1N4148WS

1N4148WS, 1N4448WS
1N4148WS, 1N4448WS
IFAV = 150 mA
VF < 1.25 V
Tjmax = 150°C
Small Signal SMD Switching Diodes
Ultraschnelle SMD-Kleinsignaldioden
VRRM = 75 V
IFSM = 1 A
trr
< 4 ns
Version 2016-03-22
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
2.5
± 0.2
Dimensions - Maße [mm]
Type Code
1N4148WS = W2 or A
1N4448WS = W2
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
EE
WE
Type
Code
1.25± 0.1
0.3 ±0 . 1
1± 0 .1
1.7 ± 0 . 1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
EL
V
SOD-323F
Mechanical Data 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Weight approx.
Gegurtet auf Rolle
0.005 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148WS, 1N4448WS
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
200 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 2)
IFSM
IFSM
350 mA 2)
1A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
75 V
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
VRSM
100 V 3)
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
1N4448WS
VF
VF
VF
VF
VF
< 0.75 V
–
< 0.855 V
< 1.0 V
< 1.25 V
–
0.62...0.72 V
< 0.855 V
< 1.0 V
< 1.25 V
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF =
IF =
IF =
IF =
IF =
Leakage current – Sperrstrom
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
< 1 µA
< 25 nA
< 100 nA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
< 30 µA
< 50 µA
1
2
3
1 mA
5 mA
10 mA
100 mA
150 mA
1N4148WS
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N4148WS, 1N4448WS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
typ. 2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
RthA
< 620 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
=
MiniMELF
=
Q-MiniMELF =
SOD-123F
=
Q-MicroMELF =
120
1
[%]
1N4148
LL4148
LS4148
1N4148W
MCL4148
1N4448
LL4448
LS4448
1N4448W
MCL4448
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10-2
60
40
Tj = 25°C
10
-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
100
50
150
10-4
[°C]
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
102
[µA]
Tj = 150°C
10
Tj = 100°C
1
-1
10
IR
Tj = 25°C
-2
10
0
VR
25
50
75 [V]
Reverse characteristics (typical values)
Sperrkennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
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Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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