1N4148

1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug
IFAV = 150...200 mA VRRM = 50...100 V
VF1 < 0.54 V
IFSM = 2000...4000 mA
Tjmax = 200°C
trr
< 2...4 ns
Version 2015-11-20
±0.4
3.9
62.5
±3
Ø 1.9±0.1
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
EE
WE
Pb
EL
V
~DO-35 / ~(SOD-27)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data 1)
Ø max 0.5
5000
Taped in ammo pack
Gegurtet in Ammo-Pack
0.17 g
Weight approx.
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Gewicht ca.
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Reverse voltage
Sperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
1N4148
75
100
1N4150
50
50
1N4151
50
75
1N4448
75
100
Type
Typ
1N4148
1N4448
1N4150
1N4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
IFAV
150 mA 3)
300 mA 3)
200 mA 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
500 mA 3)
600 mA 3)
500 mA 3)
IFSM
2000 mA
4000 mA
2000 mA
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
tp = 1 µs
Tj = 25°C
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Ptot
500 mW 3)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Rev. recovery time 1)
Sperrverzugszeit 1)
VF [V] at/bei IF [mA]
IR [nA] at/bei VR [V]
trr [ns]
1N4148
<1
10
< 25
< 5.000
< 50.000
20
75
20 (Tj = 150°C)
<4
1N4150
0.54...0.62
0.66...0.74
0.76...0.86
0.82...0.92
8.87...1.00
1
10
50
100
200
< 100
< 100.000
50
50 (Tj = 150°C)
<4
1N4151
<1
50
< 50
< 50.000
50
50 (Tj = 150°C)
<2
1N4448
0.62...0.72
<1
5
100
< 20
< 5.000
< 50.000
25
75
20 (Tj = 150°C)
<4
VR = 0 V
Cj
4 pF
RthA
< 300 K/W 2)
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
10
-1
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-3
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature2)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2)
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA, VR = 6V, RL = 100 Ω
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages