Vfid„³ _diode2014-05.ec9

PowerMOSFET
Nch
■外観図
F11F80C3A
OUTLI
NE
Package:FTO220A
pi
n)
(3
4.5
10.0
ロット記号(例)
Date code
800V11A
t
:mm
Uni
煙絶縁タイプ
煙高耐圧
煙高速スイッチング
煙低オン抵抗
品名略号
Type No.
15.0
管理番号
(例)
Control No.
特 長
0000
3.45
Feat
ur
e
煙I
s
ol
at
edPackage
ghVol
t
age
煙Hi
煙Fas
tSwi
t
chi
ng
煙LowRON
2.54
13.5
11F80C3A
①: G
②:D
③: S
2.54
①②③
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
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peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geT
e
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
T
e
mpe
r
a
t
ur
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ゲート・ソース間電圧
Ga
t
eSour
c
eVol
t
a
ge
ドレイン電流(直流)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
ソース電流(ピーク)
Cont
i
nuousSour
c
eCur
r
e
nt
(DC)
全損失
T
ot
a
l
Powe
rDi
s
s
i
pa
t
i
on
絶縁耐圧
Di
e
l
e
c
t
r
i
cSt
r
e
ngt
h
締め付けトルク
Mount
i
ngT
or
que
●電気的・熱的特性
項
目
I
t
em
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
Tc
h
1
5
0
VDSS
8
0
0
VGSS
±3
0
I
D
I
DP
A
1
1
PT
Vdi
s
V
3
3
I
S
TOR
℃
1
1
パルス幅 1
0
μs
,
dut
y=1
/
1
0
0
Pul
s
ewi
dt
h10µs
,dut
y=1/
100
4
0
一括端子・ケース間,AC1分間印加
T
e
r
mi
na
l
st
oc
a
s
e
,AC1mi
nut
e
(推奨値:0
.
3N
・m)
(
Re
c
omme
nde
dt
or
que:
0.
3N
・m)
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
記号
Sy
mbol
W
2
kV
0
.
5
N・m
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
ドレイン・ソース間降伏電圧
V
mA,
VGS=0
V
(BR)
DSS I
D=1
Dr
a
i
nSour
c
eBr
e
a
k
downVol
t
a
ge
ドレイン遮断電流
I
VDS=8
0
0
V,
VGS=0
V
DSS
Ze
r
oGa
t
eVol
t
a
geDr
a
i
nCur
r
e
nt
ゲート漏れ電流
I
V
=±3
0
V
,
V
=0
V
G
S
S
G
S
D
S
Ga
t
e
Sour
c
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a
k
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r
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nt
順伝達コンダクタンス
gf
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.
5
A,
VDS=1
0
V
D=5
For
wa
r
dT
r
a
ns
c
onduc
t
a
nc
e
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
I
=5
.
5
A,
V
=1
0
V
D
GS
St
at
i
cDr
ai
nSour
ceOns
t
at
eRes
i
s
t
ance (DS)ON
ゲートしきい値電圧
V
I
=0
.
5
mA,
VDS=1
0
V
T
H
D
Ga
t
eThr
e
s
hol
dVol
t
a
ge
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
VSD
I
.
5
A,
VGS=0
V
S=5
Sour
c
e
Dr
a
i
nDi
odeFor
wa
r
dVol
t
a
ge
熱抵抗
接合部・ケース間
θj
c
The
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s
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a
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J
unc
t
i
ont
oc
a
s
e
ゲート全電荷量
Qg VDD=4
0
0
V,
VGS=1
0
V,
I
1
A
D=1
T
ot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
C
i
s
s
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
0
0
V,
VGS=0
V,
f
=1
MHz
Cr
s
s VDS=1
Re
v
e
r
s
eT
r
a
ns
f
e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
C
o
s
s
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
t
d
(o
n)
T
ur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
t
r
I
.
5
A,
RL=2
7
.
3Ω,VDD=1
5
0
V,
Rg=5
0Ω,
D=5
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
=1
0
V,
VGS
V
(+)
(-)=0
t
d
(o
f
f
) VGS
T
ur
nof
fde
l
a
yt
i
me
降下時間
t
f
Fa
l
l
t
i
me
p
(MOS〈2014.03〉)
単位
Uni
t
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
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pr
oduc
t
/
s
emi
/
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
8
0
0
─
─
─
─
2
5
─
─
±0
.
1
単位
Uni
t
V
μA
4
.
2
8
.
3
─
S
─
0
.
3
9
0
.
4
5
Ω
2
.
1
3
.
0
3
.
9
─
─
1
.
5
─
─
3
.
1
2 ℃/
W
─
6
0
─
─
1
6
0
0
─
─
3
.
3
─
─
6
5
─
─
2
1
─
─
3
0
─
─
2
2
5
─
─
3
5
─
V
nC
pF
ns
F11F80C3A
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Tc=25℃
20 Tc= −55℃
Pulse measurement
15
VGS=6V
=5V
VGS=10V
8V
Drain Current ID〔A〕
Drain Current ID〔A〕
20
10
5
TC=25℃
TYP
VGS=4V
=5V
0
0
Tc=100℃
5
10
15
10
5
VDS=25V
TYP
Pulse measurement
0
0
20
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
Tc=150℃
15
5
10
15
20
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
VGS=10V
TYP
1
ID=5.5A
0.1
0.01
−55
Pulse measurement
0
50
100
5
Case Temperature Tc〔℃〕
VDS=10V
ID=0.5mA
TYP
3
2
1
Pulse measurement
0
50
Capacitance Characteristics
0.01
150
0.001
10-5 10-4
10-3
10-2
10-1
Time t〔s〕
100
101
102
22
33
22
10μs
11
100μs
200μs
1
1ms
Power Dissipation
Limited
10ms
0.
1
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
1
10
100
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
800
100
80
Ci
s
s
1
0
10
Power Derating - Case Temperature
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
1000
10
Drain Current ID〔A〕
100
10000
100
1
全損失減少率 −ケース温度
100000
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
100
Case Temperature Tc〔℃〕
キャパシタンス特性
0.1
Pulse measurement
0.
1
0.
1
DC
Transient Thermal Impedance
1
1
RDS(ON)Limited
(at VGS=10V)
過渡熱抵抗
10
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
Safe Operating Area
4
0
−55
150
10
安全動作領域
Drain Current ID〔A〕
10
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔Ω〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
Cos
s
Crs
s
100 200 300 400 500 600 700 800
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
Power Derating〔%〕
22
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
ゲートチャージ特性
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
500
400
ID=11A
TYP
VDS
VGS
GS
VDD=400V
200V
100V
300
20
16
12
200
8
100
4
0
0
20
40
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
Gate Charge Characteristics
60
80
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
100
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
p
(MOS〈2014.03〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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