NJG1156PCD GPS フロントエンドモジュール 概要 NJG1156PCD は GPS での使用を主目的としたフロントエンドモジュール です。本製品は内蔵する高性能 SAW フィルタ及び LNA による高利得、低雑 音指数、高線形性、及び高帯域外減衰特性を特徴とします。 本製品は 1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するとともに、スタンバイ機能により通信 機器の低消費電流化に貢献します。 本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS 対応 / ハ ロゲンフリーの HFFP10-CD パッケージを採用することで実装面積の低減に 貢献します。 外形 NJG1156PCD 特徴 低動作電圧 低消費電流 1.8/ 2.8V typ. 2.6/3.3mA typ. 0.1µA typ. 17.5/18.5dB typ. 1.60/1.55dB typ. 85dBc typ. 75dBc typ. 78dBc typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode) @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz @f=704~915MHz, relative to 1575MHz @f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz @f=1526~1536MHz, 1627~1680MHz, relative to 1575MHz HFFP10-CD: 2.5mmx2.5mmx0.63mm max. 高利得 低雑音指数 高帯域外減衰 小型パッケージ RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1 端子配列 ブロックダイアグラム (Top View) 1 Post-Filter 10 GND PostOUT VCTL NC (GND) 2 VDD 9 LNA 3 8 PreOUT NC(GND) 4 PreIN 5 LNAIN Pre-Filter 7 端子配列 1. GND 2. VCTL 3. VDD 4. NC(GND) 5. PreIN 6. GND 7. PreOUT 8. LNAIN 9. NC(GND) 10. PostOUT VCTL RF IN V DD Pre-Filter Post-Filter RF OUT LNA GND 6 Exposed pad: GND 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL モード H アクティブモード L スタンバイモード 注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。 Ver.2016-04-25 -1- NJG1156PCD 絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V +15 dBm +27 dBm 510 mW PIN (inband) 入力電力 PIN (outband) VDD=2.8V, f=1575, 1597~1606MHz VDD=2.8V, f=50~1460, 1710~4000MHz 4 層スルーホール付き FR4 基板実装時 (101.5x114.5mm), Tj=100°C 消費電力 PD 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -40~+100 °C 電気的特性 1 (DC 特性) 特性 (共通条件: Ta=+25°C) 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V - 3.3 6.4 mA - 2.6 5.9 mA - 0.1 5.0 µA - 0.1 5.0 µA - 5.0 15.0 µA 電源電圧 記号 動作電流 1 IDD1 動作電流 2 IDD2 動作電流 3 IDD3 動作電流 4 IDD4 切替電流 ICTL -2- 条件 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=1.8V RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=1.8V RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=0V RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=0V VCTL=1.8V NJG1156PCD 電気的特性 2 (RF) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 1 雑音指数 1 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 アウトバンド 入力 2 次インター セプトポイント 1 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 1 700MHz 帯 高調波 1 アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 記号 Gain1 NF1 P-1dB(IN)1 IIP3_1 f=1575MHz, 基板、コネクタ損失 除く (0.19dB) f=1575MHz, 基板、コネクタ損失 除く (0.09dB) f=1575MHz f1=1575MHz, f2=f1+/-1MHz, 最小 標準 最大 単位 17.3 18.5 - dB - 1.55 2.05 dB - -15.0 - dBm - -4.0 - dBm Pin=-30dBm IIP2_OB1 f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +87 - dBm IIP3_OB1 f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +55 - dBm 妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz - -43 - dBm fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm - +24 - dBm 75 85 - dBc 65 75 - dBc 60 72 - dBc - 78 2fo1 P-1dB(IN) _OB1-1 P-1dB(IN) _OB1-2 ローバンド減衰量 1 BR_L1 ハイバンド減衰量 1 BR_H1 WLAN バンド減衰量 1 BR_W1 LS 減衰量 1 BR_LS1 RF IN ポート リターンロス 1 RF OUT ポート リターンロス 1 条件 fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm f=704~915MHz, relative to 1575MHz f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz f=2400~2500MHz, relative to 1575MHz f=1526~1536MHz, 1627~1680MHz, relative to 1575MHz dBc RLi1 f=1575MHz - 6.5 - dB RLo1 f=1575MHz - 20 - dB -3- NJG1156PCD 電気的特性 3 (RF) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による 項目 小信号利得 2 雑音指数 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 出力 3 次インターセプト ポイント 2 アウトバンド 入力 2 次インター セプトポイント 2 アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 2 記号 最小 標準 最大 単位 15.8 17.5 - dB - 1.6 2.2 dB f=1575MHz - -17.0 - dBm f1=1575MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm - -6.0 - dBm IIP2_OB2 f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +87 - dBm IIP3_OB2 f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +50 - dBm - -43 - dBm - +24 - dBm - +24 - dBm - 85 - dBc - 75 - dBc - 72 - dBc - 78 Gain2 NF2 P-1dB(IN)2 IIP3_2 条件 f=1575MHz, 基板、コネクタ損失 除く (0.19dB) f=1575MHz, 基板、コネクタ損失 除く (0.09dB) 妨害波条件: 700MHz 帯 高調波 2 2fo2 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 P-1dB(IN) _OB2-1 P-1dB(IN) _OB2-2 ローバンド減衰量 2 BR_L2 ハイバンド減衰量 2 BR_H2 WLAN バンド減衰量 2 BR_W2 LS 減衰量 2 BR_LS2 RF IN ポート リターンロス 2 RF OUT ポート リターンロス 2 -4- fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm f=704~915MHz, relative to 1575MHz f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz f=2400~2500MHz, relative to 1575MHz f=1526~1536MHz, 1627~1680MHz, relative to 1575MHz dBc RLi2 f=1575MHz - 6.5 - dB RLo2 f=1575MHz - 17 - dB NJG1156PCD 端子情報 番号 端子名 機能説明 1 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接 続してください。 2 VCTL 切替電圧印加端子です。 3 VDD 電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ い。 4 NC(GND) 5 PreIN 6 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 7 PreOUT pre-SAW フィルタの出力側に接続されます。 外部整合回路 L1 を介して LNAIN 端子と接続されます。 8 LNAIN LNA の RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力され ます。この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 9 NC(GND) 10 PostOUT RF 信号出力端子です。この端子は post-SAW フィルタと接続されます。SAW フィルタは構造上 DC 信号をブロックするため、基本的には外部 DC ブロッ キングキャパシタは不要です。 Exposed Pad GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して 下さい。 RF 信号入力端子です。pre-SAW フィルタの入力側に接続されます。 この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して 下さい。 -5- NJG1156PCD 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による -6- S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による NF, Gain vs. frequency (VDD=2.8V, V CTL=1.8V) 20 15 3 Gain 2 10 NF Gain (dB) Noise Figure (dB) 4 5 1 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.52 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 0 1.64 frequency (GHz) S21 vs. Frequency S21 vs. Frequency (VDD=2.8V, V CTL=1.8V) 20 20 10 10 0 0 -10 -10 -20 -20 S21 (dB) S21 (dB) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V) -30 -40 -30 -40 -50 -50 -60 -60 -70 -70 -80 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -80 1.50 3.0 1.55 Frequency (GHz) Pout, I 10 1.60 1.65 1.70 Frequency (GHz) Pout, IM3 vs. Pin vs. Pin DD (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 9 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) OIP3=+16.8dBm P-1dB(OUT)=+4.1dBm 8 7 -5 6 -10 Pout 5 IDD -15 4 -20 3 Pout , IM3 (dBm) 0 0 IDD (mA) Pout (dBm) 5 Pout -20 -40 IM3 -60 -80 IIP3=-2.4dBm P-1dB(IN)=-14.1dBm -25 -40 2 -30 -20 -10 Pin (dBm) 0 10 -100 -40 -30 -20 -10 0 10 Pin (dBm) -7- NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz) 22 22 Gain 20 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm) Gain 20 18 18 16 16 Gain (dB) Gain (dB) Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm) 14 12 10 14 12 10 8 8 P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 6 -40 -30 -20 -10 0 P-1dB(IN)_OB = +22.8dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 10 20 6 -40 30 -30 -20 Pin at 900MHz (dBm) Out-of-band IIP3 f1=824.6MHz, f2=2400MHz) 60 Pout , IM3 (dBm) Pout , IM2 (dBm) 40 40 Pout 0 -20 -40 0 Pout -20 -40 IM3 -80 -80 IIP2_OB=+88.8dBm -20 0 20 40 60 80 IIP3_OB=+54.9dBm 100 Pin (dBm) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fin=787.76MHz, f meas =1575.52MHz) -20 2fo=-42.9dBm -40 -60 -80 -100 -20 -10 0 Pin(dBm) -100 -40 -20 0 20 Pin (dBm) 2nd Harmonics 2nd Harmonics(dBm) 20 -60 IM2 -60 -8- 30 80 60 -120 -30 20 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) 80 0 10 Out-of-band IIP2 100 -100 -40 0 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575.4MHz, 120 20 -10 Pin at 1710MHz (dBm) 10 20 30 40 60 NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout -9- NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による NF, Gain vs. frequency (VDD=1.8V, V CTL=1.8V) 4 20 15 3 10 2 Gain Gain (dB) Noise Figure (dB) NF 5 1 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.52 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 0 1.64 frequency (GHz) S21 vs. Frequency S21 vs. Frequency (VDD=1.8V, V CTL=1.8V) 20 20 10 10 0 0 -10 -10 -20 -20 S21 (dB) S21 (dB) (VDD=1.8V, V CTL=1.8V) -30 -40 -30 -40 -50 -50 -60 -60 -70 -70 -80 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -80 1.50 3.0 1.55 Frequency (GHz) Pout, I 9 7 6 -5 Pout 5 IDD -15 4 -20 3 Pout , IM3 (dBm) P-1dB(OUT)=-0.2dBm -10 (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) Pout -20 -40 IM3 -60 -80 IIP3=-5.2dBm P-1dB(IN)=-16.6dBm -25 -40 2 -30 -20 -10 Pin (dBm) - 10 - 1.70 OIP3=+12.7dBm 0 IDD (mA) Pout (dBm) 20 8 5 0 1.65 Pout, IM3 vs. Pin vs. Pin DD (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) 10 1.60 Frequency (GHz) 0 10 -100 -40 -30 -20 -10 Pin (dBm) 0 10 NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz) 22 22 Gain 20 (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm) 20 Gain 18 18 16 16 Gain (dB) Gain (dB) Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz) (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575MHz at Pin=-40dBm) 14 12 10 14 12 10 8 8 P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 6 -40 -30 -20 -10 0 P-1dB(IN)_OB = +20.5dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 10 20 6 -40 30 -30 -20 Pin at 900MHz (dBm) 20 Out-of-band IIP3 (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) f1=824.6MHz, f2=2400MHz) 30 80 60 80 40 60 Pout , IM3 (dBm) Pout , IM2 (dBm) 10 Out-of-band IIP2 100 40 Pout 0 -20 -40 20 0 Pout -20 -40 -60 -60 IM2 IM3 -80 -80 -100 -40 0 (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, f meas =1575.4MHz, 120 20 -10 Pin at 1710MHz (dBm) IIP2_OB=+87.8dBm -20 0 20 40 60 80 IIP3_OB=+49.5dBm 100 Pin (dBm) -100 -40 -20 0 20 40 60 Pin (dBm) 2nd Harmonics (VDD=1.8V, V CTL=1.8V, 2nd Harmonics(dBm) 0 fin=787.76MHz, f meas =1575.52MHz) -20 2fo=-42.7dBm -40 -60 -80 -100 -120 -30 -20 -10 0 10 20 30 Pin(dBm) - 11 - NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による Gain, NF vs. Temperature 3 Gain 2.5 20 Gain (dB) 30 18 2 16 1.5 NF 1 14 RLout 20 15 10 RLin 5 0.5 12 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) 25 Return Loss (dB) 22 3.5 Noise Figure (dB) 24 Return Loss vs. Temperature (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) (Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses) 10 -50 0 0 -50 Rejection vs. Temperature Rejection vs. Temperature 100 915MHz 1980MHz 70 2500MHz 90 Rejection (dBc) 80 60 0 50 70 50 -50 100 Temperature ( oC) 1.4 1.2 5 1 IDD 0.8 (active mode) 3 0.6 2 0.4 IDD 1 0 -50 (stand-by mode) 0 50 Temperature ( oC) 0.2 0 100 IDD (uA) @stand-by mode (VDD=2.8V, V CTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 4 1526~1536MHz 0 50 Temperature ( oC) IDD vs. Temperature IDD (mA) @active mode 1627~1680MHz 80 60 50 -50 100 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V) 7 50 Temperature ( oC) 90 - 12 - 0 Temperature ( oC) 100 Rejection (dBc) 0 100 50 100 NJG1156PCD 特性例 Conditions: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による OIP3, IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 22 8 20 6 OIP3 18 -12 -14 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) -10 P-1dB(IN) -16 4 16 2 14 0 12 -2 10 -4 IIP3 -18 8 -20 -50 0 50 -6 6 -50 100 0 o 50 -8 100 Temperature (oC) Temperature ( C) Out-of-band IIP2 vs. Temperature Out-of-band IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 100 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm) 80 90 Out-of-band IIP3 (dBm) Out-of-band IIP2 (dBm) IIP3 (dBm) -8 P-1dB(IN) vs. Temperature IIP2_OB 80 70 60 50 70 60 IIP3_OB 50 40 40 30 -50 50 30 -50 100 0 50 Temperature ( oC) Temperature ( oC) 2nd Harmonics vs. Temperature Out of band P-1dB vs. Temperature 100 (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=2.8V, V CTL=1.8V, fRF=787.76MHz) 30 Out of band P-1dB (dBm) 0 2nd Harmonics (dBm) 0 -10 -20 -30 2fo -40 25 fjam =1710MHz 20 15 10 5 * P-1dB(fjam=900MHz) is over +24dBm. -50 -50 0 50 Temperature ( oC) 100 0 -50 0 50 100 Temperature ( oC) - 13 - NJG1156PCD 特性例 Conditions: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による Return Loss vs. VDD Gain, NF vs. VDD 19 Gain 30 2.5 25 2 18 Gain (dB) 3 17 1.5 NF 1 16 15 Return Loss (dB) 20 Noise Figure (dB) (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 RLout 15 10 RLin 0.5 5 0 0 (Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses) 14 1 1.5 2 2.5 3 3.5 1 4 1.5 2 915MHz 85 80 1710MHz 80 Rejection (dBc) Rejection (dBc) 4 90 85 75 2500MHz 70 65 1627~1680MHz 75 1526~1536MHz 70 65 60 60 55 55 50 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1 VDD (V) IDD vs. VDD 0.5 0.4 IDD (active mode) 3 0.3 2 0.2 1 0.1 IDD (stand-by mode) 0 0 1 1.5 2 2.5 VDD (V) 3 3.5 4 IDD (uA) @stand-by mode 0.6 5 4 1.5 2 2.5 VDD (V) (VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 IDD (mA) @active mode 3.5 (VCTL=1.8V) (VCTL=1.8V) 50 - 14 - 3 LightSquared Band Rejection vs. VDD Rejection vs. VDD 90 2.5 VDD (V) VDD (V) 3 3.5 4 NJG1156PCD 特性例 Conditions: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による P-1dB(IN) vs. VDD OIP3, IIP3 vs. VDD 20 6 4 16 -12 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 8 18 -10 P-1dB(IN) -14 -16 -18 OIP3 14 2 12 0 10 -2 IIP3 8 -20 -4 -6 6 -22 -8 4 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1 2 2.5 3 3.5 VDD (V) Out-of-band IIP2 vs. VDD Out-of-band IIP3 vs. VDD IIP2_OB 70 60 50 4 (VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=-20dBm, f2=1851MHz at Pin=-20dBm) 80 Out-of-band IIP3 (dBm) 90 80 1.5 VDD (V) (VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 100 Out-of-band IIP2 (dBm) (VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) IIP3 (dBm) (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) -8 70 60 IIP3_OB 50 40 40 30 30 1 1.5 2.5 3 3.5 4 1 1.5 2 2.5 3 3.5 VDD (V) VDD (V) 2nd Harmonics vs. VDD Out of band P-1dB vs. VDD (VCTL=1.8V, fRF=787.76MHz) 0 -10 -20 -30 2fo -40 4 (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 24 Out of Band P-1dB (dBm) 2nd Harmonics (dBm) 2 20 f jam =1710MHz * P-1dB(fjam=1710MHz) is over +24dBm at VDD > 2.8V 16 12 8 4 * *P-1dB(fjam=900MHz) is over +24dBm. -50 0 1 1.5 2 2.5 VDD (V) 3 3.5 4 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 VDD (V) - 15 - NJG1156PCD 外部回路 (Top View) RF OUT 1 VCTL Post-Filter GND Post/OUT VCTL NC(GND) 2 VDD 10 9 VDD LNA 3 LNAIN 8 C1 1000pF NC(GND) Pre/OUT 4 RF IN Pre-Filter GND Pre/IN 5 6 部品リスト 部品番号 L1 C1 - 16 - 7 型名 村 田 製 作 所 製 LQW15A シリーズ 村田製作所製 GRM03 シリーズ L1 10nH NJG1156PCD 基板実装図 (Top View) PCB 基板: FR-4 基板厚: 0.2mm VDD マイクロストリップライン幅: VCTL 0.4mm (Z0=50Ω) サイズ: 14.0mm x 14.0mm RF IN C1 RF OUT L1 < PCB レイアウトガイドライン> レイアウトガイドライン PCB PKG Terminal PKG Outline GND Via Hole Diameter φ= 0.2mm, 0.4mm デバイス使用上の注意事項 • RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。 •外部素子は FEM に極力近づけるように配置して下さい • RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパター ンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してくださ い。 - 17 - NJG1156PCD ■ 推奨フット 推奨フットパターン フットパターン (HFFP10-CD パッケージ) : ランド Package : 2.5mm x 2.5mm :マスク (開口部) *メタルマスク厚 : 100µm :レジスト (開口部) Metal MASK Detail - 18 - NJG1156PCD NF 測定ブロックダイアグラム 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent 8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form ：LSB Sideband ・Averages ：16 ・Average mode ：Point ・Bandwidth ：4MHz ・Loss comp ：off ・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力(303.15K) NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * 測定精度向上のため、プリ アンプを使用しています * ノイズソース、プリアンプ、 NF アナライザは直接接続 Input (50Ω) Noise Source Drive Output キャリブレーション時 NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) IN DUT OUT * ノイズソース、DUT、プリ アンプ、NF アナライザは 直接接続 Input (50Ω) Noise Source Drive Output NF 測定時 - 19 - NJG1156PCD パッケージ外形図 (HFFP10-CD) TOP VIEW SIDE VIEW パッケージサイズ :2.5±0.1mm 0.63mm max. 電極寸法公差: ±0.05mm BOTTOM VIEW 単位 基板 端子処理 Lid 重量 (typ.) : mm : セラミック : Au : SnAg/Kovar/Ni : 18.00mg Exposed PAD Ground connection is required. ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 製品取り扱い上の注意事項 ガリウムヒ素 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 本製品は、中空 PKG であり、外部からのｽﾄﾚｽに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評 価を行った上で、ご使用願います。 ①本製品を実装後、ﾄﾗﾝｽﾌｧｰﾓｰﾙﾄﾞやﾎﾟｯﾃｨﾝｸﾞなど行う場合は、成型上に関わる収縮ｽﾄﾚｽや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。 ②本製品を実装する場合には、ｺﾚｯﾄ径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N 以下での実装を推奨いたします。 ③動荷重に関しては、接触面積/ｽﾋﾟｰﾄﾞ/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。 - 20 -