1N4148WS, 1N4448WS 1N4148WS, 1N4448WS IFAV = 150 mA VF < 1.25 V Tjmax = 150°C Small Signal SMD Switching Diodes Ultraschnelle SMD-Kleinsignaldioden VRRM = 75 V IFSM = 1 A trr < 4 ns Version 2016-03-22 Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) 2.5 ± 0.2 Dimensions - Maße [mm] Type Code 1N4148WS = W2 or A 1N4448WS = W2 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE Type Code 1.25± 0.1 0.3 ±0 . 1 1± 0 .1 1.7 ± 0 . 1 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausführung 1) EL V SOD-323F Mechanical Data 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.005 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) 1N4148WS, 1N4448WS Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM IFSM 350 mA 2) 1A Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 75 V Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung VRSM 100 V 3) Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) 1N4448WS VF VF VF VF VF < 0.75 V – < 0.855 V < 1.0 V < 1.25 V – 0.62...0.72 V < 0.855 V < 1.0 V < 1.25 V Forward voltage Durchlass-Spannung IF = IF = IF = IF = IF = Leakage current – Sperrstrom VR = 20 V VR = 75 V IR IR < 25 nA < 1 µA < 25 nA < 100 nA Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C VR = 20 V VR = 75 V IR IR < 30 µA < 50 µA < 30 µA < 50 µA 1 2 3 1 mA 5 mA 10 mA 100 mA 150 mA 1N4148WS Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148WS, 1N4448WS Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Junction capacitance – Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT typ. 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 620 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung These diodes are also available in other case styles Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar DO-35 = MiniMELF = Q-MiniMELF = SOD-123F = Q-MicroMELF = 120 1 [%] 1N4148 LL4148 LS4148 1N4148W MCL4148 1N4448 LL4448 LS4448 1N4448W MCL4448 [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10-2 60 40 Tj = 25°C 10 -3 20 IF Ptot 0 0 TA 100 50 150 10-4 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 102 [µA] Tj = 150°C 10 Tj = 100°C 1 -1 10 IR Tj = 25°C -2 10 0 VR 25 50 75 [V] Reverse characteristics (typical values) Sperrkennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG