NJM2374A-Z ＰＷＭ型ＤＣ／ＤＣコンバータ制御用ＩＣ ■特 徴 ●- 40℃～+125℃全温度特性保証 ●電源電圧範囲 3.0V～40V（-40℃~125℃全温度範囲） ●広域発振周波数 100Hz～100kHz ●パワートランジスタ内蔵 1.5A max ●過電流検出回路内蔵 ●PWM 方式スイッチング電源制御 ●バイポーラ構造 ●外形 DMP8 ■外 形 NJM2374AM ■ブロック図、端子配列 ピン配置 CS 1 Q 8 S CD PWM ﾛｼﾞｯｸ 1.5A R 160Ω ES 2 最大 ON ﾃﾞｭｰﾃｨｰ 9:1 OSC 部 CT 7 SI 6 V+ 5 IN+ Vth=300mV Ipk Sense 3 1.CS 2.ES 3.CT 4.GND 5. IN+ 6. V+ 7. SI 8. CD PWM COMP GND Ver.2012-05-28 4 Vref 1.25V ±2% ERR.AMP -1- NJM2374A-Z ■絶対最大定格 (Ta=25℃) 項 目 記 号 + 電源電圧 出力スイッチ電流 出力スイッチ耐電圧 コンパレータ入力電圧 消費電力 V ISW VSW VIR 動作温度範囲 保存温度範囲 Topr Tstg 定 格 単 位 40 1.5 40 -0.3～40 530（※2） 710（※3） -40～+125 -50～+150 PD V A V V mW ℃ ℃ （※2）PD 値：基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 2 層)、EIA/JEDEC 準拠 （※3）PD 値：基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 4 層)、EIA/JEDEC 準拠 ※内蔵パワートランジスタを用いた降圧、極性反転アプリケーションの場合、 出力電圧 6V(-6V)以内の使用に限定されます。 ■推奨動作条件 (Ta= -40℃～+125°C) 項 目 記 号 最 小 3.0 + V 電源電圧範囲 最 大 単 位 40 V ※熱設計には十分注意願います。 ■電気的特性 直流特性 (V+=5V, Ta=25℃) 項 目 記 号 消費電流 充電電流 放電電流 電圧振幅 充放電電流比 電流制限検出電圧 飽和電圧１ ICC Ichg Idis VOSC Iratio Vipk Vsat1 飽和電圧２ Vsat2 出力ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀﾊﾞｲｱｽ抵抗 直流電流利得 オフ時コレクタ電流 スレッシホールド電圧 入力バイアス電流 Rbias hFE IC(Off) Vth IIB 条 + 件 + CT=1nF, SI=V , IN ＞Vth, ES=GND SI=V+ Ichg=Idis ダーリントン接続(CS=CD),ISW=0.7A ISW=0.7A,Ic(driver)=50mA (Forced β≒14) ISW=0.7A,VCE=5.0V VCE=40V IN+=0V 最小 標準 最大 単位 － 12 110 － － 250 － 2.8 20 180 0.5 9 300 1.0 4.0 30 300 － － 350 1.3 mA μA μA VP-P － mV V － 0.5 0.7 V － 35 － 1.225 － 160 120 10 1.250 40 － － － 1.275 400 Ω － nA V nA （注）出力スイッチテストは消費電力を最小にするためパルス条件で行う。 -2- Ver.2012-05-28 NJM2374A-Z ■電気的特性 直流特性 (V+=5V, Ta= - 40℃～+125℃) 項 目 記 号 消費電流 充電電流 放電電流 電流制限検出電圧 スレッシホールド電圧 入力バイアス電流 ICC Ichg Idis Vipk Vth IIB 条 + 件 + CT=1nF, SI=V , IN ＞Vth, ES=GND Ichg=Idis IN+=0V 最小 標準 最大 単位 － 4 30 150 1.18 － － － － － － 8.0 36 330 450 1.32 440 mA μA μA mV V nA － （注）出力スイッチテストは消費電力を最小にするためパルス条件で行う。 ■タイミングチャート High Voltage Detect Current-Limit Active Point 基準電圧 出力電圧 発振波形 OSC 部から FF リセットへ コレクタ・ エミッタ間電圧 Ver.2012-05-28 HIGH LOW OFF ON -3- NJM2374A-Z ■アプリケーション回路例 降圧回路 VIN=25V RSC 0.22Ω VOUT=5V L1 220μH 1 8 2 7 NJM2374A R2 3.6kΩ 5 6 4 CIN 100μF 3 R1 1.2kΩ D1 CT 470pF COUT 470μF 内蔵パワートランジスタを用いた降圧アプリケーションの場合、 出力電圧 6V 以内の使用に限定されます。 昇圧回路 VIN=14V RSC 0.22Ω D1 L1 180μH VOUT=30V RC 180Ω 8 COUT 150μF R2 46kΩ 1 7 2 NJM2374A 6 5 4 3 CIN 100μF CT 1500pF R1 2kΩ 極性反転回路 VIN=5V RSC 0.22Ω D1 1 8 7 2 NJM2374A R2 1.2kΩ 5 6 4 CIN 100μF VOUT=-5V 3 CT 680pF L1 100μH R1 3.6kΩ COUT 1000μF 内蔵パワートランジスタを用いた極性反転アプリケーションの場合、 出力電圧-6V 以内の使用に限定されます。 D1 は、ショットキーバリアダイオード(SBD)を使用してください。 -4- Ver.2012-05-28 NJM2374A-Z 降圧回路（大電流） RSC 0.05Ω VIN=20V RBE 75Ω RBC 300Ω 2SA1010 8 VOUT=10V L1 33μH 1 7 2 NJM2374A R2 70kΩ 5 6 4 3 CIN 300μF CT 330pF R1 10kΩ D1 COUT 300μF 昇圧回路（大電流） RSC 0.075Ω VIN=5V D1 L1 22μH VOUT=7V RC1 100Ω RC2 680Ω 8 COUT 940μF R2 46kΩ 1 7 2SC3255 2 NJM2374A 6 5 4 3 CIN 940μF R1 10kΩ RBE 220Ω CT 330pF D1 は、ショットキーバリアダイオード(SBD)を使用してください。 ■消費電力－周囲温度特性例 NJM2374AM-Z ディレーティングカーブ(Topr=-40℃～+125℃、Tjmax=150℃) 基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4,4層) 800 800 700 700 600 600 500 500 ＰD値（mW） ＰD値（mW） NJM2374AM-Z ディレーティングカーブ(Topr=-40℃～+125℃、Tjmax=150℃) 基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4,2層) 400 300 400 300 200 200 100 100 0 -40 -20 0 20 40 60 温度（℃） Ver.2012-05-28 80 100 120 140 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 温度（℃） -5- NJM2374A-Z ■特性例 消費電流温度特性例 [CT=1nF,Sl=V+=5V,IN+=1.5V,Es=GND] 充電電流温度特性例 [V+=5V] 4 30 28 26 充電電流 Ichg(μA) 消費電流 ICC(mA) 3 2 1 24 22 20 18 16 14 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 12 -50 -25 周 囲 温 度 [℃ ] 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] 充放電電流比温度特性例 [Sl=V+=5V] 放電電流温度特性例 + [V =5V] 300 16 280 14 充放電電流比 Iratio 放電電流 Idis(μA) 260 240 220 200 180 160 140 12 10 8 6 4 2 120 0 100 -50 -25 0 25 50 75 -50 -25 100 125 150 0 周 囲 温 度 [℃ ] 450 1.0 飽和電圧 1 Vsat1 [V] 電流制限検出電圧 Vipk(mV) 1.2 300 250 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 200 -5 0 -2 5 0 25 50 75 100 125 150 周 囲 温 度 [℃ ] -6- 75 100 125 150 飽和電圧1温度特性例 [V+=5V,ダーリントン接続(Cs=Cd),Isw=0.7A] 500 350 50 周囲温度 [℃] 電流制限検出電圧温度特性例 [V + = 5 V , Ic h g = Id is ] 400 25 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] Ver.2012-05-28 NJM2374A-Z ■特性例 飽和電圧2温度特性例 [V+=5V,Isw=0.7A,Ic(driver)=50mA,(Forced β≒14)] 2.0 オフ時コレクタ電流 IC(OFF) [uA] 飽和電圧2 Vsat2(V) 0.8 オフ時コレクタ電流温度特性例 [V+=5V,V CE=40V] 0.6 0.4 0.2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0.0 -50 -25 0 25 50 75 -50 -25 100 125 150 0 スレッシホールド電圧温度特性例 [V+=5V] 75 100 125 150 入力バイアス電流温度特性例 [V+=5V,IN+=5V] 400 350 入力バイアス電流 IIB (ｎA) スレッシホールド電圧 ＶTH［Ｖ］ 50 周囲温度 [℃] 周囲温度 [℃] 1.30 25 1.28 1.26 1.24 300 250 200 150 100 50 0 1.22 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ｔａ［℃］ Ver.2012-05-28 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [℃] -7- NJM2374A-Z ■特性例 スイッチON/OFF時間対タイミングキャパシタ特性例 + + (V =5V,SI=V ,Pin5=GND,Ta=25℃) 1000 スイッチON/OFF時間 tON / tOFF (μS) 発振周波数 fOSC (kHz) 1000 発振周波数対タイミングキャパシタ特性例 + + (V =5V,SI=V ,Pin5=GND,Ta=25℃) 100 10 1 100 1000 100 飽和電圧1対コレクタ電流特性例 + (V =5V,CS=CD,Ta=25℃) 飽和電圧 Vsat2 (V) 飽和電圧 Vsat1 (V) 1 0.5 10000 1.5 1 0.5 0 0 消費電流 ICC (mA) 1000 飽和電圧2対コレクタ電流特性例 + (V =5V,Ic(driver)=50mA,β≒14,Ta=25℃) 2 0 0.5 1 1.5 I (A) コレクタ電流 C 2 0 0.5 1 1.5 I (A) コレクタ電流 C 2 消費電流対電源電圧特性例 + + (CT=1nF,SI=V ,IN >Vth,ES=GND,Ta=25℃) 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 + 電源電圧 V (V) -8- tOFF タイミングキャパシタ CT (pF) 1.5 4 10 1 100 10000 タイミングキャパシタ CT (pF) 2 tON 30 35 40 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 Ver.2012-05-28