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BL6562
有源功率因素校正控制器
上 海 贝 岭 股 份 有 限 公 司
邮编:200233 Tel: 86-021-64850700
上海市宜山路 810 号
Fax: 86-021-64854424
BL6562 有源功率因素校正控制器
1 主要特点









临界导通模式
先 进 的 BCD 工 艺 实 现
宽电源电压工作范围
IC 微 电 流 启 动 : 40uA
低 静 态 电 流 ≤ 2mA
低 工 作 电 流 ≤ 2.2mA
具有 IC 远程禁用使能功能
+/-1%(@Tj=25○C)内部参考电压
提供优良的保护措施:
动态和静态过压保护
图 1 封装
欠电压锁定
峰值电流限制
输出高箝位
 UVLO 有 源 下 拉 的 -400mA/+600mA 电 流 图 腾 柱 输 出 驱 动
应用领域
PFC 前 级 调 整 器 :
 平面电视、台式电脑驱动电源
 HI-END AC/DC 电 源 适 配 器
 电子镇流器
灯驱动电源:
 LED 灯 驱 动 电 源
 大功率节能荧光灯驱动电源
2 概述
BL6562 是一款工作在临界导通模式的有源功率因素校正控制器,主要应用
于中小功率的电子镇流器、LED 灯驱动电源和 AC/DC 电源中。
BL6562 采用先进的 BCD 工艺实现,功耗低,最大启动电流为 70uA,工作
电流小于 2.5mA。低的启动电流和工作电流一方面降低了芯片的功耗,提高了
系统的效率;另一方面它降低了对芯片供电电源的需求,可以使芯片在低线电
压和低温下能轻易启动。IC 远程禁用功能可以方便地使芯片工作在省电模式
([email protected]),使它更能符合绿色节能要求。
BL6562 内置了四分之一象限乘法器,它包含一个特殊电路结构,使谐波失
真在大的输入电压以及负载电流范围内得到优化,功率因素接近于 1。
为了确保系统稳定工作,BL6562 提供了以下保护措施:动态过压保护、静
态过压保护、欠压锁定、电源电压箝位、乘法器输出箝位、图腾柱输出箝位。
图腾柱驱动输出级能提供 400mA 的源电流和 600mA 的灌电流,适用于驱
动大电流的 MOSFET 或 IGBT。
-1-
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图 2 管脚图
INV
2
COMP
3
MULT
4
Vcc 8
BL6562
1
CS
GD
7
GND 6
ZCD 5
8 LEAD SOP or DIP
表 1 管脚定义
BL6562 采用 SOP8 和 DIP8 两种封装,引脚分布及描述:
引脚 符号
功能说明
1
INV
误差放大器反相输入端。此引脚通过一个电阻分压器采样输
出电压,通过系统反馈使输出直流电压稳定。
2
COMP 误差放大器输出端和乘法器输入端。与 INV 引脚通过一个反
馈网络连接,用于补偿系统电压环路,确保系统稳定、高功
率因素和低总谐波失真。
3
MULT 乘法器另一输入端。此引脚通过一个电阻分压器采样整流后
的输出线电压,给电流环路提供正弦基准。
4
CS
电流采样端。通过电阻采样流过 MOSFET 的电流,引脚电
压与乘法器输出的正弦参考进行比较,确定 MOSFET 的开
关。此引脚内置了一个低通滤波电路,提高了抗干扰性能。
5
ZCD 零电流检测输入端。检测到电感电流为零时,此引脚电压由
高变低,将 MOSFET 打开。可用作远程禁用使能的控制输
入引脚。
6
GND 电源地。
7
GD
驱动输出端。有 UVLO 有源下拉功能,用于驱动功率管开关。
输出高箝位电压为 12V。
8
VCC
芯片电源输入端。
表 2 极限参数
符号
VCC
IZCD
PWtot
Tj
Tstg
VESD
Ilatch-up
参数
芯片电源电压(20mA)
PIN1~4 输入输出电压
电流检测最大电流
[email protected]
结温
储存温度
HBM ESD 电压
Latch-up 电流
-2-
数值
内部限制
-0.3~8
+/-7
0.65
-40~150
-55~150
4000
200
单位
V
V
mA
W
○
C
○
C
V
mA
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图 3 内部框图
COMP
2
INV
MULT
CS
3
4
