Infineon-RF-Transistors-8th-Generation-PB-v01_00-CN

产品简介
第八代射频晶体管
针对WiFi连接提供最佳性能
BFx840x是一个分离元件的异质结双极性晶体管(HBT)产品系列,为高性能WiFi连接应
用提供双频和固定频率低噪放大器(LNA)解决方案。
它结合80GHz fT硅锗:碳化物(SiGe:C)B9HFM工艺并采用专用器件几何结构,可降低
基底和晶体管之间的寄生电容,能够最终改善器件的高频特性。
为了扩大网络覆盖范围和提高数据吞吐量,IEEE 802.11ac采用了高阶调制方案——256
正交振幅调制(QAM)
,这对接入点和客户端提出更严格的信噪比要求,英飞凌第八代射
频晶体管能够显著地提高射频链路的信噪比(SNR)。
第八代射频晶体管与SiGe竞争产品的噪声系数和最大增益比较
30
0.8
0.7
+17%
Gain [dB]
NF [dB]
20
-15%
Best in class
0.6
15
BPx740
series
BPx840
series
应用
Comp. N
0
BPx740
series
BPx840
series
Comp. N
››使用改进型BiC的第八代射频晶体管,与上代产品以及最接近的SiGe同类竞争产品的
噪声系数(NF)和最大功率增益(Gmax)比较
www.infineon.com
››宽广的频率范围
››降低功耗延长电池供电时间
››抗静电能力强
››调节方便容易使用
››适用于各种输入信号功率
10
5
0.5
业界最佳射频性能
››高特征频率 f T = 80 GHz
››更高最大射频输入功率
››1.5 kV HBM ESD 健壮性
››高增益(18 dB)和业界最佳噪声系数
(0.6 dB)
,仅有8个外部无源器件
››低压供电能力,譬如
Vcc = 1.2 V 和1.8 V
关键优点
Best in class
25
关键特性
››WiFi接入点(AP)路由器和WiFi模块
››WiMAX和UWB
››卫星通信系统(SDAR和DAB)
››导航系统(譬如GPS、GLONASS)
››Ka波段振荡器(DRO)
››无人机远程控制
产品简介
第八代射频晶体管
针对WiFi连接提供最佳性能
框图
SPDT switch
Antenna
2.4 / 5 GHz
2.4 GHz LNA
Rxg
2.4 GHz PA
Power detector
SPDT switch
SPDT switch
ESD
diode
WiFi
Transceiver
5 GHz LNA
Rxg
5 GHz PA
Power detector
Highlight products
Infineon products
Txg
Txg
Other products
低噪放大器(LNA)是提高WiFi系统灵敏度和最大程度延长其覆盖距离的主要器件,较长的线路损耗导致射频前端变得非常关键,
譬如在具备4X4或8X8多入多出功能的WiFi架构中,它对于实现出色系统性能至关重要。
相比市场上现有的其他解决方案,英飞凌第八代射频双极晶体管作为LNA应用时,在频率 5.5 GHz下的噪声系数(NF)最小为 0.6 dB,
高特征频率(f T)带来的高增益,还具备出色的线性度。
这一优异性能不仅可以提高系统灵敏度和抗干扰能力,还可以让工程师设计出
价格具有吸引力的高性能WiFi设备。
部件订购代码
产品系列
订购代码(OPN)
典型最小噪声系数
[dB]
典型最大增益
[dB]
OIP3
[dBm]
OP1dB
[dBm]
封装
BFP843
BFP843H6327XTSA1
BFP843F
7.0
SOT343
BFP843FH6327XTSA1
0.90
23.5
23.5
7.0
TSFP
BFR843EL3
BFR843EL3E6327XTSA1
0.95
24.0
21.0
7.0
TSLP-3-9
BFP840ESD
BFP840ESDH6327XTSA1
0.60
27.0
21.0
4.5
SOT343
BFP840FESD
BFP840FESDH6327XTSA1
0.55
27.5
21.0
4.5
TSFP
BFP842ESD
BFP842ESDH6327XTSA1
0.40
23.5
24.5
8.0
SOT343
BFR840L3RHESD
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
0.50
26.5
17.0
4.0
TSLP-3-9
0.95
22.5
24.0
除RF SiGe晶体管LNA外,英飞凌还针对WiFi应用提供广泛的射频前端产品,包括射频发射器/接收器、高低频段射频开关、静电防护
和功率检测器件等。
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订购编号:B154-I0284-V1-5D00-AP-EC-P
日期:2016年04月
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