MB15F07SL - Spansion

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS04–21361–4
ASSP DTS 用
Bi-CMOS
プリスケーラ
内蔵
PLL 周波数シンセサイザ (1.1 GHz デュアル PLL)
MB15F07SL
■ 概要
MB15F07SL は , パルススワロー方式を採用し , 1100 MHz 帯の 2 系統のプリスケーラを内蔵した PLL (Phase Locked Loop)
周波数シンセサイザ用 LSI です。
Bi CMOS テクノロジにより , 5 mA (VCC = 2.7 V) の超低消費電流を実現し , VCC = 2.4 V からの低電圧動作が可能です。
チャージポンプに , 1.5 mA, 6 mA の 2 種類の電流が切換え可能で , 温度や電源電圧の依存を低減する定電流型を採用し
ています。
MB15F07SL は , 従来のダイレクトパワーセーブやロック検出機能および高速チューニング 性能をそのままにして , 低
電流かつ低ノイズなシステム構築を可能とします。
■ 特長
・ 高速動作
・ 低電圧動作
・ 超低消費電流
:∼ 1100 MHz ( 局 1) / ∼ 1100 MHz ( 局 2)
:VCC = 2.4 V ∼ 3.6 V
:標準 5.0 (5.5) mA (VCC = 2.7 V, Ta =+ 25 °C, 局 1, 局 2 ロック動作 )
5.5 mA は VCC = 3.0 V 時
・ ダイレクトパワーセーブ機能内蔵:パワーセーブ時の電源電流
標準 0.1 μA (VCC = 3.0 V, Ta =+ 25 °C, 1 系統 )
最大 10 μA (VCC = 3.0 V, 1 系統 )
・ シリアルデータ制御での電流切換え可能チャージポンプ搭載:1.5 mA/6.0 mA ( 標準値 )
・ 2 モジュラスプリスケーラ分周比:1100 MHz 帯プリスケーラ (64/65, 128/129)
・ 23 bit シフトレジスタ
・ 基準分周器
バイナリ 14 bit リファレンスカウンタ (3 ∼ 16383 分周 )
・ 比較分周器
バイナリ 7 bit スワローカウンタ (0 ∼ 127 分周 )
バイナリ 11 bit プログラマブルカウンタ (3 ∼ 2047 分周 )
・ 高速チューニング , 低ノイズな位相比較器 , 電流切換え型定電流回路を内蔵
・ フェーズ変換機能付き位相比較器を内蔵
・ PLL のロック , アンロックを検出するためのディジタルロック検出回路を内蔵
・ 動作温度
:− 40 °C ∼+ 85 °C
Copyright©2000-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2012.3
MB15F07SL
■ 端子配列図
TOP VIEW
(SSOP-16)
GND2
1
16
Clock
OSCIN
2
15
Data
GND1
3
14
LE
fin1
4
13
fin2
VCC1
5
12
VCC2
LD/fout
6
11
Xfin2
PS1
7
10
PS2
DO1
8
9
DO2
(FPT-16P-M05)
2
DS04–21361–4
MB15F07SL
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
GND2
⎯
2
OSCIN
I
3
GND1
⎯
4
fin1
I
局 1 プリスケーラの入力端子です。AC 結合にて入力してください。
5
VCC1
⎯
局 1 回路 , シフトレジスタ , OSC 入力バッファ回路の電源端子です。
SSOP-16
機能説明
局 2 の GND 端子です。
基準分周器の入力端子です。
TCXO からの信号を AC 結合で入力してください。
局 1 の GND 端子です。
6
LD/fout
O
ロック検出の出力 (LD) 端子です。また , 位相比較器入力のモニタ (fout) 端子も兼ねて
います。
データの LDS ビットにより LD/fout の出力が選択されます。
LDS = “H” 時:fout を出力 /LDS = “L” 時:LD を出力
7
PS1
I
局 1 のパワーセーブ制御信号入力端子です。電源立上げ時には必ず “L” に設定してく
ださい ( オープンでの使用は禁止 ) 。
PS1 = “H” 時:動作モード /PS1 = “L” 時:パワーセーブモード
8
DO1
O
局 1 のチャージポンプ出力端子です。
9
DO2
O
局 2 のチャージポンプ出力端子です。
10
PS2
I
局 2 のパワーセーブ制御信号入力端子です。電源立上げ時には必ず “L” に設定してく
ださい ( オープンでの使用は禁止 ) 。
PS2 = “H” 時:動作モード /PS2 = “L” 時:パワーセーブモード
11
Xfin2
I
局 2 プリスケーラの相補入力端子です。容量接地してください。
12
VCC2
⎯
13
fin2
I
局 2 プリスケーラの入力端子です。AC 結合にて入力してください。
14
LE
I
ロードイネーブル信号入力端子です ( シュミットトリガ回路付 ) 。
LE 立上りエッジのとき , シルアルデータのコントロールビットとの組合せにより ,
シフトレジスタの内容をラッチへ転送します。
15
Data
I
シリアルデータ入力端子です ( シュミットトリガ回路付 ) 。
データのコントロールビット設定により , 局 1 基準 / 局 2 基準 / 局 1 比較 / 局 2 比較
分周器のいずれかのデータ転送先を選択します。
16
Clock
I
23 bit シフトレジスタのクロック入力端子です ( シュミットトリガ回路付 ) 。
クロックパルスの立上り時にデータを読み出します。
DS04–21361–4
局 2 回路の電源端子です。
3
MB15F07SL
■ ブロックダイヤグラム
VCC1
5
PS1 7
fin1 4
間欠動作制御
回路・局 1
3 bit ラッチ
7 bit ラッチ
LDS SW1 FC1
スワローカウンタ
・局 1
( バイナリ 7 bit)
GND1
3
11 bit ラッチ
プログラマブル
カウンタ・局 1
( バイナリ 11 bit)
fp1
チャージ
電流
ポンプ
切換え
・局 1
位相比較器
・局 1
プリスケーラ
・局 1
8 Do1
ディジタルロック
検出回路・局 1
(64/65, 128/129)
2 bit ラッチ
T1
T2
14 bit ラッチ
1 bit ラッチ
リファレンス
カウンタ・局 1
( バイナリ 14 bit)
チャージ
ポンプ
電流設定 CS
LD1
fr1
OSCIN 2
AND
fr2
T1
T2
OR
2 bit ラッチ
fin2 13
Xfin2 11
チャージ
ポンプ
電流設定 CS
14 bit ラッチ
1 bit ラッチ
LD
fr1
fr2
fp1
fp2
プリスケーラ
・局 2
(64/65, 128/129)
間欠動作制御
回路・局 2
シュミット
回路
Data 15
シュミット
回路
Clock 16
シュミット
回路
スワローカウンタ
・局 2
( バイナリ 7 bit)
プログラマブル
カウンタ・局 2
( バイナリ 11 bit)
位相比較器
・局 2
7 bit ラッチ
9 Do2
11 bit ラッチ
ラッチ選択回路
C C
N N シフトレジスタ (23 bit)
1 2
12
VCC2
4
チャージ
電流
ポンプ
切換え
・局 2
fp2
3 bit ラッチ
LE 14
6 LD/
fout
ディジタルロック
検出回路・局 2
LDS SW2 FC2
PS2 10
リファレンス
カウンタ・局 2
( バイナリ 14 bit)
選択回路
1
GND2
DS04–21361–4
MB15F07SL
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧
VCC
− 0.5
4.0
V
入力電圧
VI
− 0.5
VCC + 0.5
V
出力電圧
VO
GND
VCC
V
保存温度
Tstg
− 55
+ 125
°C
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
記号
規格値
最小
標準
最大
単位
電源電圧
VCC
2.4
3.0
3.6
V
入力電圧
VI
GND
⎯
VCC
V
動作温度
Ta
− 40
⎯
+ 85
°C
<注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
DS04–21361–4
5
