应用 • 2G / 3G / 4G 无线系统 • LTE 收发器 • UHF/VHF 公共安全频带 • 宏基站 衰减范围大、精度高的数字衰减器 可用于样机或批量生产的优质数字衰减器，现货供应充足 • 微基站 • 微微基站 • 毫微微基站 • GSM、UMTS 多标准收 发器 • 测试和测量仪器 • 军事通信 特点： • 低插入损耗 • 高衰减精度 • 出色的回波损耗 • 高 IP3 • 大范围频率响应 • 平坦衰减 • 单调阶跃响应 • 可在 4 GHz 工作 • 在 IF 应用中进行功率控制 • SPI 控制 • 并行控制 • 多种供电选项 • 可寻址 • 无铅 (Pb)、符合 RoHS 的小型 QFN 封装 Skyworks Solutions 在其丰富的产品线中提供了一系列优质数字衰减器，这些衰减器有现 货供应，可立即满足您要求苛严的应用需求。 Skyworks 提供的 RF 微波产品系列种类丰富，包括无线通信基础架构（如蜂窝电话基站）、 WiMAX/WLAN 接入点、陆地移动无线电系统以及点对点无线电链路等。Skyworks 的数字 衰减器由串行或并行接口控制，对接收和发射信号通道内的信号进行衰减，衰减位精度 可达 0.25 dB。 此系列高品质衰减器包括最常用的 GaAs 1 位、2 位、3 位、4 位、5 位、6 位、和 7 位 射频与中频衰减器，均有现货可直接发运。这些器件具有出色的性能和应用价值，例如 可在收发器组中进行 Tx/Rx 功率控制。所有衰减器均采用 Skyworks 最尖端的假晶高电子 迁移率晶体管 (pHEMT) 工艺设计。某些设计融入了 CMOS 控制器以产生负向偏置，在射 频应用中频率响应范围下潜至 50 MHz。在这些设计中，射频线路不需要使用隔直电容。 CMOS 封装还提供了串行端口接口 (SPI) 控制功能以及解码逻辑功能。与 GaAs 设计中集 成的解码功能相比，CMOS 设计消耗的偏置控制电流极小。这些高品质衰减器针对低频应 用作了完全优化，但也可应用于超高频和甚高频范围。 衰减器具有以下性能特征：工作频带范围宽（甚高频至 4 GHz）；衰减范围 0.25 dB 到 31.75 dB；插入损耗低；衰减精度高；单调阶跃；相位性能出色；切换迅速；并且 IIP3 性 能卓越。所有衰减器在 50 W 环境中均为吸收式，因此可以方便地级联，衰减器之间不需 要额外的阻抗匹配。 我们无铅、符合 RoHS Green™ 标准的产品均出产自高产能的 GaAs pHEMT 工厂。所有 衰减器均采用符合行业标准的塑料表面安装封装方式进行封装。它们体现了 Skyworks 高 超的设计水平、雄厚的技术力量、精湛的制造工艺和卓越的产品质量。 表 1 是高品质 Skyworks 数字衰减器的清单。我们还提供评估板。 我们的应用工程师团队可以随时帮助您进行设计工作。 如要获取应用注解和方块图，请访问 Skyworks 的网站：www.skyworksinc.com 表 1. 适用于中频／超高频／甚高频及宽带射频应用的高品质数字衰减器 零件号 新产品 频率范围 (GHz) 位数 最低有效位 (dB) 控制接口 最大衰减量 (dB) 典型插入 损耗 (dB) 典型 IIP3 (dBM) 封装 (mm) AA103-72LF 0.01–2.5 1 10 并行 10 0.3–0.4 41 SOT-23 5L 2.8 x 2.9 x 1.18 SKY12406-360LF 0.05–0.6 1 12 并行 12 0.3 46 QFN 8L 2 x 2 x 0.9 SKY12407-321LF 0.05–0.6 1 12 并行 12（100 W 差分 输入／输出） 0.3 48 QFN 12L 3 x 3 x 0.75 AA116-72LF 0.004–2.0 1 15 并行 15 0.35–0.4 41 SOT-23 5L 2.8 x 2.9 x 1.18 AA104-73LF 0.3–2.5 1 32 并行 32 0.8–1.0 41 SOT-23 6L 2.9 