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ロット記号
(例)
Date code
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品名略号
Type No.
0000
3.45
50F10SN
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15.0
管理番号
(例)
Control No.
2.54
2.54
①②③
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(①)
S
(③)
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伝達特性
100
100
Drain Current ID〔A〕
80
VGS=10V
8V
6V
5V
40
20
TC=25℃
TYP
Pulse measurement
0.2
0.4
0.6
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
50
10
VGS=10V
TYP
1
−55
0
100
50
過渡熱抵抗
3
4
5
6
7
8
Pulse measurement
3.5
3
2.5
2
1.5
1
−55
VDS=10V
ID=1mA
TYP
0
100
50
Case Temperature Tc〔℃〕
150
1
0.1
0.01
10-1
100
101
102
ID=50A
TYP
VDS
VGS
VDD=80V
40V
20
16
12
40
8
20
4
50
100
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
100
0
0
10
100
Drain Current ID〔A〕
安全動作領域
Safe Operating Area
500
10
10μs
RDS(ON)Limited
(at VGS=10V)
1
100μs
Power Dissipation
Limited
1ms
10ms
0.
1
DC
Tc=25℃
Single Pulse
0.
01
0.
1
1
10
100
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
100
Cos
s
20
40
40
20
Crs
s
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
60
60
80
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
100
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔 ℃〕
150
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Gate Charge Characteristics
60
1
1
80
100
0
103
ゲートチャージ特性
80
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
Power Derating - Case Temperature
1000
Time t〔s〕
10
Ci
s
s
θja
θjc
10-2
Pulse measurement
全損失減少率 −ケース温度
10000
10
50
200
150
100
50
4
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Transient Thermal Impedance θja, θjc〔℃/W〕
2
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
Capacitance Characteristics
Alumina Substrate 37.5×37.5×3mm
0.001 -5
10 10-4 10-3
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
1
キャパシタンス特性
Transient Thermal Impedance
100
Tc=150℃
Tc=100℃
Tc=25℃
Tc= −55℃
20
4.5
150
Case Temperature Tc〔℃〕
40
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Pulse measurement
ID=25A
60
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
VDS=10V
TYP
0
0
1
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Pulse measurement
Power Derating〔%〕
0
0
150
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
200
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
100
Single Avalanche Energy Derating〔 %〕
Drain Current ID〔A〕
80
60
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Transfer Characteristics
Drain Current ID〔A〕
Typical Output Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
出力特性
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
XXX
T
IJ
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ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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【Special applications】
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