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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS704-00008-2v0-J
16 ビット・マイクロコントローラ
®
MB96620 シリーズ
MB96F622R/A, MB96F623R/A,
MB96F625R/A

概要
MB96620 シリーズは、富士通の F2MC-16FX アーキテクチャ(RISC と同様な性能を実現するため
の命令パイプラインを搭載した 16 ビットアーキテクチャ)を用いた 16 ビットマイクロコントロー
ラです。
F2MC-16FX 製品は、従来の F2MC-16LX ファミリと同じ CPU の命令セットを使用しています。こ
のため、F2MC-16LX 用のソフトウェアを F2MC-16FX 製品に容易に移植できます。従来の製品と
比較して、F2MC-16FX 製品は同じ動作周波数でも動作が大幅に改善され、低消費電力, 起動時間
の短縮を実現しました。
低消費電力かつ高速の処理スピードを実現するために、内蔵 PLL 回路は、4MHz~8MHz の外部振
動子から CPU に最大動作周波数 32MHz を供給できます。それにより、EMI への対策に優れ、最
小命令サイクルタイム 31.2ns を実現しています。内部電圧を降圧させる内蔵電圧レギュレータに
より放射ノイズは最小限に抑えられます。柔軟性のあるクロックツリーにより、CPU のスピード
に関係なく、周辺リソースに見合う動作周波数が設定できます。
(注意事項) F2MC は FUJITSU Flexible Microcontroller の略で、富士通セミコンダクター株式会社
の登録商標です。
富士通セミコンダクターのマイコンを効率的に開発するための情報を下記 URL にてご紹介いたします。
ご採用を検討中、またはご採用いただいたお客様に有益な情報を公開しています。
http://edevice.fujitsu.com/micom/jp-support/
Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.3
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r2.0
MB96620シリーズ
 特長
 テクノロジ
0.18µm CMOS
 CPU
・
・
・
・
F2MC-16FX CPU
コントローラアプリケーション用に最適化された命令セット
(豊富なデータタイプ(ビット, バイト, ワード, ロングワード), 23 種類の豊富なアドレッシング
モード(バレルシフト, 多様なポインタ))
8 バイトの命令キュー
符号付き乗算 (16 ビット× 16 ビット) と除算 (32 ビット/16 ビット) 命令が使用可能
 システムクロック
・
・
・
・
・
・
・
・
オンチップ PLL クロック逓倍 (×1 ~ ×8, PLL 停止時×1)
4MHz ~ 8MHz の水晶振動子
(セラミック振動子使用時の最大周波数は Q 係数によって決まる)
高速クロック入力モード時、外部クロックの最大周波数は 8MHz
32.768kHz のサブシステム水晶クロック
高速で安全な起動のための 100kHz/2MHz の内部 RC クロック, クロック停止検出機能, ウォッ
チドッグ
2 つの周辺リソースクロックドメインと CPU に対して、ソースクロックをメインクロック, サ
ブクロックおよびオンチップ RC クロックから個別に選択可能
サブクロック発振機能は、電源リセットまたは外部リセット解除後、マーカの設定により制御
されるブート ROM プログラムによって起動可能
13 種類 (ランモード, スリープモード, タイマモード, ストップモード) の低消費電力モード
 オンチップ電圧レギュレータ
内部電圧レギュレータは MCU への供給電源(最小=2.7V)を広範囲にサポートし、消費電力の低減
化を実現
 低電圧検出機能
電源電圧がソフトによる設定電圧を低下したときにリセットを発行
 コードセキュリティ
フラッシュメモリの内容が第三者によって読み出されないようにフラッシュメモリの内容を保護
可能
 DMA
CPU に依存しない自動転送機能を内蔵、周辺リソースに自由に割当て可能
 割込み
・
・
・
高速割込み処理
8 段階のプログラマブルな優先レベル
NMI (マスク不可割込み)
2
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
 CAN
CAN 仕様 Ver.2.0A および Ver.2.0B に準拠
ISO16845 認証済み
最大 1Mbps のビットレート
32 のメッセージオブジェクト
各メッセージオブジェクトには固有の識別子マスク
プログラマブル FIFO モード(メッセージオブジェクトの連結)
マスク可能な割込み
タイムトリガ CAN アプリケーション用自動再送信無効モード
自己診断動作用のプログラマブルループバックモード
・
・
・
・
・
・
・
・
・
 USART
全二重 USART (SCI/LIN)
専用リロードタイマを使用して広範囲のボーレートを設定可能
各種シリアル同期プロトコルに対応する同期オプション
マスタおよびスレーブとして動作する LIN 機能
割込み負荷を低減させる LIN プロトコル機能
・
・
・
・
・
 I2C
・
・
最大 400kbps
マスタおよびスレーブ機能, 7 ビットおよび 10 ビットアドレシング
 A/D コンバータ
・
・
・
・
SAR タイプ
8/10 ビットの分解能
変換完了時の割込み信号発生, シングル変換モード, 連続変換モード, 停止変換モード,
ソフトウェア, 外部トリガ, リロードタイマおよび PPG による起動
レンジ比較機能
 ソースクロックタイマ
3 つの独立したクロックタイマ(23 ビット RC クロックタイマ, 23 ビットメインクロックタイマ,
17 ビットサブクロックタイマ)
 ハードウェアウォッチドッグタイマ
・
・
リセット解除後、ハードウェアウォッチドッグタイマは起動
ウォッチドッグタイマのウィンドウ機能はウォッチドッグインターバルのウィンドウ下限を選
択するために使用
 リロードタイマ
・
・
・
16 ビット幅
周辺クロック周波数の 1/21, 1/22, 1/23, 1/24, 1/25, 1/26 の分周が可能
イベントカウント機能
 フリーランタイマ
・
・
オーバフロー時に割込み信号発生, アウトプットコンペア(0, 4) との一致でタイマクリア
周辺クロック周波数の 1, 1/21, 1/22, 1/23, 1/24, 1/25, 1/26, 1/27, 1/28 の分周が可能
 インプットキャプチャユニット
・
・
・
16 ビット幅
外部イベント発生時に割込み信号発生
立上りエッジ, 立下りエッジまたは両エッジの検出が可能
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3
r2.0
MB96620シリーズ
 アウトプットコンペアユニット
・
・
・
16 ビット幅
フリーランタイマとの一致発生時に割込み信号を発生
1 組のコンペアレジスタを使って出力信号の生成が可能
 プログラマブルパルスジェネレータ
・
・
・
・
・
・
・
・
16 ビットのダウンカウンタ, サイクル, デューティ設定レジスタ
2×8 ビット PPG として使用可能
トリガ, カウンタボロー, デューティ一致発生時の割込み
PWM 動作とワンショット動作
内部プリスケーラにより、カウンタクロックとして周辺クロックの 1, 1/4, 1/16, 1/64 の分周また
は選択されたリロードタイマアンダフローの 1, 1/4, 1/16, 1/64 の分周が可能
ソフトウェアまたはリロードタイマによる起動が可能
A/D コンバータの起動が可能
タイミングポイントキャプチャ
 クアッドカウンタ
・
・
・
・
・
アップダウンカウントモード, 位相差カウントモード, 方向付きカウントモード
16 ビット位置カウンタ
16 ビット回転カウンタ
割込み付きの 2 つの 16 ビットコンペアレジスタ
3 つの外部イベント入力端子 AIN, BIN, ZIN の検出エッジを設定可能
 リアルタイムクロック
・
・
・
・
・
サブクロック (32kHz), メインクロック (4MHz) または RC クロック (100kHz/2MHz) のいずれ
かからソースクロックを選択可能
サブクロックまたは RC クロックの振動誤差修正機能 (クロック補正)
秒/ 分/ 時レジスタの読取り/ 書込みアクセス可能
0.5 秒/1 秒/ 分/ 時/ 日ごとに割込み信号生成可能
内部クロック分周器とプリスケーラにより、正確な 1 秒クロックを提供
 外部割込み
・
・
・
・
エッジまたはレベル検出可能
チャネルごとに割込みマスクビットあり
CAN チャネルの RX 端子においてウェイクアップ用として外部割込みを使用可能
USART チャネルの SIN 端子においてウェイクアップ用として外部割込みを使用可能
 NMI (マスク不可割込み)
・
・
・
・
リセット後に無効になり、ブート ROM 起動時の ROM 構成ブロックの設定により
有効にできます
有効にした後は、リセット以外の方法で無効にはできません
"H"レベルまたは"L"レベル検出可能
外部割込み 0 と端子を共有
 I/O ポート
・
・
・
・
・
・
大部分の外部端子が汎用 I/O として使用可能
すべてプッシュプル出力 (I2C SDA/SCL ラインとして使用する場合を除く)
端子ごとに入出力または周辺信号として設定可能
端子ごとに入力許可を設定可能
汎用 I/O 端子ごとに 1 つの入力レベル (オートモーティブまたは CMOS ヒステリシス)
端子ごとにプルアップ抵抗を設定可能
4
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
 オンチップデバッガ (OCD)
・
・
・
・
・
・
1 線式デバッグツールインタフェース
ブレーク機能:
- ハードウェアブレーク: 6 ポイント (コードイベントと兼用)
- ソフトウェアブレーク: 4096 ポイント
イベント機能:
- コードイベント: 6 ポイント (ハードウェアブレークと兼用)
- データイベント: 6 ポイント
- イベントシーケンサ: 2 レベル + リセット
実行時間測定機能
トレース機能: 42 分岐
セキュリティ機能
 フラッシュメモリ
・
・
・
・
・
・
・
・
・
デュアルオペレーションフラッシュは一方のフラッシュバンクに書込み、または消去中に他方
のフラッシュバンクへの読出しが可能
プログラミングアルゴリズムの自動実行に対応したコマンドシーケンサとフラッシュメモリ
プログラミング用に DMA に対応
自動プログラミング, Embedded Algorithm 対応
書込み/消去/消去一時停止/再開コマンド
自動アルゴリズムの完了を示すフラグ
消去はセクタ単位で実行可能
セクタ保護
フラッシュ内容を保護するフラッシュセキュリティ機能
フラッシュ書込み中または消去中の低電圧検出可能
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5
r2.0
MB96620シリーズ

品種構成
項目
製品の種類
サブクロック
デュアルオペレーション
フラッシュメモリ
32.5KB + 32KB
64.5KB + 32KB
128.5KB + 32KB
MB96620
備考
フラッシュメモリ製品
ソフトウェアで設定可能
RAM
-
4KB
10KB
10KB
MB96F622R, MB96F622A
MB96F623R, MB96F623A
MB96F625R, MB96F625A
LQFP-64
FPT-64P-M23/M24
2 チャネル
3 チャネル
あり(1 チャネル)
なし
1 チャネル
21 チャネル
なし
あり
なし
なし
3 チャネル
パッケージ
DMA
USART
LIN-ヘッダ自動送受信機能
16 バイト送受信用 FIFO 機能
I 2C
8/10 ビット A/D コンバータ
データバッファ機能
レンジ比較機能
チャネルスキップ機能
パルス検出機能
16 ビットリロードタイマ (RLT)
16 ビットフリーランタイマ (FRT)
16 ビットインプットキャプチャ
ユニット (ICU)
16 ビットアウトプットコンペア
ユニット (OCU)
8/16 ビットプログラマブルパルス
ジェネレータ (PPG)
タイミングポイント
キャプチャ機能
スタートディレイ機能
ランプ機能
クアッドカウンタ (QPRC)
I/O ポート
クロック補正ユニット (CAL)
クロック出力機能
LIN-USART 2/7/8
LIN-USART 2
I2C 0
AN 0 ~ 14/24/25/28 ~ 31
8 チャネル
(2 チャネルは LIN-USART 用)
RLT 1/3/6
FRT 0 ~ 3
FRT 2/3 の外部クロック入力
端子なし
ICU 0/1/4 ~ 7/9/10
(ICU 9/10 は LIN-USART 用)
6 チャネル
OCU 0/1/4 ~ 7
8 チャネル (16-bit) /
16 チャネル (8-bit)
PPG 0/1/3/4/6/7/12/14
4 チャネル
あり
なし
なし
2 チャネル
CAN インタフェース
外部割込み (INT)
マスク不可割込み (NMI)
リアルタイムクロック (RTC)
製品オプション
R: CAN 搭載品
A: CAN 非搭載品
1 チャネル
13 チャネル
1 チャネル
1 チャネル
50 (デュアルクロックモード)
52 (シングルクロックモード)
1 チャネル
2 チャネル
低電圧検出機能
あり
ハードウェアウォッチドッグタイマ
オンチップ RC 発振器
オンチップデバッガ
あり
あり
あり
6
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
QPRC 0/1
CAN 2
32 メッセージバッファ
INT 0/2/3/4/7 ~ 15
低電圧検出機能は
ソフトウェアで禁止設定可能
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
(注意事項) 各製品の周辺リソースの信号はパッケージの端子数の制限により、すべて使用できるわけ
ではありません。周辺リソースの使用方法によって、リロケーション機能を使用してくだ
さい。
DS704-00008-2v0-J
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7
r2.0
MB96620シリーズ

