NTE5400

NTE5400 thru NTE5406
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
0.8 Amp Sensitive Gate, TO92
Description:
The NTE5400 through NTE5406 sensitive gate SCR semiconductors are halfwave unidirectional
gate controlled rectifiers (SCR−thyristor) rated at 0.8 amps RMS maximum on−state current, with
rated voltages up to 600 volts.
These devices feature 200 microamp gate sensitivity, 5 millamp holding current and 8 amp surge capabilities.
Available in a TO92 plastic package, these devices feature excellent environmental stress and temperature cycling characteristics and, coupled with their small size and electrical performance, lend
themselves to various types of control functions encountered with sensors, motors, lamps, relays,
counters, triggers, etc.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (TC = +100C), VRRM
NTE5400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
NTE5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
NTE5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
NTE5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Repetitive Peak Off−State Voltage (TC = +100C), VDRXM
NTE5400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
NTE5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
NTE5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
NTE5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8A
Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . . . . 8A
Peak Gate−Trigger Current (3s Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak Gate−Power Dissipation (IGT  IGTM for 3s Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +100C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +150C
Rev. 3−16
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
IRRM
Peak Off−State Current
IDRXM
Maximum On−State Voltage
DC Holding Current
VTM
IHOLD
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM = Max, VDRXM = Max,
TC = +100C, RG−K = 1k
−
−
10
A
−
−
200
A
TC = +25C, IT = 1.2A (Peak)
−
−
1.7
V
TC = +25C
−
−
3
mA
A
DC Gate−Trigger Current
IGT
VD = 6VDC, RL = 100, TC = +25C
−
50
200
DC Gate−Trigger Voltage
VGT
VD = 6VDC, RL = 100, TC = +25C
−
−
0.8
V
I2t
for Fusing Reference
Critical Rate of Applied
Forward Voltage
I2t
> 1.5msoc
dv/dt TC = +100C
(critical)
−
−
0.15
A2sec
−
5
−
V/s
.135 (3.45) Min
.210
(5.33)
Max
Seating
Plane
.500
(12.7)
Min
.021 (.445) Dia Max
KG A
.100 (2.54)
.050 (1.27)
.105 (2.67) Max
.205 (5.2) Max
.165 (4.2) Max
.105 (2.67) Max