NJG1159PHH GNSS フロントエンドモジュール 概要 NJG1159PHH は GPS、GLONASS、BeiDou、Galileo を含む GNSS での 使用を主目的としたフロントエンドモジュールです。本製品は内蔵する高性 能 SAW フィルタ及び LNA による低雑音指数、高線形性、及び高帯域外減衰 特性を特徴とします。本製品は 1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するととも に、スタンバイ機能により通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は -40~+105℃の広い温度範囲で動作可能です。 本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS 対応 / ハ ロゲンフリーの HFFP10-HH パッケージを採用することで実装面積の低減に 貢献します。 外形 特徴 GNSS 対応 低動作電圧 低消費電流 高利得 低雑音指数 高帯域外減衰 小型パッケージ RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1 端子配列 1 pin index GND 9 2 8 7 LNA Pre-Filter 3 4 PreOUT 6 PreIN GND 10 VDD VCTL LNAOUT LNAIN VCTL GND ブロックダイアグラム (Top View) VDD 1 1.8/ 2.8V typ. 3.0/3.7mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V 0.1µA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode) 15.5/16.0dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz, 1559 to 1591MHz 1.55/1.50dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz 1.70/1.65dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1597 ~ 1606MHz 1.75/1.70dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1559 ~ 1591MHz 55dBc typ. @f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz 43dBc typ. @f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz 51dBc typ. @f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz HFFP10-HH: 1.5mmx1.1mm (typ.), t=0.5mm (max.) 5 端子配列 1. VDD 2. VCTL 3. GND 4. PreIN 5. GND 6. PreOUT 7. LNAIN 8. LNAOUT 9. GND 10. GND RF IN Pre-Filter RF OUT LNA GND GND 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL モード H アクティブモード L スタンバイモード 注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。 Ver.2016-04-18 -1- NJG1159PHH 絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 電源電圧 VDD 切替電圧 VCTL 条件 PIN (inband) 入力電力 PIN (outband) VDD=2.8V, f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz VDD=2.8V, f=50 ~ 1460, 1710 ~ 4000MHz 4 層スルーホール無し FR4 基板実装時 (101.5x114.5mm), Tj=110°C 定格 単位 5.0 V 5.0 V 10 dBm 25 dBm 560 mW 消費電力 PD 動作温度 Topr -40 ~ +105 °C 保存温度 Tstg -40 ~ +110 °C 電気的特性 1 (DC 特性) 特性 (共通条件: Ta=+25°C) 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V - 3.7 - mA - 3.0 - mA - 0.1 5.0 µA - 0.1 5.0 µA - 5.0 15.0 µA 電源電圧 記号 動作電流 1 IDD1 動作電流 2 IDD2 動作電流 3 IDD3 動作電流 4 IDD4 切替電流 ICTL 条件 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=1.8V RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=1.8V RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=0V RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=0V VCTL=1.8V -2- NJG1159PHH 電気的特性 2 (RF 特性) 特性 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による 項目 記号 小信号利得(GPS)1 GainGPS1 小信号利得(GLONASS)1 GainGLN1 小信号利得(BeiDou, Galileo)1 GainBG1 雑音指数(GPS)1 NFGPS1 雑音指数(GLONASS)1 NFGLN1 雑音指数(BeiDou, Galileo)1 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 NFBG1 P-1dB(IN)1 IIP3_1 アウトバンド入力 2 次 インターセプトポイント 1 IIP2_OB1 アウトバンド入力 3 次 インターセプトポイント 1 IIP3_OB1 700MHz 高調波 1 アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 2fo1 標準 最大 単位 - 16.0 - dB - 16.5 - dB - 16.0 - dB - 1.50 - dB - 1.65 - dB - 1.70 - dB - -10.0 - dBm - -2.0 - dBm - +80 - dBm - +55 - dBm - -37 - dBm fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm P-1dB(IN) _OB1-2 fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz - 55 - dBc - 43 - dBc - 51 - dBc RLiGPS1 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB RLiGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB RLoGPS1 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB RLoGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns BR_L1 ハイバンド減衰量 1 BR_H1 WLAN バンド減衰量 1 BR_W1 群遅延時間偏差(GLONASS)1 f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz 妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz 最小 P-1dB(IN) _OB1-1 ローバンド減衰量 1 RF IN ポートリターンロス (GPS)1 RF IN ポートリターンロス (GLONASS)1 RF IN ポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1 RF OUT ポートリターンロス (GPS)1 RF OUT ポートリターンロス (GLONASS)1 RF OUT ポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1 条件 f=1575MHz (GPS) 基板コネクタ損失除く (0.17dB) f=1597~1606MHz (GLONASS) 基板コネクタ損失除く (0.17dB) f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo) 基板コネクタ損失除く(0.17dB) f=1575MHz (GPS), 基板コネクタ損失除く (0.09dB) f=1597~1606MHz (GLONASS) 基板コネクタ損失除く (0.09dB) f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo) 基板コネクタ損失除く (0.09dB) RLiBG1 RLoBG1 GDTDGLN1 群遅延時間偏差(BeiDou)1 GDTDB1 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns 群遅延時間偏差(Galileo)1 GDTDG1 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns -3- NJG1159PHH 電気的特性 3 (RF 特性) 特性 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による 項目 記号 小信号利得(GPS)2 GainGPS2 小信号利得(GLONASS)2 GainGLN2 小信号利得 (BeiDou, Galileo)2 GainBG2 雑音指数(GPS)2 NFGPS2 雑音指数(GLONASS)2 NFGLN2 雑音指数(BeiDou, Galileo)2 NFBG2 1dB 利得圧縮時入力電力 2 P-1dB(IN)2 入力 3 次インター セプトポイント 2 IIP3_2 アウトバンド入力 2 次 インターセプトポイント 2 IIP2_OB2 アウトバンド入力 3 次 インターセプトポイント 2 IIP3_OB2 700MHz 高調波 2 アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 2fo2 P-1dB(IN) _OB2-1 P-1dB(IN) _OB2-2 ローバンド減衰量 2 BR_L2 ハイバンド減衰量 2 BR_H2 WLAN バンド減衰量 2 BR_W2 RF IN ポートリターンロス (GPS)2 RF IN ポートリターンロス (GLONASS)2 RF IN ポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2 RF OUT ポートリターンロス (GPS)2 RF OUT ポートリターンロス (GLONASS)2 RF OUT ポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2 群遅延時間偏差(GLONASS)2 条件 f=1575MHz (GPS) 基板コネクタ損失除く (0.17dB) f=1597~1606MHz (GLONASS) 基板コネクタ損失除く (0.17dB) f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo) 基板コネクタ損失除く(0.17dB) f=1575MHz (GPS), 基板コネクタ損失除く (0.09dB) f=1597~1606MHz (GLONASS) 基板コネクタ損失除く (0.09dB) f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo) 基板コネクタ損失除く (0.09dB) f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz 妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz 最小 標準 最大 単位 - 15.5 - dB - 16.0 - dB - 15.5 - dB - 1.55 - dB - 1.70 - dB - 1.75 - dB - -13.0 - dBm - -5.0 - dBm - +80 - dBm - +55 - dBm - -37 - dBm - +24 - dBm - +24 - dBm - 55 - dBc - 43 - dBc - 51 - dBc RLiGPS2 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB RLiGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB RLoGPS2 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB RLoGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns RLiBG2 RLoBG2 GDTDGLN2 群遅延時間偏差(BeiDou)2 GDTDB2 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns 群遅延時間偏差(Galileo)2 GDTDG2 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns -4- NJG1159PHH 端子情報 番号 端子名 機能説明 1 VDD 電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ い。 2 VCTL 切替電圧印加端子です。 3 GND 4 PreIN 5 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 6 PreOUT pre-SAW フィルタの出力側に接続されます。 外部整合回路 L1 を介して LNAIN 端子と接続されます。 7 LNAIN LNA の RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力され ます。この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 8 LNAOUT RF 信号出力端子です。DC ブロッキングキャパシタを内蔵しているため、外 部キャパシタは不要です。 9 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 10 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 RF 信号入力端子です。pre-SAW フィルタの入力側に接続されます。 -5- NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout -6- NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による S21 vs. frequency NF, Gain vs. frequency (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 4 20 Gain 10 15 10 2 NF 1 0 S21 (dB) 3 Gain (dB) Noise Figure (dB) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 20 5 -10 -20 -30 -40 -50 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.54 1.56 1.58 1.60 0 1.64 1.62 -60 0.0 0.5 frequency (GHz) 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 frequency (GHz) Group Delay vs. frequency (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 30 Group Delay (ns) 25 20 15 10 5 0 1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62 frequency (GHz) Pout, I vs. Pin Pout, IM3 vs. Pin DD (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 10 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) 20 8 OIP3=+14.9dBm 7 P-1dB(OUT)=+4.7dBm Pout (dBm) 6 IDD -5 5 Pout 4 -15 3 -20 2 Pout , IM3 (dBm) Pout 0 -10 0 IDD (mA) 5 -20 -40 -60 IM3 -80 P-1dB(IN)=-10.8dBm -25 -40 IIP3=-1.6dBm 1 -30 -20 -10 Pin (dBm) 0 10 -100 -40 -30 -20 -10 0 10 Pin (dBm) -7- NJG1159PHH Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm) 20 9 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm) 20 9 18 8 18 16 7 16 7 14 6 14 6 12 5 12 5 IDD 10 4 8 6 P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm -30 -20 -10 0 IDD 10 3 8 2 6 1 4 -40 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 4 -40 10 20 30 1 -30 -10 0 10 20 30 Pin at 1710MHz (dBm) Out-of-band IIP2 Out-of-band IIP3 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) 100 80 80 60 60 Pout , IM3 (dBm) Pout , IM2 (dBm) -20 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz, f2=2400MHz) 40 Pout 0 -20 -40 IM2 -60 2 P-1dB(IN)_OB=+25.3dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 100 20 4 3 Pin at 900MHz (dBm) 120 8 Gain IDD (mA) Gain Gain (dB) Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz) IDD (mA) Gain (dB) 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による 40 20 0 Pout -20 -40 IM3 -60 -80 -80 IIP2_OB=+86.1dBm -100 -40 -20 0 20 40 60 80 IIP3_OB=+54.5dBm 100 Pin (dBm) -100 -40 -20 0 20 40 60 80 Pin (dBm) 2nd Harmonics (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz) 0 2nd Harmonics (dBm) -10 -20 -30 2fo=-35.9dBm -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100 -20 -10 0 10 20 30 Pin (dBm) -8- NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, , 指定の外部回路による S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout -9- NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による S21 vs. frequency NF, Gain vs. frequency (VDD=1.8V, VCTL=1.8V) 4 20 Gain 10 15 2 10 NF 1 0 S21 (dB) 3 Gain (dB) Noise Figure (dB) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V) 20 5 -10 -20 -30 -40 -50 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.54 1.56 1.58 1.60 0 1.64 1.62 -60 0.0 0.5 frequency (GHz) 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 frequency (GHz) Group Delay vs. frequency (VDD=1.8V, VCTL=1.8V) 30 Group Delay (ns) 25 20 15 10 5 0 1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62 frequency (GHz) Pout, I vs. Pin Pout, IM3 vs. Pin DD (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 10 20 8 OIP3=+11.5dBm 7 5 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) 0 P-1dB(OUT)=+1.2dBm -10 Pout 4 IDD -15 3 -20 2 IDD (mA) Pout (dBm) 5 -5 Pout , IM3 (dBm) Pout 6 0 -20 -40 -60 IM3 -80 IIP3=-4.3dBm P-1dB(IN)=-13.6dBm -25 -40 1 -30 -20 -10 Pin (dBm) 0 10 -100 -40 -30 -20 -10 0 10 Pin (dBm) - 10 - NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz) Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz) (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm) 9 20 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm) 9 20 7 16 14 6 14 6 12 5 12 5 10 4 10 4 IDD Gain (dB) 8 6 P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm 3 8 2 6 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 4 -40 -20 -10 0 Gain IDD 10 20 4 -40 30 1 -30 -10 0 10 20 Out-of-band IIP2 Out-of-band IIP3 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) 100 80 60 60 Pout , IM3 (dBm) Pout , IM2 (dBm) -20 (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz, f2=2400MHz) 80 40 Pout 0 -20 -40 IM2 -60 2 30 Pin at 1710MHz (dBm) 100 20 3 P-1dB(IN)_OB=+23.1dBm Pin at 900MHz (dBm) 120 7 (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 1 -30 8 IDD (mA) Gain 16 Gain (dB) 18 IDD (mA) 8 18 40 20 0 Pout -20 -40 IM3 -60 -80 -80 IIP2_OB=+84.4dBm -100 -40 -20 0 20 40 60 80 IIP3_OB=+53.3dBm 100 Pin (dBm) -100 -40 -20 0 20 40 60 80 Pin (dBm) 2nd Harmonics (VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz) 0 2nd Harmonics (dBm) -10 -20 -30 2fo=-34.8dBm -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100 -20 -10 0 10 20 30 Pin (dBm) - 11 - NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による NF, Gain vs. Temperature Return Loss vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 3.5 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 20 2.5 16 2.0 14 1.5 12 NF 1.0 10 0.5 8 Return Loss (dB) 18 Gain (dB) Noise Figure (dB) Gain 3.0 RLo 15 10 RLi 5 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0 -60 6 120 -40 -20 o (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) Group Delay Time Deviation (ns) Band Rejection (dBc) 915MHz 40 40 60 80 100 120 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz) 20 60 50 20 Group Delay Time Deviation vs. Temperature Band Rejection vs. Temperature 70 0 Temperature (oC) Temperature ( C) 2400MHz 1980MHz 30 Galileo (1559~1591MHz) 15 10 BeiDou (1559~1563.2MHz) 5 GLONASS (1597~1606MHz) 20 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0 -60 120 Temperature (oC) IDD (mA) @Active Mode 1.0 IDD (Active Mode) 0.8 0.6 2 0.4 IDD (Standby Mode) 1 -40 -20 40 60 80 100 120 1.2 3 0 -60 20 vs. Temperature 5 4 0 0 20 40 60 80 100 0.2 IDD (µ µ A) @Standby Mode I -20 Temperature (oC) DD (VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 -40 0.0 120 o Temperature ( C) - 12 - NJG1159PHH 特性例 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による P-1dB(IN) vs. Temperature OIP3, IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 18 6 16 -10 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) -8 P-1dB(IN) -12 -14 -16 OIP3 14 2 12 0 10 IIP3 -2 8 -18 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 6 -60 120 -4 -40 -20 o 0 20 40 60 80 100 -6 120 o Temperature ( C) Temperature ( C) Out-of-band IIP2 vs. Temperature Out-of-band IIP3 vs. Temperature (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm) 80 90 Out-of-band IIP3 (dBm) (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 100 Out-of-band IIP2 (dBm) 4 IIP2_OB 80 70 60 50 -60 -40 -20 0 20 40 60 IIP3 (dBm) -6 80 100 120 Temperature (oC) 70 60 IIP3_OB 50 40 30 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 Temperature (oC) 2nd Harmonics vs. Temperature 2nd Harmonics (dBm) -10 (VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz, fin=787.76MHz, Pin=+15dBm) -20 -30 2fo -40 -50 -60 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 Temperature (oC) - 13 - NJG1159PHH 特性例 共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による NF, Gain vs. VDD Return Loss vs. VDD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 3.0 18 17 RLo Gain 15 1.5 NF Gain (dB) 16 2.0 14 1.0 Return Loss (dB) 2.5 Noise Figure (dB) (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 20 15 10 RLi 5 13 0.5 (NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 0.0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.5 12 4.0 0 1.0 3.5 4.0 Group Delay Time Deviation (ns) (VCTL=1.8V, fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz) 12 2400MHz 1980MHz 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 8 6 BeiDou 4 (1559~1563.2MHz) 2 GLONASS (1597~1606MHz) 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VDD (V) vs. V DD DD (VCTL=1.8V/0V, RF OFF) 6 (1559~1591MHz) 0.6 0.5 5 0.4 4 IDD (Active Mode) 3 0.3 2 0.2 1 IDD 0.1 IDD (µ µ A) @Standby Mode I Galileo 10 0 1.0 4.0 VDD (V) IDD (mA) @Active Mode 3.0 Group Delay Time Deviation vs. VDD (VCTL=1.8V) 30 20 1.0 2.5 Band Rejection vs. VDD 915MHz 40 2.0 VDD (V) 60 50 1.5 VDD (V) 70 Band Rejection (dBc) 3.0 (Standby Mode) 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0.0 4.0 VDD (V) - 14 - NJG1159PHH 特性例 共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による (VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) 18 -8 16 4 -10 14 2 -12 P-1dB(IN) 12 0 OIP3 10 -2 -16 8 -4 -18 6 -14 -20 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4 1.0 4.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VDD (V) Out-of-band IIP2 vs. VDD Out-of-band IIP3 vs. VDD IIP2_OB 80 70 60 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VDD (V) -8 4.0 (VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm) 80 Out-of-band IIP3 (dBm) 90 50 1.0 -6 IIP3 VDD (V) (VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 100 Out-of-band IIP2 (dBm) 6 IIP3 (dBm) OIP3, IIP3 vs. VDD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) -6 P-1dB(IN) vs. VDD 70 60 IIP3_OB 50 40 30 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VDD (V) 2nd Harmonics vs. VDD (VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz, fin=787.76MHz, Pin=+15dBm) 2nd Harmonics (dBm) -10 -20 -30 2fo -40 -50 -60 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VDD (V) - 15 - NJG1159PHH 外部回路 (Top View) 1 pin index GND VDD VDD 9 1 LNAOUT RF OUT 8 C1 1000pF VCTL LNAIN 2 7 LNA VCTL GND Pre-Filter 3 PreOUT 6 L1 PreIN GND 13nH RF IN 4 10 5 GND 部品リスト 部品番号 L1 C1 型名 村田製作所製 LQW15AN_00 シリーズ 村田製作所製 GRM03 シリーズ - 16 - NJG1159PHH 基板実装図 (Top View) VCTL VDD C1 1 pin index RF IN RF OUT PCB 基板: FR-4 基板厚: 0.2mm マイクロストリップライン幅: 0.4mm (Z0=50Ω) サイズ: 14.0mm x 14.0mm L1 < PCB レイアウトガイドライン> レイアウトガイドライン PCB PKG Terminal PKG Outline GND Via Hole Diameter φ= 0.2mm デバイス使用上の注意事項 • RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。 • 外部素子は FEM に極力近づけるように配置して下さい • RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパタ ーンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置して ください。 - 17 - NJG1159PHH ■ 推奨フットパターン (HFFP10-HH パッケージ) パッケージ PKG : 1.5mm x 1.1mm Pin pitch : 0.39mm : ランド : マスク (開口部) *メタルマスク厚: 100µm : レジスト (開口部) - 18 - NJG1159PHH NF 測定ブロックダイアグラム 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent N8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form ：LSB Sideband ・Averages ：16 ・Average mode ：Point ・Bandwidth ：4MHz ・Loss comp ：off ・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力(303.15K) NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) * 測定精度向上のため、プリ アンプを使用しています * ノイズソース、プリアンプ、 NF アナライザは直接接続 Input (50Ω) Noise Source Drive Output キャリブレーション時 NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB Noise Source (Agilent 346A) IN DUT OUT * ノイズソース、DUT、プリ アンプ、NF アナライザは 直接接続 Input (50Ω) Noise Source Drive Output NF 測定時 - 19 - NJG1159PHH パッケージ外形図 パッケージ外形図 (HFFP10-HH) TOP VIEW SIDE VIEW 1pin index SIDE VIEW BOTTOM VIEW 電極寸法公差 : ±0.05mm 単位 基板 端子処理 Lid 重量 (typ.) : mm : セラミック : Au : SnAg/Kovar/Ni : 4.9mg ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 製品取り扱い上の注意事項 ガリウムヒ素 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 本製品は、中空 PKG であり、外部からのｽﾄﾚｽに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評 価を行った上で、ご使用願います。 ①本製品を実装後、ﾄﾗﾝｽﾌｧｰﾓｰﾙﾄﾞやﾎﾟｯﾃｨﾝｸﾞなど行う場合は、成型上に関わる収縮ｽﾄﾚｽや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。 ②本製品を実装する場合には、ｺﾚｯﾄ径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N 以下での実装を推奨いたします。 ③動荷重に関しては、接触面積/ｽﾋﾟｰﾄﾞ/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。 - 20 -