MB15F07SL
■ 電気的特性
(VCC = 2.4 V ∼ 3.6 V, Ta =− 40 °C ∼+ 85 °C)
“H” レベル入力電圧
“L” レベル入力電圧
“H” レベル入力電圧
最大
局 1, 局 2 合計
( ) 内は VCC = 3.0 V 時
⎯
5.0 (5.5)
⎯
mA
IPS
PS1 = PS2 = “L” 時
⎯
0.1 * 5
10
μA
fin1 * 2
fin1
局1
100
⎯
1100
MHz
fin2 * 2
fin2
局2
100
⎯
1100
MHz
OSCIN
fOSC
3
⎯
40
MHz
fin1 * 3
Pfin1
局 1, 50 Ω 系
− 15
⎯
+2
dBm
fin2
Pfin2
局 2, 50 Ω 系
− 15
⎯
+2
dBm
OSCIN
VOSC
0.5
⎯
VCC
VP − P
Data
LE
Clock
VIH
シュミットトリガ入力
0.7 VCC +
0.4
⎯
⎯
V
VIL
シュミットトリガ入力
⎯
⎯
0.3 VCC −
0.4
V
ICC * 1
“L” レベル入力電流
“H” レベル入力電流
Data, LE,
Clock
PS1, PS2
“L” レベル出力電圧
ハイインピーダンス
カットオフ電流
“H” レベル出力電流
Do1
Do2
Do1
Do2
“L” レベル出力電流
⎯
0.7 VCC
⎯
⎯
V
VIL
⎯
⎯
⎯
0.3 VCC
V
IIH * 4
⎯
− 1.0
⎯
+ 1.0
μA
IIL * 4
⎯
− 1.0
⎯
+ 1.0
μA
IIH
⎯
0
⎯
+ 100
μA
IIL * 4
⎯
− 100
⎯
0
μA
VCC − 0.4
⎯
⎯
V
⎯
⎯
0.4
V
VCC − 0.4
⎯
⎯
V
VOH
VCC = 3.0 V, IOH =− 1 mA
VOL
VCC = 3.0 V, IOL = 1 mA
VDOH
VCC = 3.0 V, IDOH =− 0.5 mA
VDOL
VCC = 3.0 V, IDOL = 0.5 mA
⎯
⎯
0.4
V
IOFF
VCC = 3.0 V
VOFF = 0.5 V ∼ VCC − 0.5 V
⎯
⎯
2.5
nA
IOH * 4
VCC = 3.0 V
⎯
⎯
− 1.0
mA
IOL
VCC = 3.0 V
1.0
⎯
⎯
mA
CS ビット=“H”
VCC = 3.0 V,
IDOH * 4 VDOH = VCC / 2,
Ta = +25 °C
CS ビット= “L”
⎯
− 6.0
⎯
mA
⎯
− 1.5
⎯
mA
CS ビット=“H”
VCC = 3.0 V,
VDOL = VCC / 2,
Ta = +25 °C
CS ビット= “L”
⎯
6.0
⎯
mA
⎯
1.5
⎯
mA
LD/fout
“L” レベル出力電流
“H” レベル出力電流
VIH
LD/fout
“L” レベル出力電圧
“H” レベル出力電圧
⎯
OSCIN
“L” レベル入力電流
“H” レベル出力電圧
⎯
PS1, PS2
“L” レベル入力電圧
“H” レベル入力電流
単位
標準
パワーセーブ電流
入力感度
条件
最小
電源電流
動作周波数
規格値
記号
項目
Do1
Do2
Do1
Do2
IDOL
(続く)
6
DS04–21361–4
MB15F07SL
(続き)
(VCC = 2.4 V ∼ 3.6 V, Ta =− 40 °C ∼+ 85 °C)
記号
項目
チャージポンプ
電流変動率
規格値
単位
条件
最小
標準
最大
IDOL/IDOH
IDOMT * 6 VDO = VCC / 2
⎯
3
⎯
%
対 VDO
IDOVD * 7 0.5 V ≦ VDO ≦ VCC − 0.5 V
⎯
10
⎯
%
対 Ta
IDOTA * 8
⎯
10
⎯
%
− 40 °C ≦ Ta ≦ +85 °C,
VDO = VCC / 2
* 1: fin1 = fin2 = 1100 MHz, fOSC = 12 MHz, VCCIF = 2.7 V,
I1
I3
Ta =+ 25 °C ロック時です。
I2
IDOL
* 2: AC 結合にしてください。最小動作周波数は 1000 pF 結合時です。
* 3: プリスケーラ分周:128/129 分周時です。
64/65 分周時は , 局 2 のチャージポンプ電流 1.5 mA モードを除き ,