ブロックダイヤグラム
CKOT0_R, CKOT1, CKOT1_R
CKOTX1
X0, X1
X0A, X1A
RSTX
MD
NMI_R
DEBUG I/F
フラッシュ
メモリA
割込み
コントローラ
16FX
CPU
OCD
クロック &
モードコントローラ
16FX コアバス (CLKB)
ウォッチ
ドッグ
AVcc
AVss
AVRH
AN0~AN14
AN24, AN25
AN28~AN31
ADTG_R
TIN1, TIN3
TOT1, TOT3
FRCK0
IN0, IN1
OUT0_R, OUT1_R
FRCK1
IN4~IN7
OUT4~OUT7
周辺バス
ブリッジ
RAM
ブート ROM
電圧
レギュレータ
2
IC
1ch
周辺バス 2 (CLKP2)
SDA0
SCL0
周辺バス
ブリッジ
8/10 ビット
ADC
21ch
16 ビット
リロードタイマ
1/3/6
3ch
I/O タイマ 0
FRT 0
ICU 0/1
OCU 0/1
周辺バス 1 (CLKP1)
DMA
コントローラ
I/O タイマ 1
FRT 1
ICU 4/5/6/7
OCU 4/5/6/7
I/O タイマ 2
FRT 2
ICU 9
I/O タイマ 3
FRT 3
ICU 10
8
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Vcc
Vss
C
CAN
インタフェース
1ch
USART
3ch
PPG
8ch (16 ビット) /
16ch (8 ビット)
リアルタイム
クロック
RX2
TX2
SIN2, SIN2_R, SIN7_R, SIN8_R
SOT2, SOT2_R, SOT7_R, SOT8_R
SCK2, SCK2_R, SCK7_R, SCK8_R
TTG0, TTG1, TTG4~TTG6
TTG7, TTG12~TTG15
PPG0, PPG1, PPG3, PPG4
PPG6, PPG7, PPG12, PPG14
PPG0_B, PPG1_B, PPG3_B, PPG4_B
PPG6_B, PPG7_B, PPG12_B, PPG14_B
WOT
AIN0, AIN1
QPRC
2ch
外部割込み
13ch
BIN0, BIN1
ZIN0, ZIN1
INT8~INT15
INT0_R, INT2_R, INT4_R
INT7_R, INT9_R~INT11_R
INT3_R1
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ

端子配列図
P01_2 / INT11_R
P01_1 / TOT1 / CKOTX1 / OUT1_R
P01_3
P01_4 / PPG4_B
P01_5 / SIN2_R / INT7_R*1
P01_7 / SCK2_R / PPG7_B*1
P01_6 / SOT2_R / PPG6_B
P02_1
P02_0 / PPG12 / CKOT1_R
P02_2 / ZIN0 / PPG14 / CKOT0_R
P02_3
P02_4 / AIN0 / IN0 / TTG0
RSTX
X1
X0
Vss
(Top view)
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33
49
32
P01_0 / TIN1 / CKOT1 / OUT0_R
C
50
31
P00_7 / INT15
P02_5 / BIN0 / IN1 / TTG1 / ADTG_R
51
30
P00_6 / INT14
P04_4 / SDA0 / FRCK0*2
52
29
P00_5 / INT13 / SIN8_R / PPG14_B*1
P04_5 / SCL0 / FRCK1*2
53
28
P00_4 / INT12 / SOT8_R / PPG12_B
P03_0 / AIN1 / IN4 / TTG4 / TTG12 / AN24
54
27
P00_3 / INT11 / SCK8_R / PPG3_B*1
26
P00_2 / INT10 / SIN7_R*1
25
P00_1 / INT9 / SOT7_R / PPG1_B
Vcc
P03_1 / BIN1 / IN5 / TTG5 / TTG13 / AN25
55
P03_2 / INT10_R / RX2*1
56
P03_3 / TX2
57
LQFP - 64
24
P00_0 / INT8 / SCK7_R / PPG0_B*1
61
20
P04_1 / X1A*3
P06_0 / AN0 / PPG0
62
19
P04_0 / X0A*3
P06_1 / AN1 / PPG1
63
18
Vss
P04_3 / IN7 / TTG7 / TTG15
P04_2 / IN6 / INT9_R / TTG6 / TTG14
8
P05_6 / AN14 / INT4_R
7
P05_4 / AN12 / TOT3 / INT2_R
6
P05_5 / AN13 / INT0_R / NMI_R
5
P05_3 / AN11 / TIN3 / WOT
4
P05_1 / AN9 / SOT2
3
P05_2 / AN10 / SCK2*1
2
17
9 10 11 12 13 14 15 16
P05_0 / AN8 / SIN2 / INT3_R1*1
64
1
AVss
AVcc
P06_7 / AN7 / PPG7
MD
P03_7 / OUT7 / AN31
P06_6 / AN6 / PPG6
21
P06_5 / AN5
P17_0
60
P06_4 / AN4 / PPG4
22
P03_6 / ZIN1 / OUT6 / AN30
P06_3 / AN3 / PPG3
23
59
P06_2 / AN2
58
P03_5 / OUT5 / AN29
AVRH
P03_4 / OUT4 / AN28
DEBUG I/F
(FPT-64P-M23/M24)
*1: CMOS 入力レベルのみ
2
*2: I C 用 CMOS 入力レベルのみ
*3: サブクロックを使用する場合は ROM 構成ブロック(RCB)を設定してください。
上記以外のすべての汎用端子はオートモーティブ入力レベルのみです。
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
9
r2.0
MB96620シリーズ

端子機能説明
端子記号
機能
ADTG_R
AINn
ANn
ADC
QPRC
ADC
電源
AVcc
AVRH
AVss
BINn
C
CKOTn
CKOTn_R
CKOTXn
DEBUG I/F
FRCKn
INn
INTn
INTn_R
INTn_R1
MD
NMI_R
OUTn
OUTn_R
リロケート A/D コンバータのトリガ入力端子
クアッドカウンタ n 入力端子
A/D コンバータのチャネル n 入力端子
アナログ回路電源端子
ADC
電源
QPRC
電圧レギュレータ
クロック出力機能
クロック出力機能
A/D コンバータ High 側基準電圧入力端子
アナログ回路電源端子
クアッドカウンタ n 入力端子
内部制御電源安定化コンデンサ端子
クロック出力機能 n 出力端子
リロケートクロック出力機能 n 出力端子
クロック出力機能
OCD
フリーランタイマ
ICU
外部割込み
外部割込み
クロック出力機能 n 反転出力端子
オンチップデバッガ入力/出力端子
フリーランタイマ n 入力端子
インプットキャプチャユニット n 入力端子
外部割込み n 入力端子
リロケート外部割込み n 入力端子
外部割込み
コア
外部割込み
OCU
OCU
Pnn_m
GPIO
PPGn
PPG
PPGn_B
PPG
RSTX
コア
RXn
SCKn
SCKn_R
SCLn
SDAn
SINn
CAN
USART
USART
I2C
I2C
USART
SINn_R
SOTn
SOTn_R
TINn
TOTn
USART
USART
USART
リロードタイマ
リロードタイマ
TTGn
PPG
TXn
Vcc
CAN
電源
Vss
WOT
電源
RTC
X0
クロック
クロック
X0A
説明
リロケート外部割込み n 入力端子
動作モードを指定するための入力端子
リロケートマスク不可割込み入力端子
アウトプットコンペアユニット n 波形出力端子
リロケートアウトプットコンペアユニット n 波形出力端子
汎用 I/O 端子
プログラマブルパルスジェネレータ n 出力端子
(16 ビット/8 ビット)
プログラマブルパルスジェネレータ n 出力端子
(16 ビット/8 ビット)
リセット入力端子
CAN インタフェース n RX 入力端子
USART n シリアルクロック入力/出力端子
リロケート USART n シリアルクロック入力/出力端子
I2C インタフェース n クロック I/O 入力/出力端子
I2C インタフェース n シリアルデータ I/O 入力/出力端子
USART n シリアルデータ入力端子
リロケート USART n シリアルデータ入力端子
USART n シリアルデータ出力端子
リロケート USART n シリアルデータ出力端子
リロードタイマ n イベント入力端子
リロードタイマ n 出力端子
プログラマブルパルスジェネレータ n トリガ入力端子
CAN インタフェース n TX 出力端子
電源端子
電源端子
リアルタイムクロック出力端子
発振入力端子
サブクロック発振入力端子
10
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
端子記号
機能
X1
クロック
発振出力端子
説明
X1A
ZINn
クロック
QPRC
サブクロック発振出力端子
クアッドカウンタ n 入力端子
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
11
r2.0
MB96620シリーズ

端子回路形式
端子番号
入出力
回路形式*
端子名
1
電源
AVss
2
G
AVRH
3
K
P06_2 / AN2
4
K
P06_3 / AN3 / PPG3
5
K
P06_4 / AN4 / PPG4
6
K
P06_5 / AN5
7
K
P06_6 / AN6 / PPG6
8
K
P06_7 / AN7 / PPG7
9
I
P05_0 / AN8 / SIN2 / INT3_R1
10
K
P05_1 / AN9 / SOT2
11
I
P05_2 / AN10 / SCK2
12
K
P05_3 / AN11 / TIN3 / WOT
13
K
P05_4 / AN12 / TOT3 / INT2_R
14
K
P05_5 / AN13 / INT0_R / NMI_R
15
K
P05_6 / AN14 / INT4_R
16
H
P04_2 / IN6 / INT9_R / TTG6 / TTG14
17
H
P04_3 / IN7 / TTG7 / TTG15
18
電源
Vss
19
B
P04_0 / X0A
20
B
P04_1 / X1A
21
C
MD
22
H
P17_0
23
O
DEBUG I/F
24
M
P00_0 / INT8 / SCK7_R / PPG0_B
25
H
P00_1 / INT9 / SOT7_R / PPG1_B
26
M
P00_2 / INT10 / SIN7_R
27
M
P00_3 / INT11 / SCK8_R / PPG3_B
28
H
P00_4 / INT12 / SOT8_R / PPG12_B
29
M
P00_5 / INT13 / SIN8_R / PPG14_B
30
H
P00_6 / INT14
31
H
P00_7 / INT15
32
H
P01_0 / TIN1 / CKOT1 / OUT0_R
12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
端子番号
入出力
回路形式*
端子名
33
H
P01_1 / TOT1 / CKOTX1 / OUT1_R
34
H
P01_2 / INT11_R
35
H
P01_3
36
H
P01_4 / PPG4_B
37
M
P01_5 / SIN2_R / INT7_R
38
H
P01_6 / SOT2_R / PPG6_B
39
M
P01_7 / SCK2_R / PPG7_B
40
H
P02_0 / PPG12 / CKOT1_R
41
H
P02_1
42
H
P02_2 / ZIN0 / PPG14 / CKOT0_R
43
H
P02_3
44
H
P02_4 / AIN0 / IN0 / TTG0
45
C
RSTX
46
A
X1
47
A
X0
48
電源
Vss
49
電源
Vcc
50
F
C
51
H
P02_5 / BIN0 / IN1 / TTG1 / ADTG_R
52
N
P04_4 / SDA0 / FRCK0
53
N
P04_5 / SCL0 / FRCK1
54
K
P03_0 / AIN1 / IN4 / TTG4 / TTG12 / AN24
55
K
P03_1 / BIN1 / IN5 / TTG5 / TTG13 / AN25
56
M
P03_2 / INT10_R / RX2
57
H
P03_3 / TX2
58
K
P03_4 / OUT4 / AN28
59
K
P03_5 / OUT5 / AN29
60
K
P03_6 / ZIN1 / OUT6 / AN30
61
K
P03_7 / OUT7 / AN31
62
K
P06_0 / AN0 / PPG0
63
K
P06_1 / AN1 / PPG1
64
電源
AVcc
*: 入出力回路形式の詳細については、
「■入出力回路形式」を参照してください。
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
13
r2.0
MB96620シリーズ

入出力回路形式
形式
回路
備考
A
X1
R
0
1
X out
高速発振回路:
・ X0/X1 端子に外部振動子あ
るいは共振子を接続する発
振モードと、X0 端子に外部
クロック接続する高速外部
クロック入力(FCI)モードと
の切換え可能
・ 帰還抵抗 = 約 1.0MΩ
・ 内部電圧で動作するための
振幅は 1.8V±0.15V です。
FCI
X0
FCIモードまたは振動子無効
14
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
形式
回路
備考
B
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
R
入力シャット
ダウン用
スタンバイ制御
オートモーティブ入力
GPIO 機能と兼用の低速発振回
路:
・ 帰還抵抗 = 約 5.0MΩ
・ GPIO 機能選択可能
(CMOS レベル出力(IOL =
4mA, IOH = -4mA), 入力
シャットダウン機能付きの
オートモーティブ入力, プ
ログラマブルプルアップ抵
抗)
X1A
R
X out
0
1
FCI
X0A
FCIモードまたは振動子無効
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
R
入力シャット
ダウン用
スタンバイ制御
オートモーティブ入力
C
CMOS ヒステリシス入力端子
R
ヒステリシス入力
F
電源入力保護回路
P-ch
N-ch
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
15
r2.0
MB96620シリーズ
形式
回路
備考
G
・ A/D コンバータ基準電圧入
力端子 ref + (AVRH)は保護
回路が付きます。
・ AVRH 端子は VCC に対する
保護回路は付きません。
P-ch
N-ch
H
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
・ CMOS レベル出力
(IOL = 4mA, IOH = -4mA)
・ 入力シャットダウン機能付
きのオートモーティブ入力
・ プログラマブルプルアップ
抵抗
R
オートモーティブ入力
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
I
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
・ CMOS レベル出力
(IOL = 4mA, IOH = -4mA)
・ 入力シャットダウン機能付
き CMOS ヒステリシス入力
・ プログラマブルプルアップ
抵抗
・ アナログ入力
R
ヒステリシス入力
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
アナログ入力
K
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
・ CMOS レベル出力
(IOL = 4mA, IOH = -4mA)
・ 入力シャットダウン機能付
きのオートモーティブ入力
・ プログラマブルプルアップ
抵抗
・ アナログ入力
R
オートモーティブ入力
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
アナログ入力
16
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
形式
回路
備考
M
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout
・ CMOS レベル出力
(IOL = 4mA, IOH = -4mA)
・ 入力シャットダウン機能付
き CMOS ヒステリシス入力
・ プログラマブルプルアップ
抵抗
R
ヒステリシス入力
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
N
プルアップ制御
P-ch
P-ch
Pout
N-ch
Nout*
R
・ CMOS レベル出力
(IOL = 3mA, IOH = -3mA)
・ 入力シャットダウン機能付
き CMOS ヒステリシス入力
・ プログラマブルプルアップ
抵抗
*: N チャネルトランジスタは
使用しているかどうかにか
かわらず I2C 仕様によって
スルーレート制御がありま
す。
ヒステリシス入力
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
O
・ オープンドレイン入出力
・ 出力 25mA, VCC=2.7V
・ TTL 入力
N-ch
Nout
R
入力シャットダウン用
スタンバイ制御
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
TTL入力
17
r2.0
MB96620シリーズ