1
40K
乘法器
EA
2.5V
1.7V
1.7V
7pF
线性稳压源
VCC
5
禁止
过电压检测
8
ZCD
内部电源
25V
VREF1
UVLO
Q
2.1V
1.45V
R
VCC
S
下降沿检测
驱动
GD
7
13V
启动器
6
GND
表 3 电气特性
(-25○C<T<+125○C,VCC=12V,CO=1nF;另有注明除外)
符号
参数
测试条件
最小 典型
电源电压
VCC
工作范围
开启之后
10.3
Vcc-on
开启阈值
11
12.05
Vcc-off
关断阈值
9
9.55
Hys
迟滞
2.2
2.5
Vz
箝位电压
ICC=20mA
24
25.6
电源电流
Ist
启动电流
开启前 ,VCC=11V
40
Iq
静态电流
开启之后
1.3
Icc
工作电源电流 @70kHz
1.5
Iqs_dis
静态电流
VZCD≤120mV
0.67
Iqs_ovp
静态电流
过压保护时
1.3
乘法器
Imult
输入偏置电流 Vmult=0~ 4V
Lmult
线性工作范围
0~3
Vmult=0~0.5V, Vcomp=
kmax
最大输出斜率
1.65
1.9
高箝位电压
K
增益(1)
Vmult=1V,Vcomp=4V
0.5
0.6
-3-
最大
单位
23.5
13
10.3
2.8
28
V
V
V
V
V
70
2
2.2
1.1
2
uA
mA
mA
mA
-1
uA
V
V/V
0.7
1/V
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表 3 电气特性(接上)
(-25○C≤T≤+125○C,VCC=12V,CO=1nF;另有注明除外)
误差放大器
Iinv
输入偏置电流
Vinv= 0~3V
○
2.475 2.5
电 压 反 馈 输 入 T=25 C
VR25
阈值
10.3V<VCC<23.5V
2.45
AV
开环电压增益
60
80
GBW
单位增益带宽
1
源电流
Vcomp=4V, Vinv=2.4V
-2
-3.5
Icomp
反向电流
Vcomp=4V, Vinv=2.6V
4
6
高箝位电压
Isource=-0.5mA
5
5.35
Vcomp
低箝位电压
Isink=0.5mA
0.8
1
过电压检测
动态过压触发
Iovp
35
39
电流
(2)
Hys
迟滞
20
静态过压保护
(2)
Vovp
1.6
1.7
阈值电压
电流采样比较器
Ics
输入偏置电流
Vcs=0
td(H-L)
到输出的延迟
250
27
VCSoffse 电 流 采 样 失 调 Vmult=0
电压
Vmult=2.5V
5
t
VCS,cla 输出箝位
Vcomp=高箝位电压
1.6
1.7
零电流检测
Vzcd(H)
高箝位电压
Izcd=2.5mA
5
5.8
Vzcd(L)
低箝位电压
Izcd=-2.5mA
0.3
0.55
Izcdb
输入偏置电流 Vzcd=1 ~ 4.5V
2
(2)
VZCDA
正触发电压
2.1
(2)
VZCDT
负触发电压
1.4
Izcdsor
源电流能力
-2.5
Izcdsink
灌电流能力
2.5
Vzcddis
禁止阈值
130
160
Vzcden
重启阈值
250
280
Izcdres
禁止后电流
40
80
启动定时器
fstart
启动器频率
5
9
驱动
IGDsource=20mA
9.8
10.3
Voh
输出电压
IGDsource=200mA
8
8.3
Vol
IGDsink=200mA
1
tf
电压下降时间
32
-4-
-1
2.525
2.55
6
1.2
uA
V
V
dB
MHz
mA
mA
V
V
45
uA
-5
uA
1.8
V
-1
350
uA
ns
mV
mV
V
1.8
6.5
0.8
-5.5
190
310
16
V
V
uA
V
V
mA
mA
mV
mV
uA
KHz
V
1.9
70
V
ns
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表 3 电气特性(接上)
○
○
(-25 C≤T≤+125 C,VCC=12V,CO=1nF;另有注明除外)
tr
电压上升时间
Voclamp
输出箝位电压
Vo-uvlo
Vcc=20V,
IGDsource=5mA
开启前输出电 Vcc=0~VCCon,
压
IGDsink=2mA
11.
