SHINDENGEN F20F60C3M

PowerMOSFET
■外観図
F20F60C3M
OUTLI
NE
Package:FTO220A
600V20A
4.5
10
ロット記号(例)
Date code
特 長
t
:mm
Uni
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
煙絶縁タイプ
0000
品名略号
Type No.
Feat
ur
e
15
管理番号
(例)
Control No.
20F60C3M
13.5
煙LowRON
煙Fas
tSwi
t
chi
ng
s
ol
at
edPackage
煙I
①: G
②:D
③: S
①②③
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。
捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
o ourweb s
i
t
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ef
ert
ot
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peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,Ter
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geT
e
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
T
e
mpe
r
a
t
ur
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eV
ol
t
a
ge
ゲート・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eV
ol
t
a
ge
ドレイン電流(直流)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
ソース電流(直流)
Cont
i
nuousSour
c
eCur
r
e
nt(
DC)
全損失
T
ot
a
l
Powe
rDi
s
s
i
pa
t
i
on
絶縁耐圧
Di
e
l
e
c
t
r
i
cSt
r
e
ngt
h
締め付けトルク
Mount
i
ngT
or
que
●電気的・熱的特性
項
ドレイン・ソース間降伏電圧
Dr
a
i
nSour
c
eBr
e
a
k
downV
ol
t
a
ge
ドレイン遮断電流
Ze
r
oGa
t
eV
ol
t
a
geDr
a
i
nCur
r
e
nt
ゲート漏れ電流
Ga
t
e
Sour
c
eLe
a
k
a
geCur
r
e
nt
順伝達コンダクタンス
F
or
wa
r
dT
r
a
ns
c
onduc
t
a
nc
e
ドレイン・ソース間オン抵抗
St
at
i
cDr
ai
nSour
ceOns
t
at
eRes
i
s
t
ance
ゲートしきい値電圧
Ga
t
eThr
e
s
s
hol
dV
ol
t
a
ge
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Sour
c
e
Dr
a
i
nDi
odeF
or
wa
deV
ol
t
a
ge
熱抵抗
The
r
ma
l
Re
s
i
s
t
a
nc
e
ゲート全電荷量
T
ot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
Re
v
e
r
s
eT
r
a
ns
f
e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
T
ur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
T
ur
nof
fde
l
a
yt
i
me
下降時間
F
a
l
l
t
i
me
06〉)
(MOSFET
〈2010.
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
Tc
h
1
5
0
VDSS
6
0
0
VGSS
±3
0
I
D
I
DP
A
2
0
PT
Vdi
s
V
6
0
I
S
TOR
℃
2
0
パルス幅 10
μs
,dut
y=1/
100
Pul
s
ewi
dt
h10µs
,dut
y=1/
100
6
5
一括端子・ケース間,AC1分間印加
T
e
r
mi
na
l
st
oc
a
s
e
,AC1mi
nut
e
(推奨値:0.
3N
・m)
(
Re
c
omme
nde
dt
or
que:
0.
3N
・m)
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
目
I
t
em
Tc=2
5
℃)
記号
Sy
mbol
W
2
kV
0
.
5
N・m
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
単位
Uni
t
Tc= 2
5
℃)
条 件
Condi
t
i
ons
V
mA,
VGS=0
V
(BR)
DSS I
D=1
6
0
0
─
─
V
I
DSS
VDS=6
0
0
V,
VGS=0
V
─
─
2
5
I
GSS
VGS= ±3
0
V,
VDS=0
V
─
─
±0
.
1
gf
s
I
0
A,
VDS=1
0
V
D=1
8
.
7
1
7
.
5
─
S
─
0
.
1
6
0
.
1
9
Ω
R
0
A,
VGS=1
0
V
(DS)
ON I
D= 1
μA
VTH
I
mA,
VDS=1
0
V
D= 1
2
.
1
3
.
0
3
.
9
VSD
I
0
A,
VGS=0
V
S=1
─
─
1
.
5
θj
c
接合部・ケース間
J
unc
t
i
ont
oc
a
s
e
─
─
1
.
9
2 ℃/
W
Qg
VGS=1
0
V,
I
0
A,
VDD=4
0
0
V
D=2
─
8
7
─
Ci
s
s
─
2
4
0
0
─
5
V,
VGS=0
V,
f
=1
MHz
Cr
s
s VDS= 2
─
5
0
─
Co
s
s
─
7
8
0
─
t
d
(o
n)
─
3
2
─
t
r
─
6
0
─
─
3
5
5
─
─
6
0
─
I
0
A,
VDD=1
5
0
V,
RL=1
5
Ω
D=1
0
V,
VGS
V
(+)= 1
(-)=0
t
d
(o
f
f
) VGS
t
f
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
V
nC
pF
ns
F20F60C3M
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
伝達特性
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
35
Drain Current ID〔A〕
40
10V
8V
6V
Tc=25℃
TYP
30
Pulse measurement
25
20
5V
15
10
5
5
10
15
150℃
30
25
20
15
10
VDS=20V
TYP
Pulse measurement
0
0
25
20
Drain Source Voltage VDS〔V〕
100℃
5
VGS
GS=4V
0
0
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Tc=−55℃
25℃
35
Drain Current ID〔A〕
40
5
10
15
20
Gate Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
ID=10A
0.
1
0.
01
5
Pulse measurement
−55
0
VGS=10V
Pulse test
TYP
100
150
50
2
1
0.
5
0.
2
0.
1
0.
01
0.
1 0.
2
0.
5
1
2
5
10
Drain Current ID〔A〕
Pulse measurement
100
60
40
10μs
20
2
1
VDS=10V
ID=1mA
TYP
−55
0
50
100
Case Temperature Tc〔℃〕
150
10
100μs
RDS(on)
on)
Restricted space
200μs
1
1ms
10ms
0.
1
DC
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
0
10
100
全損失減少率─ケース温度
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
100
10000
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Ci
s
s
80
1000
0.1
0.01
0.001
0.0001 -5 -4
10 10
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
Power Derating〔%〕
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
キャパシタンス特性
1
600
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Transient Thermal Impedance
θjc
θjc
50
Safe Operating Area
過渡熱抵抗
10
20
安全動作領域
3
Case Temperature Tc〔℃〕
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
Pulse measurement
5
0.
02
4
0
10
0.
05
Drain Current ID〔A〕
1
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔Ω〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
Cos
s
100
Crs
s
10
60
40
20
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
1
0
20
40
60
80
Drain Source Voltage VDS〔V〕
100
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
ゲートチャージ特性
Drain Source Voltage VDS〔V〕
500
400
300
ID=20A
TYP
20
VDS
15
VDD=4
=400V
200V
100V
VGS
GS
10
200
5
100
0
0
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Gate Charge Characteristics
40
80
120
160
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
200
*Si
newa
veは5
0
Hzで測定しています。
*50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
06〉)
(MOSFET
〈2010.