メモリマップ
FF:FFFF H
ユーザROM*1
DE:0000H
DD:FFFFH
予約
10:0000 H
0F:C000H
0E:9000H
ブートROM
周辺
予約
01:0000 H
00:8000 H
RAMSTART0*2
ROM/RAM
ミラー
内部RAM
バンク0
予約
00:0C00H
00:0380 H
周辺
00:0100 H
GPR*3
DMA
00:00F0 H
00:0000 H
予約
周辺
00:0180 H
*1: USER ROM領域の詳細については、「フラッシュデバイスのユーザROMメモリマップ」を参照
してください。
*2: RAMSTARTアドレスについては次ページの表を参照してください。
*3: 未使用のGPRバンクはRAM領域として使用できます。
GPR: 汎用レジスタ (General-Purpose Register)
DMA 領域は、デバイスに対応するリソースが組み込まれている場合にのみ使用可能です。
RAM と ROM の使用可能な領域はデバイス構成によって異なります。
18
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ

RAMSTARTアドレス
デバイス
バンク 0
RAM サイズ
RAMSTART0
MB96F622
4K バイト
00:7200H
MB96F623
MB96F625
10K バイト
00:5A00H
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
19
r2.0
MB96620シリーズ

フラッシュデバイスのユーザROM メモリマップ
MB96F622
CPU
モード
アドレス
FF:FFFFH
フラッシュメモリ
モード
アドレス
3F:FFFFH
FF:8000H
3F:8000H
FF:7FFFH
3F:7FFFH
FF:0000H
3F:0000H
FE:FFFFH
3E:FFFFH
FE:0000H
3E:0000H
MB96F623
MB96F625
フラッシュサイズ
フラッシュサイズ
フラッシュサイズ
32.5Kバイト + 32Kバイト
64.5Kバイト + 32Kバイト
128.5Kバイト + 32Kバイト
SA39 - 64Kバイト
SA39 - 64Kバイト
SA39 - 32Kバイト
フラッシュAのバンクA
SA38 - 64Kバイト
FD:FFFFH
予約
予約
予約
DF:A000H
DF:9FFFH
1F:9FFFH
DF:8000H
1F:8000H
DF:7FFFH
1F:7FFFH
DF:6000H
1F:6000H
DF:5FFFH
1F:5FFFH
DF:4000H
1F:4000H
DF:3FFFH
1F:3FFFH
DF:2000H
1F:2000H
DF:1FFFH
1F:1FFFH
DF:0000H
1F:0000H
DE:FFFFH
DE:0000H
SA4 - 8Kバイト
SA4 - 8Kバイト
SA4 - 8Kバイト
SA3 - 8Kバイト
SA3 - 8Kバイト
SA3 - 8Kバイト
SA2 - 8Kバイト
SA2 - 8Kバイト
SA2 - 8Kバイト
SA1 - 8Kバイト
SA1 - 8Kバイト
SA1 - 8Kバイト
SAS - 512バイト*
SAS - 512バイト*
SAS - 512バイト*
予約
予約
予約
フラッシュAのバンクB
フラッシュAのバンクA
*: SAS-512B の物理アドレス領域は、DF:0000H~DF:01FFH です。
その他の領域(DF:0200H~DF:1FFFH)は、すべて SAS-512B のミラー領域です。
セクタ SAS は CPU アドレス DF:0000H - DF:01FFH の ROM 構成ブロック RCBA を含みます。
2
SAS は E PROM エミュレーションには使用できません。
20
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ

シリアルプログラミング通信インタフェース
フラッシュシリアルプログラミング用の USART 端子(MD = 0, DEBUG I/F = 0, シリアル通信モード)
MB96620
端子番号
USART のチャネル
9
10
通常機能
SIN2
USART2
SOT2
11
SCK2
26
SIN7_R
25
USART7
SOT7_R
24
SCK7_R
29
SIN8_R
28
USART8
27
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
SOT8_R
SCK8_R
21
r2.0
MB96620シリーズ