x 2.9 x 1.18 SKY12324-73LF 0.5–3.0 2 4 并行 12 0.9–1.3 43 SOT-23 6L 2.9 x 2.9 x 1.18 SKY12338-337LF 0.35–4.0 2 6 并行 18 0.55–1.3 45 QFN 12L 3 x 3 x 0.9 SKY12325-350LF 0.5–6.0 3 1 并行 7 0.7–1.3 47 QFN 16L 3 x 3 x 0.75 SKY12348-350LF 0.1–3.0 4 1 并行 15 0.8–1.2 45 QFN 16L 3 x 3 x 0.75 SKY12340-364LF 0.3–2.0 5 0.5 SPI 15.5 1.4–1.8 45 QFN 32L 5 x 5 x 0.9 SKY12322-86LF 0.5–4.0 5 0.5 并行 15.5 1.4–3.0 45 MSOP 10L 4.9 x 3 x 0.96 SKY12323-303LF 0.5–3.0 5 1 并行 31 1.4–2.3 48 MSOP 10L 4.9 x 3 x 0.96 SKY12328-337LF 0.5–4.0 5 0.5 并行 15.5 1.1–2.3 42 QFN 12L 3 x 3 x 0.9 SKY12339-350LF 0.4–3.0 5 1 并行 31 1.2–2.0 39 QFN 12L 3 x 3 x 0.75 SKY12345-362LF 0.7–4.0 5 0.5 SPI 15.5 1.2–2.0 42 QFN 24L 4 x 4 x 0.9 SKY12347-362LF DC–3.0 6 0.5 SPI 或并行 31.5 1.2–2.0 50 QFN 24L 4 x 4 x 0.9 SKY12343-364LF 0.01–4.0 7 0.25 SPI 或并行 31.75 1.8–1.9 50 QFN 32L 5 x 5 x 0.9 Skyworks Green™ 产品符合所有适用的材料法规并且不含卤素。更多信息，请参考 Skyworks Green™ 定义，文档编号 SQ04-0074。 所有器件均不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 标准。 数字衰减器原理 Skyworks 采用与制造数字衰减器相同的工艺来制造射频 可将多个位级联起来增加衰减范围。一般情况下，位值 开关，以一个额外的薄膜电阻层来形成高精度的衰减结 采用二进制加权。最小值是衰减器可提供的最小衰减 构。此薄膜电阻采用 p 或 T 型配置，从而针对工作频率 量，称为最低有效位 (LSB)。最大值或最高衰减位称为最 提供最高的衰减精度和阻抗匹配。采用 p 或 T 型配置的 高有效位 (MSB)。个别位可以加入或退出信号通道，获得 电阻可以加入或退出信号通道，从而“增加”或“减 相对于控制信号的所需总衰减量，并且在示波器上产生 少”衰减位。（参见图 1）。 一种类似于阶梯函数的传递函数。衰减器各级在 GaAs 基 底上的物理位置经过优化，以便在整个衰减范围内保持 最佳匹配。芯片上的控制线路布设也经过优化，以方便 用户合理、有效地对衰减器进行偏置和控制。 图 1. p 和 T 型配置的衰减器 一些衰减器还包括可执行某些功能的 CMOS 解码器／驱 这项技术使用的悬浮电容值大于可置于衰减器芯片上的电 动器芯片。（参见图 2）。 容值，使衰减器悬浮于接地电位之上。通过将值较大的 隔直电容添加到射频输入和输出中，就可以在场效应晶 V1 V3 V2 P/S ဟᒩ ၫၒྜྷ ᏤჄࡀ V5 V4 V6 体管 (FET) 的门极上直接使用正电压偏置，这也是不需要 V7 复杂偏置的单位或低位数衰减器的上佳选择。这种设计 VDD A2 A1 A0 ࠈቲ݀ቲདࣅ 技术存在的限制是在一定程度上使可用带宽降低，原因 是隔直电容的阻抗包括电容电抗以及电容的寄生电感的 RF1 RF2 0.25 dB 16 dB 8 dB 4 dB 2 dB 1 dB 0.5 dB S2122 图 2. SKY12347-364LF 示例 - 7 位衰减器 电抗，因而可能产生共振。