− 10 dBm 保証です。
I4
I2
IDOH
* 4: −記号は IC から流れ出す方向を意味します。
I1
* 5: fOSC = 12.8 MHz, VCC1 = VCC2 = 3.0 V, Ta =+ 25 °C 時です。
* 6: VCC = 3.0 V, Ta =+ 25 °C 時です。
VCC - 0.5
( | I3 |−| I4 | ) /[ ( | I3 |+| I4 | ) / 2]× 100 %
0.5
VCC/2
* 7: VCC = 3.0 V, Ta =+ 25 °C 時です。(IDOL, IODH 各々)
チャージポンプ出力電圧 (V)
[ ( | I2 |−| I1 | ) / 2]/[ ( | I1 |+| I2 | ) / 2]× 100 %
* 8: VCC = 3.0 V です。(IDOL, IODH 各々)
( | IDO (+85 °C) − IDO ( − 40 °C) | / 2) / ( | IDO (+85 °C) + IDO ( − 40 °C) | / 2) × 100 %
DS04–21361–4
VCC
7
MB15F07SL
■ 機能説明
1. パルススワロー機能
下記の式に従って , 各値を設定してください。
fVCO = [ (P × N) + A] × fOSC ÷ R
fVCO:外部に接続される VCO の出力周波数
P :プリスケーラの分周比 局 1/2 (64/128)
N :バイナリ 11 bit プログラマブルカウンタ設定値 (3 ∼ 2047)
A :バイナリ 7 bit スワローカウンタ設定値 (0 ∼ 127, ただし A < N)
fOSC:基準発振周波数 (OSCIN 入力周波数 )
R :バイナリ 14 bit リファレンスカウンタ設定値 (3 ∼ 16383)
2. シリアルデータ入力方法について
シリアルデータの入力は Data 端子 , Clock 端子 , LE 端子の 3 入力で行います。局 1 基準分周器 , 局 2 基準分周器 , 局 1 比
較分周器 , 局 2 比較分周器をそれぞれ単独にコントロールできます。
Data 端子にはバイナリコードのシリアルデータを入力してください。
シリアルデータは , クロックの立上りで内部のシフトレジスタに順次取り込まれ , ロードイネーブル (LE) の立上りエッ
ジで , コントロールビットの組合せにより , 各ラッチへ転送されます。
コントロールビット
局 1 基準側
局 2 基準側
局 1 比較側
局 2 比較側
CN1
0
1
0
1
CN2
0
0
1
1
(1) データビートの構成
・基準分周の構成
(LSB)
1
2
(MSB)
データの入力方向
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CN1 CN2 T1
T2
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9 R10 R11 R12 R13 R14 CS
X
X
X
X
CS
:チャージポンプ電流設定ビット
R1 ∼ R14:局 1, 局 2 リファレンスカウンタの分周比設定ビット (3 ∼ 16383)
T1, T2 :試験用ビット
CN1, CN2:コントロールビット
X
:ダミービット (0 か 1 を入力してください )
( 注意事項 ) データは MSB 側から入力してください。
8
DS04–21361–4
MB15F07SL
・比較分周の構成
(LSB)
1
2
3
4
CN1 CN2 LDS
(MSB)
データの入力方向
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
22
23
SW1 FC1
/
/ A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 N9 N10 N11
SW2 FC2
A1 ∼ A7 :局 1, 局 2 スワローカウンタの分周比設定ビット (0 ∼ 127)
N1 ∼ N11:局 1, 局 2 プログラマブルカウンタの分周比設定ビット (3 ∼ 2047)
LDS
:LD/fout 出力設定ビット
SW1/SW2 :プリスケーラの分周比設定 ( 局 1:SW1, 局 2:SW2)
FC1/FC2 :位相比較器のフェーズ切換えビット ( 局 1:FC 1, 局 2:FC 2)
CN1, CN2:コントロールビット
( 注意事項 ) データは MSB 側から入力してください。
(2) データ設定について
・バイナリ 14 bit リファレンスカウンタの設定 (R1 ∼ R14)
分周比
R14 R13 R12 R11 R10 R9
R8
R7
R6
R5
R4
R3
R2
R1
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
4
・
・
・
16383
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
1
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
( 注意事項 )分周比 3 未満は禁止です。
・バイナリ 11 bit プログラマブルカウンタの設定 (N1 ∼ N11)
分周比
N11 N10 N9 N8 N7 N6 N5 N4 N3 N2 N1
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
4
・
・
・
2047
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
1
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
( 注意事項 )分周比 3 未満は禁止です。
・バイナリ 7 bit スワローカウンタの設定 (A1 ∼ A7)
分周比
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
・
・
・
127
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
0
・
・
・
1
1
・
・
・
1
DS04–21361–4
9
MB15F07SL
・プリスケーラ分周比の選択 (SW)
分周比
SW = “H”
SW = “L”
局 1 プリスケーラ分周比
64/65
128/129
局 2 プリスケーラ分周比
64/65
128/129
・チャージポンプ電流の選択 (CS)
・LD/fout 出力の設定 (LDS)
チャージポンプ電流
CS
LD/fout 端子
LDS
± 6.0 mA
1
fout 出力
1
± 1.5 mA
0
LD 出力
0
・試験用ビットの設定 (T1, T2)
T1
T2
fr1 を出力
0
0
fr2 を出力
1
0
fp1 を出力
0
1
fp2 を出力
1
1
LD/fout 端子
・位相比較器のフェーズ切換えビット (FC1, FC2)
FC1, FC2 = “H”
FC1, FC2 = “L”
Do1, Do2
Do1, Do2
fr > fp
H
L
fr < fp
L
H
fr = fp
Z
Z
位相比較器入力
Z:ハイインピーダンス状態
PLL 周波数シンセサイザを設計する際には , ローパスフィルタ , VCO の極性に応じて FC ビットを設定してください。
VCO 極性が (1) の場合
FC:“H”
VCO 極性が (2) の場合
FC:“L”
VCO 出力周波数
高
(1)
(2)
ローパスフィルタ出力電圧
大
( 注意事項 ) アクティブ型のローパスフィルタを使用する場合には , その極性に注意してください。
10
DS04–21361–4
MB15F07SL
3. パワーセーブ ( 間欠動作について )
回路状態
PS1/PS2 端子
通常状態
H
停止状態
L
パワーセーブとは , 内部回路を必要なときに動作させ , 不必要なときには停止させる間欠動作により , 回路全体の消費
電力を抑える機能です。しかし , 回路を単純に停止状態から動作させると , 位相比較器に入力した基準周波数 (fr) と比較周
波数 (fp) が同じであっても位相関係が不定であるため , 位相比較器から過大な誤差信号が出力され , PLL のロックが外れ
てしまうという問題が生じます。そこで , このような問題を解決するため , 動作開始の際に強制的に位相を合わせ , ロック
した周波数の変動を抑えて間欠動作制御を実現しています。
・動作モード