割込みベクタテーブル
ベクタ
ベクタ
テーブルの
番号
オフセット
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
3FCH
3F8H
3F4H
3F0H
3ECH
3E8H
3E4H
3E0H
3DCH
3D8H
3D4H
3D0H
3CCH
3C8H
3C4H
3C0H
3BCH
3B8H
3B4H
3B0H
3ACH
3A8H
3A4H
3A0H
39CH
398H
394H
390H
38CH
388H
384H
380H
37CH
378H
374H
370H
36CH
368H
364H
360H
35CH
ベクタ名
DMA
クリア
プログラム
への ICR
インデックス
CALLV0
CALLV1
CALLV2
CALLV3
CALLV4
CALLV5
CALLV6
CALLV7
RESET
INT9
EXCEPTION
NMI
DLY
RC_TIMER
MC_TIMER
SC_TIMER
LVDI
EXTINT0
EXTINT2
EXTINT3
EXTINT4
EXTINT7
EXTINT8
EXTINT9
EXTINT10
EXTINT11
EXTINT12
EXTINT13
EXTINT14
EXTINT15
CAN2
PPG0
PPG1
-
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
なし
あり
あり
-
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
22
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
説明
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
CALLV 命令
RESET ベクタ
INT9 命令
未定義命令実行
マスク不可割込み
遅延割込み
RC クロックタイマ
メインクロックタイマ
サブクロックタイマ
低電圧検出
外部割込み 0
予約
外部割込み 2
外部割込み 3
外部割込み 4
予約
予約
外部割込み 7
外部割込み 8
外部割込み 9
外部割込み 10
外部割込み 11
外部割込み 12
外部割込み 13
外部割込み 14
外部割込み 15
予約
予約
CAN コントローラ 2
予約
予約
プログラマブルパルスジェネレータ 0
プログラマブルパルスジェネレータ 1
予約
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
ベクタ
ベクタ
テーブルの
番号
オフセット
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
358H
354H
350H
34CH
348H
344H
340H
33CH
338H
334H
330H
32CH
328H
324H
320H
31CH
318H
314H
310H
30CH
308H
304H
300H
2FCH
2F8H
2F4H
2F0H
2ECH
2E8H
2E4H
2E0H
2DCH
2D8H
2D4H
2D0H
2CCH
2C8H
2C4H
2C0H
2BCH
ベクタ名
DMA
クリア
プログラム
への ICR
インデックス
説明
PPG3
PPG4
PPG6
PPG7
PPG12
PPG14
RLT1
RLT3
RLT6
ICU0
ICU1
ICU4
ICU5
ICU6
ICU7
ICU9
ICU10
OCU0
OCU1
-
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
-
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
プログラマブルパルスジェネレータ 3
プログラマブルパルスジェネレータ 4
予約
プログラマブルパルスジェネレータ 6
プログラマブルパルスジェネレータ 7
予約
予約
予約
予約
プログラマブルパルスジェネレータ 12
予約
プログラマブルパルスジェネレータ 14
予約
予約
予約
予約
予約
予約
リロードタイマ 1
予約
リロードタイマ 3
予約
予約
リロードタイマ 6
インプットキャプチャユニット 0
インプットキャプチャユニット 1
予約
予約
インプットキャプチャユニット 4
インプットキャプチャユニット 5
インプットキャプチャユニット 6
インプットキャプチャユニット 7
予約
インプットキャプチャユニット 9
インプットキャプチャユニット 10
予約
アウトプットコンペアユニット 0
アウトプットコンペアユニット 1
予約
予約
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
23
r2.0
MB96620シリーズ
ベクタ
ベクタ
テーブルの
番号
オフセット
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
2B8H
2B4H
2B0H
2ACH
2A8H
2A4H
2A0H
29CH
298H
294H
290H
28CH
288H
284H
280H
27CH
278H
274H
270H
26CH
268H
264H
260H
25CH
258H
254H
250H
24CH
248H
244H
240H
23CH
238H
234H
230H
22CH
228H
224H
220H
21CH
ベクタ名
DMA
クリア
プログラム
への ICR
インデックス
OCU4
OCU5
OCU6
OCU7
FRT0
FRT1
FRT2
FRT3
RTC0
CAL0
IIC0
ADC0
LINR2
LINT2
LINR7
LINT7
LINR8
LINT8
-
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
なし
なし
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
あり
-
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
24
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
説明
アウトプットコンペアユニット 4
アウトプットコンペアユニット 5
アウトプットコンペアユニット 6
アウトプットコンペアユニット 7
予約
予約
予約
予約
フリーランタイマ 0
フリーランタイマ 1
フリーランタイマ 2
フリーランタイマ 3
リアルタイムクロック
クロック補正ユニット
予約
I2C インタフェース 0
予約
A/D コンバータ 0
予約
予約
予約
予約
予約
予約
LIN USART 2 RX
LIN USART 2 TX
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
LIN USART 7 RX
LIN USART 7 TX
LIN USART 8 RX
LIN USART 8 TX
予約
予約
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
ベクタ
ベクタ
テーブルの
番号
オフセット
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
218H
214H
210H
20CH
208H
204H
200H
1FCH
1F8H
1F4H
1F0H
1ECH
1E8H
1E4H
1E0H
1DCH
1D8H
1D4H
1D0H
1CCH
1C8H
1C4H
1C0H
ベクタ名
DMA
クリア
プログラム
への ICR
インデックス
FLASHA
QPRC0
QPRC1
ADCRC0
-
あり
あり
あり
なし
-
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
説明
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
予約
フラッシュメモリ A 割込み
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クアッドカウンタ 0
クアッドカウンタ 1
A/D コンバータ 0 - レンジ比較
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25
r2.0
MB96620シリーズ
 取扱上のご注意
半導体デバイスは、ある確率で故障します。また、半導体デバイスの故障は、使用される条件(回
路条件, 環境条件など)によっても大きく左右されます。
以下に、半導体デバイスをより信頼性の高い状態で使用していただくために、注意・配慮しなけ
ればならない事項について説明します。
1. 設計上の注意事項
ここでは、半導体デバイスを使用して電子機器の設計を行う際に注意すべき事項について述べま
す。
・
絶対最大定格の遵守
半導体デバイスは、過剰なストレス (電圧, 電流, 温度など) が加わると破壊する可能性がありま
す。この限界値を定めたものが絶対最大定格です。従って、定格を一項目でも超えることのない
ようご注意ください。
・
推奨動作条件の遵守
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は、全
てこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を越え
て使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
本資料に記載されていない項目, 使用条件, 論理組み合わせでの使用は、保証していません。記載
されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。
・
端子の処理と保護
半導体デバイスには、電源および各種入出力端子があります。これらに対して以下の注意が必要
です。
(1) 過電圧・過電流の防止
各端子に最大定格を超える電圧・電流が印加されると、デバイスの内部に劣化が生じ、著しい
場合には破壊に至ります。機器の設計の際には、このような過電圧・過電流の発生を防止して
ください。
(2) 出力端子の保護
出力端子を電源端子または他の出力端子とショートしたり、大きな容量負荷を接続すると大電
流が流れる場合があります。この状態が長時間続くとデバイスが劣化しますので、このような
接続はしないようにしてください。
(3) 未使用入力端子の処理
インピーダンスの非常に高い入力端子は、オープン状態で使用すると動作が不安定になる場合
があります。適切な抵抗を介して電源端子やグランド端子に接続してください。
・
ラッチアップ
半導体デバイスは、基板上に P 型と N 型の領域を形成することにより構成されます。外部から異
常な電圧が加えられた場合、内部の寄生 PNPN 接合 (サイリスタ構造) が導通して、数百 mA を越
える大電流が電源端子に流れ続けることがあります。これをラッチアップと呼びます。この現象
が起きるとデバイスの信頼性を損ねるだけでなく、破壊に至り発熱・発煙・発火の恐れもありま
す。これを防止するために、以下の点にご注意ください。
(1) 最大定格以上の電圧が端子に加わることが無いようにしてください。異常なノイズ, サージ等
にも注意してください。
(2) 電源投入シーケンスを考慮し、異常な電流が流れないようにしてください。
管理番号: DS00-00004-1a
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MB96620シリーズ
・
安全等の規制と規格の遵守
世界各国では、安全や、電磁妨害等の各種規制と規格が設けられています。お客様が機器を設計
するに際しては、これらの規制と規格に適合するようお願いします。
・
フェイル・セーフ設計
半導体デバイスは、ある確率で故障が発生します。半導体デバイスが故障しても、結果的に人身
事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよう、お客様は、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過
電流防止設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
・
用途に関する注意
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途
に使用されることを意図して設計・製造されています。極めて高度な安全性が要求され、仮に当
該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御,航空交通管制, 大量輸送シ
ステムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御を
いう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星をいう) に使用される
よう設計・製造されたものではありません。当社は、これらの用途に当該製品が使用されたこと
により発生した損害などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。
2. パッケージ実装上の注意事項
パッケージには、リード挿入形と表面実装形があります。いずれの場合も、はんだ付け時の耐熱
性に関する品質保証は,当社の推奨する条件での実装に対してのみ適用されます。実装条件の詳細
については営業部門までお問い合わせください。
・
リード挿入形
リード挿入形パッケージのプリント板への実装方法は、プリント板へ直接はんだ付けする方法と
ソケットを使用してプリント板に実装する方法とがあります。
プリント板へ直接はんだ付けする場合は、プリント板のスルーホールにリード挿入後、噴流はん
だによるフローはんだ方法 (ウェーブソルダリング法) が一般的に使用されます。この場合、はん
だ付け実装時には、通常最大定格の保存温度を上回る熱ストレスがリード部分に加わります。当
社の実装推奨条件で実装してください。
ソケット実装方法でご使用になる場合、ソケットの接点の表面処理と IC のリードの表面処理が異
なるとき、長時間経過後、接触不良を起こすことがあります。このため、ソケットの接点の表面
処理と IC のリードの表面処理の状態を確認してから実装することをお勧めします。
・
表面実装形
表面実装形パッケージは、リード挿入形と比較して、リードが細く薄いため、リードが変形し易
い性質をもっています。また、パッケージの多ピン化に伴い、リードピッチも狭く、リード変形
によるオープン不良や、はんだブリッジによるショート不良が発生しやすいため、適切な実装技
術が必要となります。
当社ははんだリフロー方法を推奨し、製品ごとに実装条件のランク分類を実施しています。当社
推奨のランク分類に従って実装してください。
・
鉛フリーパッケージ
BGA パッケージの Sn-Ag-Cu 系ボール品を Sn-Pb 共晶はんだにて実装した場合、使用状況により
接合強度が低下することがありますのでご注意願います。
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・
半導体デバイスの保管について
プラスチックパッケージは樹脂でできているため、
自然の環境に放置することにより吸湿します。
吸湿したパッケージに実装時の熱が加わった場合、界面剥離発生による耐湿性の低下やパッケー
ジクラックが発生することがあります。以下の点にご注意ください。
(1) 急激な温度変化のある所では製品に水分の結露が起こります。このような環境を避けて、温度
変化の少ない場所に保管してください。
(2) 製品の保管場所はドライボックスの使用を推奨します。相対湿度 70%RH 以下, 温度 5°C~30°C
で保管をお願いします。ドライパッケージを開封した場合には湿度 40%~70%RH を推奨いた
します。
(3) 当社では必要に応じて半導体デバイスの梱包材として防湿性の高いアルミラミネート袋を用い、
乾燥剤としてシリカゲルを使用しております。半導体デバイスはアルミラミネート袋に入れて
密封して保管してください。
(4) 腐食性ガスの発生する場所や塵埃の多い所は避けてください。
・
ベーキングについて
吸湿したパッケージはベーキング (加熱乾燥) を実施することにより除湿することが可能です。
ベーキングは、当社の推奨する条件で実施してください。
条件:125°C/24 時間
・
静電気
半導体デバイスは静電気による破壊を起こしやすいため、以下の点についてご注意ください。
(1) 作業環境の相対湿度は 40 % ~ 70%RH にしてください。
除電装置 (イオン発生装置) の使用なども必要に応じて検討してください。
(2) 使用するコンベア, 半田槽, 半田ゴテ, および周辺付帯設備は大地に接地してください。
(3) 人体の帯電防止のため、指輪または腕輪などから高抵抗 (1 MΩ 程度) で大地に接地したり、
導電性の衣服・靴を着用し、床に導電マットを敷くなど帯電電荷を最小限に保つようにしてく
ださい。
(4) 治具, 計器類は, 接地または帯電防止化を実施してください。
(5) 組立完了基板の収納時、発泡スチロールなどの帯電し易い材料の使用は避けてください。
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3. 使用環境に関する注意事項
半導体デバイスの信頼性は、先に述べました周囲温度とそれ以外の環境条件にも依存します。ご
使用にあたっては、以下の点にご注意ください。
(1) 湿度環境
高湿度環境下での長期の使用は、デバイス自身だけでなくプリント基板等にもリーク性の不具
合が発生する場合があります。高湿度が想定される場合は、防湿処理を施す等の配慮をお願い
します。
(2) 静電気放電
半導体デバイスの直近に高電圧に帯電したものが存在すると、放電が発生し誤動作の原因とな
ることがあります。
このような場合、帯電の防止または放電の防止の処置をお願いします。
(3) 腐食性ガス, 塵埃, 油
腐食性ガス雰囲気中や、塵埃, 油等がデバイスに付着した状態で使用すると、化学反応により
デバイスに悪影響を及ぼす場合があります。このような環境下でご使用の場合は、防止策につ
いてご検討ください。
(4) 放射線・宇宙線
一般のデバイスは、設計上、放射線, 宇宙線にさらされる環境を想定しておりません。したがっ
て、これらを遮蔽してご使用ください。
(5) 発煙・発火
樹脂モールド型のデバイスは、不燃性ではありません。発火物の近くでは、ご使用にならない
でください。発煙・発火しますと、その際に毒性を持ったガスが発生する恐れがあります。
その他、特殊な環境下でのご使用をお考えの場合は、営業部門にご相談ください。
最新の取扱上のご注意については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/jp/handling-j.pdf
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
デバイスの使用上の注意
デバイスを取り扱う際には、特別な注意が必要です。
・ラッチアップの防止
・未使用端子の取り扱い
・外部クロックの使用
・PLL クロックモード動作に関する注意事項
・電源端子(Vcc/Vss)
・水晶振動子およびセラミック振動子の回路
・A/D コンバータおよびアナログ入力に対する電源投入シーケンス
・A/D コンバータを使用しないときの端子の取り扱い
・電源投入に関する注意事項
・ 電源電圧の安定化
・シリアル通信
・モード端子(MD)について
1. ラッチアップの防止
CMOS IC チップでは、次の条件下でラッチアップが発生することがあります。
- VCC を超過する電圧または VSS 未満の電圧が入力端子または出力端子に印加されたとき
- Vcc 端子と Vss 端子の間に定格電圧を超える電圧が印加されたとき
- AVCC 電源が VCC 電圧より先に印加されたとき
ラッチアップによって電源電流が急激に増加し、
デバイスに対し熱破壊を発生させる可能性があります。
同じ理由により、アナログ電源電圧(AVCC, AVRH) がデジタル電源電圧を超過しないよう注意してくだ
さい。
2. 未使用端子の取り扱い
未使用入力端子は、入力が禁止されている(ポート入力イネーブルレジスタ(PIER)の対応ビット=0)とき
に開放状態にできます。
入力が許可されているときに未使用入力端子を開放状態にしておくと、デバイスの動作不良および永
久破壊の原因になることがあります。そのため未使用入力端子におけるラッチアップ発生を防ぐため
2kΩより大きい値のプルアップ/プルダウン抵抗を使用してください。未使用の双方向端子は、出力状
態に設定した後、開放状態にするか、または入力状態に設定したうえで、入力禁止にするかあるいは
前述した外部プルアップ/プルダウンの処置をしてください。
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3. 外部クロックの使用
外部クロックに許容される周波数範囲は、発振器の種類と構成によって異なります。詳細なモードと
周波数の制限については、
「交流規格」を参照してください。単相および逆位相の外部クロックは、次
のように接続しなければなりません。
(1) メイン振動子用単相の外部クロック
メイン振動子用単相外部クロックを使用する際には、X0 端子を駆動して X1 端子を開放したまま
にしてください。また、外部クロックは 1.8V 電源を供給してください。
X0
X1
(2) サブ振動子用単相の外部クロック
サブ振動子用単相の外部クロックを使用する際には、外部クロックモードを選択し、X0A/P04_0
端子を駆動してください。X1A/P04_1 端子は GPIO として使用できます。
(3) 逆位相の外部クロック
逆位相外部クロックを使用する際には、X1 (X1A)端子に対し、X0 (X0A) 端子と逆位相のクロック
信号を供給してください。X0 端子と X1 端子へは 1.8V を供給してください。
X0
X1
4. PLL クロックモード動作に関する注意事項
本マイクロコントローラが PLL クロックで動作しているときに、振動子が外れたり、あるいはクロッ
ク入力が停止した場合、PLL 内部の自励発振回路の自走周波数で動作を継続する場合があります。こ
の動作は保証外の動作です。
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5. 電源端子(Vcc/Vss)
すべての VCC レベルとすべての VSS レベルの電源端子が同じ電位であることが必要です。VCC レベルま
たは VSS レベルが複数存在する場合、デバイスは正しく動作しないか、または保証動作範囲内であっ
ても損傷を受ける可能性があります。
電源供給源から低インピーダンスで本デバイスの Vcc 端子および Vss 端子に接続するような配慮をお
願いします。
Vcc 端子の平滑コンデンサは C 端子容量(CS)よりも大きい容量値のものを使用してください。また、そ
れとは別に、電源ノイズに対する対策として、約 0.1µF のバイパスコンデンサを Vcc 端子および Vss
端子の直近に配置してください。
6. 水晶振動子およびセラミック振動子の回路
X0, X1 端子または X0A, X1A 端子でのノイズは、異常な動作の原因となることがあります。X0, X1 端
子および X0A, X1A 端子, 水晶振動子 (またはセラミック振動子), アース線までのバイパスコンデンサ
をできる限り近くに配置し、発振回路の線をその他の回路の線とできる限り交差させないでください。
動作を安定させるため、X0, X1 端子および X0A, X1A 端子を囲むプリント基板上のパターンに接地エ
リアを設けることを推奨します。
特に高周波数で低 Q 振動子を使用する際には、振動子メーカにて振動子/MCU を実装したシステムで
評価することを推奨します。
7. A/D コンバータおよびアナログ入力に対する電源投入シーケンス
必ず、デジタル電源(VCC)を投入後に、A/Dコンバータの電源(AVCC, AVRH)およびアナログ入力(ANn)
を印加してください。また、電源切断時はA/Dコンバータの電源およびアナログ入力遮断の後に、デジ
タル電源(VCC)を切断してください。その際、AVRHはAVCCを超えないように投入, 切断してください。
アナログ入力端子と兼用している端子を入力ポートとして使用する場合においても、入力電圧はAVCC
を超えないようにしてください (アナログ電源とデジタル電源を同時に投入 切断をすることは問題あ
りません) 。
8. A/D コンバータを使用しないときの端子の取り扱い
A/D コンバータを使用しない場合は、AVCC=VCC, AVSS=AVRH=VSS になるように接続してください。
9. 電源投入に関する注意事項
内蔵電圧レギュレータの誤動作を防止するため、電源投入時の電圧が 0.2V から 2.7V まで変化させる
時間を 50µs 以上にしてください。
10. 電源電圧の安定化
電源電圧の変動が、電源電圧 VCC の安全動作範囲内であったとしても急な場合は、誤動作が発生する
可能性があります。したがって、電源電圧 VCC は安定していなければなりません。安定化の基準とし
て、電源電圧は、商用周波数(50Hz ~ 60Hz)における VCC のリップル変動(ピークとピークの間の値)が標
準的な電源電圧 VCC の 10%以内に収まり、かつ過渡変動率が電源切換えのための瞬間変動で 0.1V/µs
以下となるように安定化してください。
11. シリアル通信
シリアル通信においては、ノイズなどにより間違ったデータを受信する可能性があります。そのため、
ノイズを抑えるボードの設計をしてください。
また、万が一ノイズなどの影響により誤ったデータを受信した場合を考慮し、最後にデータのチェッ
クサムなどを付加してエラー検出を行ってください。エラーが検出された場合には、データの再送を
行ってください。
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12. モード端子(MD)について
モード端子は、Vcc端子またはVss端子に直接つないで使用してください。
ノイズにより誤ってテストモードに入ってしまうことを防ぐために、プリント板上のモード端子とVcc
端子またはVss端子間のパターン長をできる限り短くし、これらを低インピーダンスで接続してくださ
い。
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
1.
電気的特性
絶対最大定格
項目
定格値
最小
最大
単
位
記号
条件
電源電圧*1
VCC
-
VSS - 0.3
VSS + 6.0
V
アナログ
電源電圧*1
AVCC
-
VSS - 0.3
VSS + 6.0
V
VCC = AVCC*2
アナログ
基準電圧*1
AVRH
-
VSS - 0.3
VSS + 6.0
V
AVCC≧AVRH,
AVRH≧AVSS
入力電圧*1
VI
-
VSS - 0.3
VSS + 6.0
V
VI≦VCC + 0.3V*3
出力電圧*1
VO
-
VSS - 0.3
VSS + 6.0
V
VO≦VCC + 0.3V*3
ICLAMP
-
-4.0
+4.0
mA
汎用I/O 端子に印加
可能*4
Σ|ICLAMP|
-
-
17
mA
汎用 I/O 端子に印加
可能*4
"L"レベル
最大出力電流
IOL
-
-
15
mA
"L"レベル
平均出力電流
IOLAV
-
-
4
mA
"L"レベル
最大総出力電流
ΣIOL
-
-
42
mA
"L"レベル
平均総出力電流
ΣIOLAV
-
-
21
mA
"H"レベル
最大出力電流
IOH
-
-
-15
mA
"H"レベル
平均出力電流
IOHAV
-
-
-4
mA
"H"レベル
最大総出力電流
ΣIOH
-
-
-42
mA
"H"レベル
平均総出力電流
ΣIOHAV
-
-
-21
mA
消費電力*5
PD
TA=+125°C
-
352*6
mW
動作周囲温度
TA
-
-40
+125*7
°C
TSTG
-
-55
+150
°C
最大
クランプ電流
最大
総クランプ電流
保存温度
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備考
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*1: VSS = AVSS = 0Vを基準にしています。
*2: AVCCとVCCは、同じ電圧に設定してください。電源オン時、AVCCをVCCよりも大きく設定したり、
アナログ入力の電圧をAVCCよりも大きく設定することはできません。
*3: VIとVOは、VCC + 0.3V よりも大きく設定できません。またVIは指定範囲よりも大きく設定できま
せん。ただし、入力から最大電流または入力への最大電流が外部コンポーネントによってある程
度制限される場合、ICLAMP定格がVI定格より優先されます。標準ポートの入出力電圧はVCCによっ
て決まります。
*4:• すべての汎用I/O端子 (Pnn_m) に印加できます。
• 推奨動作条件内で使用してください。
• 直流電圧 (電流) で使用してください。
• +B信号とマイコンの間には、必ず制限抵抗を接続し+B信号を印加してください。
• +B入力時にマイコン端子に入力される電流が、瞬時・定常を問わず規格値以下になるように制
限抵抗の値を設定してください。
• マイクロコントローラの駆動電流が低い (低消費電力モード) 場合、+B入力電位が保護ダイオー
ドを通過し、Vcc端子の電位が上昇することにより、ほかのデバイスに影響を与えないように注
意してください。
• 電源がオフ (0Vに固定されていない) 時に+B入力が印加される場合、電源は端子から提供され
るため、不完全な動作が発生する可能性があることに注意してください。
• 電源オン時に+B入力が印加される場合、電源は端子から提供されるため、パワーリセットを動
作させるために十分な電源電圧が得られないことがある点に注意してください。
• DEBUG I/F端子はVSSに対してのみ保護ダイオードが付きます。そのためDEBUG I/F端子に負の
クランプ電流(4mA)のみ入力が許可されます。入力正電圧に対する保護は外部クランプダイオー
ドを使用し、入力電圧を最大6.0Vに制限してください。
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・推奨回路例
保護ダイオード
VCC
P-ch
制限抵抗
+B入力 (0V~16V)
N-ch
R
*5: 最大許容消費電力は、周囲温度, 気流の速度およびPCBのパッケージの熱伝導によって決まります。
実際の消費電力は、お客様の用途によって決まり、以下のように計算できます。
PD = PIO + PINT
PIO = Σ (VOL × IOL + VOH × IOH) (I/Oの合計消費電力は、すべてのI/Oポートで算出します。)
PINT = VCC × (ICC + IA) (内部消費電力)
ICCは、「直流規格」で示すように、VCC経由のコア消費電流で、動作モードとクロック周波数およ
び機能の使用方法 (フラッシュプログラミングなど) によって決まります。
IAは、AVCCのアナログ消費電流です。
*6: 気流なしの環境下、指定TAで単一層PCBに取り付けられたパッケージのワースト値
*7: フラッシュメモリの大セクタへの書込み/消去はTA≦+105℃で保証されます。
<注意事項>
絶対最大定格を超えるストレス(電圧, 電流, 温度など)の印加は、半導体デバイスを破壊する可能
性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
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2.
推奨動作条件
(VSS = AVSS = 0V)
項目
電源電圧
C 端子の
平滑コンデンサ
記号
VCC, AVCC
CS
規格値
最小
標準
最大
単位
2.7
-
5.5
V
2.0
-
5.5
V
0.5
1.0~3.9
4.7
µF
備考
ストップモード時の RAM データ保
持
1.0µF (公差± 50%以内)
3.9µF (公差± 20%以内)
セラミックコンデンサまたは同程度の
周波数特性のコンデンサを使用してく
ださい。
Vcc 端子の平滑コンデンサは CS よりも
大きい容量値のものを使用してくださ
い。
<注意事項>
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は、す
べてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超
えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証していません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。
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3.
直流規格
(1) 電流規格
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
端子
条件
CLKS1/2 = CLKB =
CLKP1/2 = 32MHz時の
PLLランモード
ICCPLL
ICCMAIN
ランモードの
電源電流*1
ICCRCL
Vcc
備考
25
-
mA TA = +25°C
フラッシュ0ウェイト
-
-
34
mA TA = +105°C
(CLKRC および CLKSC は
停止)
-
-
35
mA TA = +125°C
CLKS1/2 = CLKB =
CLKP1/2 = 4MHz時の
メインランモード
-
3.5
-
mA TA = +25°C
フラッシュ0ウェイト
-
-
7.5
mA TA = +105°C
(CLKPLL, CLKSC および
CLKRC は停止)
-
-
8.5
mA TA = +125°C
-
1.7
-
mA TA = +25°C
フラッシュ0ウェイト
-
-
5.5
mA TA = +105°C
(CLKMC, CLKPLL
およびCLKSCは停止)
-
-
6.5
mA TA = +125°C
-
0.15
-
mA TA = +25°C
-
-
3.2
mA TA = +105°C
-
-
4.2
mA TA = +125°C
-
0.1
-
mA TA = +25°C
-
-
3
mA TA = +105°C
-
-
4
mA TA = +125°C
CLKS1/2 = CLKB =
CLKP1/2 = CLKRC =
100kHz時の
RCランモード
フラッシュ0ウェイト
(CLKMC, CLKPLL
およびCLKSCは停止)
CLKS1/2 = CLKB =
CLKP1/2 = 32kHz時の
サブランモード
ICCSUB
規格値
単位
標準 最大
-
CLKS1/2 = CLKB =
CLKP1/2 = CLKRC =
2MHz時のRCランモード
ICCRCH
最小
フラッシュ0ウェイト
(CLKMC, CLKPLL
