UT190-50 Gen III

Cree® UltraThin™ 第 III 代 LED
技术数据表
CxxxUT190-Sxxxx-31
Cree 的 UltraThin LED 将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料和 Cree 专有的 G·SiC® 基板相结合,成就了具有卓越性价比的蓝光
LED。LED 芯片为垂直结构,尺寸小,对正向电压的要求较低。Cree 的 UT™ 系列芯片经检验符合光学和电气规格要求,并且能够
耐受 1000V 静电放电电压。它们适用于包括按键背光之类需要超小型化和更薄外形尺寸的应用。
特点
应用
•
小芯片 – 190 x 190 x 50 μm
•
移动电话按键
•
UT LED 性能
•
音频产品显示屏照明
––
450 和 460 nm – 最小 12 mW
•
移动设备按键
––
470 nm – 最小 10 mW
•
汽车应用
––
527 nm – 最小 3.0 mW
•
正向电压低
––
在 5 mA 时为 2.9 V(典型值)
•
单焊线结构
•
2 级 ESD 额定值
CxxxUT190-Sxxxx-31 芯片示意图
R3EP Rev. A
技术数据表: CP
俯视图
仰视图
祼芯片横截面
结
160 x 160 μm
190 x 190 μm
底面
150 x 150 μm
阳极 (+)
70 μm 直径
阴极 (-)
80 x 80 μm
t = 50 μm
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
1
最大额定值,TA = 25°C 注 1&3
CxxxUT190-Sxxxx-31
30 mA
直流正向电流
峰值正向电流 (1kHz,1/10 周期)
100 mA
LED 结温
125°C
反向电压
5V
工作温度范围
-40°C 至 +100°C
LED 芯片储存温度
-40°C 至 +120°C
建议的裸芯片板储存条件
≤30°C / ≤85% RH(相对湿度)
静电放电阈值 (HBM) 注 2
1000 V
2级
防静电等级 (依照 MIL-STD-883E) 注 2
典型电气/光学特征,TA = 25°C,If = 5 mA 注 3
正向电压 (Vf, V)
部件号
反向电流
[I(Vr=5 V), μA]
半高全宽 (FWHM)
(λD, nm)
最小
典型
最大
最大
典型
C450UT190-Sxxxx-31
2.7
2.9
3.1
2
21
C460UT190-Sxxxx-31
2.7
2.9
3.1
2
21
C470UT190-Sxxxx-31
2.7
2.9
3.1
2
22
C527UT190-Sxxxx-31
2.7
3.0
3.2
2
35
CxxxUT190-Sxxxx-31
机械规格
说明
尺寸
公差
P-N 结面积 (μm)
160 x 160
± 25
芯片顶面积 (μm)
190 x 190
± 25
芯片底面积 (μm)
150 x 150
± 25
50
± 10
金焊盘直径 (μm)
70
-5, +15
金焊盘厚度 (μm)
1.2
± 0.5
80 x 80
± 25
芯片厚度 (μm)
背接触金属面积 (μm)
注:
1.
2.
3.
4.
最大额定值取决于封装。上述额定值是用 T-1 3/4 封装测定的(采用 Hysol OS4000 环氧树脂)。其他封装的额定值可能不同。正向电流(直流和
峰值)不受裸芯片的限制,但会受到封装上 LED 结温的影响。125°C 的结温限制是对 T-1 3/4 封装的限制;应当在特定封装中了解结温的特性,
以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。
根据人体模型,产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。RAET 程序是为了粗略估计所示的最小
ESD 额定值。2 级 ESD 等级基于依照 MIL-STD-883E 标准进行的抽样测试确定。
当组装后的产品在电流为 5 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时,所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高,
效率越低。提供的典型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内,仅供参考。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧
树脂)的灯完成。光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。
注意:为了获得最优的输出效率,所用的环氧树脂量应当基于特定的应用确定。
版权所有 © 2010-2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree,Cree 徽标和 G•SiC 是注册商标,UltraThin
和 UT 是 Cree, Inc. 的商标。
2
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CxxxUT190-Sxxxx-31 标准分档
LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxUT190-Sxxxx-31)
订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxUT190-xxxx-31) 交付。所有辐射通量值和主波长值分别是在 If = 20 mA 和 If =
5 mA 条件下测定的。
辐射通量
C450UT190-S1200-31
18.0 mW
C450UT190-0317-31
C450UT190-0318-31
C450UT190-0319-31
C450UT190-0320-31
16.0 mW
C450UT190-0313-31
C450UT190-0314-31
C450UT190-0315-31
C450UT190-0316-31
14.0 mW
C450UT190-0309-31
C450UT190-0310-31
C450UT190-0311-31
C450UT190-0312-31
12.0 mW
C450UT190-0305-31
C450UT190-0306-31
C450UT190-0307-31
C450UT190-0308-31
445 nm
447.5 nm
450 nm
452.5 nm
455 nm
主波长
辐射通量
C460UT190-S1200-31
18.0 mW
C460UT190-0317-31
C460UT190-0318-31
C460UT190-0319-31
C460UT190-0320-31
16.0 mW
C460UT190-0313-31
C460UT190-0314-31
C460UT190-0315-31
C460UT190-0316-31
14.0 mW
C460UT190-0309-31
C460UT190-0310-31
C460UT190-0311-31
C460UT190-0312-31
12.0 mW
C460UT190-0305-31
C460UT190-0306-31
C460UT190-0307-31
C460UT190-0308-31
455 nm
457.5 nm
460 nm
462.5 nm
465 nm
主波长
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CxxxUT190-Sxxxx-31 标准分档(续)
LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxUT190-Sxxxx-31)
订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxUT190-xxxx-31) 交付。所有辐射通量值和主波长值分别是在 If = 20 mA 和 If =
5 mA 条件下测定的。
辐射通量
C470UT190-S1000-31
16.0 mW
C470UT190-0313-31
C470UT190-0314-31
C470UT190-0315-31
C470UT190-0316-31
14.0 mW
C470UT190-0309-31
C470UT190-0310-31
C470UT190-0311-31
C470UT190-0312-31
12.0 mW
C470UT190-0305-31
C470UT190-0306-31
C470UT190-0307-31
C470UT190-0308-31
10.0 mW
C470UT190-0301-31
C470UT190-0302-31
C470UT190-0303-31
C470UT190-0304-31
465 nm
467.5 nm
470 nm
472.5 nm
475 nm
主波长
辐射通量
C527UT190-S0300-31
7.0 mW
C527UT190-0307-31
C527UT190-0308-31
C527UT190-0309-31
5.0 mW
C527UT190-0304-31
C527UT190-0305-31
C527UT190-0306-31
3.0 mW
C527UT190-0301-31
C527UT190-0302-31
C527UT190-0303-31
520 nm
525 nm
530 nm
535 nm
主波长
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5 mA 条件下测定的。
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辐射场型
这是 UltraThin 芯片 LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。
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