設定した局と水晶発振回路が動作状態にあり , 通常の PLL 動作を行います。
・パワーセーブモード
動作を停止しても , 不都合が出ない回路を停止して , 低消費電流状態になります。この状態での消費電流は 1 局あたり標
準で 0.1 μA, 最大で 10 μA です。
このときの Do および LD は PLL がロックしたときと同じレベルです。Do の場合は , ハイインピーダンス状態になり ,
電圧制御発振器 (VCO) への入力電圧は , 低域通過フィルタの時定数で動作モード時 ( つまりロック時 ) の電圧に保持され
るため VCO の出力周波数はほぼロック周波数を保てます。
( 注意事項 )・電源投入時は , 必ずパワーセーブ状態にしてください。
・シリアルデータの入力は電源電圧が安定した後に行い , データの設定が完了したら , パワーセーブ状態を解
除してください。
ON
VCC
Clock
Data
LE
PS1
PS2
(1)
(2)
(3)
(1) 電源立上げ時は , PS1 端子と PS 2端子は “L” レベル ( パワーセーブ状態 )
(2) 電源電圧が安定 (VCC ≧ 2.2 V) した後 , 1 μs 以上経過後 , データ設定を開始
(3) データの設定が完了し , 100 ns 以上経過後 , PS1 端子と PS2 端子を “L” → “H” レベルにして ,
パワーセーブ状態を解除
DS04–21361–4
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MB15F07SL
4. シリアルデータ入力タイミングについて
分周比の設定は Data 端子 , Clock 端子 , LE 端子のシリアル・インタフェースで行います。
設定データは Clock 信号の立上りでシフトレジスタに読出し , LE 信号の立上りでラッチに転送されます。次に , 設定デー
タの入力タイミングを示します。
1st データ
2nd データ
コントロールビット 無効データ
Data
MSB
LSB
Clock
t1
t2
t5
t4
t0
LE
t3
t6
100 ns ≦ t0, t6 20 ns ≦ t1, t2, t4 30 ns ≦ t3, t5 シフトレジスタにデータを読み込む際には , LE は “L” レベルにしてください。
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DS04–21361–4
MB15F07SL
■ 位相比較器の出力波形
fr 1 /
fr 2
fp 1 /
fp 2
t WU
t WL
LD
(FC ビット= “H” 設定時 )
D O1 /
D O2
(FC ビット= “L” 設定時 )
D O1 /
D O2
・LD 出力の論理
局1
局2
LD 出力
ロック状態 / パワーセーブ状態
ロック状態 / パワーセーブ状態
H
ロック状態 / パワーセーブ状態
アンロック状態
L
アンロック状態
ロック状態 / パワーセーブ状態
L
アンロック状態
アンロック状態
L
( 注意事項 ) ・位相差の検出は− 2 π ∼+ 2 π です。
・ロック時の Do1/2 パルス ( ひげ ) は不感地帯をなくすために出力しています。
・LD 出力は位相差 tWU 以上になったとき “L” になり , tWL 以下の状態が 3 周期以上連続したとき “H” にな
ります。
・tWU, tWL は , OSCIN 入力周波数で決定され , 下記のとおりになります。
tWU ≧ 2/fosc [s]
例 ) fosc = 12.8 MHz 時 :tWU ≧ 156.3 ns
tWL ≦ 4/fosc [s]
:tWL ≦ 312.5 ns
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■ 測定回路例 (fin, OSC IN 入力感度測定 )
fout
オシロスコープ
VCC1
0.1 μF
S.G.
1000 pF
1000 pF
50 Ω
50 Ω
DO1
PS1
LD/fout
VCC1
fin1
GND1
OSCIN
8
7
6
5
4
3
2
1
9
10
11
12
13
14
15
16
DO2
PS2
Xfin2
VCC2
fin2
LE
Data
Clock
S.G.
S.G.