および CLKRC は停止)
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項目
記号
端子
CLKS1/2 = CLKP1/2 =
32MHz時の
PLLスリープモード
(CLKRC および CLKSC
は停止)
ICCSPLL
ICCSRCH
ICCSRCL
ICCSSUB
Vcc
ICCTPLL
ICCTMAIN
タイマ
モードの
電源電流*2
ICCTRCH
ICCTRCL
ICCTSUB
最小
規格値
単位
標準 最大
備考
-
6.5
-
mA TA = +25°C
-
-
13
mA TA = +105°C
-
-
14
mA TA = +125°C
-
0.9
-
mA TA = +25°C
-
-
4
mA TA = +105°C
-
-
5
mA TA = +125°C
-
0.5
-
mA TA = +25°C
-
-
3.5
mA TA = +105°C
-
-
4.5
mA TA = +125°C
CLKS1/2 = CLKP1/2 =
CLKRC = 100kHz時の
RCスリープモード
(CLKMC, CLKPLL
およびCLKSCは停止)
-
0.06
-
mA TA = +25°C
-
-
2.7
mA TA = +105°C
-
-
3.7
mA TA = +125°C
CLKS1/2 = CLKP1/2 =
32kHz時の
サブスリープモード
(CLKMC, CLKPLL
および CLKRC は停止)
-
0.04
-
mA TA = +25°C
-
-
2.5
mA TA = +105°C
-
-
3.5
mA TA = +125°C
-
1800
2245
µA
TA = +25°C
-
-
3165
µA
TA = +105°C
-
-
3975
µA
TA = +125°C
CLKMC = 4MHz時の
メインタイマモード
SMCR:LPMSS = 0
(CLKPLL, CLKRC
およびCLKSCは停止)
-
285
325
µA
TA = +25°C
-
-
1085
µA
TA = +105°C
-
-
1930
µA
TA = +125°C
CLKRC = 2MHz時の
RCタイマモード
SMCR:LPMSS = 0
(CLKPLL, CLKMC および
CLKSC は停止)
-
160
210
µA
TA = +25°C
-
-
1025
µA
TA = +105°C
-
-
1840
µA
TA = +125°C
CLKRC = 100kHz時の
RCタイマモード
(CLKPLL, CLKMC およ
び CLKSC は停止)
-
35
75
µA
TA = +25°C
-
-
855
µA
TA = +105°C
-
-
1640
µA
TA = +125°C
CLKSC = 32kHz時の
サブタイマモード
(CLKMC, CLKPLL
および CLKRC は停止)
-
25
65
µA
TA = +25°C
-
-
830
µA
TA = +105°C
-
-
1620
µA
TA = +125°C
CLKS1/2 = CLKP1/2 =
4MHz時の
メインスリープモード
SMCR:LPMSS = 0
(CLKPLL, CLKRC
および CLKSC は停止)
CLKS1/2 = CLKP1/2 =
CLKRC = 2MHz時の
RCスリープモード
SMCR:LPMSS = 0
(CLKMC, CLKPLL
およびCLKSCは停止)
ICCSMAIN
スリープ
モードの
電源電流*1
条件
CLKPLL = 32MHz時の
PLLタイマモード
(CLKRCおよびCLKSCは
停止)
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
39
r2.0
MB96620シリーズ
項目
記号
端子
条件
ストップ
モードの
電源電流*3
ICCH
フラッシュ
パワーダウ
ン時の電流
ICCFLASHPD
低電圧検出
機能有効時
の電源電流
*4
ICCLVD
低電圧検出機能有効
フラッシュ
書込み/消去
電流*5
ICCFLASH
-
-
-
最小
規格値
単位
標準 最大
備考
-
20
55
µA
TA = +25°C
-
-
825
µA
TA = +105°C
-
-
1615
µA
TA = +125°C
-
36
70
µA
-
5
-
µA
TA = +25°C
-
-
12.5
µA
TA = +125°C
-
12.5
-
mA TA = +25°C
-
-
20
mA TA = +125°C
Vcc
*1: 電源電流はメイン発振端子に4MHzの外部クロックを接続し、サブ発振端子に32kHzの外部クロッ
クを接続した場合の値です。電圧レギュレータ制御についてはハードウェアマニュアルの「スタン
バイモードと電圧レギュレータ制御回路」の項を参照してください。また、オンチップデバッガ使
用時の電流は含まれません。ランモードの電源電流はフラッシュ書込み/消去電流を含みません。
*2: タイマモードの電源電流はフラッシュのパワーダウン/リセットモードを使用時の値です。
フラッシュのパワーダウン/リセットモードを使用しない場合は、ICCFLASHPDの値を加えてください。
メインタイマモードの電源電流はメイン発振端子に4MHzの外部クロックを接続し、サブタイマモー
ドの電源電流はサブ発振端子32kHzの外部クロックを接続した場合の値です。また、オンチップデ
バッガ使用時の電流は含まれません。
*3: ストップモードの電源電流はフラッシュのパワーダウン/リセットモードを使用時の値です。
フラッシュのパワーダウン/リセットモードを使用しない場合は、ICCFLASHPDの値を加えてください。
*4: 低電圧検出機能有効時は電源電流にICCLVDを追加してください。
*5: フラッシュ書込み/消去時は電源電流にICCFLASHを追加してください。
40
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
(2) 端子特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
VIH
"H"レベル
入力電圧
条件
規格値
最小 標準 最大
-
VCC
× 0.7
単位
備考
V
CMOS
ヒステリシス
入力
-
VCC
+ 0.3
-
VCC
× 0.8
-
VCC
+ 0.3
V
オート
モーティブ
ヒステリシス
入力
VD=
1.8V±0.15V
ポート
入力
Pnn_m
VIHX0S
X0
「高速クロック入力
モード」
の外部クロック
VD
× 0.8
-
VD
V
VIHX0AS
X0A
「発振モード」
の外部クロック
VCC
× 0.8
-
VCC
+ 0.3
V
VIHR
RSTX
-
VCC
× 0.8
-
VCC
+ 0.3
V
VIHM
MD
-
VCC
- 0.3
-
VCC
+ 0.3
V
VIHD
DEBUG I/F
-
2.0
-
VCC
+ 0.3
V
TTL 入力
-
VSS
- 0.3
-
VCC
× 0.3
V
CMOS
ヒステリシス
入力
VIL
"L"レベル
入力電圧
端子
ポート
入力
Pnn_m
CMOS
ヒステリシス
入力
CMOS
ヒステリシス
入力
-
VSS
- 0.3
-
VCC
× 0.5
V
オート
モーティブ
ヒステリシス
入力
VD=
1.8V±0.15V
VILX0S
X0
「高速クロック入力
モード」
の外部クロック
VSS
-
VD
× 0.2
V
VILX0AS
X0A
「発振モード」
の外部クロック
VSS
- 0.3
-
VCC
× 0.2
V
-
VCC
× 0.2
V
VILR
RSTX
-
VSS
- 0.3
VILM
MD
-
VSS
- 0.3
-
VSS
+ 0.3
V
VILD
DEBUG I/F
-
VSS
- 0.3
-
0.8
V
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
CMOS
ヒステリシス
入力
CMOS
ヒステリシス
入力
TTL 入力
41
r2.0
MB96620シリーズ
項目
記号
端子
VOH4
4mA
タイプ
VOH3
3mA
タイプ
VOL4
4mA
タイプ
VOL3
3mA
タイプ
VOLD
DEBUG I/F
入力リーク
電流
IIL
Pnn_m
プルアップ
抵抗値
RPU
CIN
入力容量
4.5V≦VCC≦5.5V
IOH = -4mA
2.7V≦VCC< 4.5V
IOH = -1.5mA
4.5V≦VCC≦5.5V
IOH = -3mA
2.7V≦VCC< 4.5V
IOH = -1.5mA
4.5V≦VCC≦5.5V
IOL = +4mA
2.7V≦VCC< 4.5V
IOL = +1.7mA
2.7V≦VCC< 5.5V
IOL = +3mA
VCC = 2.7V
IOL = +25mA
規格値
最小 標準 最大
単位
VCC
- 0.5
-
VCC
V
VCC
- 0.5
-
VCC
V
-
-
0.4
V
-
-
0.4
V
0
-
0.25
V
VSS < VI < VCC
AVSS < VI <
AVCC, AVRH
-1
-
+1
µA
Pnn_m
VCC = 5.0V ±10%
25
50
100
kΩ
C,
Vcc,
Vss,
AVcc,
AVss,
AVRH
以外
-
-
5
15
pF
"H"レベル
出力電圧
"L"レベル
出力電圧
条件
42
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
備考
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
4. 交流規格
(1) メインクロック入力規格
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VD = 1.8V ± 0.15V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
fC
入力周波数
fFCI
入力周波数
端子
X0,
X1
最小
規格値
標準
最大
4
-
8
MHz
-
-
8
MHz
4
-
8
MHz
-
-
8
MHz
4
-
8
MHz
単位
X0
入力クロック周期
tCYLH
-
125
-
-
ns
入力クロック
パルス幅
PWH,
PWL
-
55
-
-
ns
水晶振動子使用時
備考
水晶振動子使用時、
PLL オフ
逆位相外部クロック
使用時、PLL オフ
水晶振動子または逆
位相外部クロック使
用時、PLL オン
「高速クロック入力
モード」の単一位相外
部クロック使用時、
PLL オフ
「高速クロック入力
モード」の単一位相外
部クロック使用時、
PLLオン
tCYLH
参考値:
1.8V±0.15V
X0,X1
振幅は外部に付加する抵抗、容量およびデバイスのばらつきにより変動します。
外部クロック使用時
X0
tCYLH
VIHX0S
VIHX0S
VIHX0S
VILX0S
PWH
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
VILX0S
PWL
43
r2.0
MB96620シリーズ
(2) サブクロック入力規格
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
入力周波数
入力クロック
周期
入力クロック
パルス幅
記号
端子
条件
最小
規格値
標準 最大
単位
-
-
32.768
-
kHz
-
-
-
100
kHz
X0A
-
-
-
50
kHz
tCYLL
-
-
10
-
-
µs
-
-
PWH/tCYLL,
PWL/tCYLL
30
-
70
%
fCL
X0A,
X1A
水晶振動子使用時
備考
発振回路使用時
逆位相外部
クロック使用時
単一位相外部
クロック使用時
tCYLL
X0A,X1A
VCC
外部クロック使用時
tCYLL
X0A
VIHX0AS
VIHX0AS
VIHX0AS
VILX0AS
PWH
44
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
VILX0AS
PWL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
(3) 内蔵 RC 発振規格
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
fRC
クロック周波数
RC 発振安定待ち時間
最小
規格値
標準
最大
50
100
200
kHz
1
2
4
MHz
80
160
320
µs
64
128
256
µs
単位
備考
RC 発振器の
低速周波数使用時
RC 発振器の
高速周波数使用時
RC 発振器の
低速周波数使用時
(16RC クロックサイクル)
RC 発振器の
高速周波数使用時
(256RC クロックサイクル)
tRCSTAB
(4) 内部クロックタイミング
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
規格値
最小
最大
単位
内部システムクロック周波数
(CLKS1 および CLKS2)
fCLKS1, fCLKS2
-
54
MHz
内部 CPU クロック周波数(CLKB),
内部周辺クロック周波数(CLKP1)
fCLKB, fCLKP1
-
32
MHz
内部周辺クロック周波数(CLKP2)
fCLKP2
-
32
MHz
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
45
r2.0
MB96620シリーズ
(5) PLL の動作条件
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
規格値
記号
最小 標準 最大
単位
PLL 発振安定待ち時間
tLOCK
1
-
4
ms
PLL 入力クロック周波数
fPLLI
4
-
8
MHz
PLL 発振クロック周波数
fCLKVCO
56
-
108
MHz
PLL 位相ジッタ
tPSKEW
-5
-
+5
ns
備考
CLKMC = 4MHz 時
PLL の許容 VCO 出力周波数
(CLKVCO)
CLKMC(PLL 入力クロック)≧
4MHz の場合
20,000サイクル内で1サイクル周期ごとに理想クロックからのズレ時間を保証します。
PLL出力
t1
t2
t3
tn-1
tn
理想クロック
遅い
t1
ズレ時間
t3
t2
tn-1
tn
早い
(6) リセット入力
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
リセット入力時間
リセット入力除去幅
記号
端子
tRSTL
RSTX
規格値
単位
最小
最大
10
-
µs
1
-
µs
tRSTL
RSTX
0.2VCC
46
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
0.2VCC
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
(7) パワーオンリセットタイミング
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
tR
パワーオン立上り時間
tOFF
パワーオフ時間
端子
Vcc
tR
最小
規格値
標準
最大
0.05
-
30
ms
1
-
-
ms
単位
tOFF
2.7V
VCC
0.2V
0.2V
0.2V
電源電圧を急激に変化させるとパワーオンリセットが起動される
ことがあります。動作中に電源電圧を変化させる場合は, 下図の
ように電圧の変動をおさえて滑らかに立ち上げてください。
5.0V
VCC
2.7V
0V
VSS
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
立上りの傾きを50 mV.ms 以下に
してください。
47
r2.0
MB96620シリーズ
(8) USART タイミング
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C, CL = 50pF)
項目
記号
端子
シリアルクロック周期
時間
tSCYC
SCKn
SCK ↓ → SOT 遅延時間
tSLOVI
SOT → SCK ↑遅延時間
tOVSHI
SIN → SCK ↑
セットアップ時間
SCK ↑ → SIN ホールド
時間
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCK ↓ → SOT 遅延時間
SIN → SCK ↑
セットアップ時間
SCK ↑ → SIN ホールド
時間
tIVSHI
tSHIXI
tSLSH
tSHSL
tSLOVE
tIVSHE
tSHIXE
条件
4.5V≦VCC < 5.5V
2.7V≦VCC < 4.5V
単位
最小
最大
最小
最大
4tCLKP1
-
4tCLKP1
-
ns
+ 20
- 30
+ 30
ns
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
2tCLKP1
+ 55
ns
-
ns
-
ns
SCKn,
- 20
SOTn
内部シフト
N×tCLKP1
SCKn,
クロック
SOTn
– 20*
モード
SCKn,
tCLKP1
SINn
+ 45
SCKn,
0
SINn
tCLKP1
SCKn
+ 10
tCLKP1
SCKn
+ 10
SCKn,
SOTn
外部シフト
tCLKP1/2
SCKn,
クロック
SINn
+ 10
モード
SCKn,
tCLKP1
SINn
+ 10
2tCLKP1
+ 45
-
N×tCLKP1
– 30*
tCLKP1
+ 55
0
tCLKP1
+ 10
tCLKP1
+ 10
tCLKP1/2
+ 10
tCLKP1
+ 10
SCK 立下り時間
tF
SCKn
-
20
-
20
ns
SCK 立上り時間
tR
SCKn
-
20
-
20
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・CL は、テスト時の端子の負荷容量値です。
・使用するマシンクロック周波数によっては、可能な最大ボーレートをパラメータで
制限できます。パラメータの詳細については、「MB96600 シリーズハードウェアマニュ
アル」を参照してください。
・tCLKP1 は周辺クロック 1 (CLKP1)を表しており、単位は ns です。
・本規格は同リロケートポート番号のみを保証します。
例えば、SCKn と SOTn_R の組み合わせは保証外です。
*: パラメータN はtSCYCによって異なり、次のように計算できます。
・tSCYC = 2 × k × tCLKP1の場合、N = k (k は2より大きい整数)。
・tSCYC = (2 × k + 1) × tCLKP1の場合、N = k + 1 (k は1より大きい整数)。
例:
tSCYC
N
4 × tCLKP1
2
5 × tCLKP1, 6 × tCLKP1
3
7 × tCLKP1, 8 × tCLKP1
4
...
...
48
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tOVSHI
tSLOVI
VOH
SOT
VOL
tIVSHI
SIN
tSHIXI
VIH
VIH
VIL
VIL
内部シフトクロックモード
SCK
tSHSL
tSLSH
VIH
VIL
VIL
tF
SOT
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
SIN
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
外部シフトクロックモード
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
49
r2.0
MB96620シリーズ
(9) 外部入力タイミング
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
記号
規格値
単位
最小
最大
端子
Pnn_m
ADTG_R
TINn
TTGn
FRCKn
入力パルス幅
tINH,
tINL
2tCLKP1 +200
(tCLKP1 =
1/fCLKP1)*
-
ns
INn
AINn,
BINn,
ZINn
備考
汎用 I/O
A/D コンバータ
トリガ入力
リロードタイマ
PPG トリガ入力
フリーランタイマ
クロック入力
インプットキャプチャ
クアッドカウンタ
INTn,
INTn_R,
INTn_R1
200
-
ns
外部割込み
NMI_R
マスク不可割込み
*: tCLKP1 は、ストップモード時の停止を除いた周辺クロック 1 (CLKP1)周期時間を表します。
tINH
外部入力タイミング
VIH
tINL
VIH
VIL
50
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
VIL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
2
(10) I C タイミング
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
高速モード*4
最小
最大
記号
SCL クロック周波数
(反復) START 条件の
ホールド時間
SDA ↓ → SCL ↓
SCL クロック"L"幅
SCL クロック"H"幅
(反復) START 条件の
セットアップ時間
SCL ↑ → SDA ↓
データホールド時間
SCL ↓ → SDA ↓ ↑
データセットアップ時間
SDA ↓ ↑ → SCL ↑
STOP 条件のセットアップ時間
SCL ↑ → SDA ↑
STOP 条件と START
条件の間のバスフリー時間
fSCL
0
100
0
400
kHz
tHDSTA
4.0
-
0.6
-
µs
tLOW
tHIGH
4.7
4.0
-
1.3
0.6
-
µs
µs
4.7
-
0.6
-
µs
0
3.45*2
0
0.9*3
µs
tSUDAT
250
-
100
-
ns
tSUSTO
4.0
-
0.6
-
µs
tBUS
4.7
-
1.3
-
µs
0
(1~1.5) ×
tCLKP1*5
0
(1~1.5) ×
tCLKP1*5
ns
入力フィルタで除去される
スパイクのパルス幅
tSUSTA
tHDDAT
条件
標準モード
最小
最大
項目
CL = 50pF,
R = (Vp/IOL) *1
tSP
-
単位
*1: R, CL:SCL, SDA ラインのプルアップ抵抗, 負荷コンデンサ
Vp は、プルアップ抵抗の電源電圧を表し、IOL は VOL 保証電流を表します。
*2: 最大 tHDDAT は少なくともデバイスの SCL 信号の"L"区間(tLOW )を延長していないということを満た
していなければなりません。
*3: 高速モード I2C バスデバイスを標準モード I2C バスシステムに使用できますが、
要求される条件 tSUDAT
≧250ns を満足しなければなりません。
*4: 100kHz 以上で使用する場合は、周辺クロック 1(CLKP1)を 6MHz 以上に設定してください。
*5: tCLKP1 は周辺クロック 1(CLKP1)の周期を表します。
SDA
tSUDAT
tSUSTA
tBUS
tLOW
SCL
tHDSTA
tHDDAT
tHIGH
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
tHDSTA
tSP
tSUSTO
51
r2.0
MB96620シリーズ
5.
A/Dコンバータ
(1) A/D コンバータの電気的特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
最小
規格値
標準
最大
単
位
-
-
-
10
bit
-
-
- 3.0
-
+ 3.0
LSB
非直線性誤差
-
-
- 2.5
-
+ 2.5
LSB
微分非直線性誤差
-
-
- 1.9
-
+ 1.9
LSB
VOT
ANn
Typ - 20
Typ + 20
mV
VFST
ANn
Typ - 20
Typ + 20
mV
比較時間*
-
-
サンプリング時間*
-
-
項目
記号
端子
分解能
-
総合誤差
ゼロトランジション
電圧
フルスケールトラン
ジション電圧
IA
電源電流
IAH
IR
AVCC
1.0
2.2
0.5
1.2
AVSS
+ 0.5LSB
AVRH
- 1.5LSB
-
-
2.0
3.1
-
-
3.3
-
520
810
-
-
1.0
-
-
15.6
2050
3600
5.0
8.0
-
4.5V≦ΑVCC≦5.5V
2.7V≦ΑVCC < 4.5V
4.5V≦ΑVCC≦5.5V
2.7V≦ΑVCC < 4.5V
A/D コンバータ
mA
動作時
A/D コンバータ
µA
非動作時
A/D コンバータ
µA
動作時
A/D コンバータ
µA
非動作時
pF
Ω 4.5V≦ΑVCC≦5.5V
Ω 2.7V≦ΑVCC< 4.5V
AVSS < VAIN <
µA
AVCC, AVRH
µs
µs
µs
µs
基準電源電流
(AVRH と AVSS の
間)
IRH
アナログ入力容量
CVIN
ANn
アナログ抵抗
RVIN
ANn
アナログポート
入力電流 (変換中)
IAIN
ANn
- 0.3
-
+ 0.3
アナログ入力電圧
VAIN
ANn
AVSS
-
AVRH
V
-
AVRH
AVCC
- 0.1
-
AVCC
V
-
-
4.0
LSB
基準電圧範囲
AVRH
チャネル間
ANn
ばらつき
*: 1 チャネルあたりの時間です。
52
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
備考
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
(2) A/D コンバータサンプリング時間の設定と精度
外部インピーダンスが高すぎる、またはサンプリング時間が短すぎる場合、内部サンプルおよびホー
ルド容量にチャージされたアナログ電圧が十分ではなくなり、A/D 変換精度に影響を与えます。
A/D 変換精度を満足するため、十分なサンプリング時間が必要です。必要なサンプリング時間(Tsamp)
は、外部駆動インピーダンス Rext, A/D コンバータ入力端子 Cext のボード容量と AVCC 電圧レベルによっ
て異なります。以下の等価回路モデルは計算に使用できます。
MCU
アナログ入力
RVIN
Rext
ソース
コンパレータ
Cext
CVIN
サンプリングスイッチ
(サンプリング時 ON)
Rext:
外部駆動インピーダンス
Cext:
A/Dコンバータ入力時のPCB容量
CVIN: アナログ入力容量 (I/O, アナログスイッチ, A/Dコンバータが含まれます。)
RVIN: アナログ入力抵抗 (I/O, アナログスイッチ, A/Dコンバータが含まれます。)
上記の等価回路モデルの概算式として以下が使用できます。
Tsamp = 7.62 × (Rext × Cext + (Rext + RVIN) × CVIN)
・ 絶対最小定格値より小さいサンプリング時間を設定してはいけません。
(サンプリング時間=0.5µs, 4.5V ≦ AVCC ≦ 5.5V)
(サンプリング時間=1.2µs, 2.7V ≦ AVCC < 4.5V)
・ サンプリング時間が十分でない場合、約 0.1µF の容量をアナログ入力端子に接続してください。
・ 端子入力リーク電流 IIL(サンプリング切換え前の静的電流)またはアナログ入力リーク電流 IAIN
(サンプリング中の端子入力とコンパレータの総リーク電流)により、大きな外部駆動インピーダンス
も A/D 変換の精度に影響を与えます。
端子入力リーク電流 IIL の影響は外部コンデンサでは補えません。
・ |AVRH – AVSS| が小さくなるほど、相対的な誤差は大きくなります。
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
53
r2.0
MB96620シリーズ
(3) A/D コンバータの用語の定義
・
・
・
・
・
・
: A/D コンバータにより識別可能なアナログ変化
: ゼロトランジション点(0b0000000000 ←→ 0b0000000001) と
フルスケールトランジション点 (0b1111111110 ←→ 0b1111111111) とを
結んだ直線と実際の変換特性との偏差
微分非直線性誤差 : 出力コードを 1LSB 変化させるのに必要な入力電圧の理想値からの
偏差
総合誤差
: 実際の値と理論値の差。 総合誤差は、ゼロトランジション誤差,
フルスケールトランジション誤差および非直線性誤差が含まれる
ゼロトランジション電圧: 最小変換値を生成する入力電圧
フルスケールトランジション電圧: 最大変換値を生成する入力電圧
分解能
非直線性誤差
非直線性誤差
0x3FF
微分非直線性誤差
実際の変換特性
0x(N+1)
0x3FE
実際の変換特性
デジタル出力
VFST
(実測値)
0x004
VNT
(実測値)
0x003
デジタル出力
{1 LSB(N-1) + VOT}
0x3FD
理想特性
0xN
V(N+1)T
(実測値)
0x(N-1)
実際の変換特性
0x002
VNT
(実測値)
理想特性
0x(N-2)
0x001
実際の変換特性
VOT (実測値)
AVSS
AVRH
アナログ入力
デジタル出力 N の非直線性誤差 =
N
VOT
VFST
VNT
AVRH
アナログ入力
VNT - {1LSB × (N - 1) + VOT}
1LSB
デジタル出力 N の微分非直線性誤差 =
1LSB =
AVSS
V(N + 1) T - VNT
1LSB
[LSB]
- 1 [LSB]
VFST - VOT
1022
: A/D コンバータデジタル出力値
: デジタル出力が 0x000 から 0x001 に遷移する電圧
: デジタル出力が 0x3FE から 0x3FF に遷移する電圧
: デジタル出力が 0x(N - 1) から 0xN に遷移する電圧
54
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
総合誤差
0x3FF
1.5 LSB
0x3FE
実際の変換特性
デジタル出力
0x3FD
{1 LSB (N-1) + 0.5 LSB}
0x004
VNT
(実測値)
実際の変換特性
0x003
0x002
理想特性
0x001
0.5 LSB
AVSS
AVRH
アナログ入力
1LSB (理想値) =
AVRH - AVSS
1024
デジタル出力 N の総合誤差 =
[V]
VNT - {1LSB × (N - 1) + 0.5LSB}
1LSB
N
: A/D コンバータデジタル出力値
VNT :デジタル出力が 0x (N+1)から 0xN に遷移する電圧
VOT (理想値) = AVSS + 0.5LSB [V]
VFST (理想値) = AVRH - 1.5LSB [V]
DS704-00008-2v0-J
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55
r2.0
MB96620シリーズ
6.
低電圧検出機能の特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
最小
規格値
標準
最大
CILCR:LVL = 0000B
CILCR:LVL = 0001B
CILCR:LVL = 0010B
CILCR:LVL = 0011B
CILCR:LVL = 0100B
CILCR:LVL = 0111B
CILCR:LVL = 1001B
2.70
2.79
2.98
3.26
3.45
3.73
3.91
2.90
3.00
3.20
3.50
3.70
4.00
4.20
3.10
3.21
3.42
3.74
3.95
4.27
4.49
V
V
V
V
V
V
V
-
- 0.004
-
+ 0.004
V/µs
CILCR:LVHYS=0
-
-
50
mV
CILCR:LVHYS=1
80
100
120
mV
記号
条件
検出電圧*1
VDL0
VDL1
VDL2
VDL3
VDL4
VDL5
VDL6
電源電圧変動率*2
dV/dt
ヒステリシス幅
VHYS
単位
安定待ち時間
TLVDSTAB
-
-
-
75
µs
検出遅延時間
td
-
-
-
30
µs
*1: 電源電圧が検出遅延時間(td)より短い時間で、検出電圧範囲を通過した場合、検出範囲通過後に
低電圧検出が発生/解除する可能性があります。
*2: 検出電圧(VDLX)で低電圧検出を行うために、電源電圧の変化を電源電圧変化率の範囲内に抑えて
ください。
56
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DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
電圧
Vcc
dV
検出電圧
dt
VDLX 最大
VDLX 最小
時間
電圧
内部リセット
Vcc
解除電圧
dV
dt
VHYS
時間
td
通常動作
td
低電圧リセットアサーション
電源リセット延長時間
RCR:LVDE
···低電圧検出機能許可
低電圧検出機能禁止
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
安定待ち時間
TLVDSTAB
低電圧検出機能許可···
57
r2.0
MB96620シリーズ
7.
フラッシュメモリ書込み/消去特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~+ 125°C)
項目
セクタ消去
時間
ワード
(16 ビット)
書込み時間
条件
最小
規格
標準
最大
単位
大セクタ
TA≦+105°C
-
1.6
7.5
s
小セクタ
-
-
0.4
2.1
s
セキュリティ
セクタ
-
-
0.31
1.65
s
大セクタ
TA≦+105°C
-
25
400
µs
小セクタ
-
-
25
400
µs
備考
内部消去事前書込み
時間を含む。
システムレベルオー
バヘッド時間除く。
内部消去事前書込み
時間を含む。
(注意事項) フラッシュメモリは、書込み中または消去中の外部電源(VCC)遮断は禁止です。
書込み中または消去中に外部電源(VCC)が消失する可能性があるアプリケーションにおい
ては、低電圧検出機能を使用して、安全に電源を落としてください。
具体的には、外部電源電圧が検出電圧(VDLX)*1 を下回ってからも、電源電圧変化率の範囲
(-0.004V/µs ~ +0.004V/µs)内で外部電源電圧を変化させてください。
チップ消去時間
TA≦+105°C
-
5.11
25.05
s
書込み/消去サイクルとデータ保持時間
書込み/消去サイクル
(cycle)
1,000
10,000
100,000
データ保持時間
(年)
20 *2
10 *2
5 *2
*1: 「6. 低電圧検出機能の特性」を参照してください。
*2: テクノロジ信頼性評価結果からの換算値です(アレニウスの式を使用し、高温加速試験結果を平均
温度+85°C へ換算しています)。
58
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ

特性例
本特性は特定サンプルにおける実力値です。保証値ではありません。
 MB96F625
Run Mode
(VCC = 5.5V)
100.00
PLL clock (32MHz)
10.00
ICC [mA]
Main osc. (4MHz)
1.00
RC clock (2MHz)
RC clock (100kHz)
0.10
Sub osc. (32kHz)
0.01
0
-50
50
100
150
TA [ºC]
Sleep Mode
100.000
PLL clock (32MHz)
10.000
ICC [mA]
(VCC = 5.5V)
Main osc. (4MHz)
1.000
RC clock (2MHz)
0.100
RC clock (100kHz)
0.010
Sub osc. (32kHz)
0.001
-50
0
50
100
150
TA [ºC]
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
59
r2.0
MB96620シリーズ
 MB96F625
Timer Mode
(VCC = 5.5V)
10.000
PLL clock (32MHz)
ICC [mA]
1.000
Main osc. (4MHz)
0.100
RC clock (2MHz)
RC clock (100kHz)
0.010
Sub osc. (32kHz)
0.001
-50
0
50
100
150
TA [ºC]
Stop Mode
(VCC = 5.5V)
1.000
ICC [mA]
0.100
0.010
0.001
-50
0
50
100
150
TA [ºC]
60
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ
 測定条件
モード
ランモード
選択したソース
クロック
PLL クロック
CLKS1 = CLKS2 = CLKB = CLKP1 = CLKP2 = 32MHz
メインクロック
CLKS1 = CLKS2 = CLKB = CLKP1 = CLKP2 = 4MHz
RC クロック
(高速)
RC クロック
(低速)
サブクロック
スリープモード
PLL クロック
メインクロック
RC クロック
(高速)
RC クロック
(低速)
サブクロック
タイマモード
PLL クロック
メインクロック
RC クロック
(高速)
RC クロック
(低速)
サブクロック
ストップモード
クロック / レギュレータとフラッシュの設定
停止状態
CLKS1 = CLKS2 = CLKB = CLKP1 = CLKP2 = 2MHz
CLKS1 = CLKS2 = CLKB = CLKP1 = CLKP2 = 100kHz
CLKS1 = CLKS2 = CLKB = CLKP1 = CLKP2 = 32kHz
CLKS1 = CLKS2 = CLKP1 = CLKP2 = 32MHz
レギュレータは高電力モード,
(CLKB はこのモードのとき停止状態)
CLKS1 = CLKS2 = CLKP1 = CLKP2 = 4MHz
レギュレータは高電力モード,
(CLKB はこのモードのとき停止状態)
CLKS1 = CLKS2 = CLKP1 = CLKP2 = 2MHz
レギュレータは高電力モード,
(CLKB はこのモードのとき停止状態)
CLKS1 = CLKS2 = CLKP1 = CLKP2 = 100kHz
レギュレータは低電力モード,
(CLKB はこのモードのとき停止状態)
CLKS1 = CLKS2 = CLKP1 = CLKP2 = 32kHz
レギュレータは低電力モード,
(CLKB はこのモードのとき停止状態)
CLKMC = 4MHz, CLKPLL = 32MHz
(システムクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは高電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
CLKMC = 4MHz
(システムクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは高電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
CLKMC = 2MHz
(システムクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは高電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
CLKMC = 100kHz
(システムクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは低電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
CLKMC = 32kHz
(システムクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは低電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
(すべてのクロックはこのモードのとき停止状態)
レギュレータは低電力モード,
フラッシュマクロはパワーダウン/リセットモード
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
61
r2.0
MB96620シリーズ

