200
12.00 BASIC
10.00 BASIC
0.450
0.600
0.750
1.0(BASIC)
0.8(BASIC)
0
3.5
7
TITLE:
LQFP-44L(10*10 MM) FOOTPRINT 2.0mm
PACKAGE OUTLINE DIMENSION
File :
LQFP44
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
图 B-4 EM78P470NL44 44-引脚 LQFP 封装类型
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 61
EM78P468NB/P470N
8位微控制器
B.4 QFP – 44
c
Symbal
A
A1
A2
b
c
E1
E
L
L1
e
θ
Min
0.15
1.80
13.00
9.90
0.73
1.50
Normal
2.00
0.30(TYP)
0.15(TYP)
13.20
10.00
0.88
1.60
0.80(TYP)
Max
2.70
0.50
2.20
13.40
10.10
1.03
1.70
0
7
TITLE:
QFP-44L(10*10 MM) FOOTPRINT 3.2mm
PACKAGE OUTLINE DIMENSION
File :
QFP44
Edtion: A
Unit : mm
Scale: Free
Material:
Sheet:1 of 1
图 B-5 EM78P470NQ44 44-引脚 QFP 封装类型
62 •
版本号 (V1.2) 11.30.2012
(产品更新后规格书不保证同步更新)