GND2
1000 pF
コントローラ ( 分周比設定 )
50 Ω
VCC2
1000 pF
0.1 μF
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MB15F07SL
■ 標準特性
1. fin 入力感度特性
局 1 入力感度−入力周波数特性
Ta = +25 °C
10
入力感度 Pfin1 (dBm)
5
0
VCC = 2.4 V
VCC = 2.7 V
VCC = 3.0 V
カタログ保証範囲
-5
-10
VCC = 3.6 V
-15
-20
-25
-30
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400 1500
入力周波数 fin1 (MHz)
局 2 入力感度−入力周波数特性
Ta = +25 °C
10
5
入力感度 Pfin2 (dBm)
0
カタログ保証範囲
-5
-10
-15
-20
-25
VCC = 2.4 V
VCC = 2.7 V
VCC = 3.0 V
-30
-35
VCC = 3.6 V
-40
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200 1300
1400 1500
入力周波数 fin2 (MHz)
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2. OSCIN 入力感度
入力感度−入力周波数特性
Ta = +25 °C
入力感度 VOSC (dBm)
10
カタログ
保証範囲
0
-10
-20
VCC = 2.4 V
-30
VCC = 2.7 V
VCC = 3.0 V
-40
VCC = 3.6 V
-50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
入力周波数 fOSC (MHz)
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MB15F07SL
3. 局 PLL1 Do 出力電流特性
• 1.5 mA モード
VDO − IDO 特性
Ta = +25 °C
VCC = 3 V
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
2.000
/div
IDOL
0
−10.00
IDOH
0
4.800
.6000/div
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
• 6.0 mA モード
VDO − IDO 特性
Ta = +25 °C
VCC = 3 V
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
IDOL
2.000
/div
0
IDOH
−10.00
0
4.800
.6000/div
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
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4. 局 PLL2 Do 出力電流特性
• 1.5 mA モード
VDO − IDO 特性
Ta = +25 °C
VCC = 3 V
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
2.000
/div
IDOL
0
IDOH
−10.00
0
4.800
.6000/div
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
• 6.0 mA モード
VDO − IDO 特性
Ta = +25 °C
VCC = 3 V
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
IDOL
2.000
/div
0
IDOH
−10.00
0
4.800
.6000/div
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
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MB15F07SL
5. fin 入力インピーダンス特性
fin1 入力インピーダンス特性
1 : 360.88 Ω
−683.25 Ω
100 MHz
2 : 30.641 Ω
−206.18 Ω
400 MHz
3 : 10.805 Ω
−92.172 Ω
800 MHz
1
4 : 10.076 Ω
−54.955 Ω
1100 MHz
2
4
3
START
100.000 000 MHz
STOP 1 100.000 000 MHz
fin2 入力インピーダンス特性
1 : 299.88 Ω
−658.06 Ω
100 MHz
2:
26.68 Ω
−184.5 Ω
400 MHz
3 : 11.949 Ω
−75.16 Ω
800 MHz
1
4 : 14.246 Ω
−36.49 Ω
1100 MHz
2
4
3
START
DS04–21361–4
100.000 000 MHz
STOP
1 100.000 000 MHz
19
MB15F07SL
6. OSCIN 入力インピーダンス特性
OSCIN 入力インピーダンス特性
1 : 9.451 kΩ
−3.1875 kΩ
3 MHz
2 : 4.7255 kΩ
−5.1685 kΩ
10 MHz
3 : 1.6918 kΩ
−3.8045 kΩ
4
20 MHz
1
3
2
4 : 463.75 Ω
−2.1069 kΩ
40 MHz
START 3.000 000 MHz
20
STOP 40.000 000 MHz
DS04–21361–4
MB15F07SL
■ ループ特性測定例 ( ロックアップタイム , 位相ノイズ , リファレンスリーク )
fVCO = 1005 MHz
KV = 20 MHz/V
fr = 200 kHz
fOSC = 13 MHz
LPF
Test Circuit
S.G.