在射频应用中，悬浮电容的 值要低得多，因此将它们集成到 GaAs 芯片上是可行的。 （参见图 4）。 使用 CMOS 具有一些优势。诸如负压发生器 (NVG)、串 ࢟ྏ DTS 行端口接口 (SPI) 和逻辑解码器等功能很容易在 CMOS 工 STD 艺中实现。使用 NVG 时，CMOS 芯片上的电路会在施加 STD 的正电压基础上产生一个负电压，为 GaAs 衰减器提供偏 STD 置。由于场效应晶体管 (FET) 是耗尽型器件，它们都必须 通过施加到门极的负电压获得相对于漏极／源极电压的 偏置。NVG 还免去了在射频线路上使用隔直电容的必要， 图 4. 集成到芯片上可在射频应用中使用的电容 (SKY12338-337LF) 并且允许 GaAs 衰减器位直接接地而无需使用射频旁路电 容。大部分中频衰减器均采用了这些设计技术。 通过将悬浮电容集成到芯片上，唯一增加到射频接地通 另一种将频率响应范围向下扩大至 UHF/VHF 频率的方法 100 pF ᒇഗ఼ᒜ 2 ᒇഗ఼ᒜ 1 7 位设计。7 位衰减器的单步衰减阶跃为 0.25 dB，最大衰 N/C RF1 RF2 N/C N/C RFGND1 N/C 5 330 pF 6 RFGND4 RFGND2 4 N/C 3 减可达 31.75 dB。对于需要变化更大的衰减范围的应用， VDD RFGND3 × 7 12 × 可以通过将衰减器级联来获得更大的总衰减量。在这些 100 pF 11 ຫ࣡ా 2 10 9 × 变化范围大的衰减应用中，使用两个单独封装的衰减器 是获得更大衰减量的最好办法。在这类级联中，在很大 × 的动态范围以及带宽上，很难保持单调性。如果最低有 效位 (LSB) 是 1 dB 并且带宽不大，则更加容易实现良好的 8 × 制为大约 600–700 MHz。增大电容的值会显著增加芯片 Skyworks 的衰减器产品线包括从单位器件到完全集成的 13 2 ຫ࣡ా 1 以这种方式使用的典型电容值把衰减器的低频率响应限 尺寸，从而增加成本。 V1 V4 1 直流电源 14 V3 15 16 V2 ᒇഗ఼ᒜ 4 ᒇഗ఼ᒜ 3 是通过一个外部电容使衰减器悬浮。（参见图 3）。 道的额外电感是芯片与 QFN 封装的外露焊盘间的焊接线。 阶跃单调性。图 5 中显示的是一种级联架构的示例。在此 330 pF S2244 图 3. SKY12338-337LF 示例 - 外部悬浮式 2 位衰减器 架构中，5 位数字衰减器和单位衰减器级联在一起，获得 63 dB 的可能动态范围。 NC/GND V1 5 4 32 V2 6 V1 V2 V3 V4 V5 1 2 3 CBL CBL J1 J2 RF GND RF2 RF1 1 dB 2 dB 4 dB 8 dB 16 dB 图 5. 多个衰减器级联以增加动态范围（SKY12339-350LF 与 AA104-73LF 级联） Green Initiative™ 在 Green Initiative,™（绿色倡议）的指引下，我们致力于生产符合全球各个政府的指令和行业要求的 绿色产品。 Skyworks 在 RF、模拟和混合信号 IC 领域持续创新。关于 Skyworks 的最新产品介绍和信息，请访问我们的网站 www.skyworksinc.com 有关我们丰富全面的产品组合的其它信息，请联系您当地的销售办事处，或给我们发送电子邮件 [email protected] Skyworks Solutions, Inc. 20 Sylvan Road, Woburn, MA 01801 美国：(781) 376-3000 • 亚洲：886 2 2735 0399 欧洲：33 (0)1 43548542 • 传真：(781) 376-3100 电子邮件：[email protected] • www.skyworksinc.com BRO393-12A 4/12 再生纸印制。