XBS013R1DR-G - トレックス・セミコンダクター

XBS013R1DR-G
JTR1617-005
ショットキーバリアダイオード
■用途
■特長
超小型パッケージ
小電流用
低 IR
■絶対最大定格
項目
繰返し尖頭逆電圧
Ta=25℃
記号
定格値
単位
VRM
30
V
逆電圧(直流値)
VR
30
V
順電流(平均値)
IF(AV)
100
mA
非繰返し尖頭サージ電流
接合部温度
保存温度範囲
*1
IFSM
0.5
A
Tj
150
℃
Tstg
-40∼+150
℃
■外形寸法図
0.30±0.05
0.20±0.03
注)*1:60Hz 正弦半波 1 サイクル波高値。
■マーキング
TOP
BOTTOM
①:2(製品番号)
①
a,b,c,d,e:製造ロット
Unit: mm
■製品名
製品名
XBS013R1DR-G
パッケージ形状
*
USP-2B01
*ハロゲン&アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。
■電気的特性
Ta=25℃
項目
記号
測定条件
順電圧
VF1
逆電流
IR
特性値
単位
MIN.
TYP.
MAX.
IF=10mA
-
-
0.46
V
VR=10V
-
-
0.3
μA
●使用上の注意
・本製品は 0603 サイズの裏面電極構造の表面実装パッケージとなっております。構造上、電極固着強度が他のパッケージと比べると劣りますので、実
装時、実装後において製品へ無理な機械的ストレスがかからないようにご注意下さい。
・基板ねじ止め及び基板分割溝近傍に配置した場合、過大なストレスによって製品や電極が破壊する可能性があります。実装配置にはご配慮下さい。
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XBS013R1DR-G
■特性例
(1) Forward Current vs. Forward Voltage
(2) Reverse Current vs. Reverse Voltage
100
Ta=125℃
Reverse Current IR (uA)
Forward Current IF (mA)
100
75℃
10
25℃
1
Ta=125℃
10
100℃
1
75℃
0.1
25℃
-25℃
0.01
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0
0.8
10
20
30
Reverse Voltage VR (V)
Forward Voltage VF (V)
(3) Forward Voltage vs. Operating Temperature
(4) Reverse Current vs. Operating Temperature
0.6
100
Reverse Current IR (uA)
Forward Voltage VF (V)
VR=20V
0.4
IF=10mA
0.2
1mA
0.0
10
10V
1
0.1
0.01
-50
0
50
100
150
0
Operating Temperature Ta (℃)
150
(6) Average Forward Current vs. Operating Temperature
0.2
Average Forward Current IFAV (A)
25
Inter-Terminal Capacity Ct (pF)
100
Operating Temperature Ta (℃)
(5) Inter-Terminal Capacity vs. Reverse Voltage
20
15
10
5
Ta=25℃
0
0.1
0.0
0
10
20
Reverse Voltage VR (V)
2/3
50
30
0
50
100
Operating Temperature Ta (℃)
150
XBS013R1DR-G
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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