1N4148W

1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-07-16
1 .1 ±0.1
±0.2
3.8
Type
Code
400 mW
Repetitive peak reverse voltage
eriodische Spitzensperrspannung
75 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
~SOD-123
Weight approx. – Gewicht ca.
1 .6 ±0.1
0.6 ±0.1
0 .1 2
Power dissipation – Verlustleistung
2.7±0.1
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148W, 1N4448W
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
400 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 1)
IFSM
IFSM
500 mA 1)
2A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
75 V
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
VRSM
100 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1N4148W
IF = 10 mA
VF
< 1.0 V
1N4448W
IF = 5 mA
IF = 100 mA
VF
F
0.62...0.72 V
1V
Leakage current – Sperrstrom )
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
5 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2)
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
50 µA
CT
4 pF
2
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
trr
RthA
< 4 ns
< 400 K/W 1)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N4148W, 1N4448W
Marking – Stempelung
1N4148W = W1 / T4 / T6 1)
1N4448W = T5 / W1 1)
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMelf
~SOD-323
=
=
=
=
=
1N4148
LL4148
LS4148
MCL4148
1N4148WS
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Alternatively used. The complete part number is given on the package label.
Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben.
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© Diotec Semiconductor AG
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