45
85
ns
12
13
V
1
V
(1)乘法器增益计算:K= VCS/ [Vmult*(Vcomp-2.5)]
(2)参数设计保证
3 应用信息
3.1 系统远程禁用使能功能
ZCD 引脚电压小于 0.13V 时,IC 停止工作,并且此引脚会有 80uA 的源电
流;重新启动 IC,需要在 ZCD 引脚上加一个 0.31V 以上的电压。这个功能主要
用于由 PWM 控制器驱动远程开/关控制来实现电源管理。
3.2 过压保护
稳态条件下,流过 INV 引脚处的分压上限电阻 R1 和下限电阻 R2 的电流相
等,误差放大器的非反相输入端为 2.5V。输出瞬间过压 ΔVO 时,INV 引脚处的
极点很小,INV 保持在 2.5V,流过 R1 的电流大于 R2,其差值为 ΔI。
∆V
方程 1: ∆I = O
R1
当 ΔI 大于 45uA 时,IC 停止工作,保证输出电压不会太高而烧坏元件。若
输出电压长时间处在过压状态,静态过压保护功能会起作用,将 IC 关断。
3.3 CS 低通滤波电路和总谐波失真优化电路
BL6562 在 CS 引脚内置了低通滤波电路。功率 MOSFET 打开时它的源极
会有一定的抖动,前沿消隐电路消除了这个抖动对芯片工作的影响,提高芯片的
抗干扰性能,降低其总谐波失真。
另外,BL6562 在乘法器的输出增加了一个正偏移量,此偏移量随着瞬时
线电压增加而减少,在最低程度地减小它对正弦基准峰值的影响的情况下,降低
线电压过零点的失真。为了最大程度地受益于总谐波失真优化电路,整流桥后的
高频滤波电容应在满足 EMI 滤波的要求下尽可能的小。
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图 4 宽电压范围 BL6562-80W:线路原理图图
图5
宽电压范围 BL6562-80W:PCB 版图
表4
BL6562-80W 全载测试结果
Vin (VAC) Pin (W) Vo (VDC) ∆Vo(Vpp) Po (W) η (%) PF
THD(%)
85
86.6
391.75 15
80.19 92.6
0.998 3.4
110
84.7
391.83 15
80.21 94.7
0.998 4.6
135
83.8
391.83 15
80.21 95.7
0.997 5.4
175
83.2
391.85 15
80.21 96.4
0.997 5.8
220
82.9
391.87 15
80.21 96.8
0.991 6.7
265
82.7
391.87 15
80.21 97.0
0.978 8.2
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4 封装信息
图6
DIP8 封装尺寸
图7
SOP8 封装尺寸
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5 丝印信息
BL6562
YYWW ZZ
CDC SSSSS
“YY” 代表封装年份
“WW” 代表封装周
“ZZ” 代表封装厂
“SSSSS”卡号(LOT NO.)的第 4 至 8 位字母或数字
注:由于工艺和设计变化等原因所引起的以上规范的变化,不另行通知。请随时
索取最新版本的产品规范。
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