OSCIN
fin
LPF
Do
1800 pF
Spectrum
Analyzer
VCO
VCC = 3.0 V
VVCO = 3.3 V
Ta = +25 °C
CP : 6 mA mode
1.1 kΩ
2.2 kΩ
330 pF
0.018 μF
• PLL Reference Leakage
ATTEN 10 dB
RL 0 dBm
10 dB/
MKR −71.16 dB
200 kHz
CENTER 1.005000 GHz
RBW 10 kHz
VBW 10 kHz
SPAN 1.000 MHz
SWP 50.0 ms
• PLL Phase Noise
ATTEN 10 dB
RL 0 dBm
MKR −54.83 dB
9.58 kHz
10 dB/
C/N = 79.6 (dBc/Hz)
BW = 16 kHz
CENTER 1.005000 GHz
RBW 300 kHz
VBW 300 kHz
SPAN 50.00 kHz
SWP 1.40 s
(続く)
DS04–21361–4
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MB15F07SL
(続き)
• PLL Lock Up time
• PLL Lock Up time
1005 MH -> 1031 MHz within ± 1 kHz
Lch -> Hch
299 µs
50.00000
MHz
50.00000
MHz
10.00000
MHz/div
10.00000
MHz/div
0
Hz
10.00000
MHz
0S
2.0000000 ms
30.00500
MHz
30.00500
MHz
2.000
kHz/div
2.000
kHz/div
29.99500
MHz
29.99500
MHz
0S
22
1031 MH -> 1005 MHz within ± 1 kHz
Hch -> Lch
330 µs
2.0000000 ms
0S
2.0000000 ms
0S
2.0000000 ms
Meas # 91
DS04–21361–4
MB15F07SL
■ 応用回路例
VCO
OUTPUT
LPF
3V
0.1 μF
1000 pF
1000 pF
コントローラ
より
Clock
Data
LE
fin2
VCC2
Xfin2
PS2
Do2
16
15
14
13
12
11
10
9
MB15F07SL
1
GND2
2
3
4
5
6
7
8
OSCIN
GND1
fin1
VCC1
LD/fout
PS1
Do1
3V
1000 pF
LockDet
1000 pF
0.1 μF
TCXO
OUTPUT
VCO
LPF
■ 使用上の注意
静電気破壊に対しては , 静電防止素子を付加し , また回路上で向上を図っておりますが , 取扱いについては下記の事項
を守ってください。
・保管の移動の際には , 導電性ケースに入れてください。
・取り扱う前に , 作業者および治具 , 工具類が帯電のない状態 ( アース ) であることを確認し , 作業台にはアースされた
導電性シートをご用意ください。
・LSI をソケットに挿入 , またはソケットから取り外す際には , 電源をオフにしてください。
・LSI を実装したボードを取り扱う ( 運搬など ) 際には , リードを導電性のシートで保護してください。
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MB15F07SL
■ オーダ型格
型格
MB15F07SLPFV1
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パッケージ
備考
プラスチック・SSOP, 16 ピン
(FPT-16P-M05)
DS04–21361–4
MB15F07SL
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・SSOP, 16 ピン
(FPT-16P-M05)
プラスチック・SSOP, 16 ピン
(FPT-16P-M05)
リードピッチ
0.65mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.40 × 5.00mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.45mm MAX
質量
0.07g
コード(参考)
P-SSOP16-4.4×5.0-0.65
注 1)*1 印寸法のレジン残りは片側 +0.15(.006)MAX
注 2)*2 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
*1 5.00±0.10(.197±.004)
0.17±0.03
(.007±.001)
9
16
*2 4.40±0.10 6.40±0.20
(.173±.004) (.252±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.20
1.25 –0.10
+.008
.049 –.004
LEAD No.
1
8
0.65(.026)
"A"
0.24±0.08
(.009±.003)
0.10(.004)
C
2003-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F16013S-c-4-8
DS04–21361–4
(Mounting height)
0.13(.005)
M
0~8°
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.10
(Stand off)
(.004±.004)
0.25(.010)
単位:mm (inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
25
MB15F07SL
MEMO
26
DS04–21361–4
MB15F07SL
MEMO
DS04–21361–4
27
MB15F07SL
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 プロモーション推進部