オーダ型格
CAN コントローラ付きの MCU
型格
フラッシュメモリ
パッケージ*
MB96F622RBPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F622RBPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F622RBPMC1-GSE1
(64.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F622RBPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F622RBPMC1-GTE1
MB96F623RBPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F623RBPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F623RBPMC1-GSE1
(96.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F623RBPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F623RBPMC1-GTE1
MB96F625RBPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F625RBPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F625RBPMC1-GSE1
(160.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F625RBPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F625RBPMC1-GTE1
*: パッケージの詳細については、「■パッケージ・外形寸法図」を参照してください。
CAN コントローラなしの MCU
型格
フラッシュメモリ
パッケージ*
MB96F622ABPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F622ABPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F622ABPMC1-GSE1
(64.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F622ABPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F622ABPMC1-GTE1
MB96F623ABPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F623ABPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F623ABPMC1-GSE1
(96.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F623ABPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F623ABPMC1-GTE1
MB96F625ABPMC-GSE1
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
MB96F625ABPMC-GSE2
フラッシュ A
MB96F625ABPMC1-GSE1
(160.5KB)
プラスチック・LQFP, 64ピン
MB96F625ABPMC1-GSE2
(FPT-64P-M24)
MB96F625ABPMC1-GTE1
*: パッケージの詳細については、「■パッケージ・外形寸法図」を参照してください。
62
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS704-00008-2v0-J
r2.0
MB96620シリーズ

パッケージ・外形寸法図
プラスチック・LQFP, 64 ピン
(FPT-64P-M23)
リードピッチ
0.65mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
12.0 × 12.0mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70mm MAX
質量
0.47 g
コード(参考)
P-LQFP64-12×12-0.65
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M23)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
14.00± 0.20(.551± .008)SQ
*12.00± 0.10(.472± .004)SQ
48
0.145± 0.055
(.006 ± .002)
33
49
32
0.10(.004)
Details of "A" part
+0.20
1.50 –0.10
+.008 (Mounting height)
.059 –.004
0.25(.010)
INDEX
0~8°
64
17
1
0.65(.026)
C
"A"
16
0.32 ± 0.05
(.013 ± .002)
0.13(.005)
0.50 ± 0.20
(.020 ± .008)
0.60 ± 0.15
(.024 ± .006)
0.10 ± 0.10
(.004 ± .004)
(Stand off)
M
2003-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F64034S-c-1-4
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS704-00008-2v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
63
r2.0
MB96620シリーズ
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
10.0 × 10.0 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm MAX
質量
0.32 g
プラスチック・LQFP, 64 ピン
P-LFQFP64-10 × 10-0.50
コード(参考)
(FPT-64P-M24)
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M24)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
12.00±0.20(.472±.008)SQ
* 10.00±0.10(.394±.004)SQ
48
0.145±0.055
(.006±.002)
33
49
32
Details of "A" part
0.08(.003)
+0.20
1.50 –0.10
+.008 (Mounting height)
.059 –.004
INDEX
64
0°~8°
17
0.10±0.10
(.004±.004)
(Stand off)
"A"
LEAD No.
1
16
0.50(.020)
C
0.20±0.05
(.008±.002)
0.08(.003)
M
2005-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F64036S-c-1-3
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.25(.010)
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
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
本版での主な変更内容
変更箇所は、本文中のページ左側の|によって示しています。
ページ
場所
-
-
特長
2
3
4
5
ブロックダイヤグラム
8
端子機能説明
10
PRELIMINARY → 正式版
●システムクロックを以下に変更
・
「高速クロック入力の特徴があるデバイス用最大 16MHz
外部クロック」
→
・「高速クロック入力モード時、外部クロックの最大周
波数は 8MHz」
●インプットキャプチャユニットを以下に変更
・「外部イベント発生時に割込み信号送信」
→
・「外部イベント発生時に割込み信号発生」
●アウトプットコンペアユニットを以下に変更
・「16 ビットの I/O タイマとの一致発生時に割込み信号
を送信」
→
・「フリーランタイマとの一致発生時に割込み信号を
発生」
●外部割込みを以下に変更
・「チャネルごとに割込みマスクと保留ビットが設定
可能」
→
・「チャネルごとに割込みマスクビットあり」
●オンチップデバッガ (OCD)
・「イベントシーケンサ: 2 レベル」
→
・「イベントシーケンサ: 2 レベル + リセット」
PPG から「RLT6」を削除し、16 ビットリロードタイマ
に追加
16 ビットリロードタイマを以下に変更
・「2 ch.」→「3 ch.」
・「1/3/6」チャネル情報追加
PPGn_B の説明を以下に変更
「プログラマブルパルスジェネレータ n 出力(8 ビット)」
→
「プログラマブルパルスジェネレータ n 出力端子(16 ビッ
ト/8 ビット)」
入出力回路形式
形式 B を以下に変更
・図:
「ヒステリシス入力」→「オートモーティブ入力」
・備考:
「GPIO 機能選択可能 (入力シャットダウン機能付き
CMOS ヒステリシス入力 IOL = 4mA, IOH = -4mA, プログ
ラマブルプルアップ抵抗)」
→
「GPIO 機能選択可能 (CMOS レベル出力(IOL = 4mA,
IOH = -4mA), 入力シャットダウン機能付きのオートモー
ティブ入力, プログラマブルプルアップ抵抗)」
入出力回路形式
形式 G の図:
「AVE」, 「AVR」, 「ANE」を削除
15
16
変更箇所
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ページ
18
場所
メモリマップ
割込みベクタテーブル
22
23
26~29
30
取扱上のご注意
デバイスの使用上の注意
33
電気的特性
1. 絶対最大定格
2. 推奨動作条件
37
「取扱上のご注意」を追加
「2. 未使用端子の取り扱い」の内容を修正
「3. 外部クロックの使用」に「(3) 逆位相の外部クロッ
ク」を追加
31
35
変更箇所
ブート ROM の先頭アドレスを以下に変更
「0F:E000H」→「0F:C000H」
ベクタ番号 0~7 の説明を以下に変更
「予約」→「CALLV 命令」
ベクタ番号 8 の説明を以下に変更
「予約」→「RESET ベクタ」
ベクタ番号 9 の説明を以下に変更
「予約」→「INT9 命令」
ベクタ番号 10 の説明を以下に変更
「予約」→「未定義命令実行」
ベクタ番号 64 を以下に変更
・ベクタ名:
「PPGRLT」→「RLT6」
・説明:
「リロードタイマ 6 を PPG クロックソースとして使用可
能」
→
「リロードタイマ 6」
「12. モード端子(MD)について」を追加
注釈*4 を以下に変更
・電源オン時に+B 入力が印加される場合の説明を修正
・DEBUG I/F 端子についての説明を追加
「電源電圧」に規格値と備考を追加
最小:2.0V
標準:最大:5.5V
備考:ストップモード時の RAM データ保持
規格値を変更
標準:1.0µF → 1.0 ~ 3.9µF
最大:1.5µF → 4.7µF
備考を以下に変更
・「(目標値)」を削除
・「3.9µF (公差±20%以内)」を追加
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ページ
場所
3. 直流規格
(1) 電流規格
38
39
40
変更箇所
備考:「TA = +105°C」, 「TA = +125°C」の(目標値)を削除
「ランモードの電源電流」に ICCRCH, ICCRCL を追加
「ランモードの電源電流」の条件を修正
「ランモードの電源電流」の規格値を変更
ICCPLL
標準:27mA→25mA (TA =+25°C)
最大:36mA→34mA (TA =+105°C)
最大:37mA→35mA (TA =+125°C)
ICCMAIN
標準:5mA→3.5mA (TA =+25°C)
最大:10mA→7.5mA (TA =+105°C)
最大:11.5mA→8.5mA (TA =+125°C)
ICCSUB
標準:0.5mA→0.1mA (TA =+25°C)
最大:5mA→3mA (TA =+105°C)
最大:6.5mA→4mA (TA =+125°C)
「スリープモードの電源電流」に ICCSRCH, ICCSRCL を追加
「スリープモードの電源電流」の ICCSMAIN の条件を修正
「スリープモードの電源電流」の規格値を変更
ICCSPLL
標準:10mA→6.5mA (TA =+25°C)
最大:15mA→13mA (TA =+105°C)
最大:16.5mA→14mA (TA =+125°C)
ICCSMAIN
標準:3mA→0.9mA (TA =+25°C)
最大:8mA→4mA (TA =+105°C)
最大:9.5mA→5mA (TA =+125°C)
ICCSSUB
標準:0.3mA→0.04mA (TA =+25°C)
最大:4.5mA→2.5mA (TA =+105°C)
最大:6mA→3.5mA (TA =+125°C)
「タイマモードの電源電流」に ICCTPLL を追加
「タイマモードの電源電流」の条件を修正
「タイマモードの電源電流」の規格値を変更
ICCTRCL
標準:45µA→35µA (TA =+25°C)
ICCTSUB
標準:30µA→25µA (TA =+25°C)
「ストップモードの電源電流」の規格値を変更
ICCH
標準:30µA→20µA (TA =+25°C)
最大:830µA→825µA (TA =+105°C)
「フラッシュパワーダウン時の電流」の規格値を追加
「低電圧検出機能有効時の電源電流」
・規格値を温度別に変更
・規格値を変更
最大:15µA→12.5µA (TA =+125°C)
「フラッシュ書込み/消去電流」の規格値を温度別に
変更
「注釈*2, *3」に以下を追加
「フラッシュのパワーダウン/リセットモードを使用しな
い場合は、ICCFLASHPD の値を加えてください。
」
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ページ
42
場所
3. 直流規格
(2) 端子特性
4. 交流規格
(1) メインクロック入力規格
43
44
45
(2) サブクロック入力規格
(3) 内蔵 RC 発振規格
(5) PLL の動作条件
46
(6)リセット入力
(8) USART タイミング
48
49
(10) I2C タイミング
51
変更箇所
「"L"レベル出力電圧」に「VOLD」を追加
「入力容量」の端子に「C」を追加
注釈を削除
「*:IOH と IOL は目標値です。
」
規格値および単位を以下に変更
・入力周波数(fFCI)
最大:16MHz → 8MHz
・入力クロック周期(tCYLH)
最小:62.5ns → 125ns
・入力クロックパルス幅(PWH, PWL)
最小:30% → 55ns
最大:70% → 外部クロック使用時の tCYLH 図を追加
水晶発振器使用時の tCYLL 図を追加
外部クロック使用時の tCYLL 図を修正
「RC 発振安定待ち時間」を追加
規格値および記号を以下に変更
・PLL 入力クロック周波数(fPLLI)
最大:16MHz → 8MHz
・PLL 発振クロック周波数(fCLKVCO)
fPLLO → fCLKVCO
「PLL 発振クロック周波数」の備考に追加
PLL 位相ジッタ(tPSKEW)を追加
PLL 位相ジッタの図を追加
リセット入力時(tRSTL)の図を追加
条件を変更
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~
+ 125°C)
→
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V, TA = - 40°C~
+ 125°C, CL = 50pF)
「(注意事項)」を変更
「MB96620 シリーズハードウェアマニュアル」を参照し
てください。
→
「MB96600 シリーズハードウェアマニュアル」を参照し
てください。
USART の内部シフトクロックモードの図を修正
「入力フィルタで除去されるスパイクのパルス幅(tSP)」
と*5 を追加
図に tSP を追加
52
5. A/D コンバータ
(1) A/D コンバータの
電気的特性
53
(2) A/D コンバータサンプリン
グ時間の設定と精度
「アナログ抵抗(RVIN)」を表に追加
「チャネル間ばらつき」を追加
「注釈*」を追加
「等価回路モデルの概算式」から[min]を削除
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ページ
54
場所
5. A/D コンバータ
(3) A/D コンバータの用語の
定義
6. 低電圧検出機能の特性
56
57
7. フラッシュメモリ書込み/
消去特性
58
59~61
特性例
オーダ型格
62
変更箇所
説明と図を修正
「直線性誤差」→「非直線性誤差」
「微分直線性誤差」→「微分非直線性誤差」
「ゼロトランジション電圧」を追加
「フルトランジション電圧」を追加
電源電圧変化率(dV/dt)の最大値を追加
ヒステリシス幅(VHYS)を追加
安定待ち時間(TLVDSTAB)を追加
検出遅延時間(td)を追加
「備考」を削除
「注釈*1, *2」を追加
ヒステリシス幅を考慮した図を追加
安定待ち時間図を追加
「(目標値)」を削除
・「セクタ消去時間」の規格値と備考を変更
・「セクタ消去時間」に「セキュリティセクタ」を追加
・「チップ消去時間」の規格値と備考を変更
「(注意事項)」を追加
「特性例」を追加
すべての型格を変更
MB96F622RAPMC-GSE1*→MB96F622RBPMC-GSE1
MB96F622RAPMC-GSE2*→MB96F622RBPMC-GSE2
MB96F622RAPMC1-GSE1*→MB96F622RBPMC1-GSE1
MB96F622RAPMC1-GSE2*→MB96F622RBPMC1-GSE2
MB96F623RAPMC-GSE1*→MB96F623RBPMC-GSE1
MB96F623RAPMC-GSE2*→MB96F623RBPMC-GSE2
MB96F623RAPMC1-GSE1*→MB96F623RBPMC1-GSE1
MB96F623RAPMC1-GSE2*→MB96F623RBPMC1-GSE2
MB96F625RAPMC-GSE1*→MB96F625RBPMC-GSE1
MB96F625RAPMC-GSE2*→MB96F625RBPMC-GSE2
MB96F625RAPMC1-GSE1*→MB96F625RBPMC1-GSE1
MB96F625RAPMC1-GSE2*→MB96F625RBPMC1-GSE2
MB96F622AAPMC-GSE1*→MB96F622ABPMC-GSE1
MB96F622AAPMC-GSE2*→MB96F622ABPMC-GSE2
MB96F622AAPMC1-GSE1*→MB96F622ABPMC1-GSE1
MB96F622AAPMC1-GSE2*→MB96F622ABPMC1-GSE2
MB96F623AAPMC-GSE1*→MB96F623ABPMC-GSE1
MB96F623AAPMC-GSE2*→MB96F623ABPMC-GSE2
MB96F623AAPMC1-GSE1*→MB96F623ABPMC1-GSE1
MB96F623AAPMC1-GSE2*→MB96F623ABPMC1-GSE2
MB96F625AAPMC-GSE1*→MB96F625ABPMC-GSE1
MB96F625AAPMC-GSE2*→MB96F625ABPMC-GSE2
MB96F625AAPMC1-GSE1*→MB96F625ABPMC1-GSE1
MB96F625AAPMC1-GSE2*→MB96F625ABPMC1-GSE2
GT 型格を追加
MB96F622RBPMC1-GTE1
MB96F623RBPMC1-GTE1
MB96F625RBPMC1-GTE1
MB96F622ABPMC1-GTE1
MB96F623ABPMC1-GTE1
MB96F625ABPMC1-GTE1
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されています。極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合,直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途(原
子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器
システムにおけるミサイル発射制御など), または極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器, 宇宙衛星など)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって,これらの用途へのご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。
ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 当社は責任を負いません。
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社半導体デバイスに故障や誤動作が発生した場合も, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害などを生じさせないよう, お客様の責任に
おいて, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
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どの規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください。
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編集
プロモーション推進部
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